JPS596664A - 画像読取り装置 - Google Patents
画像読取り装置Info
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- JPS596664A JPS596664A JP11492282A JP11492282A JPS596664A JP S596664 A JPS596664 A JP S596664A JP 11492282 A JP11492282 A JP 11492282A JP 11492282 A JP11492282 A JP 11492282A JP S596664 A JPS596664 A JP S596664A
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- JP
- Japan
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- mos
- switches
- fet
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- switch
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional array, or a combination of one-dimensional arrays, or a substantially one-dimensional array, e.g. an array of staggered elements
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1931—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays with scanning elements electrically interconnected in groups
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ファクシミリ尋に用いられる画像読取υ装
置に関する。
置に関する。
この種の画像読取ｐ装置として、ｒ ＩＥ’Ｔｒａｎｓ
ａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌ＠ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ Ｖｏｌ． ＥＤ −１ ８ 、Ａ１ １ Ｎｏｖ
、１９７１ Ｊ等で提案されたような、フォトダイ
オードやフォトトランジスタ等の接合型フォトセンサと
ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチを用いたものが知られている
。
ａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌ＠ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ Ｖｏｌ． ＥＤ −１ ８ 、Ａ１ １ Ｎｏｖ
、１９７１ Ｊ等で提案されたような、フォトダイ
オードやフォトトランジスタ等の接合型フォトセンサと
ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチを用いたものが知られている
。
第１図は従来のこの種の画像読取シ装置の構成を示した
もので、−列に配列された複数のフォトダイオード１１
〜１ｎの各一端はバイアス電＃Ｉ２に接続され、各他端
はＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ３１〜３ｎに個別に接続さ
れている。ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ３１〜３ｎはシフ
トレジスタ４の出力がダート制御信号として与えられる
ことによシ、順次駆動される。
もので、−列に配列された複数のフォトダイオード１１
〜１ｎの各一端はバイアス電＃Ｉ２に接続され、各他端
はＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ３１〜３ｎに個別に接続さ
れている。ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ３１〜３ｎはシフ
トレジスタ４の出力がダート制御信号として与えられる
ことによシ、順次駆動される。
フォトダイオード１１〜１ｎは対応するＭＯＳ −ＦＥ
Ｔスイッチ３１〜３ｎがオンになると、その接合谷ｊｋ
Ｃｓ〜Ｃｎが電源２の電圧Ｅまで充電される。このと
き接合容量Ｃ！〜Ｃｎの入射光量に応じた蓄積電荷の放
電分を補償するような電流がＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ
３１〜３ｎを通じて流れるので、この電流変化を演算増
幅器ＯＡと抵抗Ｒによる電流−電圧変換回路５によって
電圧信号に変換することで、出力端子６にフォトダイオ
ード１１〜１ｎの入射光量に応じた信号出力、即ち原稿
面上の情報に対応した画像読取υ出力が得られる。
Ｔスイッチ３１〜３ｎがオンになると、その接合谷ｊｋ
