JPS5963749A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5963749A JPS5963749A JP14755682A JP14755682A JPS5963749A JP S5963749 A JPS5963749 A JP S5963749A JP 14755682 A JP14755682 A JP 14755682A JP 14755682 A JP14755682 A JP 14755682A JP S5963749 A JPS5963749 A JP S5963749A
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- resin
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高部高湿状態（６５Ｃ，９５％相対湿度中、
８５Ｃ，８５％相対湿度中）に於いても信頼性の高い動
作が可能な樹脂封止型の半導体装置に関する。
８５Ｃ，８５％相対湿度中）に於いても信頼性の高い動
作が可能な樹脂封止型の半導体装置に関する。
従来、樹脂封止半導体装置は、ノ・−メチツクシール型
やセラミックス封止型に比べて、高温高湿状態に於ける
信頼性に劣る欠点がある。これは、樹脂封止型半導体装
置では、樹脂とリード線の間、あるいは、樹脂と半導体
素子との界面に隙間が生じ、そこを通じて外部から、封
止品の内部へ水が侵入し、素子の電極、ボンディング部
などが腐食、断線し易いためである。
やセラミックス封止型に比べて、高温高湿状態に於ける
信頼性に劣る欠点がある。これは、樹脂封止型半導体装
置では、樹脂とリード線の間、あるいは、樹脂と半導体
素子との界面に隙間が生じ、そこを通じて外部から、封
止品の内部へ水が侵入し、素子の電極、ボンディング部
などが腐食、断線し易いためである。
そこで、半導体素子又は、半導体素子及びリード線と樹
脂との接着性、密着性を高めて封止品の耐湿性を改善す
る試みがなされている。例えば、半導体素子又は、半導
体素子及びリード線の表面をシラン系カップリング剤で
処理した後、樹脂封止する方法、樹脂封止した後、シリ
コーンオイルを含浸する方法などが提案されている。
脂との接着性、密着性を高めて封止品の耐湿性を改善す
る試みがなされている。例えば、半導体素子又は、半導
体素子及びリード線の表面をシラン系カップリング剤で
処理した後、樹脂封止する方法、樹脂封止した後、シリ
コーンオイルを含浸する方法などが提案されている。
しかし、半導体装置は年々、高密度、高集積度化のすう
勢にあシ、従来の方策では、必要とされる耐湿性を充分
に達成するに至らず、よシ効果的な方法の必要度が＾ま
っている。
勢にあシ、従来の方策では、必要とされる耐湿性を充分
に達成するに至らず、よシ効果的な方法の必要度が＾ま
っている。
本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものでその目的
は、筒部高湿状態（６５Ｃ，９５チ相対湿度中、８５Ｃ
，８５チ相対湿度中、１２１Ｃ。
は、筒部高湿状態（６５Ｃ，９５チ相対湿度中、８５Ｃ
，８５チ相対湿度中、１２１Ｃ。
２気圧過飽和水蒸気中）に長時間放置しても、半導体装
置の配線が腐食し、断線する故障が少ない信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
置の配線が腐食し、断線する故障が少ない信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
本発明の要旨は、少なくとも半導体素子の上を、ワック
スおよび／またはシリコーンオイルをもつて塗布、焼付
けすることにより、１μｍ以下の被覆層を設けることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
スおよび／またはシリコーンオイルをもつて塗布、焼付
けすることにより、１μｍ以下の被覆層を設けることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
さらに、前Ｇ己ワックスおよび／またはシリコーンオイ
ルで半導体素子の上に形成された被覆層を有する素子や
リード線を、ワックスおよび／またはシリコーンオイル
全台む樹脂組成物で封１トすることもできる。
ルで半導体素子の上に形成された被覆層を有する素子や
リード線を、ワックスおよび／またはシリコーンオイル
全台む樹脂組成物で封１トすることもできる。
