JPS5988497A - ホスホニウムスタネ−ト、その製法及び該化合物を含有する組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は非常に良好な殺生物活性を特徴とする新規なホ
スホニウムスフネート錯体に関する。

ホスホニウム塩・有機錫塩及びある種のホスホニウムス
フネートを殺生物剤として使用しうろことは公知である
。

有機錫（５）錯化合物の化学について一般的な概論はＪ
、Ｗ、ニコルソン（Ｎｉｃｈｏｌｓｏｎ）によって０ｏ
ｏｒｄ　、Ｏｈｅｍ、几ｅｖ、第４７巻、２６３頁（１
９８２）′　中に与えられている。

米国４！許第Ｍ、４４８，１２７号明細書中にはオニウ
ム塩錯体の製造について一般的な方法が記載されている
。然し乍ら、ホスホニウムスフネート及びその殺生物剤
としての活性は記載されていない。

Ｓ、　Ｎ、バータテヤルヤ（Ｂｈａｔｔａｃｈａｒｙａ
　）等によるインド化学会誌（Ｌｕｄｉａｎ　Ｊ、　Ｏ
ｈｅｍ、）第１９Ａ巻、５９２頁（１９８０）には本明
細書に記載したホスポニウムスタネートと類似の化合物
が開示さねている。

米国特許第５．２５９．５４１号明細書によって、次式
： ％式％ （式中Ｒ・１ないし几４は特に炭素原子；；ｊｋ　１１
．ｊいし１２０アルキル基を表わし、Ｘ及びＹは、特に
ハロゲンを表わす） で表わさイ１．るポスポニウム、スタネートが殺生物（
’ＩＥ　（−もつことがケ１ｊられている。

西ドイツ特許公開第１．８０２．３７５号明細書にもホ
スホニラ１１スタネートとアルキレン−ビス−（ジチオ
カルバメート）の金ハ塩と／ハらなる殺真閘活性系にっ
（ハて記載されている。

本発明は、一般式Ｉ： 〔式中、 Ｒ１は炭素原子ａ１ないし６のアルギル基または１個の
ヒドロキシルまたＣまシアノ基、１または２個の炭素原
子数２ないし２２の′アルコキシカルボニルまたは炭素
原子Ｅ！ｒ、　２ないし２２のアルギルカルボニルオキ
シ鬼目：たは１個のハロゲン原子によって置換された炭
素原子数１ないし６のアルキル基、もしくは炭素原子数
３１ユいし７のシクロアルキル基またはフェニル基さ′
：表わし、 ■（・８は水素原子、炭素原子数８ないし２２のアルキ
ル基、メチロール基もしくは１または２個の炭素原子数
１ないし１４のアルＡル基、１または２個の塩素原子ま
たは１または２個の二ｌ−ロ基で置換されたベンジル基
またはベンジル基を表わすが、 但しＲ１がフェニル基でなくかつ１（，３がメチル、エ
チル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチルまたはフェニル基でな
いものとし、 イは次式■ −ｚｐ几１ 、　　　　　　　　（Ｉｌｌ （式中、Ｒ１は前記の意味を表わし、 Ｚは１個以上の一〇−、−８−、−０−０（０）−。

−ａ（ｏ）−ｏ−または−Ｎ（Ｒ’）−で中断されても
よい直鎖または枝分れの（０！−〇、、−ＴＩ４−．．
）基を表才つ　し　、 １ｔは水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル
基を表わす） で表わされる基を表わし、 Ｒ・３はＲ１ｈ同じ意味を有するか、またはベンジル基
、１または２個の炭素原子＠１ないし１４のアルキル基
、１または２個の塩素原子もしくは１または２１団のニ
トロ基によって置換さ１１たベンジル基マたは２−メチ
ル−２−フェニルプロピル基を表わすが、 但し、Ｘ及び／またはＹが弗素原子でないとき基几１及
び／またはＲ３はフェニル基以外のものを表わし、モし
てＸ及びＹは互いに独立して弗素原子、塩素原子、臭素
原子、沃素原子、シアネート基、ジオシアネート基また
は式１１’　−ＣＯＯ−基（式中、Ｒ６は水素原子、ま
たは未置換もしくは１ないし３個のハロゲン原子または
１ないし３個のヒドロキシまたはアミノ基で置換された
炭素原子数１ないし１８の直鎖または分岐鎖アルキル基
、または未置換または１ｔｆいし３個のハロゲン原子ま
たは１ないし３個のアミン、ニトロ、ビトロキシルまた
は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基によって置換さ
れたフェニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキ
ル基または未置換または置換ピリジン基を表わす）を表
わし、 ｎは１または２を表わし、 ｑは１，２または３を表わし、 ａは３または４の値を表わすことができるが、Ｘ及び／
またはＹが弗素原子のときのみ値４を表わし、 ｂは１または４の値を表わすことができるが、Ｘ及び／
またはＹが弗素原子であるときのみ値４を表わし、（ａ
＋ｂ）の合計は常に４でなければならず、 ｒ及びｔは０ないし５の整数を表わすが、（ｒ＋ｔ　）
の合計は２ないし５であり、（ｑ＋　ｒ＋１）の合計は
（ｎ＋４）の値に相当し、そしてＷけイが式■の基を表
わすきき２であり、それ以外の吉き１である。） で表わされるホスホニウムスタネートに関する。

炭素原子数１ないし乙のアルキル基であるＲ１及びＲ３
及び炭素原子数８ないし２２のアルキル基であるＲ２及
び炭素原子数１ない１〜１８のアルキル基であるＲ５の
例は直鎖または分岐状アルギル基、例えばメチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第ニブ
チル、ｎ−アミル、イソアミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オ
クチル、２−エチルヘキシル、デシル、ウンデシル、ド
デシル、トリデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オ
クタデシル、エイコシルオた一トコシル基である。本発
明はまたテトラデシル及びヘキサデシルのようなアルキ
ル基の混合物にも関する。

置換炭素原子数１ないし乙のアルキル基であるＲ１及び
Ｒ３の例はメチロール、２−ヒドロキシエチル、４−ヒ
ドロキシブチル、６−　ヒドロキー（オクチルオキシカ
ルボニル）−メチル、メトキシカルボニルヘキシル、ジ
ー（ブトキシカルボニル）−メチル、ウンデシルカルボ
ニルオキシエチル、３−クロロ−２−ウンデシルカルボ
ニルオキシプロビル及び２−ヒドロキシ−２−ウンデシ
ルカルボニルオキシエチル基である。

炭素原子数３ないし７のシクロアルキル基であるＲ１及
びＲ３、及び炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基
であるＲ５は、特にシクロプロピル、シクロブチル、シ
クロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル及びシ
クロオクチル基でアル。シクロペンチル及びシクロヘキ
シル基が好凍しく、特にシクロペンチル基が好捷しい。

Ｒ２及びＲ３は置換まだは未置換ベンジル基であ、りう
るがこれは例えはｏ−、ｍ−またはｐ−メチルベンジル
、２．３−．３．４−．３．５−またけ２，５−ジメチ
ルベンジル、ノニルベンジル、ラウリルベンジル、テト
ラデシルベンジル、ｏ−、ｍ−またはｐ−クロロベンジ
ル、２．３−、３．４−、３゜５−または２，５−ジク
ロロベンジル、０−９ｍ−またはｐ−ニトロベンジルま
たは２．３−．３．４−。

