JPS5974635A - エツチング深さ検出方法 - Google Patents
エツチング深さ検出方法Info
- Publication number
- JPS5974635A JPS5974635A JP57184576A JP18457682A JPS5974635A JP S5974635 A JPS5974635 A JP S5974635A JP 57184576 A JP57184576 A JP 57184576A JP 18457682 A JP18457682 A JP 18457682A JP S5974635 A JPS5974635 A JP S5974635A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etched
- depth
- etching depth
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエツチング深さ検出方法に関する。光素子（半
導体レーザーや赤外発光ダイオードなど）やファクシミ
ＩＪ用半導体集積回路装置（ＩＣ’）のように高い品質
を要求さオ（る製品を製造する場合、その製造工程にお
いて高℃・精度が要求される。
導体レーザーや赤外発光ダイオードなど）やファクシミ
ＩＪ用半導体集積回路装置（ＩＣ’）のように高い品質
を要求さオ（る製品を製造する場合、その製造工程にお
いて高℃・精度が要求される。
一般に上述したような製品の製造工程中エツチング作業
はエツチング液の温度を一定に維持するとともに、被エ
ツチング物の二ノチングｉ中への浸漬時間をコントロー
ルすることによって行なわれる。そして最終的エツチン
グ終結の判定は被エツチング物のエツチング面の色彩の
変化を作業者が目視によって確認することによってなさ
れている。
はエツチング液の温度を一定に維持するとともに、被エ
ツチング物の二ノチングｉ中への浸漬時間をコントロー
ルすることによって行なわれる。そして最終的エツチン
グ終結の判定は被エツチング物のエツチング面の色彩の
変化を作業者が目視によって確認することによってなさ
れている。
しかし、この方法は作業者の主観によることと、作業に
よる疲れ等によってエツチング精度が低くなるおそれも
あるとともに、目視確認する作業人員を必要とするため
エツチングコストが高くなる欠点がある。また、この方
法では、定量的なエツチング深さの検出はできない。一
方最近は、上述のエツチング作業を機械を用いて自動化
しようとする動きがありこの場合に自動的なエツチング
深さ検出が不可欠になる。
よる疲れ等によってエツチング精度が低くなるおそれも
あるとともに、目視確認する作業人員を必要とするため
エツチングコストが高くなる欠点がある。また、この方
法では、定量的なエツチング深さの検出はできない。一
方最近は、上述のエツチング作業を機械を用いて自動化
しようとする動きがありこの場合に自動的なエツチング
深さ検出が不可欠になる。
したがって、本発明の目的は自動的にかつ正確にエツチ
ング深さを検出することのできるエツチング深さ検出方
法を提供することにある、このような目的を達成するた
めに本発明は、エツチング液中の被エツチング物のエツ
チング面に対してエツチング液に接触するガラスを介し
てレーザー光を斜めから投射し、その反射光の反射位置
の変動を検出することによってエツチング深さを検出す
るものであって、以下実施例により本発明を説明する。
ング深さを検出することのできるエツチング深さ検出方
法を提供することにある、このような目的を達成するた
めに本発明は、エツチング液中の被エツチング物のエツ
チング面に対してエツチング液に接触するガラスを介し
てレーザー光を斜めから投射し、その反射光の反射位置
の変動を検出することによってエツチング深さを検出す
るものであって、以下実施例により本発明を説明する。
−
図面は本発明の一実施例によるエツチング深さ検出方法
を示す概略図である。
を示す概略図である。
この実施例では、エツチング槽■に収容したエツチング
液２中に、治具１２上にセットされた被エツチング物（
半導体ウエノ・−）３を入れた後、この被エンチング物
３のエツチング面にレーザー発振器４から出射されるレ
ーザー光５を投射する、レーザー光５はエツチング面６
に対して斜め上方から投射する、そして、エツチング面
６で反射した反射レーザー光７をエツチング槽ｌの上方
に配設したセンサー８によって検出する。また、エンチ
ング液面が波立つと反射レーザー光７によるエツチング
深さの検出ができなくなることから、エツチング液面に
はガラス板９が取り付けられている、なお、このガラス
板は部分的に設けられており半導体ウエノ・−の出し入
れにはさしつかえない。ガラス板９は周壁１０でガラス
板９内へのエツチング液２の流入を防止している。また
、ガラス板９の底はフラットなガラス１１で形成されて
いる。したがって、レーザ′−光５および反射レーザー
光７はこのガラス１１を透過する。前記センサー８は固
体撮像素子をマトリックス状に配置した構造あるいはラ
インセンサ等からなり、反射レーザー光７の高さ変化を
検出するようになっている。
液２中に、治具１２上にセットされた被エツチング物（
半導体ウエノ・−）３を入れた後、この被エンチング物
３のエツチング面にレーザー発振器４から出射されるレ
ーザー光５を投射する、レーザー光５はエツチング面６
に対して斜め上方から投射する、そして、エツチング面
６で反射した反射レーザー光７をエツチング槽ｌの上方
に配設したセンサー８によって検出する。また、エンチ
ング液面が波立つと反射レーザー光７によるエツチング
深さの検出ができなくなることから、エツチング液面に
はガラス板９が取り付けられている、なお、このガラス
板は部分的に設けられており半導体ウエノ・−の出し入
れにはさしつかえない。ガラス板９は周壁１０でガラス
板９内へのエツチング液２の流入を防止している。また
、ガラス板９の底はフラットなガラス１１で形成されて
いる。したがって、レーザ′−光５および反射レーザー
光７はこのガラス１１を透過する。前記センサー８は固
体撮像素子をマトリックス状に配置した構造あるいはラ
インセンサ等からなり、反射レーザー光７の高さ変化を
検出するようになっている。
