JPS598860B2 - 信号検出装置 - Google Patents
信号検出装置Info
- Publication number
- JPS598860B2 JPS598860B2 JP53126949A JP12694978A JPS598860B2 JP S598860 B2 JPS598860 B2 JP S598860B2 JP 53126949 A JP53126949 A JP 53126949A JP 12694978 A JP12694978 A JP 12694978A JP S598860 B2 JPS598860 B2 JP S598860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- signal
- charge
- input
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/20—Image preprocessing
- G06V10/28—Quantising the image, e.g. histogram thresholding for discrimination between background and foreground patterns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Character Input (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Image Input (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般的には信号検出装置に、より具体的にはア
ナログ信号操作に応用される回路に関する。
ナログ信号操作に応用される回路に関する。
先行技術の光学的文字認識システムは、画像パルスが白
（文書のバックグラウンド）のパルスでなく黒（文字）
のパルスとして認識されるために越えなければならない
弁別基準レベルを自動的に変化させる手段を含んでいる
。
（文書のバックグラウンド）のパルスでなく黒（文字）
のパルスとして認識されるために越えなければならない
弁別基準レベルを自動的に変化させる手段を含んでいる
。
例えばある先行技術の単一チヤネル・システムは光を光
電増倍管へ通すためのスリツトを設けた円板を回転させ
る事によつて、移動する文書の領域が直列に時間的に標
本化される。各画像パルスに関する弁別基準レベルは、
最近感知された黒の画像パルスの最大振幅に従つて対比
管（ＣＯｎｔｒａｓｔｔｕｂｅ）のカツト・オフ・レベ
ルを変化させる事によつて自動的に調整される。先行技
術の他の例では、フオト・セルの２次元アレイで走査さ
れた文書領域に対応する各画像パルスは、走査された領
域を取り囲む領域に対応する画像パルスの平均値と比較
され、走査された領域に対応する画像パルスが周囲の領
域の平均的黒さを越えた時にのみ黒（又は文字）認識信
号が生じる。
電増倍管へ通すためのスリツトを設けた円板を回転させ
る事によつて、移動する文書の領域が直列に時間的に標
本化される。各画像パルスに関する弁別基準レベルは、
最近感知された黒の画像パルスの最大振幅に従つて対比
管（ＣＯｎｔｒａｓｔｔｕｂｅ）のカツト・オフ・レベ
ルを変化させる事によつて自動的に調整される。先行技
術の他の例では、フオト・セルの２次元アレイで走査さ
れた文書領域に対応する各画像パルスは、走査された領
域を取り囲む領域に対応する画像パルスの平均値と比較
され、走査された領域に対応する画像パルスが周囲の領
域の平均的黒さを越えた時にのみ黒（又は文字）認識信
号が生じる。
これら先行技術の回路は大きな場所を取り、手持ち式の
光学的文字認識装置に使用し難い。
光学的文字認識装置に使用し難い。
従つて本発明の目的は、手持ち式光学的交字認識装置に
関して改良された自動しきい値設定回路を与える事であ
る。本発明の目的、特徴及び利点は、ここに開示される
アナログ信号操作回路によつて達成される。
関して改良された自動しきい値設定回路を与える事であ
る。本発明の目的、特徴及び利点は、ここに開示される
アナログ信号操作回路によつて達成される。
文書を光学的に走査する事から又は磁気記録体を磁気的
に走査する事から得られたアナログ電圧は、バツクグラ
ウンド信号の町変な振幅に依存する。アナログ電圧はＢ
ＢＤ回路で処理され、光学的認識での黒もしくは白又は
磁気読取りでの１もしくは０のビツトのいずれが存在す
るかについての２進値を決定するためのしきい値が設定
される。本発明の回路は、時間的に量子化されたアナロ
グ入力信号を表わす電荷パケツトの列を記憶し転送する