６．５−または２，５−ジニトロベンジル基である。

式−ＺＰＲ−基としてのＲ２において、Ｚは例えはエチ
レン、１，３−トリメチレン、１，４−テトラメチレン
、グロピリデン、次式の基−ＣＨ２ＣＨ２−０ＣＨ２Ｃ
Ｈ２、（ＣＨ２ＣＨ２０）４ＣＨ２（Ｊｈ　、　　ＣＨ
２Ｃｌ１＋−ＮＨ−ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（Ｃ
１ｂ）　ＣＨ２ＣＨ２−寸だは−ＣＨｚＣＯＯ（Ｊ（、
ｚＣＨｚ　、である。

Ｒ２が−ｚｐＲ；である化合物は好ましい。

炭素原子数１ないし４のアルキル基としてのＲ４の例は
、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−
ブチル、第ニブチル及び第三ブチル基である。

置換炭素原子数１ないし１８のアルキル基としてのＲ５
の例は、メチロール、２−ヒドロキシエチル、４−ヒド
ロキシブチル、６−ヒドロキシヘキシル、２−ヒドロキ
シオクタデシル、クロロメチル、２−クロロエチル、１
，２−ジクロロエチル、４−クロロブチル、６−クロロ
へ痺シル、２−クロロオククデシル、アミツメチット、
２−アミノエチル、４−アミノブチル、６−アミノヘキ
シル、及び２−アミノオクタデシル基である。置換フェ
ニル基としてのＲ５の例は０−２ｍ−またはｐ−置換ク
ロロ−、アミノ−、ニトロ−、メトキシ−、エトキシ−
１ｎ−プロポキシ−捷たはｎ−ブトキシ−フェニル、２
．３−．３゜４−．３．５−または２，５−ジクロロ−
１−ジニトロ−１−ジアミノ−１−ジメトキシ−１−ジ
ェトキシ−１−ジ−ｎ−プロポキシ−、−ジ−ローフｈ
　＊　シー　フェニル、２−クロロ−３−ニトロフェニ
ル、５−アミノ−４−エトキシフェニル、３−アミノ−
５−エトキシフェニル、２，４゜６−トリアミノフェニ
ル、及び２，４．６−ドリクロロフエニル基である。置
換または未置換ピリジン基としてのＩ也５の例は、ピリ
ジン−２−１−６−１または−４−カルボン酸及び２−
１３−まだＱ：１．４−メチルビリジンである。

好まし７い化合物は式Ｉにおいで、■工３が炭素原子数
１ないし乙のアルキル基、炭素原子数１ないし乙のモノ
またはジヒドロキシアルキル基、炭素原子数３ないし７
のシクロアルキル基または２−メチル−２−フェニルプ
ロピル基を表すし、そして他の記号が上記の意味を表わ
す化合物である。

式Ｉで表わされる特に好ましい化合物は、式Ｉにおいて
、Ｒ１がｎ−ブチル基、メチロール基またはフェニル基
を表わし、Ｒ２が炭素原子数８ないし１６のアルキル基
、３，４−ジクロロベンジル基またはｐ−ニトロベンジ
ル基を表わし、Ｒ３が炭素原子数１ないし４のアルキル
基、シクロヘキシル基またはフェニル基を表わずが、但
しＸ及び／またはＹが弗素原子を表わさない々き基Ｒ１
及び／または基Ｒ３がフェニル基以外のものを表わし、
そして他の記号が上記の意味を表わす化合物である。

特に興味ある式Ｉで表わされる化合物は、式■において
、Ｒ１及びＲ３がｎ−ブチル基を表わし、Ｒ２が炭素原
子数１２ないし１６のアルギル基を表わし、Ｘ及びＹは
互いに独立して弗素原子または塩素原子を表わす化合物
、まだ式Ｉにおいて、Ｒ１及びＲ３がｎ−ブチル基を表
わし、Ｒ２がテトラデシル基を表わし、Ｘ及びＹが互い
に独立して弗素原子または塩素原子を表わし、ｑが３を
表わし、そしてｎ、ｒ及び七が１を表わす化合物、及び
式ｉにおいてｑが３、ｎ及びｒが２、そし２てＬが１を
表わす化合物である。

また、興味のある式Ｉで表わされる化合物は、式Ｉにお
いてＸ及び／またはＹが弗素原子を表わす化合物である
。更に、式ＩにおいてＸ及び／またはＹが塩素原子を表
わす化合物も興味がある。他の式１で表わされる好まし
い化合物は、Ｘ及び／捷たはＹが臭素原子を表わす化合
物である。式■において基Ｘ及び／またはＹが式Ｒ５−
ＣＯＯ−のカルボキシレートであるが、特にベンゾエー
ト、プロピオネート、まだはナフチネートである化合物
も好ましい。Ｒ】及びＲ３がｎ−ブチル基を表わし、Ｒ
２がテトラデシル基を表わし、Ｘ及びＹが弗素原子また
は塩素原子を表わし、ｎ、ｑ、ｒ及びｔが２を表わす式
Ｉの化合物もまた興味がある。

式■において、Ｒ１及びＲ３がｎ−ブチル基を表わし、
Ｒ２がテトラテ゛′シル基を表わし、Ｘ及びＹが弗素原
子または塩素原子を表わし、ｎ＋１及びｔが１そしてｒ
が３を表わす化合物もまた重要である。

式ｌにおいて、Ｒ１及びＲ３がｎ−ブチル基を表わし、
Ｒ２が炭素原子数１２ないし１６のアルキル基を表わし
、Ｘが弗素原子または塩素原子を表わし、ｑが３、ｒが
２、ｎが１そしてｔが０の値をさる化合物もまだ更に注
意が払われる。

ｑが３を表わす化合物も好ましい。

次式■： ［（Ｃ４Ｈ９）３ＰＲ２］０［（Ｃ４Ｈ９）３ｓｎｃ１
２コ０　　　　　　　（ｖ）（式中、Ｒ２は炭素原子数
１２ないし１４のアルキル基を表わす） で表わされる化合物もまだ興味あるものである。

次式■： ［（Ｃ４Ｈ９）ｓＰＲ２］”　　［（Ｃ４Ｈ９）ｓＳｎ
Ｆ２コ０　　　　　　　　　　（■）（式中、Ｒ２は炭
素原子数１２ないし１４のアルキル基を表わす） で表わされる化合物も同様に好ましい。

次式■： ［（ＣｓＨ，５）ｓＰＲ２］０［（Ｃ４Ｈ９）ｓｓｎｃ
ｌｚ］０（■）（式中、Ｒ２は炭素原子数１２ないし１
４のアル次式■： ［（Ｃ６Ｈ５）３ＰＲ２］０［（ｃ４ｕ９）＋５ｎＦ２
］０（■）（式中、Ｒ２は炭素原子数１２ないし１４の
アルキル基を表わす） で表わされる化合物は更に好ましい。