Ｃｓ〜Ｃｎが電源２の電圧Ｅまで充電される。このと
き接合容量Ｃ！〜Ｃｎの入射光量に応じた蓄積電荷の放
電分を補償するような電流がＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ
３１〜３ｎを通じて流れるので、この電流変化を演算増
幅器ＯＡと抵抗Ｒによる電流−電圧変換回路５によって
電圧信号に変換することで、出力端子６にフォトダイオ
ード１１〜１ｎの入射光量に応じた信号出力、即ち原稿
面上の情報に対応した画像読取υ出力が得られる。
第２図はＭＯＳ −ＦＥＴスイッチの１つ（この例では
３１ ）がオンのときの等価回路を示している。スイッ
チ３１はダート制御信号Ｖ。のレベル変化によってオン
となるが、この際抵抗Ｈにはフォトダイオード１１の接
合容４４ Ｃｌの充電電流のほかに、スイッチ３１のダ
ートからソース・ダート問答ｉ Ｃ８，およびドレイン
・ダート問答ｔｃＤ、を通して雑音電流が流れる。つま
シＭＯ８−ＦＥＴスイッチのスイッチングノイズが出力
に現れる。この場合、スイッチングノイズに相当する電
荷量は、■ｏのレベル変化をΔｖ０とすればΔＶ、 （
Ｃ，、十ＣＤ、 ）で秋わされる。この電荷量が、Ｃ１
の端子電圧ｖｃ１が電源電圧Ｅになるまでの電荷変化量
ＣＩ （■ｃ１−Ｅ）に対し無視できる程度であれば問
題ないが、一般には無視できず、読取多出力のＳＡを劣
化させる要因となる。また最悪の場合は、このスイッチ
ングノイズによｐ読取ｐが不能となるおそれもある。
３１ ）がオンのときの等価回路を示している。スイッ
チ３１はダート制御信号Ｖ。のレベル変化によってオン
となるが、この際抵抗Ｈにはフォトダイオード１１の接
合容４４ Ｃｌの充電電流のほかに、スイッチ３１のダ
ートからソース・ダート問答ｉ Ｃ８，およびドレイン
・ダート問答ｔｃＤ、を通して雑音電流が流れる。つま
シＭＯ８−ＦＥＴスイッチのスイッチングノイズが出力
に現れる。この場合、スイッチングノイズに相当する電
荷量は、■ｏのレベル変化をΔｖ０とすればΔＶ、 （
Ｃ，、十ＣＤ、 ）で秋わされる。この電荷量が、Ｃ１
の端子電圧ｖｃ１が電源電圧Ｅになるまでの電荷変化量
ＣＩ （■ｃ１−Ｅ）に対し無視できる程度であれば問
題ないが、一般には無視できず、読取多出力のＳＡを劣
化させる要因となる。また最悪の場合は、このスイッチ
ングノイズによｐ読取ｐが不能となるおそれもある。
この発明の目的は、ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチのスイッ
チングノイズの影Ｖを軽減してＳ／Ｎの良い読取多出力
が得られるようにした画像読取シ装置を提供することで
ある。
チングノイズの影Ｖを軽減してＳ／Ｎの良い読取多出力
が得られるようにした画像読取シ装置を提供することで
ある。
この発明はＭＯＳ −ＦＥＴスイッチを２つのグループ
に分割して、各グループのＭＯＳ −ＦＥＴスイッチを
１個ずつ同時に駆動するようにするとともに、各グルー
プのＭＯＳ−ＦＥＴスイッチの出力側にそれぞれ電流−
電圧変換回路を共通接続し、これらの電流−電圧変換回
路の出力の差を検出して画像読取り出力を得るようにし
たものである。
に分割して、各グループのＭＯＳ −ＦＥＴスイッチを
１個ずつ同時に駆動するようにするとともに、各グルー
プのＭＯＳ−ＦＥＴスイッチの出力側にそれぞれ電流−
電圧変換回路を共通接続し、これらの電流−電圧変換回
路の出力の差を検出して画像読取り出力を得るようにし
たものである。
この発明によれは、２つのＭＯＳ −ＦＥＴスイッチが
同時に駆動されてその各出力電流が電流−電圧変換され
た後その差がとられるときに、フォトセンサの入射光量
に応じた電荷量変化に対応する信号成分は検出されるが
、ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチのスイッ、チノイズは相殺
され、読取シ出力中にはほとんど現れなくなる。従って
非常にＳ／Ｎの良い読取多出力を得ることができる。
同時に駆動されてその各出力電流が電流−電圧変換され
た後その差がとられるときに、フォトセンサの入射光量
に応じた電荷量変化に対応する信号成分は検出されるが
、ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチのスイッ、チノイズは相殺
され、読取シ出力中にはほとんど現れなくなる。従って
非常にＳ／Ｎの良い読取多出力を得ることができる。
第３図はこの発明の一実施例を示すもので、第１図と相
対応する部分に同一符号が付されている。この実施例で
は、ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ３１〜３ｎは奇数番目の
フォトダイオード１１ 。
対応する部分に同一符号が付されている。この実施例で
は、ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ３１〜３ｎは奇数番目の
フォトダイオード１１ 。
１８．・・・１ｎ−１に対応する３１ｓ Ｊ ３ ＊
・・・３ｎ−１のグループ（第１グループ）と、偶数番
目のフォトダイオード１２＊１４Ｈ・・・１ｎに対応す
る３□ 、３４、−３ｎのグループ（第２ダル−ｆ）と
に分割されている。そして第１グループのＭＯＳ −Ｆ
