JPS5984582A - 薄膜太陽電池の連続製造装置 - Google Patents
薄膜太陽電池の連続製造装置Info
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- JPS5984582A JPS5984582A JP57194751A JP19475182A JPS5984582A JP S5984582 A JPS5984582 A JP S5984582A JP 57194751 A JP57194751 A JP 57194751A JP 19475182 A JP19475182 A JP 19475182A JP S5984582 A JPS5984582 A JP S5984582A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜太陽′iバ池の大量生産に好適な薄膜太陽
電池のyV続膜製造装置関するものである。
電池のyV続膜製造装置関するものである。
〔従来4′&術〕
一般に薄膀太1≦す電池は、半導体薄膜を第11用した
光電変換素子で構成され、例えば電卓、腕時計。
光電変換素子で構成され、例えば電卓、腕時計。
11v子ゲーム等の′市;諒として広く用いらねている
。
。
そして、この半導体膜としては通常非晶質シリコン(以
下a−δiという)が使用され、代表的な素子構造は第
1図に要部断面図で示すような構成を有している。同図
において、■は基板、2は下部電極、3はp型a−st
、4はi型a−8t、5はn型a−8i、6は上部電極
である。なお、p型a−8i3とn型a−8i6との位
置は逆であっても良い。
下a−δiという)が使用され、代表的な素子構造は第
1図に要部断面図で示すような構成を有している。同図
において、■は基板、2は下部電極、3はp型a−st
、4はi型a−8t、5はn型a−8i、6は上部電極
である。なお、p型a−8i3とn型a−8i6との位
置は逆であっても良い。
このように構成される薄膜太陽電油は、通常基板lには
例えば透光性ガラス板等の透光性絶縁体基板が用いられ
、下部電極2には例えばスパッタリング、真空蒸着法等
により形成された酸化インジウム、酸化すず等の透明導
電膜が用いられる。
例えば透光性ガラス板等の透光性絶縁体基板が用いられ
、下部電極2には例えばスパッタリング、真空蒸着法等
により形成された酸化インジウム、酸化すず等の透明導
電膜が用いられる。
また、p型a−8i3.i型a−8i4.n型a−8i
5は、通常シラン(SiH2) と液封のアルゴン(
Ar)まだは水素(H2) とを含む減圧雰囲気中で
プラズマCVD法により形成され、p型a−8i3の形
成時にはシボラ”(B2H6)、n 型a−S、i 6
ノ形成時にはホスフィン(PH3)がドーピングガス
として少量添加される。さらに上部??i極6には例え
ばスパッタリング、真空蒸着法などにょシ形成されたア
ルミニウム、クロム、ステンレス等の金属膜が用いられ
る。
5は、通常シラン(SiH2) と液封のアルゴン(
Ar)まだは水素(H2) とを含む減圧雰囲気中で
プラズマCVD法により形成され、p型a−8i3の形
成時にはシボラ”(B2H6)、n 型a−S、i 6
ノ形成時にはホスフィン(PH3)がドーピングガス
として少量添加される。さらに上部??i極6には例え
ばスパッタリング、真空蒸着法などにょシ形成されたア
ルミニウム、クロム、ステンレス等の金属膜が用いられ
る。
また、このように構成される薄膜太陽電池を製作するに
は、例えばスパッタリング装置を用いて、基板1土に下
部電極2を形成した後、この基板1を大気中に14!り
出し、プラズマCVDRftKに搬入して下部11極2
上にp型a−8i 3 、 i 5’i a−8i4゜
n ’Ell a−8i 5をIli次積層して形成す