本発明のホスホニウム　スタネートは、例えば次式１１
１： ％式％（） （式中、Ｒ１，Ｒ２及びＸは上記の意味を表わす）で表
わされるホスホニウム塩約Ｖｗモルと次式■：Ｂｑ　Ｓ
　ｎ　Ｙｔ（ｒ’／） （式中、Ｒ，’ｙ、ｑ及びｔは上記の意味を表わす）で
表わされるスズ塩約１モルとを反応させることによって
製造するこつ＼できる。

式■で表わされるホスホニウムハライドは市販されてい
るか、壕だけ、対応するホスフィンと有機ハロゲン化物
とから公知の方法で製造することができる。式■で表わ
される錫塩も同様に市販されている。

式■で表わされるホスホニウムハライドと有機錫ハロゲ
ン化物との反応は、室温で、例えばメタノール、エタノ
ール、クロロホルム、アセトン、塩化メチレン、トルエ
ン、キシレン、水などの溶媒（均質系もし７くは２相系
）を使用するかもしくは使用しないで有利に行うことが
できる。溶媒を使用する場合は、反応後にこれを蒸発さ
せるか、または例えばエーテルを加えて反応生成物を沈
澱させて、得られた生成物を再結晶により精製すること
ができる。

式■で表わされる化合物は、低揮発性および良好な水溶
性によって特徴づけられる。

本発明の化合物は、動植物の有害生物について広いスペ
クトルの防除作用を有する。このことは種々の用途の可
能性に導かれる。例えは、紙製造におけるスライムの形
成に対する殺バクテリア剤または消毒剤として、殺菌剤
、殺虫剤、殺ダニ剤または除草剤として、および殺藻剤
としての用途などである。それらは水処理のだめの、微
生物抑制、または冷却水を清めるシステムのだめの及び
／またはバクテリアによるスライムの形成を防ぐための
理想的生成物である。

新規物質も寸た、材料の保護のだめの産業上の抗微生物
剤として非常に適する。利料さしては、例えば、水利、
バルブおよび紙、織布およびレタ゛−（ｌｅｄｅｒ）、
ペイント、フェノ、防汚塗料および同様々塗布剤、光学
および他の種類のガラス、プラスチック、ゴムおよび接
着剤２、ボウリングおよび切削油、鉱酸油、潤滑剤、ワ
ックス、燃料および他の材料が保護される。

使用される目的によって異なるが、本発明の化合物は、
当業者にとって公知の濃度範囲内で用いられる。使用の
濃度の限定は次の値によって与えられる。冷却水では出
来る限り低いｐ−範囲の濃度で充分であり、防汚配合で
は４０重量％までの濃度が使用される。

本発明化合物は、それ自体の形でまたは担体と一緒に、
粉剤、散布剤または噴霧剤さして、適用することができ
る。まだ、本発明化合物は、液状塗布剤等では懸濁させ
るととができる。その際、均一な分散を形成するために
、必要ならば、湿潤剤または乳化剤は活性化合物の均一
な分散を促進することができる。他の殺生物剤例えば殺
虫剤を加えることができる。

用途として好ましい分野は、有機材料をベースきし、更
に慣用のプライマリ−材料および添加剤を含み、そして
式Ｉの化合物またはその混合物を全混合物を基準として
０．５ないし７６０重量％、好ましくは３ないし２５重
景係含む作画塗料、特に防汚塗料よりなる。

防汚塗料用の慣用のプライマリ−材料は、バインダーと
なづけられ当業者に公知の塗料原料で６Ｄ、例えば天然
および合成樹脂、モノマーの塩化ビニル、塩化ビニリデ
ン、スチレン、ビニルトルエン、ビニルエステル、アク
リル酸オよびメタクリル酸もしくはそのエステルを含む
ホモポリマーおよびコポリマー生成物、壕だ塩素化ゴム
、天然および合成ゴム、もし適するならば塩素化まだは
環化もしくはまた反応性樹脂例えば必要ならば硬化剤の
添加によってフィルム形成性、高分子量生成物に変換し
得るエポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂および不飽和ポリ
エステルがあけられる。

バインダーは液体でまたは溶解させた形で存在させるこ
とができる。溶解させたバインダーおよび熱可塑性樹脂
の場合には、溶剤を蒸発することによって保護フィルム
を形成するこさもできる。固体塗布剤は、目的物に例え
ば粉体塗装法によって塗布できる。他の慣用のベース利
料古しては、タール、変性剤、染料、無機または有機顔
料、充填剤および硬化剤があげられる。

式Ｉの構造を有する化合物はまだ、実用上の要求に対し
て非常に有利な、栽培植物の保護のための殺微生物スペ
クトルを有することが見出された。本発明の範囲内の栽
培植物の例は、穀物、とうもろこし、稲、野菜、甜菜、
大豆、落花生、果樹、観賞植物、ぶどうの樹、ホップ、
ウリ科植物（きゅうり、かほちゃおよびメロン）、ナス
科植物、例えばポテト、タバコおよびトマト、まだバナ
ナ、ココアおよび天然ゴムの樹である。

式１で表わされる活性化合物（有効成分）は、上記およ
び関連栽培植物または植物の部分（果実、花、葉、茎、
塊茎または根）に生ずる菌またはバクテリアの抑制また
は壊滅することを可能とする。また後で生えてくる植物
の部分も、この種の微生物から保護された状態を保つ。

活性化合物は下記のクラスに属する植物病因性菌に対し
て有効である：子嚢菌類（Ａｓｃｏｍｙｃｅｔｅｓ　）
（例えばエリシファセアエ（Ｅｒｙｓｉｐｈａｃｅａｅ
　）　ｉたはフザリウム）：担子菌類（１３ａｓｉｄｉ
ｏｍｙｃｅｔｅｓ　）、例えばプシニ７　（ｐｕｃｃｉ
ｎｉａ　）まだは不完全菌類（例えばセルコスポラ（Ｃ
ｅｒｃｏ　ｓ　ｐｏｒａ　）またはセプトリア（５ｅｐ
ｔｏｒｉａ　）　）　：およびフイトマイセテス（Ｐｈ
ｙｔｏｍｙｃｅｔｅｓ　）例えばフィトフトラ（Ｐｈｙ
ｔｏ−ｐｈｔｈｏｒａ　）。更に弐Ｉの化合物は浸透作
用を有する。式■の化合物は種子および貯蔵生産物（果
実、塊茎または穀物）および挿木を処理するだめのドレ
ッシング剤として、それらを菌の感染からおよび地中に
生ずる植物病因性菌から保護するために有利に使用され
る。

更に式ｌの化合物は、植物病因性バクテリア、例えはシ
ュードモナス種およびキサントモナス神に対して有効で
ある。

式１の化合物は、それ自体または他の適当な担体および
／または他の助剤とともに植物の保護に用いられる。適
当な担体および助剤は固体または液体であってよく、そ
して製剤の技術分野で慣用される物質が用いられる。例
えば、天然まだは再生鉱物質、溶媒、分散剤、湿潤剤、
粘着伺力剤、シックナー、結合剤または肥料である。

