JPS5967712A - 圧電共振子 - Google Patents
圧電共振子Info
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- JPS5967712A JPS5967712A JP17809482A JP17809482A JPS5967712A JP S5967712 A JPS5967712 A JP S5967712A JP 17809482 A JP17809482 A JP 17809482A JP 17809482 A JP17809482 A JP 17809482A JP S5967712 A JPS5967712 A JP S5967712A
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- piezoelectric
- piezoelectric substrate
- film
- electrode
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本定明は圧電Ｊ−６板の広がり振動、長さ振動モードな
どの非１ワみ振動モードを使用する圧電Ｊ（振子に関す
る。
どの非１ワみ振動モードを使用する圧電Ｊ（振子に関す
る。
近年、マイクロコンビコー−一夕のクロック信号の基準
発振子表して、角板型圧′眠磁器基板の広がり振動や長
さ振動モードを使用した圧電共振子が広く使用されＣい
る。
発振子表して、角板型圧′眠磁器基板の広がり振動や長
さ振動モードを使用した圧電共振子が広く使用されＣい
る。
ところで、この種の圧電共振子を使用したマイクロコン
ピュータのクロック発生回路においては、電源電圧が高
くなると、上記圧電共振子の厚み振動成分によるスプリ
アスレスポンスにより、本来のクロック周波数以外の周
波数で発振する場合がある。
ピュータのクロック発生回路においては、電源電圧が高
くなると、上記圧電共振子の厚み振動成分によるスプリ
アスレスポンスにより、本来のクロック周波数以外の周
波数で発振する場合がある。
従来、圧電基板の広がり振動もしくけ長さ振動モードを
使用する圧電共振子の」、記スプリアスレスポンスを抑
圧するためには、圧電上（板の主面に凹凸を設ける等の
手法が採用され−（いるが、このように圧電基板の主面
に凹凸をｆ没けるにｄ、面１到な作業を要し、圧電共振
イの製造コストが高くなる問題があった。
使用する圧電共振子の」、記スプリアスレスポンスを抑
圧するためには、圧電上（板の主面に凹凸を設ける等の
手法が採用され−（いるが、このように圧電基板の主面
に凹凸をｆ没けるにｄ、面１到な作業を要し、圧電共振
イの製造コストが高くなる問題があった。
本発明は−１−記問題を解消すべくなされたものであっ
て、その目的は、圧電基板の厚み撮動モ ド旬外の振動
モ ドを有する圧電共振子において、圧電Ｊｉｋ板にそ
の重用の２バ セントないし５パー十／１−の金側市１
ｉ’ｔを有する物体を付加することにより、圧電ノ、Ｖ
板の厚み振動成分にダンピングをかけ、圧電ノ、（板を
加］ニするといった面倒な作業をすることなく圧電基板
の厚み振動成分によるスプリアスレスポンスを抑圧する
ことである。
て、その目的は、圧電基板の厚み撮動モ ド旬外の振動
モ ドを有する圧電共振子において、圧電Ｊｉｋ板にそ
の重用の２バ セントないし５パー十／１−の金側市１
ｉ’ｔを有する物体を付加することにより、圧電ノ、Ｖ
板の厚み振動成分にダンピングをかけ、圧電ノ、（板を
加］ニするといった面倒な作業をすることなく圧電基板
の厚み振動成分によるスプリアスレスポンスを抑圧する
ことである。
以斗、添イτ１図面を参照Ｉ７て本発明の詳細な説明す
る。
る。
第１図に示す圧電共振子は、広がり振動モードを有′す
る角板型の圧電Ｊｉｕ板１の相苅向する′Ｅ極形成主主
面銀（Ａｇ）もしくはニッケ／ｖ（Ｎｉ）等の金属から
なる電極膜２および３を形成するとともに、電極膜２の
１．にスパッタリング等の手法により、異種膜４を一１
記′１（ｙ極膜２の全面にわたっ゛Ｃ形成したものであ
って、」−記７０、極膜２，３と異種１漢４，１−のｒ
ヤ旧市’Ｉｆを上記珪７Ｅ井板ｌの重積の２バセノＩ／
（ｖ）ｌ、 ５ ／： 士ン１−トシている。
る角板型の圧電Ｊｉｕ板１の相苅向する′Ｅ極形成主主
面銀（Ａｇ）もしくはニッケ／ｖ（Ｎｉ）等の金属から
なる電極膜２および３を形成するとともに、電極膜２の
１．にスパッタリング等の手法により、異種膜４を一１
記′１（ｙ極膜２の全面にわたっ゛Ｃ形成したものであ
って、」−記７０、極膜２，３と異種１漢４，１−のｒ
ヤ旧市’Ｉｆを上記珪７Ｅ井板ｌの重積の２バセノＩ／
（ｖ）ｌ、 ５ ／： 士ン１−トシている。
、１．配圧電ノｊ１板ｌの比重ば８、？Ｄ；極膜２，３
の比重は８、異種膜４の比重は２であり、圧電基板１の
厚みが５００ミクロン、電極膜２．３の厚みが２ミクロ
ンとすると、異種膜４の膜Ｊ９は１６ミクロンから６４
ミク１フンとなる。
の比重は８、異種膜４の比重は２であり、圧電基板１の
厚みが５００ミクロン、電極膜２．３の厚みが２ミクロ
ンとすると、異種膜４の膜Ｊ９は１６ミクロンから６４
ミク１フンとなる。
」−記のように電極膜２の」、にさらに異種膜４を形成
すれば、その重量により、圧電基板ｌの厚み方向のＪ鼓