る。次にこの基板lをスパッタリング装置に搬入して上
部電極6を形成して素子を構成する。
は、例えばスパッタリング装置を用いて、基板1土に下
部電極2を形成した後、この基板1を大気中に14!り
出し、プラズマCVDRftKに搬入して下部11極2
上にp型a−8i 3 、 i 5’i a−8i4゜
n ’Ell a−8i 5をIli次積層して形成す
る。次にこの基板lをスパッタリング装置に搬入して上
部電極6を形成して素子を構成する。
しかしながら、このような製造方法によると、下部電極
2とa−8t/lとの界面およびa−8i層と十部釦:
杼6との界面が大気にさらされるために素子特性に悪影
待をおよばずのみならず、スパッタリング装置とプラズ
マCVD装置との間の基板lの移し替え1両者の装置の
排気等に多大な時間を要し、量産性に問題があった。
2とa−8t/lとの界面およびa−8i層と十部釦:
杼6との界面が大気にさらされるために素子特性に悪影
待をおよばずのみならず、スパッタリング装置とプラズ
マCVD装置との間の基板lの移し替え1両者の装置の
排気等に多大な時間を要し、量産性に問題があった。
このような間ね全改善したものとしては、第2図に要部
断面[、]で示すような連続製造装置が提案さi]てい
る。すなわち同図において、10は多数の基板lを収納
配置するローディング槽、IIは基板l上に下部電極2
を形成する第1の成膜槽、11aはその蒸発源、12は
基板lの下部電極2上にa−8i層を形成する第2の成
膜槽、12aはその成膜用電極、13は基板1のa−8
i層上に上部電極6を形成する第3の成膜槽、13aは
その蒸発源、+4はa−8i層上に上部電極6が形成さ
れた基板lを格納するアンローディング槽、15は相互
に隣接する各指間で相互に異なる所定の真空度、雰囲気
を保持させて仕切るパルプ、16は各種に独立して結合
されかつ各相の所定の真空度に保持させる真空ポンプで
ある。
断面[、]で示すような連続製造装置が提案さi]てい
る。すなわち同図において、10は多数の基板lを収納
配置するローディング槽、IIは基板l上に下部電極2
を形成する第1の成膜槽、11aはその蒸発源、12は
基板lの下部電極2上にa−8i層を形成する第2の成
膜槽、12aはその成膜用電極、13は基板1のa−8
i層上に上部電極6を形成する第3の成膜槽、13aは
その蒸発源、+4はa−8i層上に上部電極6が形成さ
れた基板lを格納するアンローディング槽、15は相互
に隣接する各指間で相互に異なる所定の真空度、雰囲気
を保持させて仕切るパルプ、16は各種に独立して結合
されかつ各相の所定の真空度に保持させる真空ポンプで
ある。
このように構成さiた連続製造装置において、II内に
搬送され、ここで下部電極2が形成さねる。そして、下
部電極2が形成さハだ基板iHバルブ15を介して隣接
する第2の成膜槽12に搬送され、ここでa−8i層が
形成される。なお、この第2の成膜槽12はp、i、n
各型a−8i用として3槽に分割されている場合もある
。そして、a−8i層が形成された基板lはパルプ15
を介して隣接する第3の成膜槽13に搬送され、ここで
上部電極6が形成されて最後にアンローディング槽14
に搬送されて格納される。
搬送され、ここで下部電極2が形成さねる。そして、下
部電極2が形成さハだ基板iHバルブ15を介して隣接
する第2の成膜槽12に搬送され、ここでa−8i層が
形成される。なお、この第2の成膜槽12はp、i、n
各型a−8i用として3槽に分割されている場合もある
。そして、a−8i層が形成された基板lはパルプ15
を介して隣接する第3の成膜槽13に搬送され、ここで
上部電極6が形成されて最後にアンローディング槽14
に搬送されて格納される。
このように構成さハた連続製造装置において、各種to
、11.+2.13.14は相互に独立した真空ポンプ
16でそれぞれ所定の真空度に排気され、また各槽相互