この種のワックスおよび／またはシリコーンオイルとし
ては、例えば、脂肪酸と水に不溶な高級−洒アルコール
類または二価アルコール類とのエステルを云い、マツコ
ラ鯨油、ツテ鯨油、カルナバワックス、稀ワックス、モ
ンタンワックス、オシケライト、石油ワックス（パラフ
ィンワックス、微晶ワックス、ペトロラクタム）などの
ワックス類があシ、必要に応じて１種以上全併用し２て
用いることも出来る。また、シリコーンオイルとしては
１例えば （式中：ＲはＨ、ＣＨａ 、 ＣｔＨｓ 、ＣａＨｓを
表わす）で示される、室温での粘度が０．６５〜１００
センチボイズのものがある。商品名としては、信越化学
のＫＦ−９６Ｌ、 ＫＦ−９６，ＫＰ−９６Ｈ。
ては、例えば、脂肪酸と水に不溶な高級−洒アルコール
類または二価アルコール類とのエステルを云い、マツコ
ラ鯨油、ツテ鯨油、カルナバワックス、稀ワックス、モ
ンタンワックス、オシケライト、石油ワックス（パラフ
ィンワックス、微晶ワックス、ペトロラクタム）などの
ワックス類があシ、必要に応じて１種以上全併用し２て
用いることも出来る。また、シリコーンオイルとしては
１例えば （式中：ＲはＨ、ＣＨａ 、 ＣｔＨｓ 、ＣａＨｓを
表わす）で示される、室温での粘度が０．６５〜１００
センチボイズのものがある。商品名としては、信越化学
のＫＦ−９６Ｌ、 ＫＦ−９６，ＫＰ−９６Ｈ。
ＫＦ−９９，ＫＦ−６９などがある。
また、
テ示すレル、メチルフェニルシリコーンホイルもあシ、
品名としては、信越化学のＫＦ−５０゜ＫＦ−５４，
ＫＦ−９６５などがある。
品名としては、信越化学のＫＦ−５０゜ＫＦ−５４，
ＫＦ−９６５などがある。
上記、シリコーンホイルの１種以上を併用して使用する
ことも出来る。
ことも出来る。
これらの中では、特にワックス類が疎水性、撥水性があ
り、吸水率、透湿率が小さく素子表面への水の侵入を阻
止する効業にすぐれている。
り、吸水率、透湿率が小さく素子表面への水の侵入を阻
止する効業にすぐれている。
前記、ワックス類は、塗布用には溶剤例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、アルコール類、ケトン類、クロ
ロホルム、四塩化炭素、あるいは、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメルルスルホオキサイドなどの極性溶剤などに溶
解される。該溶液がフレームに組込まれた素子およびリ
ード線に塗布される。該溶液の濃度□としては、被覆の
厚さが１０μｍ以下になるような濃厩が好ましく、通常
、０．５チ以下の溶液が用いもれる。
、トルエン、キシレン、アルコール類、ケトン類、クロ
ロホルム、四塩化炭素、あるいは、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメルルスルホオキサイドなどの極性溶剤などに溶
解される。該溶液がフレームに組込まれた素子およびリ
ード線に塗布される。該溶液の濃度□としては、被覆の
厚さが１０μｍ以下になるような濃厩が好ましく、通常
、０．５チ以下の溶液が用いもれる。
塗布方法としては、−血液中への素子およびリード線の
浸漬、素子およびリード線上への塗布液の滴下、あるい
は不活性ガスを用いたスプレー法、スピンナー塗布によ
る方法などがある。
浸漬、素子およびリード線上への塗布液の滴下、あるい
は不活性ガスを用いたスプレー法、スピンナー塗布によ
る方法などがある。
上述のような方法によ′シ、ワックス溶液が塗布された
素子およびリード線は風乾によって予備乾燥される。特
に好ましくは、不活性ガス（例えばＮ、 、 Ａ ｒ
、 Ｈｅなど）中で予備乾燥（加熱）されることが好ま
しい。
素子およびリード線は風乾によって予備乾燥される。特
に好ましくは、不活性ガス（例えばＮ、 、 Ａ ｒ
、 Ｈｅなど）中で予備乾燥（加熱）されることが好ま
しい。
そのうち、該ワックスは、少なくとも１０００以上、特
に好ましくは１８０Ｃ〜３００Ｃで素子、およびリード
線に焼付けられることによって、被覆層を形成する。
に好ましくは１８０Ｃ〜３００Ｃで素子、およびリード
線に焼付けられることによって、被覆層を形成する。
被覆層の厚さについては、先に述べたように１０μｍ以
下、特に好ましくは、１μｍ以下に溶液濃度を調整する
などによって対拠することが好ましい。１０８ｍ以上の
場合には、封止樹脂組成物との接着層が機椋的強度の欠
陥を生じる問題力（ある。ワックスを焼付けられた半導
体装置は、次に封止用樹脂などのパッケージ材料によシ