このようなエツチング深さ検出方法では、エツチングが
進行するにつれてレーザー光５０反射位置が低くなるた
め、センサー８に進む反射レーザー光７の位置も低くな
り、エツチング深さを検出することができる、図中エツ
チング終点時の反射レーザー光゛７を二点鎖線で示す、
この方法ではエツチング量は１μｍの精度まで検出する
ことができる。
進行するにつれてレーザー光５０反射位置が低くなるた
め、センサー８に進む反射レーザー光７の位置も低くな
り、エツチング深さを検出することができる、図中エツ
チング終点時の反射レーザー光゛７を二点鎖線で示す、
この方法ではエツチング量は１μｍの精度まで検出する
ことができる。
この実施例では、センサー８によって自動的にエツチン
グ深さを定量的に検出することができるとともに、瞥報
等とセンサーを連動させておくことによって、エツチン
グ終点に至った時点を自動的に検出し作業者に知らせる
ことができる、また、この実施例によればエツチング終
点を目視で検出する作業者も不要となり、作業人員の低
減化が図れることから、エツチングコストの軽減を図る
ことかできる。
グ深さを定量的に検出することができるとともに、瞥報
等とセンサーを連動させておくことによって、エツチン
グ終点に至った時点を自動的に検出し作業者に知らせる
ことができる、また、この実施例によればエツチング終
点を目視で検出する作業者も不要となり、作業人員の低
減化が図れることから、エツチングコストの軽減を図る
ことかできる。
本発明は前記実施例に限定されるものではな℃・エッチ
液中の被エツチング物は多少の揺れ、ずれなどにより位
置が移動する可能性があり、この場合に反射レーザー光
の位置もずれてしまい測定に誤差が生じる。このことを
防止するために被エツチング物の固定部に基準光を当て
、これを反射させ読み取る事により位置変位を測定し、
これを考慮して被エツチ、・グ物よりの反射光の変位を
補正することによりエッチ深さの検出精度をさらに向上
させることかできる。
液中の被エツチング物は多少の揺れ、ずれなどにより位
置が移動する可能性があり、この場合に反射レーザー光
の位置もずれてしまい測定に誤差が生じる。このことを
防止するために被エツチング物の固定部に基準光を当て
、これを反射させ読み取る事により位置変位を測定し、
これを考慮して被エツチ、・グ物よりの反射光の変位を
補正することによりエッチ深さの検出精度をさらに向上
させることかできる。
なお、本方式以外に市販の測長システムを用℃・真上よ
り波長の決まったレーザー光を被工・ソチング物にあて
エツチングされた箇所とされな℃・箇坊からの反射光の
干渉を利用してエツチング深さを測定することもＴ＝］
能である、 以上のように、本発明によれば、自動的にかく正確にエ
ツチング深さを検出することのできるゴッチング深さ検
出方法を提供することができるとともに、エツチング作
業の自動化が可能となる。
り波長の決まったレーザー光を被工・ソチング物にあて
エツチングされた箇所とされな℃・箇坊からの反射光の
干渉を利用してエツチング深さを測定することもＴ＝］
能である、 以上のように、本発明によれば、自動的にかく正確にエ
ツチング深さを検出することのできるゴッチング深さ検
出方法を提供することができるとともに、エツチング作
業の自動化が可能となる。
図面は本発明の一実施例によるエツチング深さ検出方法
を示す概略図である。 １・・・エツチング槽、２・・・エツチング液、３・・
・被エツチング物、４・・・レーザー発振器、５・・・
レーザー光、６・・・被エツチング面、７・・・反射レ
ーザー光、８・・・センサー、９・・・ガラス箱、１■
・・・ガラス、１２・・・治具。 ）
を示す概略図である。 １・・・エツチング槽、２・・・エツチング液、３・・
・被エツチング物、４・・・レーザー発振器、５・・・
レーザー光、６・・・被エツチング面、７・・・反射レ
ーザー光、８・・・センサー、９・・・ガラス箱、１■
・・・ガラス、１２・・・治具。 ）
Claims (1)
- １、被エツチング物のエツチング面にレーザー光を投射
し、その反射光を利用してエツチング深さを検出するこ
とを特徴とするエンチング深さ検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57184576A JPS5974635A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | エツチング深さ検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57184576A JPS5974635A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | エツチング深さ検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974635A true JPS5974635A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16155618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57184576A Pending JPS5974635A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | エツチング深さ検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974635A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5433651A (en) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
| US5754297A (en) * | 1994-01-28 | 1998-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring the deposition rate of films during physical vapor deposition |