間はパルプ15で仕切られているのでパルプ15を開放
して基板lを搬送させるとき以外は各種の雰囲気が混合
されることはない。そして、ローディング槽10に収納
された基板1は素子が完成するまで大気にさらされるこ
とはないので、各層界面が大気中で汚染されることがな
い。寸だ、各成膜II、12.13は常に所定の減圧状
態に保持さねているので、大気から真空に排気する必要
があるのはローディング槽10およびアンロープ、イン
ク槽14のみであるから、真空排気時間が大幅に短縮さ
ハて量産性が極めて高くなるという利点がある。
、11.+2.13.14は相互に独立した真空ポンプ
16でそれぞれ所定の真空度に排気され、また各槽相互
間はパルプ15で仕切られているのでパルプ15を開放
して基板lを搬送させるとき以外は各種の雰囲気が混合
されることはない。そして、ローディング槽10に収納
された基板1は素子が完成するまで大気にさらされるこ
とはないので、各層界面が大気中で汚染されることがな
い。寸だ、各成膜II、12.13は常に所定の減圧状
態に保持さねているので、大気から真空に排気する必要
があるのはローディング槽10およびアンロープ、イン
ク槽14のみであるから、真空排気時間が大幅に短縮さ
ハて量産性が極めて高くなるという利点がある。
ところが、近年、ガラス基板に代ってグラスチックフィ
ルムやステンレス等の金属薄板を基板として用いた薄膜
太陽電池への要求が高まっている。
ルムやステンレス等の金属薄板を基板として用いた薄膜
太陽電池への要求が高まっている。
その理由としては、基板が可撓性であるために割れ難い
こと、薄膜化できること、所望の形状に加工しやすいこ
と、さらに長尺のロール状にできるために連続大量生産
による低コス)fヒが期待できる等の利点があることに
起因している。
こと、薄膜化できること、所望の形状に加工しやすいこ
と、さらに長尺のロール状にできるために連続大量生産
による低コス)fヒが期待できる等の利点があることに
起因している。
可撓性基板を用いた薄膜太陽電池の構造は、7基板が例
えば透光性轟岳晶基板であれば第1図に1仝すような構
造で構成できるが、非透光性基板の場合には下部電極2
と上部電極6との位置を逆にして構成するのみで容易に
実現可能である。したがって、可撓性基板を適当な長さ
に切断して用いれば第2図に示すような連続製造装@を
使用することができるが、それでは基板にガラス基板を
用いる場合と同等の量産性しか得られない。きらに量産
性を増大するだめにはロール状に巻設された長尺の基板
を用いる必要があるが、第2図に示すような連続製造装
置では各種がパルプ15で仕切られているために長尺の
基板を連続して搬送することができないという問題があ
った。
えば透光性轟岳晶基板であれば第1図に1仝すような構
造で構成できるが、非透光性基板の場合には下部電極2
と上部電極6との位置を逆にして構成するのみで容易に
実現可能である。したがって、可撓性基板を適当な長さ
に切断して用いれば第2図に示すような連続製造装@を
使用することができるが、それでは基板にガラス基板を
用いる場合と同等の量産性しか得られない。きらに量産
性を増大するだめにはロール状に巻設された長尺の基板
を用いる必要があるが、第2図に示すような連続製造装
置では各種がパルプ15で仕切られているために長尺の
基板を連続して搬送することができないという問題があ
った。
したがって本発明は前述した問題点に髄みてなされたも
のであり、その目的とするところは、薄膜太陽電池を生
産性良く、低コストで得られる薄膜太陽電池の連続製造
装置を捉供することにある。
のであり、その目的とするところは、薄膜太陽電池を生
産性良く、低コストで得られる薄膜太陽電池の連続製造
装置を捉供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、複数の成膜