動がダンピングされ、圧電基板１のｌｉｆみ振動による
スプリアスレスポンスが抑圧される。
すれば、その重量により、圧電基板ｌの厚み方向のＪ鼓
動がダンピングされ、圧電基板１のｌｉｆみ振動による
スプリアスレスポンスが抑圧される。
ちなみに、電極膜２．３と異種膜４との合則重バ（の圧
電）、（板１の重量に苅する小爪比を零バーセン１−附
近から６パー±）１−まで変化させて、第１図の圧電共
振子のメインレスポンスおよヒスフリアスレスポンスを
測定すれば、第２図において曲線ｔ１ およびｔ２ で
夫々示すように変化する。
電）、（板１の重量に苅する小爪比を零バーセン１−附
近から６パー±）１−まで変化させて、第１図の圧電共
振子のメインレスポンスおよヒスフリアスレスポンスを
測定すれば、第２図において曲線ｔ１ およびｔ２ で
夫々示すように変化する。
−に記第２図から分るように、メインレスポンスは上記
重量比が零パーセン１〜近傍から５バ ±７１・附近寸
で山谷比ははソー＞１シであるのに対して、スプリアス
レスポンスは上記重石比がは： ２ ／： −セントを
越えると急激に小さくなることが分る。
重量比が零パーセン１〜近傍から５バ ±７１・附近寸
で山谷比ははソー＞１シであるのに対して、スプリアス
レスポンスは上記重石比がは： ２ ／： −セントを
越えると急激に小さくなることが分る。
従って、メインレスポンスの抑１」−が小さく、スプリ
アスレスポンスの抑圧が大きな範囲一、ト記のように、
７１Σ極膜２，３と異種膜４の金側重量が月−？Ｉ￥是
板１の箱即の２パー十ントないし５パ−セノ１−の範囲
であることが分る。
アスレスポンスの抑圧が大きな範囲一、ト記のように、
７１Σ極膜２，３と異種膜４の金側重量が月−？Ｉ￥是
板１の箱即の２パー十ントないし５パ−セノ１−の範囲
であることが分る。
ｌ、ｆお、１−記実雄側において、異種膜４を電極膜２
に形成する代りに、異種膜４を省略して電極膜２の埋み
を５ミクロンから２５ミク【１ンと厚くするようにして
もよい。
に形成する代りに、異種膜４を省略して電極膜２の埋み
を５ミクロンから２５ミク【１ンと厚くするようにして
もよい。
まグζ、ｌ−、：’ｔ＋２異種膜４ ＆：］ニレジスト
インク等の非導電月でろ−ってもよい。
インク等の非導電月でろ−ってもよい。
この場合、第３図に示すように、非導“７１ｆｌクーの
異１１Ｔｉ膜４にシ、１、端−ｒ（図示ぜす。）と接触
する端子桟触部分５にｉｌ：、、 Ｉ−記異種膜４を
形成しない。
異１１Ｔｉ膜４にシ、１、端−ｒ（図示ぜす。）と接触
する端子桟触部分５にｉｌ：、、 Ｉ−記異種膜４を
形成しない。
さらに、１．記異市膜４シ」：電極膜３に形成されてい
てもよく、また、“１１１極１換２もしくｄ、３に全面
にわたつ（形成されている必要Ｖ、１：ない。
てもよく、また、“１１１極１換２もしくｄ、３に全面
にわたつ（形成されている必要Ｖ、１：ない。
以１・、詳：、ｈ １７たことからも明らかなように、
本発明は、圧電基板の厚み振動モード以外の振動モトを
イ１する圧電共振子において、圧’ｔ［ｉ；Ｑ板に質Ｑ
１を伺加して１ｖみ振動成分にダンピングをかけるよう
にしたから、圧′、１ｉ、基板のＪ〒み振動成分による
スプリアスレスポンスが抑圧され、圧電基板に質量を刊
加するといった簡単な手法でスプリアスレスポンスの小
さい良好な圧電共振子を得ることができる。なお、本発
明でいう共振子は、発振子、フィルタ、ＦＭディスクリ
ミネータ用インピーダンス変化素子等の概念をすべて含
むものである。
本発明は、圧電基板の厚み振動モード以外の振動モトを
イ１する圧電共振子において、圧’ｔ［ｉ；Ｑ板に質Ｑ
１を伺加して１ｖみ振動成分にダンピングをかけるよう
にしたから、圧′、１ｉ、基板のＪ〒み振動成分による
スプリアスレスポンスが抑圧され、圧電基板に質量を刊
加するといった簡単な手法でスプリアスレスポンスの小
さい良好な圧電共振子を得ることができる。なお、本発
明でいう共振子は、発振子、フィルタ、ＦＭディスクリ
ミネータ用インピーダンス変化素子等の概念をすべて含
むものである。
第１図は本発明に係る圧電共振子の一実施例の斜視図、
第２図は第１図の圧電共振イのメインレスポンスとスプ
リアスレスポンスの応答待１生図、第３図は第１図の変
形例の斜視図である。 ■・・圧電基板、 ２．３−・・電極膜、 ４・・異種
膜。 特 許 出 羅１ 人 株式会ネ口・印１製作所代 理
人 弁理ト 前出 葆 ほか２名第２図 ０１２３４５６ −〉主筆ｋｌＺ （パーセント） 第３図 ５７−
第２図は第１図の圧電共振イのメインレスポンスとスプ
リアスレスポンスの応答待１生図、第３図は第１図の変
形例の斜視図である。 ■・・圧電基板、 ２．３−・・電極膜、 ４・・異種
膜。 特 許 出 羅１ 人 株式会ネ口・印１製作所代 理
人 弁理ト 前出 葆 ほか２名第２図 ０１２３４５６ −〉主筆ｋｌＺ （パーセント） 第３図 ５７−
Claims (3)
- （１）月“１［履基板の広がり振動、長さ振動モードな
どの非Ｉｔｙみ振動モードを使用する圧電共振子におい
て、ｌ配圧’％ ）４’１板の７Ｅ極形成主而に伺加さ
れる物体の金言１ｆｌ′Ｔ、滑を１−配圧＞ｌｉ Ｊ’
ｉｖ板の市ハｌの２パ−セノ１ないＬ ５パ セ／１・
と１．【るようにしたことを特徴とする圧′屯共振−ｒ
。 - （２） ！Ｉｔ旨′１晶求の範囲第１項記戦の圧７（