電荷転送装置と、電荷転送装置の出力段からの電荷パケ
ツトを選択的に転送する第１及び第２の転送路とを有す
る。転送路の選択は第１及び第２の電圧比較回路によつ
て行なわれる。電荷転送装置から読出された電荷パケツ
トが第１のしきい値よりも大きいときは第１の転送路が
選択され、第２のしきい値よりも小さいときは第２の転
送路が選択される。第１の転送路は第１の保持キヤパシ
タを有し、この保持キヤパシタは第１の転送路を介して
転送された電荷パケツトに応じた電荷を蓄積し、そのキ
ヤパシタ電圧は第１のしきい値として第１の電圧比較回
路に供給される。第２の転送路は第２の保持キヤパシタ
を有し、この保持キヤパシタは第２の転送路を介して転
送された電荷パケツトに応じた電荷を蓄積し、そのキヤ
パシタ電圧は第２のしきい値として第２の電圧比較回路
に供給される。本発明の１つの重要な点は、文書のコン
トラスト及びバツクグラウンドに依存して黒検出しきい
値及び白検出しきい値を動的に設定できることである。
に走査する事から得られたアナログ電圧は、バツクグラ
ウンド信号の町変な振幅に依存する。アナログ電圧はＢ
ＢＤ回路で処理され、光学的認識での黒もしくは白又は
磁気読取りでの１もしくは０のビツトのいずれが存在す
るかについての２進値を決定するためのしきい値が設定
される。本発明の回路は、時間的に量子化されたアナロ
グ入力信号を表わす電荷パケツトの列を記憶し転送する
電荷転送装置と、電荷転送装置の出力段からの電荷パケ
ツトを選択的に転送する第１及び第２の転送路とを有す
る。転送路の選択は第１及び第２の電圧比較回路によつ
て行なわれる。電荷転送装置から読出された電荷パケツ
トが第１のしきい値よりも大きいときは第１の転送路が
選択され、第２のしきい値よりも小さいときは第２の転
送路が選択される。第１の転送路は第１の保持キヤパシ
タを有し、この保持キヤパシタは第１の転送路を介して
転送された電荷パケツトに応じた電荷を蓄積し、そのキ
ヤパシタ電圧は第１のしきい値として第１の電圧比較回
路に供給される。第２の転送路は第２の保持キヤパシタ
を有し、この保持キヤパシタは第２の転送路を介して転
送された電荷パケツトに応じた電荷を蓄積し、そのキヤ
パシタ電圧は第２のしきい値として第２の電圧比較回路
に供給される。本発明の１つの重要な点は、文書のコン
トラスト及びバツクグラウンドに依存して黒検出しきい
値及び白検出しきい値を動的に設定できることである。
例えば、黒レベルが高い場合は第１のキヤパシタへの充
電電荷量が放電電荷量よりも大きくなつて黒検出レベル
が増大し、逆に黒レベルが低い場合は第１キヤパシタへ
の充電電荷量が放電電荷量よりも小さくなつて、黒検出
レベルが減少する。また、バツクグラウンドの白レベル
が高い場合は、第２のキヤパシタへの充電電荷量が放電
量よりも小さくなつて白検出しきい値レベルが減少し、
逆にバツクグラウンドの白レベルが低い場合は第２のキ
ヤパシタへの充電電荷量が放電量よりも大きくなつて、
白検出しきい値が増大する。勿論、キヤパシタの値及び
キヤパシタ放電路抵抗の時定数は使用動作条件において
標準的な白レベル及び黒レベルで基準の白検出しきい値
及び黒検出しきい値を与えるように設計される。光学的
文字認識において、アナログ波形中に含まれる最小（白
）及び最大（黒）の信号レベルの両者を検出し記憶する
事が必要である。
電電荷量が放電電荷量よりも大きくなつて黒検出レベル
が増大し、逆に黒レベルが低い場合は第１キヤパシタへ
の充電電荷量が放電電荷量よりも小さくなつて、黒検出
レベルが減少する。また、バツクグラウンドの白レベル
が高い場合は、第２のキヤパシタへの充電電荷量が放電
量よりも小さくなつて白検出しきい値レベルが減少し、
逆にバツクグラウンドの白レベルが低い場合は第２のキ
ヤパシタへの充電電荷量が放電量よりも大きくなつて、
白検出しきい値が増大する。勿論、キヤパシタの値及び
キヤパシタ放電路抵抗の時定数は使用動作条件において
標準的な白レベル及び黒レベルで基準の白検出しきい値
及び黒検出しきい値を与えるように設計される。光学的
文字認識において、アナログ波形中に含まれる最小（白
）及び最大（黒）の信号レベルの両者を検出し記憶する
事が必要である。
これは一般に複雑な゛ｒナログ・バイポーラ回路を使つ
て行なわれる。この回路は必要な精度に依存して集積化
されてもよく、又されなくてもよい。本発明の一目的は
、回路がＦＥＴ技術で集積化できるように電荷転送デバ
イスを用いてこの回路動作を実行する事である。このア
プローチの利点は大きさの減少に加えて消費電力及び価
格を低減させる事である。第１図は基本的回路発明を示
す。
て行なわれる。この回路は必要な精度に依存して集積化
されてもよく、又されなくてもよい。本発明の一目的は