槽の各種間に相互に独立した排気系を有する中間槽を設
けるとともに、該成膜槽と中間槽との隔壁にスリットを
設けて基板が連続的に通過できるようにしたものである
。
槽の各種間に相互に独立した排気系を有する中間槽を設
けるとともに、該成膜槽と中間槽との隔壁にスリットを
設けて基板が連続的に通過できるようにしたものである
。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第3図は本発明による薄膜太陽電池の連続製造装置の一
実施例を示す要部断面構成図であシ、前述の図と同記号
は同一要素となるのでその説明は省略する。同図におい
て、20は例えば長尺のステンレス薄板がロール巻きさ
れた可撓性基板であシ、この可撓性基板20はa−8i
層形成面側に例えば高分子樹脂膜または5i02膜など
の電気的絶縁性を有する絶縁膜が予め被着形成されてい
る。
実施例を示す要部断面構成図であシ、前述の図と同記号
は同一要素となるのでその説明は省略する。同図におい
て、20は例えば長尺のステンレス薄板がロール巻きさ
れた可撓性基板であシ、この可撓性基板20はa−8i
層形成面側に例えば高分子樹脂膜または5i02膜など
の電気的絶縁性を有する絶縁膜が予め被着形成されてい
る。
21は第1の成膜槽11の前部に配設されかつ可撓性基
板20を収納配置させてW、■の成膜槽11に所定のピ
ッチで供給させる基板巻出し槽、22は第3の成膜41
1113の後部に配設されかつa−8i層上に上部電極
6が形成された可撓性基板20を所定のピッチでロール
状に巻きとって格納する基板巻取り槽、23は第1の成
膜槽11と第2の成膜槽12との間に設けらねて独立し
た排気系を有する第1の中間槽、24は第2の成膜槽1
2と第3の成膜槽13との間に設けられて独立した排気
系を有する第2の中間槽、25は第1の中間槽23、第
2の中間槽24にそれぞれ独立して結合された真空ポン
プ、26は基板・巻出しm21.第1の成膜槽11 、
第1の中間槽23.第2.の成膜槽12.第2の中間槽
24.第3の成膜槽13および基板巻取シ槽22の所定
位置の隔壁に設けられて可撓性基板20を連続して通過
させる狭いスリットである。
板20を収納配置させてW、■の成膜槽11に所定のピ
ッチで供給させる基板巻出し槽、22は第3の成膜41
1113の後部に配設されかつa−8i層上に上部電極
6が形成された可撓性基板20を所定のピッチでロール
状に巻きとって格納する基板巻取り槽、23は第1の成
膜槽11と第2の成膜槽12との間に設けらねて独立し
た排気系を有する第1の中間槽、24は第2の成膜槽1
2と第3の成膜槽13との間に設けられて独立した排気
系を有する第2の中間槽、25は第1の中間槽23、第
2の中間槽24にそれぞれ独立して結合された真空ポン
プ、26は基板・巻出しm21.第1の成膜槽11 、
第1の中間槽23.第2.の成膜槽12.第2の中間槽
24.第3の成膜槽13および基板巻取シ槽22の所定
位置の隔壁に設けられて可撓性基板20を連続して通過
させる狭いスリットである。
このように構成された薄膜太陽電池の連続製造装置にお
いて、第1の成膜槽11と第2の成膜槽12との間およ
び第2の成膜槽12と第3の成膜槽13との間には、そ
ねそれ独立した真空ポンプ25を有するatの中間槽2
3および第2の中間槽24を設け、基板巻出し槽21お
よび基板巻取シ槽22を含む全槽11,23,12,2
4゜13の隔壁には可撓性基板20が通過し得る狭いス
リット26を設けたことによって、全槽は空間的に連結
されているので、第1.第2の中間槽23.24の真空
ポンプ25と第1.第2.第3の成膜槽11.12.1
3の真空ポンプ!6とを独立させて第1.第2の中間槽
23.24の圧力を第!、第2.第3の成膜槽II、1
2.13よりも低く保持烙せておけば、各@I、第2.