ＥＴスイッチ３１．３．１−３ｎ−１の出力側］は第１
の′直流−′邂圧変換回路５ａの入力端に共通接続され
、第２グループのＭＯＳ −ＰＥＴスイッチ３□ 、３
４ 、・・・３ｎの出力側は第２の電流−電圧変換回路
５ｂの入力端に共通接続されている。これら第１．第２
の電流−電圧変換回路５８．５ｂの出力は差動増幅器７
に入力され、両者の差信号が画像Ｑ″Ｃ取り出力として
出力端子６に等かれるようになっている。
・・・３ｎ−１のグループ（第１グループ）と、偶数番
目のフォトダイオード１２＊１４Ｈ・・・１ｎに対応す
る３□ 、３４、−３ｎのグループ（第２ダル−ｆ）と
に分割されている。そして第１グループのＭＯＳ −Ｆ
ＥＴスイッチ３１．３．１−３ｎ−１の出力側］は第１
の′直流−′邂圧変換回路５ａの入力端に共通接続され
、第２グループのＭＯＳ −ＰＥＴスイッチ３□ 、３
４ 、・・・３ｎの出力側は第２の電流−電圧変換回路
５ｂの入力端に共通接続されている。これら第１．第２
の電流−電圧変換回路５８．５ｂの出力は差動増幅器７
に入力され、両者の差信号が画像Ｑ″Ｃ取り出力として
出力端子６に等かれるようになっている。
原稿面上の画像を読取るべく、原稿面からのフォトダイ
オード１１〜１ｎへの入射光量に対応した接合容量Ｃ１
〜Ｃｎの蓄ａ電荷変化量を検出するに際しては、シフト
レジスタ４の出力によって第１グループのＭＯＳ −Ｆ
ＥＴスイッチと第２グループのＭＯＳ −ＦＥＴスイッ
チとを１個ずつ同時に駆動する。このためには例えばシ
フトレジスタ４のクロック入力端子ＣＫにクロックが２
個人る間、データ入力端子りを“１″レベルに保ち、以
後クロックによシフトレジスタ４をシフト動作させるこ
とによって、最初はＱＣｓＱ２出力がパ１″、次のタイ
ミングではＱ２１Ｑ３出力が１＃、次のタイミングでは
Ｑｓ ｒＱ４出力が１″、・・・となるようにし、最
後にＱｎｌ ’ Ｑｎ 出力がパ１＃となるようにす
ればよい。
オード１１〜１ｎへの入射光量に対応した接合容量Ｃ１
〜Ｃｎの蓄ａ電荷変化量を検出するに際しては、シフト
レジスタ４の出力によって第１グループのＭＯＳ −Ｆ
ＥＴスイッチと第２グループのＭＯＳ −ＦＥＴスイッ
チとを１個ずつ同時に駆動する。このためには例えばシ
フトレジスタ４のクロック入力端子ＣＫにクロックが２
個人る間、データ入力端子りを“１″レベルに保ち、以
後クロックによシフトレジスタ４をシフト動作させるこ
とによって、最初はＱＣｓＱ２出力がパ１″、次のタイ
ミングではＱ２１Ｑ３出力が１＃、次のタイミングでは
Ｑｓ ｒＱ４出力が１″、・・・となるようにし、最
後にＱｎｌ ’ Ｑｎ 出力がパ１＃となるようにす
ればよい。
今、Ｃ２の電荷変化量を検出するときは、Ｑ１１Ｑ２＝
−１’としてＭＯＳ −Ｆ’ＥＴ Ｓ １．３゜をオン
状態とする。ここでＣ１の電荷はその直前にＭＯＳ −
ＦＥＴスイッチ３ｔ ｋ通して続出されていたとすれば
、Ｃ２の電荷変化量を検出するときには、ＣＩには入射
光量による電荷の変化はほとんど生じていないと考えて
よい。これは例えばフォトダイオードの数ｎが２０００
個とし、その接合容量Ｃ，−Ｃｎの電荷を１１次読出し
ていくとすれば、Ｃ２の電荷変化量を検出するタイミン
グでのＣ１の電荷変化量は総置化量の約１／２０００と
考えられるからである。従って、このときのＭＯＳ −
ＦＥＴスイッチ３１のオンによるＣ１の電荷の読出しは
実質的に゛空胱出し”ということができ、Ｃ８の電荷の
みがＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ３２を通して読出される
ことになる。
−１’としてＭＯＳ −Ｆ’ＥＴ Ｓ １．３゜をオン
状態とする。ここでＣ１の電荷はその直前にＭＯＳ −
ＦＥＴスイッチ３ｔ ｋ通して続出されていたとすれば
、Ｃ２の電荷変化量を検出するときには、ＣＩには入射
光量による電荷の変化はほとんど生じていないと考えて
よい。これは例えばフォトダイオードの数ｎが２０００
個とし、その接合容量Ｃ，−Ｃｎの電荷を１１次読出し
ていくとすれば、Ｃ２の電荷変化量を検出するタイミン
グでのＣ１の電荷変化量は総置化量の約１／２０００と
考えられるからである。従って、このときのＭＯＳ −
ＦＥＴスイッチ３１のオンによるＣ１の電荷の読出しは
実質的に゛空胱出し”ということができ、Ｃ８の電荷の
みがＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ３２を通して読出される
ことになる。
ところで、Ｃ２の電荷を読出すときには、ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔスイッチ３１ ．３２の両ダートにシフトレジスタ４
から信号が与えられるので、両ダートから第２図で説明
したＣ８Ｇ ” ＤＧを通った電荷がｔ流−電圧変換回
路５ａ ＊ ５ｂの抵抗Ｒ，，Ｒ，に雑音電流として、
Ｃ２の電荷変化量に対応する信号電流と重畳して流れ込
む。しかしながら、ＭＯＳ −ＦＥＴ ３ ｌ〜３ｎの
構造が等しいとすれば、３１のケ゛−トよシの雑音電流
と３２のダートよシの雑音電流とは等しいと考えること
ができるので、差動増幅器７で電流−電圧変換回路５ａ
、５ｂの出力の差をとれば、上記雑音電流の影響、す