、回路がＦＥＴ技術で集積化できるように電荷転送デバ
イスを用いてこの回路動作を実行する事である。このア
プローチの利点は大きさの減少に加えて消費電力及び価
格を低減させる事である。第１図は基本的回路発明を示
す。
回路はＢＢＤで具体化されているが、ここで説明される
基本的な概念を用いればＣＣＤを使つてそれを行なう事
もできる。ＦＥＴ，Ｔｌ及びＴ２は、標本化されたアナ
ログ信号が含まれるＢＢＤ遅延線の最終段である。ソー
ス・フオロワＴ９及びＴｌＯから成る非破壊読出し用タ
ツプは、ノード１の情報をノードＮ１で利用できるよう
にする。ＦＥＴ，Ｔ２を通過した後、ＢＢＤ遅延線に含
まれていたアナログ情報は３つの転送路「黒」、「灰」
、［白」の１つを辿る事ができる。アナログ情報が進む
転送路は、ＦＥＴ，Ｔ３，Ｔ５及びＴ７に加えられるゲ
ート電圧φ１Ｂ，φ１Ｇ及びφ１Ｗによつて決定される
。どの転送路が活動しているかに応じて、ＦＥＴ，Ｔ４
，Ｔ６もしくはＴ８はＦＥＴＴｌ及びＴ２を含むＢＢＤ
遅延線の終端又は予備充電デバイスとして働く。ここに
説明した回路の目的は３つの可能な転送路のうちの１つ
だけを任意の１クロツク・サイクル中に付勢する事であ
る。ＦＥＴ，Ｔｌｌ及びＴｌ２から成る非破壊読出し用
タツプは、ＦＥＴ，Ｔ３及びＴ４から成る遅延線の部分
の信号を感知する。ＦＥＴ，Ｔｌ３及びＴｌ４から成る
非破壊読出し用タツプはＦＥＴＴ７及びＴ８から成る遅
延線の部分の信号を感知する。両方のタツプは、ノード
１のソース・フオロワと同一のソース・フオロワを使用
する。転送ゲート１５及び１６は、それぞれのソース・
フオロワからの信号を標本化し、その信号をノードＮＢ
及びＮＷに保持させる。キヤパシタＣＢ及びＣＷはそれ
ぞれ、［黒」転送路及び「白」転送路を介して転送され
た電荷信号に応じた電荷を蓄積する。ノードＮＢ及びＮ
Ｗはそれぞれ「黒」比較回路ＡＣＢ及び「白」比較回路
ＡＣＢに結合され、それぞれ「黒」検出しきい値電圧レ
ベル及び「白」検出しきい値電圧レベルを与える。キヤ
パシタＣＢ，ＣＷに並列に抵抗ＲＢ，ＲＷが接続されて
おり、それぞれキヤパシタＣＢ，ＣＷの蓄積電荷を所定
の放電率で放電させる放電路を与える。最初「黒」の回
路を考察すると、信号ＶＢは比較回路ＡＣＢによつて電
圧ＶＩと比較される。もしノードＮＢの電圧がノードＮ
Ｉの電圧よりも小さければ（両者の電圧は整合ソース・
フオロワによつて減衰され相殺される）、比較回路の出
力は［アツプ」になり、ゲートＴ３及びＴｌ５をターン
・オンし、ノードＮＢを新しいＶＢの値に充電させる。
もしノードＮＩの電圧がノードＮＢの電圧よりも小さけ
れば、「灰］又は「白」の回路が制御を行なうであろう
。ノードＮＩの電圧がノードＮＷの電圧よりも小さいな
らば、アナログ比較回路ＡＣＷは論理「１」を発生し、
これはゲートＴ７及びＴｌ６をターン・オンさせ、到来
する信号をノードＮＷに送る。ノード１に到来する信号
がノードＮＢの電圧以上でもノードＮＷの電圧以下でも
ない場合、２つの比較回路の出力の否定論理和が回路Ｎ
ＯＲで取られ、信号φ１Ｇが発生する。この信号φ１Ｇ
は到来する信号を「灰」の転送路に送り込み、捨てる。
第１図の回路はアナログ信号の新しいピーク値及び新し
い最小値を認識し記憶する。
基本的な概念を用いればＣＣＤを使つてそれを行なう事
もできる。ＦＥＴ，Ｔｌ及びＴ２は、標本化されたアナ
ログ信号が含まれるＢＢＤ遅延線の最終段である。ソー
ス・フオロワＴ９及びＴｌＯから成る非破壊読出し用タ
ツプは、ノード１の情報をノードＮ１で利用できるよう
にする。ＦＥＴ，Ｔ２を通過した後、ＢＢＤ遅延線に含
まれていたアナログ情報は３つの転送路「黒」、「灰」
、［白」の１つを辿る事ができる。アナログ情報が進む
転送路は、ＦＥＴ，Ｔ３，Ｔ５及びＴ７に加えられるゲ
ート電圧φ１Ｂ，φ１Ｇ及びφ１Ｗによつて決定される
。どの転送路が活動しているかに応じて、ＦＥＴ，Ｔ４
，Ｔ６もしくはＴ８はＦＥＴＴｌ及びＴ２を含むＢＢＤ
遅延線の終端又は予備充電デバイスとして働く。ここに
説明した回路の目的は３つの可能な転送路のうちの１つ
だけを任意の１クロツク・サイクル中に付勢する事であ
る。ＦＥＴ，Ｔｌｌ及びＴｌ２から成る非破壊読出し用
タツプは、ＦＥＴ，Ｔ３及びＴ４から成る遅延線の部分
の信号を感知する。ＦＥＴ，Ｔｌ３及びＴｌ４から成る
非破壊読出し用タツプはＦＥＴＴ７及びＴ８から成る遅
延線の部分の信号を感知する。両方のタツプは、ノード
１のソース・フオロワと同一のソース・フオロワを使用
する。転送ゲート１５及び１６は、それぞれのソース・
フオロワからの信号を標本化し、その信号をノードＮＢ
及びＮＷに保持させる。キヤパシタＣＢ及びＣＷはそれ
ぞれ、［黒」転送路及び「白」転送路を介して転送され
