JPS5972747A - 半導体収納容器およびその封止方法 - Google Patents

半導体収納容器およびその封止方法

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Publication number
JPS5972747A
JPS5972747A JP57183981A JP18398182A JPS5972747A JP S5972747 A JPS5972747 A JP S5972747A JP 57183981 A JP57183981 A JP 57183981A JP 18398182 A JP18398182 A JP 18398182A JP S5972747 A JPS5972747 A JP S5972747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing
metallized layer
current
semiconductor
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57183981A
Other languages
English (en)
Inventor
Isamu Kitahiro
北広 勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP57183981A priority Critical patent/JPS5972747A/ja
Publication of JPS5972747A publication Critical patent/JPS5972747A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体素子の収納容器およびその封止方法に関
するものである。
2′・ 。
向にあり、その拡散工程も複雑化して来ている。
このような半導体素子を収納容器に載置し、金属細線で
電極とリードとを接続、封止する工程、即ち組立工程に
あっては極めて厳しい温度管理が要求されることになる
。従来の収納容器の例としてセラミックパッケージの断
面図を第1図に示した。
第1図において、1はパッケージ本体、2は半導体素子
、3は素子接着剤例えば金−シリコンあるいは導電性樹
脂接着剤、4は金属細線、5はキャップ、6は封止材例
えば金−錫半田、7はメタライズ層である。7は一般に
金メッキ層が用いられる。このパッケージを用いた封止
法を以下に述べる。一般には、金−錫半田を用いた封止
にはコンベア炉が用いられる。金−錫半田はその融点が
270”Cであり、コンベア炉中で3o○°Cのゾーン
を通過させて封止を行なう。この場合、半導体素子の温
度も3oo″Cに上界し、素子の劣化が心配される。ま
た、樹脂接着剤を用いた封止も行なわれるが、この場合
は金−錫半田6のかわりに樹脂接着剤をはさんで100
°Cで4時間程度加熱す3ベ−ノ る。しかるにこの方法では樹脂が軟化して、硬化する迄
の間に収納容器内のガスが噴出し、封止部に気泡を発生
させるととがある。
発明の目的 本発明は以上に述べた従来の問題点に鑑み、半導体素子
および収納容器内空間の温度を極力低く保ち、封止部を
熱源として封止する収納容器と封止法を提供する。
発明の構成 本発明は、必要とする封止部のみを加熱し、即ち封止部
を熱源として封止できる収納容器とその封止方法を提供
するもので、半導体素子収納容器の封止部が抵抗発熱体
で形成されており、封止の際この発熱体に通電して局部
的に昇温せしめ、封止材を溶融・硬化せしめ、半導体素
子の温度上昇を低く押え特性の劣化を防止しようとする
ものである。
実施例の説明 第2図は本発明の一実施例を示す。第2図〔A〕は本発
明の一実施例の要部概略上面図で、一部は省略している
。第2図〔B〕は〔A〕のX−Yにおける断面構造を示
す。1はパッケージ本体、12は抵抗発熱体を構成する
メタライズ層、13はメタライズ層12につながる通電
用端子である。13は端子としての例を示したが、リー
ド14に余裕があればそこに接続しても良い。第3図は
封止法の1例を示した。封正に際してはメタライズ層1
2上に接着材例えば熱可塑性樹脂21を敷き、キャンプ
6を位置合せして設置して端子第2図13を通して電流
を流す。メタライズ層12が抵抗発熱体のため温度が上
昇し、熱可塑性樹脂を軟化せしめ、電流を遮断して冷却
すればキヤ・フプが接着される。接着材として熱硬化性
樹脂を使用した場合は硬化時間が必要のため、それに相
当する時間通電する。さらには、恒温槽、電気炉等であ
る程度まで全体を加熱し、その上で、封止部を加熱する
方法も可能である。
また、封止部に抵抗発熱体を形成した上に薄い絶縁層を
コートし、その上に半田に濡れる金属例えば金を被着し
ておけば金−錫等の半田材も使用5べ−こ することができる。
発明の効果 以上のように、本発明によれば半導体素子収納容器の封
止部に抵抗発熱体を形成しておくことにより、局部的に
加熱して封止することが可能に寿る。これにより、半導
体素子を高温にさらすことが少なくなり、超LSI組立
工程における特性変動を防止できる極めて有効な収納容
器とその封止法が実現で′きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のセラミックパッケージの概略断簡3図は
本発明の一実施例にかかる半導体収納容器の断面図であ
る。 1・・・・・・パッケージ本体、2・・・・・・半導体
素子、5・・・・・・キャップ、12・・・・・・抵抗
発熱体、13・・・・・・通電用端子、14・・・・・
・リード、21・・・・・・封止材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子収納領域の周囲に設けられた封止部に
    抵抗発熱体が形成されていることを特徴とする半導体収
    納容器。 (呻 半導体素子を収納したる後、封止材とキャップを
    封止部に位置合せし、前記封止部に形成された抵抗発熱
    体に通電・加熱し封止することを特徴とする半導体収納
    容器の封止方法。 (曇 封止材として熱硬化性又は熱可塑性樹脂接着剤を
    用いたことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の半
    導体枢結容器の封止方法。
JP57183981A 1982-10-19 1982-10-19 半導体収納容器およびその封止方法 Pending JPS5972747A (ja)

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JP57183981A JPS5972747A (ja) 1982-10-19 1982-10-19 半導体収納容器およびその封止方法

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JP57183981A JPS5972747A (ja) 1982-10-19 1982-10-19 半導体収納容器およびその封止方法

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JPS5972747A true JPS5972747A (ja) 1984-04-24

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ID=16145219

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JP57183981A Pending JPS5972747A (ja) 1982-10-19 1982-10-19 半導体収納容器およびその封止方法

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JP (1) JPS5972747A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231415A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JP2021145073A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 セイコーインスツル株式会社 パッケージ及びパッケージの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231415A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
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