なわちＭＯＳ −ＦＥＴスイッチのスイッチングノイズ
は相殺され、結局Ｃ２の電荷変化量による信号成分のみ
を画像読取り粘 出力として転出すＺことが可能となる。
Ｔスイッチ３１ ．３２の両ダートにシフトレジスタ４
から信号が与えられるので、両ダートから第２図で説明
したＣ８Ｇ ” ＤＧを通った電荷がｔ流−電圧変換回
路５ａ ＊ ５ｂの抵抗Ｒ，，Ｒ，に雑音電流として、
Ｃ２の電荷変化量に対応する信号電流と重畳して流れ込
む。しかしながら、ＭＯＳ −ＦＥＴ ３ ｌ〜３ｎの
構造が等しいとすれば、３１のケ゛−トよシの雑音電流
と３２のダートよシの雑音電流とは等しいと考えること
ができるので、差動増幅器７で電流−電圧変換回路５ａ
、５ｂの出力の差をとれば、上記雑音電流の影響、す
なわちＭＯＳ −ＦＥＴスイッチのスイッチングノイズ
は相殺され、結局Ｃ２の電荷変化量による信号成分のみ
を画像読取り粘 出力として転出すＺことが可能となる。
従って以下同様にＭＯＳ −ＦＥＴスイッチヲ３２と３
ｇｍ３３と３４．・・・３ｎ−１と３ｎ、３ｎと３１
、・・・の組合せで順次駆動することによシ、スイッチ
ングノイズのないＳハの良好な画像読取り出力を連続的
に得ることができる。
ｇｍ３３と３４．・・・３ｎ−１と３ｎ、３ｎと３１
、・・・の組合せで順次駆動することによシ、スイッチ
ングノイズのないＳハの良好な画像読取り出力を連続的
に得ることができる。
なお、上記実施例において点線で囲んだＭＯＳ−ＦＥＴ
スイッチ３１〜３ｎおよびシフトレジスタ４０部分は同
一集積回路内に構成することができる。
スイッチ３１〜３ｎおよびシフトレジスタ４０部分は同
一集積回路内に構成することができる。
第４図はこの発明の他の実施例を示すもので、ＭＯＳ
−ＦＥＴスイッチ３１〜３ｎのグループ分割の方式が第
３図の実施例と異なっている。即ち、ＭＯＳ −ＦＥＴ
スイッチ３１〜３ｎはフォトダイオード１１〜１ｎの配
列方向に対応して３１〜３ｎ／２のグループと３ｎ／２
＋１〜３ｎのグループとに分割されている。そして、こ
の場合は例えば３１と３ｎ／２＋１＋ ３ｇと３ｎ／２
＋ ２ ＋ ”’ Ｊ ｎ／２と３ｎがそれぞれ同時
に駆動されるように、シフトレジスタ４ａ、４ｂＫ７Ｊ
−夕信号が与えられる。
−ＦＥＴスイッチ３１〜３ｎのグループ分割の方式が第
３図の実施例と異なっている。即ち、ＭＯＳ −ＦＥＴ
スイッチ３１〜３ｎはフォトダイオード１１〜１ｎの配
列方向に対応して３１〜３ｎ／２のグループと３ｎ／２
＋１〜３ｎのグループとに分割されている。そして、こ
の場合は例えば３１と３ｎ／２＋１＋ ３ｇと３ｎ／２
＋ ２ ＋ ”’ Ｊ ｎ／２と３ｎがそれぞれ同時
に駆動されるように、シフトレジスタ４ａ、４ｂＫ７Ｊ
−夕信号が与えられる。
この実施例によれば、第１図の点線内に示したようなシ
フトレジスタと出力側が共通接続されたＭＯＳ −ＦＥ
Ｔスイッチとの組からなる既存の集積回路を用いること
ができる。この場合、ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチの各グ
ループとそれに対応するシフトレジスタとの組は、それ
ぞれ数個のＭＯＳ −ＦＥＴスイッチおよびこれと同数
段のシフトレジスタを含んだ集積回路を複数個組合せて
構成してもよい。
フトレジスタと出力側が共通接続されたＭＯＳ −ＦＥ
Ｔスイッチとの組からなる既存の集積回路を用いること
ができる。この場合、ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチの各グ
ループとそれに対応するシフトレジスタとの組は、それ
ぞれ数個のＭＯＳ −ＦＥＴスイッチおよびこれと同数
段のシフトレジスタを含んだ集積回路を複数個組合せて
構成してもよい。
第１図は従来の画像読取シ装置の回路図、第２図はその
問題点を説明するための等価回路図、第３図および第４
図はこの発明の実施例を示す図である。 １１〜１ｎ・・・フォトダイオード（接合型フォトセン
サ）、２・・・バイアス電源、３１〜３ｎ・・・ＭＯＳ
−ＦＥＴスイッチ、４・・・シフトレジスタ（スイッチ
駆動手段）、５．５ａ、５ｂ・・・電流−電圧変換回路
、６・・・出力端子、７・・・差動増幅器。
問題点を説明するための等価回路図、第３図および第４
図はこの発明の実施例を示す図である。 １１〜１ｎ・・・フォトダイオード（接合型フォトセン
サ）、２・・・バイアス電源、３１〜３ｎ・・・ＭＯＳ
−ＦＥＴスイッチ、４・・・シフトレジスタ（スイッチ
駆動手段）、５．５ａ、５ｂ・・・電流−電圧変換回路
、６・・・出力端子、７・・・差動増幅器。
Claims (4)
- （１）配列された枚数の接合型フォトセンサの入射光量
に応じた電荷変化量をこれらのフォトセンナに個別に接
続されたＭＯＳ −ＦＥＴスイッチを介して電流−電圧
変換回路によシ検出することによって画像を読取る装置
において、２つのグループに分割されたＭＯＳ −ＦＥ
Ｔスイッチと、これら各グループのＭＯＳ −ＦＥＴス
イッチをエイ園ずつ同時に駆動するスイッチ駆動手段と
、前記各グループのＭＯＳ −ＦＥＴスイッチの出力側
にそれぞれ共通接続された２つの電流−電圧変換回路と
、これらの電流−電圧変換回路の出力の差を検出して画
像読取り出力を得る手段とを備えたことを特徴とする画