た電荷信号に応じた電荷を蓄積する。ノードＮＢ及びＮ
Ｗはそれぞれ「黒」比較回路ＡＣＢ及び「白」比較回路
ＡＣＢに結合され、それぞれ「黒」検出しきい値電圧レ
ベル及び「白」検出しきい値電圧レベルを与える。キヤ
パシタＣＢ，ＣＷに並列に抵抗ＲＢ，ＲＷが接続されて
おり、それぞれキヤパシタＣＢ，ＣＷの蓄積電荷を所定
の放電率で放電させる放電路を与える。最初「黒」の回
路を考察すると、信号ＶＢは比較回路ＡＣＢによつて電
圧ＶＩと比較される。もしノードＮＢの電圧がノードＮ
Ｉの電圧よりも小さければ（両者の電圧は整合ソース・
フオロワによつて減衰され相殺される）、比較回路の出
力は［アツプ」になり、ゲートＴ３及びＴｌ５をターン
・オンし、ノードＮＢを新しいＶＢの値に充電させる。
もしノードＮＩの電圧がノードＮＢの電圧よりも小さけ
れば、「灰］又は「白」の回路が制御を行なうであろう
。ノードＮＩの電圧がノードＮＷの電圧よりも小さいな
らば、アナログ比較回路ＡＣＷは論理「１」を発生し、
これはゲートＴ７及びＴｌ６をターン・オンさせ、到来
する信号をノードＮＷに送る。ノード１に到来する信号
がノードＮＢの電圧以上でもノードＮＷの電圧以下でも
ない場合、２つの比較回路の出力の否定論理和が回路Ｎ
ＯＲで取られ、信号φ１Ｇが発生する。この信号φ１Ｇ
は到来する信号を「灰」の転送路に送り込み、捨てる。
第１図の回路はアナログ信号の新しいピーク値及び新し
い最小値を認識し記憶する。
情報が記憶される時間の長さはノードＮＢ及びＮＷＯ）
ＲＣ時定数に依存する。この回路は２進論理回路の利点
を有しているが、アナログ信号自身はデイジタル形式に
変換されない。その結果として、回路の単純さと低電力
消費のために最大の密度が可能なＭＯＳＦＥＴ技術で実
施する事ができる。第１図の回路の他の実施例は比較回
路ＡＣＢ及びＡＣＷの入力ＶＢ及びＶｗを、比較回路を
駆動する２つの別の電圧源（到来する信号の関数でもそ
うでなくてもよい）で置き換える度である。
ＲＣ時定数に依存する。この回路は２進論理回路の利点
を有しているが、アナログ信号自身はデイジタル形式に
変換されない。その結果として、回路の単純さと低電力
消費のために最大の密度が可能なＭＯＳＦＥＴ技術で実
施する事ができる。第１図の回路の他の実施例は比較回
路ＡＣＢ及びＡＣＷの入力ＶＢ及びＶｗを、比較回路を
駆動する２つの別の電圧源（到来する信号の関数でもそ
うでなくてもよい）で置き換える度である。
そのような方式を用いると、「黒」転送路の出力は最初
の前もつて決められた振幅を越える到来信号の部分しか
含まないであろう。同じ理由により、「白」転送路は第
２の前もつて決められた振幅以下の到来信号の部分しか
含まず、「灰」転送路はそれらの中間に存在する信号全
てを含むであろう。従つて電荷転送技術を用いがピーク
（又は谷）・クリツピング（又は保持）に等しい事が実
行された。第２図は今説明した別の実施例の回路変型を
用いた時の代表的入力波形に関する３つの転送路の出力
を示す。
の前もつて決められた振幅を越える到来信号の部分しか
含まないであろう。同じ理由により、「白」転送路は第
２の前もつて決められた振幅以下の到来信号の部分しか
含まず、「灰」転送路はそれらの中間に存在する信号全
てを含むであろう。従つて電荷転送技術を用いがピーク
（又は谷）・クリツピング（又は保持）に等しい事が実
行された。第２図は今説明した別の実施例の回路変型を
用いた時の代表的入力波形に関する３つの転送路の出力
を示す。
第１図は本発明の回路図、第２図は第１図に示される回
路の出力転送路に関する電圧波形を示す図である。 φ１，φ２・・・・・・クロツク、Ｔｌ，Ｔ２・・・・
・・ＢＢＤを構成するＦＥＴｌＴ３，Ｔ４・・・・・・
「黒」転送路のＦＥＴｓＴ５，Ｔ６・・・・・・「灰」
転送路のＦＥＴｌＴ７，Ｔ８・・・・・・「白」転送路
のＦＥＴｌＣＢ，ＣＷ・・・・・・保持キヤパシタ、Ａ
Ｃ，ＡＣＢ，ＡＣＷ゜゜゜゜゜゜比較回路、＆・・・・
・・アンド回路、ＮＯＲ・・・・・・ノア回路。
路の出力転送路に関する電圧波形を示す図である。 φ１，φ２・・・・・・クロツク、Ｔｌ，Ｔ２・・・・
・・ＢＢＤを構成するＦＥＴｌＴ３，Ｔ４・・・・・・
「黒」転送路のＦＥＴｓＴ５，Ｔ６・・・・・・「灰」
転送路のＦＥＴｌＴ７，Ｔ８・・・・・・「白」転送路
のＦＥＴｌＣＢ，ＣＷ・・・・・・保持キヤパシタ、Ａ
Ｃ，ＡＣＢ，ＡＣＷ゜゜゜゜゜゜比較回路、＆・・・・
・・アンド回路、ＮＯＲ・・・・・・ノア回路。
Claims (1)
- １ 情報を表わす一連の電荷信号を記憶し転送する電荷
転送手段と、上記電荷転送手段の出力段に結合された第
１入力及び第２入力を有し、該出力段で読出された電荷
信号が該第２入力の信号よりも大きいとき第１比較信号
