JPS5980950A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPS5980950A
JPS5980950A JP11832183A JP11832183A JPS5980950A JP S5980950 A JPS5980950 A JP S5980950A JP 11832183 A JP11832183 A JP 11832183A JP 11832183 A JP11832183 A JP 11832183A JP S5980950 A JPS5980950 A JP S5980950A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
tab
tub
distance
semiconductor substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP11832183A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Amagi
滋夫 天城
Masahiro Kitamura
北村　允宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5980950A publication Critical patent/JPS5980950A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体基板全体を樹脂でモールドしたＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の樹脂封止型半導体装置の構造に係る。
樹脂でモールドする半導体装置の構造は第１図に示すよ
うに半導体基板２を金属板よりなるタブ３に固着した状
態で樹脂１によりつつんでいる。
このモールド樹脂１と半導体基板２．タブ３０線膨張係
数が異るため各構成材には温度変化に伴う熱応力が生じ
る。ここに使用されている金属板製タブ３は第１図に示
すリード４と共に一枚の金属板より型打ち抜き加工によ
り形成される。このためタブの一方の側の角部には第２
図に示すように鋭い角のバリ６が残っている。従来技術
においては半導体基板をバリ６が残る面に対し反対側の
面に固着した後、樹脂でモールドしていた。このためタ
ブの周辺部に高い応力集中が起ることとなり、モールド
レジンに破断個所７が生じ易かった。
本発明の目的は樹脂でモールドした半導体装置において
モールド樹脂の破壊を防止することにある。
本発明は、樹脂でモールドした半導体装置のタブ近傍に
生じる応力を解析した結果なされたものである。本発明
に従うとタブの角部に生じる高い応力を低減する手段と
して第３図に示すようにタブ３のバリ６ないしは鋭い角
を周辺に持つタブ面へ半導体基板２が固着される。
金属板よりタブ３．リードフレーム４を作り出す最も低
価格で量産性の高い加工法は型打ち抜き法である。この
加工法によれば打ち抜かれた板の側面と表面および裏面
となす角のうち一方はパリ６のような鋭い角となり、他
方は金属の塑性流動に伴い曲面状になる。そこで、この
曲面状になった角を半導体基板が固着される面に対して
反対側に位置させれば、樹脂への応力集中を低減できる
。
また、パリ６のような鋭い角部な半導体基板が固着され
る側に位置させれば、弾性率が高い半導体基板の近くに
パリ６があるため、パリ６による樹脂への高い応力集中
を防止することができる。
このためタブのパリ取り作業、角を丸める作業が不要と
なる。
本発明の実施例を第３図、第４図によって説明するｎ 半導体基板２はタブ３のパリが出ている側に固着され、
モールド樹脂１によって全体がモールドされ℃いる。こ
のタブ３０半導体基板を固着した面に対して反対側の角
の曲率半径Ｒは０．０２ｍである。本実施例におけるタ
ブの角部の応力と従来品の角部の応力を比較すると、本
実施例の方が従来品より３割近く低減していることがわ
かった。
本発明によれば半導体装置におけるタブの角部に生じる
応力集中を軽減できるのでモールド樹脂の破壊を防止で
きる。
また、型打ち抜き加工したタブのパリ取りあるいは角の
丸め作業が不要となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は樹脂モールドによりパッケージしたＬＳＩの部
分断面斜視図、第２図は従来品の断面図、第３図は本発
明の実施例の断面図、第４図は本発明の実施例の部分断
面図である。 １・・・モールド樹脂、２・・・半導体基板、３・・・
タブ、４・・・リードフレーム、５・・・引出し線、６
・・・ばり、７・・・破断個所。 第　　１　　図 第　　２　　図 第　　３　　図 第　　４　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体基板を金属板よりなるタブの主面に固着し、
    上記タブ及び上記半導体基板を樹脂で封止した樹脂封止
    型半導体装置であって、上記タブは、その側面と上記主
    面との間で鋭い角となる角部と、上記主面の反対側の面
    と上記側面との間でゆるい曲面状にされた角部とを持っ
    てなり、上記タブの主面からその主面に対応する封止樹
    脂の表面までの距離が、上記タブの上記反対の面からそ
    れに対応する封止樹脂の表面までの距離よりも大きくさ
    れてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP11832183A 1983-07-01 1983-07-01 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS5980950A (ja)

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JPS5980950A true JPS5980950A (ja) 1984-05-10

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