JPS59211311A - 圧電振動子 - Google Patents
圧電振動子Info
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- JPS59211311A JPS59211311A JP8536783A JP8536783A JPS59211311A JP S59211311 A JPS59211311 A JP S59211311A JP 8536783 A JP8536783 A JP 8536783A JP 8536783 A JP8536783 A JP 8536783A JP S59211311 A JPS59211311 A JP S59211311A
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- vibrator
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- expansion coefficient
- electrodes
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- Pending
Links
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- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
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- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/177—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of the energy-trap type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02031—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of ceramic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(al 発明の技術分野
本発明はLiTaO3圧電振動子、特にストリップ型振
動子の長手方向の熱膨張係数の−・致した材を使用して
振動特性を安定化した圧電振動子に関する。
動子の長手方向の熱膨張係数の−・致した材を使用して
振動特性を安定化した圧電振動子に関する。
fb) 技術の背景
水晶やLiTaO3等からなる圧電体の対向主面に適当
な電極を形成し、該電極に交流電界を印加すると、圧電
体は印加電界と等しい周波数の応力を生じ、かつ、印加
電界の周波数が圧電体の固有振動数に一致すると共振し
て強勢な振動が得られる。そして、このような振動子は
小型高性能であるため2通信装置等の発振回路やフィル
タとして広く使用されている。近来は電極の質量負荷効
果や圧電反作用によってスプリアスの少ない単一モード
振動子、及び多重モートフィルタが実用されている。
な電極を形成し、該電極に交流電界を印加すると、圧電
体は印加電界と等しい周波数の応力を生じ、かつ、印加
電界の周波数が圧電体の固有振動数に一致すると共振し
て強勢な振動が得られる。そして、このような振動子は
小型高性能であるため2通信装置等の発振回路やフィル
タとして広く使用されている。近来は電極の質量負荷効
果や圧電反作用によってスプリアスの少ない単一モード
振動子、及び多重モートフィルタが実用されている。
(C1従来技術と問題
第1図は圧電物質としてLiTaO3の単結晶を用いた
圧電ストリンブ型厚みすべり振動子を説明するための図
であり、aは平面図、bは斜視図。
圧電ストリンブ型厚みすべり振動子を説明するための図
であり、aは平面図、bは斜視図。
Cは振動の大きさを説明する図をそれぞれ示す。
同図において、1はLiTaO3の単結晶より切り出さ
れた振動素子、x、y、zはその結晶軸、2及び2゛は
電極、矢印は素子の厚みすべり振動の変位方向をそれぞ
れ示している。
れた振動素子、x、y、zはその結晶軸、2及び2゛は
電極、矢印は素子の厚みすべり振動の変位方向をそれぞ
れ示している。
振動素子1は結晶のX軸に垂直な面より3゛回転した3
゛回転X板より矩形断面を持つ棒状に切り出さ糺、X軸
より3゛回転した面の幅全体に対向電極2.2゛が設け
られている。そして、対向電極2,2°に高周波電圧を
印加すれば素子は矢印方向に厚みすべり振動を生じ、そ
の大きさは0図の如く中央部で最も大きく両端に行くほ
ど小さくなる。
゛回転X板より矩形断面を持つ棒状に切り出さ糺、X軸
より3゛回転した面の幅全体に対向電極2.2゛が設け
られている。そして、対向電極2,2°に高周波電圧を
印加すれば素子は矢印方向に厚みすべり振動を生じ、そ
の大きさは0図の如く中央部で最も大きく両端に行くほ
ど小さくなる。
このようなし1Ta03の3゛回転X板を用いた圧電振
動子の長手方向を決める厚みすべり振動の変位方向(第
1図aにおいてY軸とのなす角θ)ばθ−−48°と報
告され、−次温度係数を零とすることができる。
動子の長手方向を決める厚みすべり振動の変位方向(第