を発生する第１電圧比較手段と、上記出力段に結合され
た入力、上記第１電圧比較手段の出力に結合された制御
入力及び出力を有し、上記第１電圧比較手段から上記第
１比較信号が発生されたことに応答して上記出力段の電
荷信号を出力へ転送する第１ゲート手段と、上記第１ゲ
ート手段の出力に結合され、該第１ゲート手段を介して
転送された電荷信号に応じた電荷を蓄積する第１キャパ
シタ手段と、上記第１キャパシタ手段の蓄積電荷を所定
の放電率で放電させる放電路と、上記出力段に結合され
た第１入力及び第２入力を有し、該出力段で読出された
電荷信号が該第２入力の信号よりも小さいとき第２比較
信号を発生する第２電圧比較手段と、上記出力段に結合
された入力、上記第２電圧比較手段の出力に結合された
制御入力及び出力を有し、上記第２電圧比較手段から上
記第２比較信号が発生されたことに応答して上記出力段
の電荷信号を出力へ転送する第２ゲート手段と、上記第
２ゲート手段の出力に結合され、該第２ゲート手段を介
して転送された電荷信号に応じた電荷を蓄積する第２キ
ャパシタ手段と、上記第２キャパシタ手段の蓄積電荷を
所定の放電率で放電させる放電路と、を有し、上記第１
ゲート手段の出力は第１検出出力を与えると共に上記第
１電圧比較手段の上記第２入力に結合され、上記第２ゲ
ート手段の出力は第２検出出力を与えると共に上記第２
電圧比較手段の上記第２入力に結合されている、信号検
出装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/855,870 US4159432A (en) | 1977-11-30 | 1977-11-30 | Analog signal manipulation using charge transfer techniques |
| US000000855870 | 1977-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5477032A JPS5477032A (en) | 1979-06-20 |
| JPS598860B2 true JPS598860B2 (ja) | 1984-02-28 |
Family
ID=25322308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53126949A Expired JPS598860B2 (ja) | 1977-11-30 | 1978-10-17 | 信号検出装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4159432A (ja) |
| JP (1) | JPS598860B2 (ja) |
| DE (1) | DE2846624A1 (ja) |
| FR (1) | FR2410850A1 (ja) |
| GB (1) | GB1601069A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059253A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-05 | 東城 巧 | 釣金具用穴付きコンクリ−ト２次製品 |
| JPH01223057A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Mk Seiko Co Ltd | 自動車下部洗浄装置 |
| JPH0440222B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1992-07-02 | Takeuchi Tekko Kk | |
| JPH0510261B2 (ja) * | 1985-04-09 | 1993-02-09 | Mk Seiko Co Ltd |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2837139C3 (de) * | 1978-08-25 | 1982-02-25 | Dr.-Ing. Rudolf Hell Gmbh, 2300 Kiel | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Impulsaufsteilung |
| FR2435871A1 (fr) * | 1978-09-08 | 1980-04-04 | Thomson Csf | Dispositif a seuil permettant de distinguer le blanc du noir sur un document, et emetteur de telecopie comportant un tel dispositif |