封止される。
下、特に好ましくは、１μｍ以下に溶液濃度を調整する
などによって対拠することが好ましい。１０８ｍ以上の
場合には、封止樹脂組成物との接着層が機椋的強度の欠
陥を生じる問題力（ある。ワックスを焼付けられた半導
体装置は、次に封止用樹脂などのパッケージ材料によシ
封止される。
該組成物にはワックスおよび／またはシリコーンオイル
が含有されていても含まれていなくてもよい。
が含有されていても含まれていなくてもよい。
ワックスおよび／またはシリコーンオイルが封止用樹脂
組成物に配合される場合には、溶剤で希釈することなく
使用されることが好ましい。
組成物に配合される場合には、溶剤で希釈することなく
使用されることが好ましい。
該ワックスおよび／またはシリコーンオイル−含有封止
用樹脂組成物は、装置に予めワックスおよび／またはシ
リコーンオイルを被覆された装置に適用することによっ
て、本発明の効果が一層効果的に発揮される。
用樹脂組成物は、装置に予めワックスおよび／またはシ
リコーンオイルを被覆された装置に適用することによっ
て、本発明の効果が一層効果的に発揮される。
本発明において、封止方法としてはキャン、セラミック
ス、樹脂などを用いることが出来る。特に封止用樹脂組
成物として使用されるものとしては、一般に用いられて
いる熱硬化性樹脂、並びに熱可塑性樹脂がある。
ス、樹脂などを用いることが出来る。特に封止用樹脂組
成物として使用されるものとしては、一般に用いられて
いる熱硬化性樹脂、並びに熱可塑性樹脂がある。
熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型
ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフェ
ノール樹脂などがある。
ル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型
ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフェ
ノール樹脂などがある。
また、熱可塑性樹脂としては、フッ素樹脂（）（−フル
オロエチレンなト）、ポリフエニレンスルジイド、ポリ
エチレン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリエーテル、
ポリエステル、ポリアミドエーテル、ポリアミドエステ
ルなどがめる。
オロエチレンなト）、ポリフエニレンスルジイド、ポリ
エチレン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリエーテル、
ポリエステル、ポリアミドエーテル、ポリアミドエステ
ルなどがめる。
なかでも、エポキシ樹脂組成物は、封止用樹脂組成物と
して、特に好ましい。エポキシ樹脂としては、例えばビ
スフェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジエンジ
エポキサイド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル
−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレー
ト、ビニルシクロヘキサンジオサイド、４．４’−ジ（
ｌ、２−エポキシエテル）ジフェニルエーテル、２．２
−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、
レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシンのジ
グリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシ
ジルエーテル、ビス−（２゜３−エポキシシクロペンチ
ル）エーテル、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキサ
ン−５，５−スビｏ（３，４・・・エポキシ）シクロヘ
キサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシ−
６−メチル−シクロヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’−
ｎｌ−ブエニレンビス（４，５−エポキシ−１゜２−シ
クロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポ
キシ化合物、バラアミノフェノールのトリグリシジルエ
ーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、１，３．５−
）す（ｌ、２−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’
、４．４’−テトラグリシドキシベンゾフェノン、フェ
ノールホルムアルデヒド／ボラックのポリグリシジルエ
ーテル、グリセリンのトリグリシジルニーデル、トリメ
チロールプロパンのトリグリシジルエーテルなど３官能
以上のエポキシ化合物が用いられる。
して、特に好ましい。エポキシ樹脂としては、例えばビ
スフェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジエンジ
エポキサイド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル
−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレー
ト、ビニルシクロヘキサンジオサイド、４．４’−ジ（
ｌ、２−エポキシエテル）ジフェニルエーテル、２．２
−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、
レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシンのジ
グリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシ
ジルエーテル、ビス−（２゜３−エポキシシクロペンチ
ル）エーテル、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキサ
ン−５，５−スビｏ（３，４・・・エポキシ）シクロヘ
キサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシ−
６−メチル−シクロヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’−
ｎｌ−ブエニレンビス（４，５−エポキシ−１゜２−シ
クロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポ
キシ化合物、バラアミノフェノールのトリグリシジルエ
ーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、１，３．５−
）す（ｌ、２−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’
、４．４’−テトラグリシドキシベンゾフェノン、フェ
ノールホルムアルデヒド／ボラックのポリグリシジルエ
ーテル、グリセリンのトリグリシジルニーデル、トリメ
チロールプロパンのトリグリシジルエーテルなど３官能
以上のエポキシ化合物が用いられる。
上記化合物は、用途、目的に応じて、ｌ １ｍ以上併用
して使用することも出来る。
して使用することも出来る。
また、本発明の樹脂組成物には、エポキシ樹脂の公知の
硬化剤、例えば、脂肪族ポリアミン、変性脂肪族ポリア
ミン、Ｎ−アミノアルキルピペラジン、キシリレンジア
ミン、ポリアミド、芳香族ポリアミン、変性芳香族ポリ
アミン、イミダゾール、ポリカルボン酸およびその無水
物、ＢＦｓ −アミン錯塩、ジシアンジアミド、トリア
ルカノールアミンボレートを添加して使用することも何
ら制限するものではない。
硬化剤、例えば、脂肪族ポリアミン、変性脂肪族ポリア
ミン、Ｎ−アミノアルキルピペラジン、キシリレンジア
ミン、ポリアミド、芳香族ポリアミン、変性芳香族ポリ
アミン、イミダゾール、ポリカルボン酸およびその無水
物、ＢＦｓ −アミン錯塩、ジシアンジアミド、トリア
ルカノールアミンボレートを添加して使用することも何
ら制限するものではない。
また、Ｎ、Ｎ’−置換ビスマレイミドおよびその付加物
、ハラヒドロキシスチレンのオリゴマおよびポリマ、イ
ンシアネート化合物、シアン酸エステル系化合物、ポリ
テトラフルロエチレン、シリコン、ブチルゴム、ポリプ
ロピレン、ポリエチレン、水素添加ポリブタジェン、天
然ゴム、ポリブタジェン−スチレン、ポリインブチレン
、ポリブタジェン、ポリエチルへキシルメタクリレート
、ポリエトキシエチルメタクリレート、ポリ−ｎ −ブ
チル−メタクリレート、ポリスチレン、ポリサルファイ
ド（チオコールゴム）、ポリスチレン−ジビニルベンゼ
ン、ポリメチルメタクリレート、クロロブレン、ポリで