1図aにおいてY軸とのなす角θ)ばθ−−48°と報
告され、−次温度係数を零とすることができる。
次いで第2図fa)に示す如く、圧電体1の長手方向主
面端部には厚さもで幅をWとした2対の導体N3と3°
及び4と4′が印刷手段で被着形成される。ただし、導
体層3は電極パターン2の端部に積層し、導体3”は電
極パターン2゜の端部に積層されている。
面端部には厚さもで幅をWとした2対の導体N3と3°
及び4と4′が印刷手段で被着形成される。ただし、導
体層3は電極パターン2の端部に積層し、導体3”は電
極パターン2゜の端部に積層されている。
さらに次いで、第2図(blに示す如く導体層3と3゛
並びに4と4゛ とをそれぞれ接続する導体層5と6が
圧電体端部に被着され振動素子が完成する。
並びに4と4゛ とをそれぞれ接続する導体層5と6が
圧電体端部に被着され振動素子が完成する。
このような振動素子は第3図に示すようなチップ振動子
として組立てられる。振動素子はその両端を端子電極5
.6により保持される。各端子電極5,6はセラミノク
ベースの表面の厚膜電極7に接続し、この厚膜電極7は
内面導体層を有するスルホール8を介してセラミソクベ
ース下面の厚膜電極9と導通する。このセラミソクベー
ス10は、セラミックキャップ]1で被われチップ振動
子が形成される。また、セラミソクベース10の下面に
゛リード端子を突出させてもよい。
として組立てられる。振動素子はその両端を端子電極5
.6により保持される。各端子電極5,6はセラミノク
ベースの表面の厚膜電極7に接続し、この厚膜電極7は
内面導体層を有するスルホール8を介してセラミソクベ
ース下面の厚膜電極9と導通する。このセラミソクベー
ス10は、セラミックキャップ]1で被われチップ振動
子が形成される。また、セラミソクベース10の下面に
゛リード端子を突出させてもよい。
しかし、これらの振動子では、振動素子の長手方向の熱
膨張係数とセラミノクベースの熱膨張係数が一致しない
という欠点があった。
膨張係数とセラミノクベースの熱膨張係数が一致しない
という欠点があった。
fdl 発明の目的
本発明は上記の欠点に鑑み、振動子の長手方向の熱膨張
係数とベース基板の熱膨張係数の−・致した圧電J辰動
子を提供することを目的とするものである。
係数とベース基板の熱膨張係数の−・致した圧電J辰動
子を提供することを目的とするものである。
te+ 発明の構成
上記口0うばLiTaO3単結晶の3゛回転X板を用い
た断面が矩形で結晶の3゛回転X面内でY軸から時計方
向に50±2°の方向を長手方向とした短冊状態を振動
素子とし、該振動素子の結晶の3゛回転X面に平行な対
向主面にそれぞれ全幅にわたる電極が形成され厚みずベ
リ振動を行なう圧電ストリ・ノブ型振動子において、振
動素子の長手方向の熱膨張係数と、ベース基扱の熱膨張
係数をほぼ一致した材料を使用することを特徴とする圧
電振動子により達成される。
た断面が矩形で結晶の3゛回転X面内でY軸から時計方
向に50±2°の方向を長手方向とした短冊状態を振動
素子とし、該振動素子の結晶の3゛回転X面に平行な対
向主面にそれぞれ全幅にわたる電極が形成され厚みずベ
リ振動を行なう圧電ストリ・ノブ型振動子において、振
動素子の長手方向の熱膨張係数と、ベース基扱の熱膨張
係数をほぼ一致した材料を使用することを特徴とする圧
電振動子により達成される。
(f) 発明の実施例
以下1本発明に係わる圧電振動素子の熱膨張係数を用い
て本発明を説明する。
て本発明を説明する。
第4図はLiTao−+単結晶の3゛回転X板の熱膨張
係数の値を示した図である。第4図において横軸、縦軸
ともに熱膨張係数をとり、同時にLiTaO3単結晶の
Y軸の回転角θをとり、実線12は3゛回転1jTa0
3X板の熱膨張係数、は線13は96%アルミナの熱膨
張係数、一点珀線14ばフォルステライト(2Mg0・
5i(lz)の熱膨張係数、二点鎖線15ばヘークライ
I・の熱膨張係数であり、ス1−リ・ノブの長手方向の
角度θ−50i2°をば線16で示したものであり3
θ−50ツー2°ではフォルステライトの熱膨張係数の
値がかなり一致していることがわかる。
係数の値を示した図である。第4図において横軸、縦軸
ともに熱膨張係数をとり、同時にLiTaO3単結晶の
Y軸の回転角θをとり、実線12は3゛回転1jTa0
3X板の熱膨張係数、は線13は96%アルミナの熱膨
張係数、一点珀線14ばフォルステライト(2Mg0・
5i(lz)の熱膨張係数、二点鎖線15ばヘークライ
I・の熱膨張係数であり、ス1−リ・ノブの長手方向の
角度θ−50i2°をば線16で示したものであり3
θ−50ツー2°ではフォルステライトの熱膨張係数の
値がかなり一致していることがわかる。
(gl 発明の詳細
な説明した如く1本考案の圧電振動子は素子主面の長平
方向の熱膨張係数と、搭載用へ一ス基板の熱膨張係数が
等しいか、かなり一致した材料を使用することにより、
振動子自体に歪が入らなく高安定、高品質であり、信頼
性の優れた振動子が得られた効果は大きい。
方向の熱膨張係数と、搭載用へ一ス基板の熱膨張係数が
等しいか、かなり一致した材料を使用することにより、
振動子自体に歪が入らなく高安定、高品質であり、信頼
性の優れた振動子が得られた効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は圧電ストリ/プ型厚みすべり振動子を説明する