| US4287441A (en) * | 1979-03-30 | 1981-09-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Correlated double sampling CCD video preprocessor-amplifier |
| JPS57160221A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Olympus Optical Co Ltd | Analog to digital conversion system |
| US4442544A (en) * | 1981-07-09 | 1984-04-10 | Xerox Corporation | Adaptive thresholder |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4001501A (en) * | 1973-05-02 | 1977-01-04 | Rca Corporation | Signal processing circuits for charge-transfer, image-sensing arrays |
| US3869698A (en) * | 1973-11-29 | 1975-03-04 | Mohawk Data Sciences Corp | Optical character recognition video amplifier and digitizer |
| US3891977A (en) * | 1974-07-15 | 1975-06-24 | Fairchild Camera Instr Co | Charge coupled memory device |
| US4021682A (en) * | 1975-06-30 | 1977-05-03 | Honeywell Information Systems, Inc. | Charge detectors for CCD registers |
-
1977
- 1977-11-30 US US05/855,870 patent/US4159432A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-05-30 GB GB24151/78A patent/GB1601069A/en not_active Expired
- 1978-10-17 JP JP53126949A patent/JPS598860B2/ja not_active Expired
- 1978-10-19 FR FR7830415A patent/FR2410850A1/fr active Granted
- 1978-10-26 DE DE19782846624 patent/DE2846624A1/de active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059253A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-05 | 東城 巧 | 釣金具用穴付きコンクリ−ト２次製品 |
| JPH0510261B2 (ja) * | 1985-04-09 | 1993-02-09 | Mk Seiko Co Ltd | |
| JPH01223057A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Mk Seiko Co Ltd | 自動車下部洗浄装置 |
| JPH0440222B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1992-07-02 | Takeuchi Tekko Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1601069A (en) | 1981-10-21 |
| DE2846624A1 (de) | 1979-05-31 |
| FR2410850B1 (ja) | 1984-05-04 |
| US4159432A (en) | 1979-06-26 |
| FR2410850A1 (fr) | 1979-06-29 |
| JPS5477032A (en) | 1979-06-20 |
| DE2846624C2 (ja) | 1987-04-02 |
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