タジエンーアクリロニトリ″共重合物５り酢酸チ：“・
″り塩化″′＝ 、ｎ、、・′リウレタン、ポリグリコ
ールテレフタレート、ポリメチレンオキサイド、ポリイ
ミド（ポリアミド酸状態のものも含む）フェノキシ樹脂
、ポリビニルアセタール系樹脂などを添加して、改質、
変性を行なうことも出来る。
、ハラヒドロキシスチレンのオリゴマおよびポリマ、イ
ンシアネート化合物、シアン酸エステル系化合物、ポリ
テトラフルロエチレン、シリコン、ブチルゴム、ポリプ
ロピレン、ポリエチレン、水素添加ポリブタジェン、天
然ゴム、ポリブタジェン−スチレン、ポリインブチレン
、ポリブタジェン、ポリエチルへキシルメタクリレート
、ポリエトキシエチルメタクリレート、ポリ−ｎ −ブ
チル−メタクリレート、ポリスチレン、ポリサルファイ
ド（チオコールゴム）、ポリスチレン−ジビニルベンゼ
ン、ポリメチルメタクリレート、クロロブレン、ポリで
タジエンーアクリロニトリ″共重合物５り酢酸チ：“・
″り塩化″′＝ 、ｎ、、・′リウレタン、ポリグリコ
ールテレフタレート、ポリメチレンオキサイド、ポリイ
ミド（ポリアミド酸状態のものも含む）フェノキシ樹脂
、ポリビニルアセタール系樹脂などを添加して、改質、
変性を行なうことも出来る。
本発明の樹脂組成物には、目的と用途に応じて各種の添
加剤を配合して用いることが出来る。
加剤を配合して用いることが出来る。
例えば、ジルコン、シリカ、溶融石英ガラス、アルミナ
、水酸化アルミニウム、ガラス、石英ガラス、ケイ酸カ
ルシウム、石コウ、炭酸カルシウム、マグテサイト、ク
レー、カオリン、タルク、鉄粉、銅粉、マイカ、アスベ
スト、炭化珪素、空化ホウ素、二硫化モリブデン、鉛化
合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタン白、カーボンブランク
などの充填剤、あるいは高級脂肪酸、ワックス類などの
離型剤、エポキシシラン、ビニルシラン、アミノシラン
、ボラン系化合物、アルコキシチタネート系化合物、ア
ルミニワムアルコレート系、アルミニワムキレート系な
どの各種カンプリング剤を使用出来る。さらに、アンチ
モン、燐化合物、ブロムやクロルを含む公知の難燃化剤
を用いることが出来る。
、水酸化アルミニウム、ガラス、石英ガラス、ケイ酸カ
ルシウム、石コウ、炭酸カルシウム、マグテサイト、ク
レー、カオリン、タルク、鉄粉、銅粉、マイカ、アスベ
スト、炭化珪素、空化ホウ素、二硫化モリブデン、鉛化
合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタン白、カーボンブランク
などの充填剤、あるいは高級脂肪酸、ワックス類などの
離型剤、エポキシシラン、ビニルシラン、アミノシラン
、ボラン系化合物、アルコキシチタネート系化合物、ア
ルミニワムアルコレート系、アルミニワムキレート系な
どの各種カンプリング剤を使用出来る。さらに、アンチ
モン、燐化合物、ブロムやクロルを含む公知の難燃化剤
を用いることが出来る。
実施例 １〜４
７００ケのＤ−ＲＡＭメモリ用Ｍ ＯＳ Ｌ Ｓ Ｉの
素子及びリード線（１６ビン）に、０．００００１チ。
素子及びリード線（１６ビン）に、０．００００１チ。
％＆０１％、０．１％、１％のジメチルポリシロキサン
（粘度５００±２５センチボイズ＋ＫＦ−９６−５００
信越化学社製）−トルエン溶液を、それぞれ別個に滴下
した後、室温で３０分間風乾した。次いで２００［，１
時間加熱焼付は処理を行なった、。
（粘度５００±２５センチボイズ＋ＫＦ−９６−５００
信越化学社製）−トルエン溶液を、それぞれ別個に滴下
した後、室温で３０分間風乾した。次いで２００［，１
時間加熱焼付は処理を行なった、。
ジメチルポリシロキサン処理された、各々７００ケの素
子及びリード線を、下記のフェノールノボラック硬化の
エポキシ樹脂組成物で、１８０Ｃ。
子及びリード線を、下記のフェノールノボラック硬化の
エポキシ樹脂組成物で、１８０Ｃ。
７０ Ｋｇ／ａｎ” １．５分の条件でトランスファモ
ールドによシ、樹脂封止した。１８０Ｃ％ １５時間ア
フタキュアを施した後、下記の条件で耐湿性試験を行な
った。試験結果を第１表に示した。素子及びリード線を
ジメチルポリシロキサンで処理しない場合についても比
較例として、第１表に示した。
ールドによシ、樹脂封止した。１８０Ｃ％ １５時間ア
フタキュアを施した後、下記の条件で耐湿性試験を行な
った。試験結果を第１表に示した。素子及びリード線を
ジメチルポリシロキサンで処理しない場合についても比
較例として、第１表に示した。