市販剤中の活性化合物の含有＃ｄ、０．１ないし７９０
チである。

使用のためには、式１の化合物は１記の剤型に加工する
ことができる（活性化合物（有効成分）の有利な量をカ
ッコ内に重量％で示す）。

固体製剤；粉剤および散剤（１０チ以下）、粒剤、被覆
粒剤、含浸粒剤および均質粒剤およびペレット（グレイ
ン）（１ないし８０チ）。

液体製剤： ａ）水中に分散させた有効成分濃厚液：水和剤およびペ
ースト剤（市販品包装体で２５ないし９０チ；そのまま
使用できる液剤で０．０１ないし１５チ）およびエマル
ジョンおよび液剤原液（１０ないし５０チ；その″！、
凍使用できる液剤で０．０１ないし１・５％）。

ｂ）　　溶液剤（０，１ないし２０％）；エローゾル。

したがって、本発明は、本発明の化合物を含む剤および
微生物および藻類を防除するために本発明の化合物およ
び剤を使用するとＬも包含する。

本発明で使用することができる殺生物剤は、また他の活
性物質を含むこともできる。

これらの例は次のものである： ａ）有機イオウ化合物、例えばメチ１／ンジチオシアネ
ー）　（ＭＢＴ）、イソチアゾロンまだは３．５−ジメ
チルテトラヒドロ−１，３，５−２Ｈ−チアジアジン−
２−チオン（ＤＭＴＴ）。

このような物質は、製紙中のスライムの形成に対して特
に用いられる。

ｂ）塩化フェノール、例えばナトリウムペンタクロルフ
ェルレート。これらの化合物は広い作用スペクトルによ
って特徴づけられる。

Ｃ）銅塩、例えば硫酸銅、少量で有効な殺藻剤である。

ｄ）殺藻剤、殺菌剤および殺バクテリア剤さしての２，
２−ジブロム−５−二［リログロピオンアミド（ＤＢＮ
Ａ）。

ｅ）塩素および臭素は有効な殺藻剤および殺バクテリア
剤として知られており、特に水処理に用いられる。

ｆ）水には、二酸化塩素、クロロイソシアヌレートおよ
び次亜塩素酸塩がまだ慣用の殺生物剤である。

ｇ）公知の木材用殺生物剤 ８９次のものを基材とする塩混合物 へキザフルオロ硅酸塩 弗化水素 無機ホウ素化合物 クロム酸塩 弗化物 砒素（酸化物または砒酸塩） 銅塩（硫酸塩またはナフテネイト） スズおよび亜鉛塩 水銀化合物 す、タールオイル生成物 Ｃ９有機活性化合物： ペンタクロロフェノール フェノール ＤＴ ディールドリン リンデンまだはガメクサン 塩化ナフタレン ｈ）公知の消毒剤 ａ、フェノールまたはフェノール誘導体す、ホルムアル
デヒドおよび／まだは他のアルデヒドまたは誘導体 Ｃ０塩素または活性塩素含有の有機または無機物質 ｄ０両性表面活性剤 更に、この種の製剤に通常併用される他の物質および補
助剤を、勿論これらの調剤中に存在させることもできる
。これらの例としては、例えばカチオンまたはノニオン
界面活性剤、電解質、錯化剤、溶解剤および染料および
香料物質があげられる。これらの添加剤は、例えば湿潤
力および耐硬化性を改良するために、溶液の粘度調整お
よび冷条件下での安定性を増加させるために使用される
。

次の実施例で本発明をさらに詳しく説明するが、これら
実施例は本発明の範囲を制限するものではない。これら
の実施例で与えられるツク−セント（俤）及び部は重量
によるものである。

上記表中で、 ブチル基はｎ−ブチル基を表わし、 テトラデシル基はｎ−テトラデシル基を表わし、及び ラウリルベンジル基はｏ−、ｍ−及びｐ−異性体の混合
物を表わす。

実施例１７： トリフェニルベンジルホスホニウム塩化物９．７部をメ
タノール８０部中に溶解し、アセトン１００部中にトリ
シクロヘキシル−錫塩化物１０．１部を含む溶液を加え
る。揮発成分を蒸留したあとに、無色の結晶質物質（融
点１９３ないし１９５°Ｃ）１９．８部が残る。１１９
ｓｎＮＭ几スペクトルにおいて、得られた物質：すなわ
ちトリフェニルベンジルホスホニウムトリシクロへキシ
ルジクロロスタネートのＣＤＣ１，溶液はトリシクロヘ
キシル−錫塩化物と比較して高い分野の方向へ４　＆　
９１）１ｍシフトする。

実施例１８ニ トリーｎ−ブチル−ｎ−テトラデシル−ホスホニウム塩
化物及びトリシクロへキシル−錫塩化物を類似の方法で
反応させる。１１９ｓｎＮＭ几スペクトルにおいて、そ
れによって形成されたトリーｎ−ブチル−ｎ−テトラデ
シル−ホスホニウムトリシクロへキシルシクロロスタネ
ートはトリシクロヘキシル−錫塩化物と比較してＣＤＣ
１，溶液中で高い分野の方向へ５２．７ｐＩ）ｍシフト
する。

実施例１９ニ トリーｎ−ブチル−ｎ−ヘキサデシルホスホニウムトリ
シクロへキシループロモクロロスタネートが類似の方法
で得られる。この物質のシフトはトリシクロヘキシル−
錫塩化物と比較して高い分野の方向へ３６．１ｐｌ）ｒ
ｎである。

実施例２０−５１　： 次の錯体がホスホニウム及び錫成分の適描な選択によっ
て、類似の方法で得られる。

宰１：ここではブチルはｎ−ブチルであり、ラウリルは
ｎ−ラウリルであり、及びテトラデシルはｎ−テトラデ
シルである。

ＮＭＲ標準液１２： ａはトリブチル−錫塩化物を表わし、 ｂはトリシクロへキシル−錫塩化物を表わし、Ｃはトリ
フェニル−錫塩化物を表わし、ｄはブチル−錫トリクロ
リドを表わし、ｅはトリメチル−錫塩化物を表わし、 ｆはジブチル−錫ジクロリドを表わし、及び ｇはトリブチル−錫弗化物を表わす。

実施例５２： バクテリアに対する最少抑制濃度（ＭＩ　Ｃ）の測定： カソペブトン（Ｃａ５ｏ　−Ｐｅｐｔｏｎｅ　）液体培
地（メルク社製）中で成長させたバクテリア菌株Ａない
しＦのＯＮＣ（−夜培養した培養物）を生理的塩溶液で
各々１：１，０００に希釈する。その懸濁液をバクテリ
アがもう一度１　：　１，０００に希釈されるような量
カッペプトン液体培地に入れる。培養物を表ＢＫ示され
ているホスホエウムスタネート１００または３００　ｍ
９／ｌで処理する。振盪水浴中で、温度３０℃で２４時
間培養後、培養物は曇シ度を標準として評価される。Ｍ
ＩＣは液体培地がバクテリアの成長によってｒｒｚ曇ら
ない濃度である。

表Ｂ りここで。

Ａ：尋常変形菌（Ｐｒｏｔｅｕｓ　ｖｕｌｇａｒｉｓ）
Ｂ：緑　膿　菌（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ　ａｅｒｕｇ
ｉｎｏｓａ）Ｄ：霊　　菌（Ｓｅｒｒａｔｉａ　ｍａｒ
ｃｅｎｓｅｅｎ８）化合物め良好な成長抑制作用、特に
抑制することが困難ではあるダラム陰性バクテリアに対
してさえ、抑制作用が表Ｂから見ることができる。