（共振子において、１・紀物体は電極であることを特徴
とする圧電共振イ。 - （３）特１；′１請求の範囲第１項記戦の圧電Ｊに振子
において、１記物体は電極膜とその十に刊盾されだ゛電
極膜とは異なる４Ａ才・１からなることを特徴とする圧
″屯共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17809482A JPS5967712A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 圧電共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17809482A JPS5967712A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 圧電共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967712A true JPS5967712A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16042526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17809482A Pending JPS5967712A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 圧電共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0583079A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電素子及びその製造方法 |
| WO2001006647A1 (en) | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Nokia Corporation | Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149082A (en) * | 1976-06-04 | 1977-12-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Crystal vibrator |
| JPS5466794A (en) * | 1977-11-08 | 1979-05-29 | Seiko Epson Corp | Electrode construction of piezoelectric oscillator |
-
1982
- 1982-10-08 JP JP17809482A patent/JPS5967712A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149082A (en) * | 1976-06-04 | 1977-12-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Crystal vibrator |
| JPS5466794A (en) * | 1977-11-08 | 1979-05-29 | Seiko Epson Corp | Electrode construction of piezoelectric oscillator |
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| JPH0583079A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電素子及びその製造方法 |
| WO2001006647A1 (en) | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Nokia Corporation | Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure |
| US6788170B1 (en) * | 1999-07-19 | 2004-09-07 | Nokia Corporation | Resonator structure having a dampening material and a filter having such a resonator structure |
| EP1196990B1 (en) * | 1999-07-19 | 2014-09-10 | Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd. | Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure |
| EP2782250A1 (en) * | 1999-07-19 | 2014-09-24 | Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd | Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure |
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