ための図、第2図は振動素子の電極数山部の形状を説明
するための斜視図、第3図は第2図の振動素子を組込ん
だ千ノブ振動子の斜視図、第4図ばLiTaO3単結晶
の3′回転X板の熱膨張係数を示した図である。 なお図中において、1は振動素子、2.2゜は駆動電極
、3.3′、4.4’ は端子電極。 5.6は短絡電極、7.9は厚膜電極、8はスルホール
、10はセラミソクベース、11はセラミノクキャ、ブ
、12ば3“回転X板LiTaO3の熱膨張係数、13
ば96%アルミナの熱膨張係数、14はフォルステライ
i−の熱膨張係数。 15ばヘークライトの熱膨張係数、16はス1−リップ
の長手方向の角度、Lば素子主面の長手方向の長さ、
11は素子の厚さ、Wは素子主面の幅、x、y、zは
単結晶の軸、 X’ 、 Y′。 Z′ は素子の主面の軸を示す。 第1囚 差2目
ための図、第2図は振動素子の電極数山部の形状を説明
するための斜視図、第3図は第2図の振動素子を組込ん
だ千ノブ振動子の斜視図、第4図ばLiTaO3単結晶
の3′回転X板の熱膨張係数を示した図である。 なお図中において、1は振動素子、2.2゜は駆動電極
、3.3′、4.4’ は端子電極。 5.6は短絡電極、7.9は厚膜電極、8はスルホール
、10はセラミソクベース、11はセラミノクキャ、ブ
、12ば3“回転X板LiTaO3の熱膨張係数、13
ば96%アルミナの熱膨張係数、14はフォルステライ
i−の熱膨張係数。 15ばヘークライトの熱膨張係数、16はス1−リップ
の長手方向の角度、Lば素子主面の長手方向の長さ、
11は素子の厚さ、Wは素子主面の幅、x、y、zは
単結晶の軸、 X’ 、 Y′。 Z′ は素子の主面の軸を示す。 第1囚 差2目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ストリップ型LiTaO3振動子において、ストリ
ップの長手方向の熱膨張係数と搭載用のベース材料の熱
膨張係数とをほぼ等しくしたことを特徴とする圧電振動
子。 2、上記特許請求の範囲第1項において、前記振動子が
3゛回転X板を使用したLiTaO3単結晶からなり且
つストリップの長手方向を=50±2゜とじて構成され
、前記ベースをフォルステライ1−にて構成したことを
特徴とする圧電振動子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8536783A JPS59211311A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 圧電振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8536783A JPS59211311A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 圧電振動子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59211311A true JPS59211311A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13856741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8536783A Pending JPS59211311A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 圧電振動子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59211311A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01229513A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Seiko Electronic Components Ltd | 輪郭すべり水晶振動子 |
JPH02186817A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Seiko Electronic Components Ltd | 輪郭すべり水晶振動子 |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP8536783A patent/JPS59211311A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01229513A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Seiko Electronic Components Ltd | 輪郭すべり水晶振動子 |
JPH02186817A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Seiko Electronic Components Ltd | 輪郭すべり水晶振動子 |
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