実施例５３： 混合培養物を得るために、種々のバクテリア菌株のカセ
ーペプトン液体培地中で成長したＯＮＣの大腸菌、ハシ
ラス　セレウス　パル。

ミコイブ（Ｂａｃｉｌｌｕｓ　ｃｅｒｅｕｓ　ｖａｒ、
　ｍｙｃｏｉｄｅｓ　）黄色ブドウ球菌、緑膿菌、エン
テロバクチル　アエロゲン（Ｅｎｔｅｒｏｂａｃｔｅｒ
　ａｅｒｏｇｅｎｅｓ　）及び尋常変形菌を最終希釈度
１　／　ｔ　ｏ　ｏ　ｏ　　となるようにおのおのをタ
イロード（Ｔｙｒｏｄｅ　）の溶液に入れ、混合培養物
を振盪水浴中で、温度３０℃で５時間培養する。

その後、５μｌを試料から取り、カッ−ベグトン（Ｃａ
５ｏ　−Ｐｅｐｔｏｎｅ　）寒天上に落す。３０℃で２
４時間培養物を再び培養（７た後、成長を目視で評価す
る０ 次の表から見ることができるように、ホスホニウムスタ
ネートはまたこれらのスライム形成性バクテリアに対し
て強力な殺バクテリア作用を有する。

表Ｃ：タイロード溶液中の混合バクテリア培養物の殺滅 ＋：成長、殺滅されていない （＋）：成長、少し抑制されている（１０コロニー以上
） （−）：少し成長している（１ないし１０コロニー）−
二成長していない、殺滅された 実施例５４ の測定： 調査は次の菌類を使用して公知の寒天混合試験により麦
芽抽出寒天（メルク社製）中で行なうＯ Ｇ：黒色麹菌（クロカビ） ＪＩ　：　７スベルギルスホエニシア （Ａ８ｐｅｒｇｉ１１．ｕｓ　ｐｈｏｅｎｉｃｉａ　）
■：ベニシリウムフニキュロサム （Ｐｅｎ１ｃｉ１１．ｆｕｍ　ｆｕｎｌｃｕｌｏｓｕｍ
　）Ｊ：アルテルナリア７゛ルテルナチ （Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ　ａｌｔｅｒｎａｔａ　）Ｋ：
クラドスポリウム　クラトスポリオイド（Ｃ１ａｄｏｓ
ｐｏｒｉｕｒｎ　ｃｌａｄｏｓｐｏｒｉｏｊｄｅｓ　）
Ｔ、：鵞口瘉カンジダ Ｍ：エンドミセス　ケメトリチューム （Ｅｎｄｏｍｙｃｅｓ　ｇｅｏｔｒｉｃｈｕｍ　）Ｎ：
オウレオバシジュウム　プルラン （Ａｕｒｅｏｂａｇｉｄｉｕｍ　ｐｕｌｌｕｌａｎｓ　
）０：カエトミウム　グロポザム （Ｃｈａｅｔｏｍｉｕｍ　ｇｌｏｂｏｓｕｍ　）抑制の
ため、各々の場合１０．５０及び１００　ｍｅ／ｌの濃
度が寒天中に生じるような量に種々の化合物を加える。

菌類の成長抑制のため必要な濃度（ｍ９／ｌ　）　（滴
加した痕跡量の菌類から出発する）が表りに説明されて
いる。

表り：菌類に対するＭＩＣの測定 表りかも、該化合物も優れた殺菌剤であることがわかる
。

実施例５５： ａ）クロレラブルガリス（Ｃｈｌｏｒｅｌｌａ　ｖｕｌ
ｇａｒ−ｉｓ　） 藻類用栄養培養物中に１Δ日間成長させたクロレラブル
ガリスを藻類用栄養培ｊｌ１７．中に１＝２００に希釈
される。

その後１表Ｅに列記した各々の化合物を濃度３　ｍｙ／
７１となるように加える。６時間培養した後、殺減作用
を測定するために各々の場合１０μｌを抜き取り、藻類
の寒天上に滴下する。

１４日間照光（１４時間明るい７１０時間暗いをくり返
す）して培養の後、藻類寒天上の成長（藻類殺減作用の
測定）藻類培地中での成長（成長抑制の測定）を目視に
よって評価する０ 表Ｅ １：培地中では成長していない、３ｐｐｒｎで成［）抑
制作用を持つ。

２：寒天上での成長な（−１３ｐｐｍで６時間以内に藻
類を破壊した・ ｂ）　　エンテロモルファ　インテスティナリス（Ｅｎ
ｔｅｒｏｍｏｒｐｈａ　１ｎｔｅｓｔｉｎａｌｉｓ）海
水の汚れについて最も重要な緑藻植物エンデロモルファ
に対する作用はエルドースクレイペｋ　（Ｅｒｄ−８ｃ
ｈｒｅｉｂｅｒ）溶液を含んでいる無菌に濾過された海
水で観察される。その溶液は栄養物の抽出物、燐酸塩及
び硝酸塩よシなる。エンテロモルファ　インテスティナ
リの培養は１８℃で光サーモスタット中で１４時間明る
く７１０時間暗くのサイクルとしておこなう。

妨似の方法で成長させた藻類を観察するために海水中で
生成物に短時間（４時間）さらされる。

最小殺生濃度（ＭＫＣ）は作用の期間の終りにある量の
殺藻剤を含んでいる海水から藻類を除去し、それらを洗
いそ］７て６乃至８週間新鮮な海水中で再生培養１．た
後成長または殺滅を観察する。

最小殺生濃度（ＭＫＣ）はある時間内に藻類がもはや回
復できないか、死に絶える程度に藻類を害するのに必要
とされる物質の章である。

抑制濃度（ＭＩＣ）を測定するだめには、辞類は実験（
試験される濃度＝０．１ないし０．５ｍ９／ｌ　’）の
全期間を通じて殺生剤を含んでいる海水中に保たれる。

表Ｆ：エンテロモル７フインテスティナリス（Ｅｎｔｅ
ｒｏｍｏｒｐｈａ　１ｎｔｅｓｔｉｎａ−１ｉｓ） 表Ｅ及びＦから見られるように、塩分を含まない水藻類
（例えば冷水処理）及び海水藻類（例えば防汚塗料のだ
めの成長保Ｆｉ　）に対して注目すべき静礫作用及び殺
藻作用荀有する。

実施例５６： 市販品と【７て利用できる卵を力強力な通気下で駐化さ
せる。その後生後２乃至３日のノーン。

リウス（ｒ＋ｎｕｐｌｉｉ）を人工の海水中に生成物の
ｆｉ＋＋々の濃度（拭動された濃度：　２．５　、１．
５及び０２５ｍ！？／ｌ＞にさらし、比較的長時間ｒ）
、察する。

０：ノープリウスに影響々い １：わずかに変化している １−２＝ノープリウスに影響あり ２：ノープリウスにはげし、７い影響あり２−！Ｉ：は
とんどすべてのノープリウスが死んだ ３：すべてのノープリウスが死んだ 海水甲殻類に対する化合物の顕著な作用は表Ｇから見る
ことができる。アルテミ゛ア　ザリナ（Ａｒｔｅｍｉａ
　５ａｌｉｎａ）は船での成長が大きな問題を引キ起ス
バラニダエ（１３ａｌａｎｉｄａｅ）類縁のものである
。