第3の成膜槽II、12.13間の雰囲気ガスが相互に
混合することがなく、基板巻出し4!I2+から連続し
て供給される長尺の可撓性基板20は各成膜槽II、1
2.13を順次通過しながら下部電極。
いて、第1の成膜槽11と第2の成膜槽12との間およ
び第2の成膜槽12と第3の成膜槽13との間には、そ
ねそれ独立した真空ポンプ25を有するatの中間槽2
3および第2の中間槽24を設け、基板巻出し槽21お
よび基板巻取シ槽22を含む全槽11,23,12,2
4゜13の隔壁には可撓性基板20が通過し得る狭いス
リット26を設けたことによって、全槽は空間的に連結
されているので、第1.第2の中間槽23.24の真空
ポンプ25と第1.第2.第3の成膜槽11.12.1
3の真空ポンプ!6とを独立させて第1.第2の中間槽
23.24の圧力を第!、第2.第3の成膜槽II、1
2.13よりも低く保持烙せておけば、各@I、第2.
第3の成膜槽II、12.13間の雰囲気ガスが相互に
混合することがなく、基板巻出し4!I2+から連続し
て供給される長尺の可撓性基板20は各成膜槽II、1
2.13を順次通過しながら下部電極。
a−8i層および上部電極が形成されて薄膜太陽電池が
製造できる。また、このような構成によねば、各成膜槽
II、12.13間を仕切るパルプを設けて開閉する手
段および各成膜@tt、t2゜13内に個々の基板を搬
送させる搬送手段が不要となるので、装置が簡単となり
、ロール状に巻設された長尺の可撓性基板20を用いて
連続して大量に薄膜太陽電池が製糸できる。
製造できる。また、このような構成によねば、各成膜槽
II、12.13間を仕切るパルプを設けて開閉する手
段および各成膜@tt、t2゜13内に個々の基板を搬
送させる搬送手段が不要となるので、装置が簡単となり
、ロール状に巻設された長尺の可撓性基板20を用いて
連続して大量に薄膜太陽電池が製糸できる。
第4図は本発明による太陽電池の連続製造装置の他の実
施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同記号は
同一要素となるのでその説明は省略する。同図において
、第1の成膜槽11と第2の成膜槽12との間および第
2の成膜槽12と第3の成膜槽13との間には、各成膜
槽1 + 、 12゜13よシも真空圧力を低下させる
真空ポンプ25を結合し、た第1の中間41J23お゛
よび第2の中間槽24がそれぞれ設けられており、寸た
6槽°l0911.23,12.24,13.14の所
、定位置の隔壁には基板1を連続して通過させるスリッ
ト26が設けられている〇 このような構成においても、各成膜槽11゜12.13
間の雰囲気ガスが相互に混合することがなくな9、基板
1は各成膜@II、12.13のスリット26を順次通
過しながら、多層膜が形成され、太陽電池が製造できる
。
施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同記号は
同一要素となるのでその説明は省略する。同図において
、第1の成膜槽11と第2の成膜槽12との間および第
2の成膜槽12と第3の成膜槽13との間には、各成膜
槽1 + 、 12゜13よシも真空圧力を低下させる
真空ポンプ25を結合し、た第1の中間41J23お゛
よび第2の中間槽24がそれぞれ設けられており、寸た
6槽°l0911.23,12.24,13.14の所
、定位置の隔壁には基板1を連続して通過させるスリッ
ト26が設けられている〇 このような構成においても、各成膜槽11゜12.13
間の雰囲気ガスが相互に混合することがなくな9、基板
1は各成膜@II、12.13のスリット26を順次通
過しながら、多層膜が形成され、太陽電池が製造できる
。
なお、前述した実施例においては、成膜槽が3槽の場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、各成膜槽間に中間槽が配設されていれば、必要
に応じて伺槽でも成膜層を増大させることによっても前
述と全く同様の効果が得られる。寸た2つの成膜槽の間
に!つの中間槽を配設した場合について説明したが、本
発明はこれに限2νされるものではなく、必要に応じて
2つ以上の中間槽を配設しても前述と全く同様の効果が
得られることは勿論である。
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、各成膜槽間に中間槽が配設されていれば、必要
に応じて伺槽でも成膜層を増大させることによっても前
述と全く同様の効果が得られる。寸た2つの成膜槽の間
に!つの中間槽を配設した場合について説明したが、本
発明はこれに限2νされるものではなく、必要に応じて
2つ以上の中間槽を配設しても前述と全く同様の効果が
得られることは勿論である。
〔発明の効果1
以上駅1明したように本シ11明による太陽電池の連続
製造装置によねば、太陽電池が連続的に大量生成できる
ので、太陽電池を低コストで提供できるという極めて浚