| US6193900B1 (en) * | 1997-11-29 | 2001-02-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for sensing etch of distributed bragg reflector in real time |
| US6537133B1 (en) | 1995-03-28 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6676717B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6719818B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6849152B2 (en) | 1992-12-28 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
| US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| US7001242B2 (en) | 2002-02-06 | 2006-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing |
| US7037403B1 (en) | 1992-12-28 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
| CN112697680A (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 航天科工惯性技术有限公司 | 一种玻璃化学蚀刻速率在线检测装置和方法 |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57184576A patent/JPS5974635A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7024063B2 (en) | 1992-12-28 | 2006-04-04 | Applied Materials Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
| US7582183B2 (en) | 1992-12-28 | 2009-09-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
| US7569119B2 (en) | 1992-12-28 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
| US7037403B1 (en) | 1992-12-28 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
| US6849152B2 (en) | 1992-12-28 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
| US5433651A (en) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
| US5754297A (en) * | 1994-01-28 | 1998-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring the deposition rate of films during physical vapor deposition |
| US6676717B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6875078B2 (en) | 1995-03-28 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6860791B2 (en) | 1995-03-28 | 2005-03-01 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad for in-situ endpoint detection |
| US6719818B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6537133B1 (en) | 1995-03-28 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6193900B1 (en) * | 1997-11-29 | 2001-02-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for sensing etch of distributed bragg reflector in real time |
| US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| US7198544B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| US7001242B2 (en) | 2002-02-06 | 2006-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing |
| US7591708B2 (en) | 2002-02-06 | 2009-09-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing |
| CN112697680A (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 航天科工惯性技术有限公司 | 一种玻璃化学蚀刻速率在线检测装置和方法 |
| CN112697680B (zh) * | 2019-10-23 | 2023-04-28 | 航天科工惯性技术有限公司 | 一种玻璃化学蚀刻速率在线检测装置和方法 |
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