バクテリア、藻類、真菌類及び甲殻類に対してそれらの
幅広い作用スペクトル及びそれらの活性のだめ、これら
の化合物は、エマルジョン塗料、防汚塗料、水処理、木
材の保護、切削油、プラスチック、紙工業などの物質の
保棹のだめに適用できる。

実施例５Ｚ１： ａ）残留治療作用 ３週間栽培した後、トマト苗木を菌類の分生胞子懸濁液
で接種した。９０乃至１００％の相対湿度及び２０℃に
して恒湿室で２２時間培養後、接種した植物を乾燥し、
活性物質の水利剤から調整した吹き付は液体（活性物質
の０．０６チ）を噴霧した。噴霧液が乾燥した後、処理
された植物を恒湿室にもどす。菌類の侵蝕は９０乃至１
００チの相対湿度、２０℃で５日間感染した植物を培養
後評価する。

実施例５１２： 高さ１０ないし１５眞の落花生植物に有効成分を含む水
和剤から調製した噴霧液（有効成分０．０２％）を噴霧
し；４８時間後に菌の分生胞子懸濁液を接種した。菌を
接種された植物を約２１℃、高い相対湿度にて７２時間
培養し、次いで典型的な葉のはん点が生じる迄温室内に
保持した。接８１２日後に殺菌作用を評価したが、それ
は生じたはん点の数および大きさに基づく。

実施例５７．３： 高さ約８（ｍの大麦植物に有効成分を含む水利剤から調
製した噴霧液（有効成分００２チ）を噴霧した。３ない
し４時間後に処理した植物に菌の分生胞子をまぶした。

接種した大麦植物を約２２℃の温室内に保持し、１０日
後に菌の感染の度合を評価した。

フィトフトラ　インフエスタス（Ｐｈｙｔｏｐｈｔｏｒ
ａｉｎｆｅｓｔａｓ）上に：Ｎｏｓ、５．８及び９セル
コスポラ　アラチデイコラ（Ｃｅｒｃｏｓｐｏｒａａｒ
ａｃｈｉｄｉｃｏｌａ）上に：　Ｎｏｓ、　５．７７ｆ
ｉび９エリシフエ　グラｉ　８Ｅｒｌｉｐｈｅ　ｇｒａ
ｍｉｎｉｓ）上に：Ｎｎ、７ 実施例５８： 長さ１０ないし２０（ｍの新しい枝を有するりんどのさ
し穂に有効成分を含む水第１１剤から調製した噴霧液（
有効成分０．０２％）を噴躾した。処理着物に２４時間
後に菌の分生胞子懸濁液を噴霧した。次に該植物を相対
得度９０ないし１００チで５日間培養し、更に１０日間
２０ないし２４℃で溝室内に保持した。接種後１５日に
腐敗の蔓延を評価した。化合物Ｎｏｐ、１８．５および
９等が８％友１０≠［吸Ｔ代ゴ卯弗１した。

燥重量に対［２て活性物質の沼３度０．０６チとなるよ
人工的に感染することは必要なかった。３週間後の閑の
発生の程度を刊用して試験物質の活性を評価する・ 一般式■の化合物、例えばＮｏｓ、　１及び８で処理す
るとき、侵蝕が抑制される。

実施例６０： ハリモミの小さな木片寸法７ｘ１０ｘ１０間、を減圧下
で５０分間乾燥する。その後、小さな木その後水中で１
８時間圧力処理（用縮空気で２気圧を測定した。）する
。

このように処理した木片はすぐに乾燥するかまたは、ま
ず流水にさらし、その後乾燥する。

小さな乾燥した木片をじゃがいものグルコースの寒天上
に置き、その氷相と周囲の寒天はオウレオパシジウム　
プラン（Ａｕｒｅｏｂａｓ　ｉｄｉｕｍｐｕｌｌａｎｓ
）の胞子懸濁液０．１　ｍｌで接挿される。

２８℃で４週間培養した後、成長は次の方法に従って評
価される。

２：木材上において成長 ３：水利上において成長せず ４：木材上において成長せず、２朋までの範囲の抑制域 ５：来月上において成長せず、２間以」二の範囲の抑制
域 木材の保護のための化合物の顕著な作用ｔ、１、水中に
貯蔵した後でさえ、表からみることができる。