t];’ヒ効来が得られる。
製造装置によねば、太陽電池が連続的に大量生成できる
ので、太陽電池を低コストで提供できるという極めて浚
t];’ヒ効来が得られる。
第1図は太87M、池の一例を示す要部断面構成図、第
2図は従来の太陽電池の製造装置の一例を示す要部断面
枯放図%第3図は本発明による太陽電池の連続製造装置
の一実施例を示す要部断面構成図、第4図は本発明によ
る太陽電池の連続製造装置の他の実施例を示す要部断面
構成図である。 1・・・・基板、2・・・・下部電極、3・・・・P型
a−84,4・・・・i型a−8i、5・・・・N型a
−81,6・・・・上部電極、10・・・・ローディン
グ槽、11・・・・第1の成膜槽、11a・・・・蒸発
源、12・・・・第2の成膜槽、12a・・・・成膜用
ti′樋、13・・・・第3の成膜槽、13a・・・・
蒸発源、14・・・・アンローディング[,1,5・・
・・バルブ、I6・・・・X穿ポンプ、20・・・・可
撓性基板、21・・・・。 基板巻出し槽、・22・・・・基板巻取シ槽、23・・
・・第1の中間槽、24・・・・第2の中間槽、25・
・・・真空ポンプ、26・・・・スリット。 代理人 弁理士 薄 1)利 辛 第1図 第2図 1ら
16第3図 ■ 516
2図は従来の太陽電池の製造装置の一例を示す要部断面
枯放図%第3図は本発明による太陽電池の連続製造装置
の一実施例を示す要部断面構成図、第4図は本発明によ
る太陽電池の連続製造装置の他の実施例を示す要部断面
構成図である。 1・・・・基板、2・・・・下部電極、3・・・・P型
a−84,4・・・・i型a−8i、5・・・・N型a
−81,6・・・・上部電極、10・・・・ローディン
グ槽、11・・・・第1の成膜槽、11a・・・・蒸発
源、12・・・・第2の成膜槽、12a・・・・成膜用
ti′樋、13・・・・第3の成膜槽、13a・・・・
蒸発源、14・・・・アンローディング[,1,5・・
・・バルブ、I6・・・・X穿ポンプ、20・・・・可
撓性基板、21・・・・。 基板巻出し槽、・22・・・・基板巻取シ槽、23・・
・・第1の中間槽、24・・・・第2の中間槽、25・
・・・真空ポンプ、26・・・・スリット。 代理人 弁理士 薄 1)利 辛 第1図 第2図 1ら
16第3図 ■ 516
Claims (1)
- 減圧された複数の成膜槽内を順次通過させて基板上に複
数種の薄膜を順次積層してなる薄膜太陽τf池の連続製
造装置において、前記0数の成膜槽の各格間に独立した
排気系を有する中間槽を設けるとともに前記成膜槽と中
間槽との隔壁に前記基板を通過させるスリットを設けた
ことを特徴とする薄升゛3太陽旬: fiJJの連続製
造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57194751A JPS5984582A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 薄膜太陽電池の連続製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57194751A JPS5984582A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 薄膜太陽電池の連続製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5984582A true JPS5984582A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16329620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57194751A Pending JPS5984582A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 薄膜太陽電池の連続製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5984582A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100995394B1 (ko) | 2009-02-18 | 2010-11-19 | 한국과학기술원 | 박막 태양전지의 박막 형성장치 |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57194751A patent/JPS5984582A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100995394B1 (ko) | 2009-02-18 | 2010-11-19 | 한국과학기술원 | 박막 태양전지의 박막 형성장치 |
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