像読取υ装置。 - （２） ＭＯＳ −ＦＥＴスイッチは奇数番目のフォ
トセンサに対応するグループと偶数番目の７オトセンサ
に対応するグループとに分割され、スイッチ駆動手段は
隣接する２つのフォトセンサに接続されたＭＯＳ −Ｆ
ＥＴスイッチを同時に駆動するように構成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像読取シ
装置。 - （３） スイッチ駆動手段はＭＯＳ −ＦＥＴスイッチ
と同一集積回路内に構成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の画像読取シ装置
。 - （４） スイッチ駆動手段はシフトレノスタである特
許請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の画像読
取り装置◎
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11492282A JPS596664A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 画像読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11492282A JPS596664A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 画像読取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596664A true JPS596664A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14649981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11492282A Pending JPS596664A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 画像読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596664A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61148956A (ja) * | 1984-12-22 | 1986-07-07 | Seiko Epson Corp | 光電変換装置 |
| JPS6251868A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-06 | Kyocera Corp | 読取り方式 |
| EP0234909A2 (en) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image sensor |
| US5260813A (en) * | 1990-03-08 | 1993-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image reading apparatus in which a series of semiconductor chips are electrically connected to each other |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP11492282A patent/JPS596664A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61148956A (ja) * | 1984-12-22 | 1986-07-07 | Seiko Epson Corp | 光電変換装置 |
| JPS6251868A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-06 | Kyocera Corp | 読取り方式 |
| EP0234909A2 (en) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image sensor |
| US5260813A (en) * | 1990-03-08 | 1993-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image reading apparatus in which a series of semiconductor chips are electrically connected to each other |
| US5280304A (en) * | 1990-03-08 | 1994-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal print head in which a series of semiconductor chips are electrically connected to each other |
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