アクチェンゲゼルシャフト 代理人　萼　優美

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　次式Ｉ： 〔式中、 Ｒ，１は炭素原子数１ないし６のアルキル基または１個
   のヒドロキシルまたはシアノ基、１または２個の炭素原
   子数２ないし２２のアルコキシカルボニルまたは炭素原
   子数２ないし２２のアルキルカルボニルオキシ基または
   １個のハロゲン原子によって置換された炭素原子数１な
   いし６のアルキル基、もしくは炭素原子数３ないし７の
   シクロアルキル基またはフェニル基を表わし。 Ｗは水素原子、炭素原子数８ないし２２のアルキル基、
   メチロール基もしくは１または２個の炭素原子数１ない
   し１４のアルキル基。 １または２個の塩素原子または１才たは２個のニトロ基
   で置換されたベンジル基またはベンジル基を表わすが、 但し、几ｌがフェニル基でなくかつＴＬ３がメチル、エ
   チル％ｎ−プロピル、ｎ−ブチルまたはフェニル基でな
   いものとし、 Ｗは次式… −Ｚ　Ｐ　ＲＪ　　　　　　　　（１１（式中、Ｒ１は
   前記の意味を表わし、 Ｚは１個以上の一〇−、−８−、−０−（３（０）−。 −０（０）−〇−または−Ｎ（Ｒ）−で中断され７ても
   よい直鎖または枝分れの（０，−（Ｊ、、−Ｒ４，、＞
   基を表わし、 Ｒは水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基
   を表わす） で表わされる基を表わし、 Ｒ３はｔと同じ意味を有するか、またはべブチル基、１
   または２個の炭素原子数１ないし１４のアルキル基、１
   または２個の塩素原子もしくは１または２個のニトロ基
   によって置換されたベンジル基才たは２−メチル−２−
   フェニルグロビル基を表わすが、 但し、Ｘ及び／またはＹが弗素原子でないとき基几及び
   ／またはＲ３はフェニル基以外のものを表わし、そして
   Ｘ及びＹは互いに独立して弗素原子、塩素原子、臭素原
   子、沃素原子、シアネート基、ジオシアネート基または
   式Ｒ５−０００−基（式中、Ｒ５は水素原子、または未
   １）置換もしくは１ないし６個の・・ロゲン原子または
   １ないし３個のヒドロキシまたはアミン基で置換された
   炭素原子数１ないし１８の直鎖または分岐鎖アルギル基
   、または未（ｍ、換または１ないし３個のハロゲン原子
   または１ないし３個のアミン、ニトロ、ヒドロキシルま
   たは炭素原子数１ないし４のアルコキシ基によって置換
   されたフェニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアル
   キル基または未置換または置換ピリジン基を表わす）を
   表わし、 ｎは１または２を表わし、 ｑは１．２または３を表わし、 ａは３または４の値を表わすことができるが、Ｘ及び／
   またはＹが弗素原子のときのみ値４を表わし、 ｂは１または４の値を表わすことができるが、Ｘ及び／
   またはＹが弗素原子であるときのみ値４を表わし、 （ａ＋ｂ）の合計は常に４でなければならず、ｒ及びｔ
   は０ないし５の整数を表わすが、（ｒ＋ｔ　）の合計は
   ２ないし５であり、（ｑ＋ｒ＋ｔ）の合計は（ｎ−４−
   ４）の値に相当し、そして ＷはＲ２が弐■の基を表わすとき２であり。 それ以外のとき１である・） で表わされるホスホニウノ、スタネート。 （２）式Ｉにおいて、ｉｔが炭素原子数１７ヨいし６の
   アルキル基、炭素原子数１ないし６のモノまたはジヒド
   ロキシアルキル基、炭素原子数５ないし７のシクロアル
   キル基または２−タプル−２−フェニルプロピル基を表
   わす特許６１ノ求の範囲第１項記載の化合物。 （３）式Ｉにおいて、　Ｒ’がｎ−ブチル基、メチロー
   ル基またはフェニル基を表わし、■（、′が炭素原子数
   ８ないし１６のアルキル基、６．４−ジクロロベンジル
   基マたはｐ−ニトロベンジル基を表わし、Ｒが炭素原子
   数１ないし４のアルキル基、シクロヘキシル基またはフ
   ェニル基を表わずが、但しＸ及び／またはＹが弗素原子
   を表わさないとき基Ｒ’及び／または基几３はフェニル
   基以外のものを表わす特許請求の範囲第１項記載の化合
   物。 （４）式Ｉにおいて、几１及びＲ３がｎ−ブチル基を表
   わし、ｌ（、′が炭素原子数１２ないし１６のアルキル
   基を表わし、Ｘ及びＹは互いに独立して弗素原子または
   塩素原子を表わす特許請求の範囲第１項記載の化合物。 （５）式目こおいて％　Ｒ１”及びＲ３、がｎ−ブチル
   基を表わし、）も２がテトラデシル基を表わし、Ｘ及び
   Ｙが互いに独立して弗素原子または塩素原子を表わし、
   ｑが３を表わし、そしてｎ。 ｒ及びｔが１を表わす特Ｗ′「請求の範囲第１項記載の
   化合物。 （６）式Ｉにおいて゛、Ｒ’及びｘｃ’がｎ−ブチル基
   を表わし、Ｒ２がテトラデシル基を表わし、Ｘ及びＹが
   弗素原子または塩素原子を表わし、ｑは３を表わし、ｎ
   及びｒは２そし１ｔは１を表わす特許請求の範囲第１項
   記４Ｉすの化合物。 （７）式Ｉにおいて、Ｖが式■の基を表わす特許請求の
   範囲第１項記載の化合物。 （８）式ｌにおいて、ｑが３を表わす特しパ「請求の範
   囲第１項記載の化合物。 （９）式Ｉにおいて、Ｘ及び／またはＹが弗素原子を表
   わす特許請求の範囲第１項記載の化合物Ｏ ＯＩ　　式Ｉにおいて％Ｘ及び７才たはＹが塩素原子で
   ある特許請求の範囲第１項記載の化合物。 （１１）　　式■において、Ｘ及び／またはＹが臭素原
   子である特許請求の範囲第１項記載の化合物。 （１渇　　式Ｉにおいて、Ｘ及び／またはＹが式ｌヒ−
   ０００−で表わされるカルボキシレートである特許請求
   の範囲第１項記載の化合物。 （１３）　　式１において、几１及び几３がｎ−ブチル
   基を表わし、Ｒ２がテトラデシル基を表わし、Ｘ及び／
   またはＹが弗素原子または塩素原子を表わし、そして”
   ＋　　ｑ＠　　ｒ及びｔが２を表わす特許請求の範囲第
   １項記載の化合物。 θ４）式Ｉにおいて　Ｒ１及びＲ３がｎ−ブチル基を表
   わし、Ｒ２がテトラデシル基を表わし、Ｘ及びＹが弗素
   原子才たけ塩素原子を表オ）し、ｎ、ｑ及びｔが１モし
   てｒが３を表わす特許６１１求の範囲第１項記載の化合
   物。 （＋！’９　　次式■： １３０４Ｈ，）、　ＰＲ，”］°［（０，Ｈ，）、　５
   ｎＯ１す０（Ｖ）（式中、Ｒ２は炭素原子数１２ないし
   １４のアルキル基を表わす） で表わされる特許請求の範囲第１項記載の化金物。 （Ｅｌ　　次式ｖ１： （ｉｏ、Ｈ，）、ＰＲ”ｌ＠　［（０，Ｈ８）ｓ　Ｓｎ
   　Ｆ２］　０（Ｖ！１（式中、几２は炭素原子数１：Ｍ
   、（いし１４のアルキル基を表わす） で表わされる特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ０７）次式■： １１１：Ｃａｎ５）ｓ　ＰＲ”ｌ’　１３０．ＬＴ。）
   ３．５ｎＯ１，）０（ｙ＠（式中、Ｒ２は炭素原子数１
   ２ないし７１４のアルキル基を表わす） で表わされ、る特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ａ陽　次式■： （式中、Ｊ）、２は炭素原子数１２ないし４の゛ｒルギ
   ル基を表わす） で表わされる特許請求の範囲第１項記載の化合１１勿。 （１１メ　　次式■； ［ｎ、：　ｎｔ　ｐ］　Ｇ）ｘｅ　　　　　　　　　　
   　　　　　Ｌ組（式中、）Ｌ’、　１１１．２及びＸは
   下記式Ｉて与えられる意味を表わｊ） で表わされるホスホニウム塩約ｎ／ｗモル吉次式■： １１Ｆｑ　Ｓｎ　Ｙｔ（閉 （式中、１（，３，Ｙ、　ｑ及び【（、を下記式！で与
   えら、１１ζ）７は味を表わｊ−） で表わさ２１．るスズ塩約１モルとを反応させることか
   らなる次式Ｉ： 〔式中、 Ｒ１は炭素原子数１ないし乙のアルギル基または１個の
   ヒドロキシルまたはシアン基、１才たけ２個の炭素原子
   数２１よいし２２のアルコキシカルボニルまたは炭素原
   ７数２ないし２２のアルキルカルボニルオキシ基柱たＩ
   ｔ１個のハロゲン原子によっで置ｊ・バされ７こ炭素原
   子数１ないし６のアルキルｕｉｉｉ　−＜）　シ＜　ｉ
   Ｊ炭素原子数６ないし７のシクロ−アル；Ｖル基または
   フェニル基を表わし、 ■ｔ２は水素原子、炭素原子数８１λいし２２のアルキ
   ル基、メチロール基もしくは１または２個の炭素原子数
   １ないし１４のアルへ−ル基、１または２個の塩素原子
   または１才たは２個のニトロ基で置換さ１１．たベンジ
   ル基またはベンジル基を表わすが、 但し、几１がフェニル基でなくかつＲ１’がメチル、エ
   チル％ｎ−プロピル、ｎ　−ブチルまたはフェニル基で
   ないものとし、 凡２は次式■ −ＺＰＩＥＩ、’　　　　　　　　　（１）（式中、■
   モ１は前記の意味を表わし、Ｚは１個以上（７）−０−
   、−８−、−０−０（０）−。 −Ｃ（０）　−（、）−または−Ｎ（−）−で中断され
   てもよい直鎖才たは枝分ねの（０２−Ｃ５，２ＩＩ、４
   ４）基を表わし、 ■は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基
   を表わす） で表わされる基を表わし、 Ｉｔ”は几１と同じ意味を有するか、またはベンジル基
   、１または２個の炭素原子数１ないし１４のアルキル基
   、１または２個の塩素原子もしくは１または２個のニト
   ロ基によって置換さＩ？、たベンジル基または２−７　
   チル−２＝フエニルプロピル基を表わすが、 但し、Ｘ及び／またはＹが弗素原子でないとき基Ｒ１及
   び／またはＲ３はフェニル基以外のものを表わし、そし
   てＸ及びＹは互いに独立して弗素原子、塩素原子、臭素
   原子、沃素原子、シアネート基、ジオシアネート基また
   は式几−０００−基（式中、几は水素原子、または未置
   換もしくは１ないし３個のハロゲン原子または１ないし
   ３個のヒドロキシまたはアミノ基で置換された炭素原子
   数１ないし１日の直鎖または分岐鎖アルキル基、または
   未置換または１ないし３個のハロゲン原子または１ない
   し５個のアミノ、ニトロ、ヒドロキシルまたは炭素原子
   数１ないし４のアルコキシ基によって置換されたフェニ
   ル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基または
   未置換または置換ピリジン基を表わす）を表わし、 ｎは１または２を表わし、 ｑは１，２または３を表わし、 ａは６または４の値を表わすことができるが、Ｘ及び／
   またはＹが弗素原子のときのみ値４を表わし、 ｂは１または４の値を表わすことができるが、Ｘ及び／
   またはＹが弗素原子であるさきのみ値４を表わし。 （ａ＋ｂ）の合計は常に４でなけわばならず。 ｒ及びｔは０ないし５の整数を表わずか、（ｒ４−ｔ）
   の合計は２ないし５であり、（ｑ＋ｒ＋ｔ）の合計は（
   ｎ＋４　）の値に相当し、そして ＷはＲ２が式■の基を表わｔ（！：き２であり、ぞれ以
   外のとき１である。） で表わされるホスホニウムスタネートの製造方法。 （２（９次式■： 〔式中、 几１は炭素原子数１７まいし６のアルキル基または１個
   のヒドロキシルまたはシアノ基、１または２個の炭素原
   子数２ないし２２のアルコキシカルボニルまたは炭素原
   子数２ないし２２のアルキルカルボニルオキシ基または
   １個のハロゲン原子によって置換された炭素原子数１な
   いし６のアルキル基、もしくは炭素原子数３ないし７の
   シクロアルキル基またはフェニル基を表わし、 げは水素原子、炭素原子数８ないし２２のアルキル基、
   メチロール基もしくは１または２個の炭素原子数１ない
   し１４のアルキル基、１または２個の塩素原子または１
   または２個のニトロ基で置換されたベンジル基またはベ
   ンジル基を表イ）すが、 但し几がフェニル基でなくかつＢ・がメチル、エチル、
   ｎ−プロピル５ｎ−７”チルマタはフェニル基でないも
   のとし、 几２は次式■ −Ｚ　Ｐ　Ｌｌ、’　　　　　　　　　（ＩＩ）（式中
   、几１は前記の意味を表わし、 Ｚハｆ　細身ｆ（７）　−０−、−８＋、　−ｏ−０（
   ０）−。 −０（０）−０−または−ＮＣＲ’）−中断さね、でも
   よい直鎖または枝分れの（０，−０，、−Ｈ，４）基を
   表わし、 ］−Ｌ４は水素原子または炭素原子数１ないし４のアル
   キル基を表わす） で表わされる基を表わし、 ｎＦはＲ１と同じ意味を有するか、またはベンジル基、
   １才たけ２個の炭素原子１３１ないし１４のアルキル基
   、１または２個の塩素原子もしくは１または２個のニト
   ロ基によって置換されたベンジル基または２−メチＡ・
   −２−フエニルブロビル基を表わすが、 但し、Ｘ及び／またはＹが弗素原子でな（７）とき基Ｒ
   １及び／またはＲ３はフェニル基以外のものを表わし、
   そしてＸ及びＹは互いに独立して弗素原子、塩素原子、
   臭素原子、沃素原子、シアネート基、ジオシアネートｉ
   ｔたは弐Ｒ’−０００−基（式中、几５は水素原子、ま
   たは未置換も、シ＜は１ないし３個の）・ロゲン原子ま
   たは１ないし３個のヒドロキシまたはアミノ基で置換さ
   れた炭素原子数１ないし１８の直鎖または分岐鎖アルキ
   ル基、または未置換または１ないし３個のノ・ロゲン原
   子または１ないし３個のアミン、ニトロ、ヒドロキシル
   または炭素原子数１ないし４のアルコキシ基によって置
   換さ、１またフェニル基・炭素原子数５ないし８のシク
   ロアルキル基才た（ま未置換または置換ピリジン基を表
   わす）を表わし、 ｎは１才たは２を表わし、 ｑは１，２または３を表わし、 ａは３または４の値を表わす仁とができるが、Ｘ及び／
   またはＹが弗素原子のとき−のみ値４を表わし、 ｂは１または４の値を表わすことができるが、Ｘ及び７
   丈たはＹが弗素原子であるときのみｆ直４を表オ）し、 （ａ十ｂ）の合計は猟に４てなけわばならず、ｒ及びｔ
   は０ないし５の整数を表わずが、（ｒ＋ｔ　）の合計は
   ２ないし５であり、（ｑ（−ｒ十ｔ　）の合計は（ｎ＋
   ４）の値に相当し、そして ＷはＲ２が弐■の基を表わすとき２であり、そオフ以外
   のとき１である。） で表わされるホスホニウムスフネートの少くとも一つを
   有効成分として含有する組成物。 ＱＯ殺４ヒ物剤としての特許請求の範囲第２０項記載の
   組成物。 に）般ド３剤としての竹許卵求の範囲第２０項記載の組
   成物。 （ハ）　１λ培植物保獲のための特許請求の範囲第２０
   項記載の組成物。 ００　材料の保眼のための特許請求の範囲多１２０項記
   載の組成物。 （ハ）　殺ｉｂ剤、殺虫剤Ｊ５たはムロスサイド（＋ｎ
   ｕ　１１ｏｓｃ　１ｄｃ）としての特許請求の範囲第２
   ０項記載の組成物。 （／４　　冷却回路に使用するだめの特許請求の範囲第
   ２０１）１　記載Ｏｉｌｌ成物。 Ｑ７）防汚塗料に使用するための特許請求の範囲第２０
   項記載の組成物。 いり　消肖剤ζご使用するための特許請求の範囲第２０
   項記載の組成物。 翰　殺バクテリア剤としての特許請求の範囲第２０項記
   載の組成物。