−エポキシ樹脂組成物の調整−
エポキシ化合物として、オルトクレゾールノボラック型
のＥＣＮ１２７３（テバ社製；エポキシ当１５ｉ：２２
５）１００重量部、硬化剤としてフェノールノボラック
型樹脂ＨＰ−６０７Ｎ（日立化成製）５５重量部、硬化
促進剤として、トリエチルアミンテトラフェニルボレー
？（１’ＥＡ−Ｋ）２重量部、＃型剤として、ヘキスト
ワックスＥ２重針部、フィシとして、溶融石英ガラス粉
４７０重量部、カップリング剤としてエポキシシランＫ
ＢＭ４０３（信越化学社製）１重優部、着色剤としてカ
ーボンブランクｌ取鼠部を配合した後、７０〜８０ｔＺ
’、１０分間、ロール混練し、冷却した後粉砕して封止
用エポキシ樹脂組成物を作成した。
のＥＣＮ１２７３（テバ社製；エポキシ当１５ｉ：２２
５）１００重量部、硬化剤としてフェノールノボラック
型樹脂ＨＰ−６０７Ｎ（日立化成製）５５重量部、硬化
促進剤として、トリエチルアミンテトラフェニルボレー
？（１’ＥＡ−Ｋ）２重量部、＃型剤として、ヘキスト
ワックスＥ２重針部、フィシとして、溶融石英ガラス粉
４７０重量部、カップリング剤としてエポキシシランＫ
ＢＭ４０３（信越化学社製）１重優部、着色剤としてカ
ーボンブランクｌ取鼠部を配合した後、７０〜８０ｔＺ
’、１０分間、ロール混練し、冷却した後粉砕して封止
用エポキシ樹脂組成物を作成した。
耐湿試験条件
Ｏプレンシャクツカテスト（ＰＣＴ）：１２１Ｃ１２気
圧過飽和水蒸気中放置試験 ０ ６５ｔ：／９５％ＲＨ放置試験 ０ ８５Ｃ／８５％ＲＨ放置試験 実施例 ７００ケの１） −ＲＡ Ｍメモリ用ＭＯ８Ｌ８Ｉの素
子に０．００１％ジメチルポリシロキサン（粘度１００
０００±５０００ センチボイズ；信越化学部ＫＦ−９
６Ｈ−１０００００）−ジメテルセロンルプ溶液を滴下
した後、室温で３０分間風乾した。
圧過飽和水蒸気中放置試験 ０ ６５ｔ：／９５％ＲＨ放置試験 ０ ８５Ｃ／８５％ＲＨ放置試験 実施例 ７００ケの１） −ＲＡ Ｍメモリ用ＭＯ８Ｌ８Ｉの素
子に０．００１％ジメチルポリシロキサン（粘度１００
０００±５０００ センチボイズ；信越化学部ＫＦ−９
６Ｈ−１０００００）−ジメテルセロンルプ溶液を滴下
した後、室温で３０分間風乾した。
次いで、２００Ｃ，１時間加熱焼付は処理を行なった。
ジメチルポリシロキサン処理された素子を、下記のフェ
ノールノボラック硬化のエポキシ樹脂組成物で、１ｓｏ
Ｃ１７０Ｋｇ／ｃｒｎ” 、１．５分の条件でトランス
ファモールドによシ、樹脂封止した。
ノールノボラック硬化のエポキシ樹脂組成物で、１ｓｏ
Ｃ１７０Ｋｇ／ｃｒｎ” 、１．５分の条件でトランス
ファモールドによシ、樹脂封止した。
１８０Ｃ，１５時間アフタキュアを施した後、実施例１
の条件で耐湿性試験を行なった。試験結果を第２表に示
した。素子をジメチルポリシロキサンで処理しない場合
についても比較例として、第２表に示した。
の条件で耐湿性試験を行なった。試験結果を第２表に示
した。素子をジメチルポリシロキサンで処理しない場合
についても比較例として、第２表に示した。
一エポキシ樹脂組成物の調整−
エポキシ化合物として、オルトクレゾールノボランク型
のＥＣＮＩ ２７３ （チバ社製：エポキシ当量２２５
）１００重量部、硬化剤としてフェノールノボラック型
樹脂ＨＰ−６０７Ｎ（日立化成社製）５５５重量部町撓
化剤としてポリプタジエ／ＨｙＣＯｒＣＴＢ１６２Ｘ２
０００ （宇部興産社製）１０重置部、硬化促進剤とし
てＴＥＡ−に２重量部、ジメチルポリシロキサンＫＦ−
９６−１０００（信越化学部）１重址部、フィシとして
溶融石英ガラスｉ、４７０重漿部、カップリング剤とし
てＫＢＭ４０３．１重量部、着色剤としてカーボンブラ
ンクを配合した後、７０〜８０Ｃ％ １０分間ロール混
練し、冷却″した後、粉砕して封止用エポキシ樹脂組成
物を作成した。
のＥＣＮＩ ２７３ （チバ社製：エポキシ当量２２５
）１００重量部、硬化剤としてフェノールノボラック型
樹脂ＨＰ−６０７Ｎ（日立化成社製）５５５重量部町撓
化剤としてポリプタジエ／ＨｙＣＯｒＣＴＢ１６２Ｘ２
０００ （宇部興産社製）１０重置部、硬化促進剤とし
てＴＥＡ−に２重量部、ジメチルポリシロキサンＫＦ−
９６−１０００（信越化学部）１重址部、フィシとして
溶融石英ガラスｉ、４７０重漿部、カップリング剤とし
てＫＢＭ４０３．１重量部、着色剤としてカーボンブラ
ンクを配合した後、７０〜８０Ｃ％ １０分間ロール混
練し、冷却″した後、粉砕して封止用エポキシ樹脂組成
物を作成した。
第２・表
実施例 ６
７００ケのＤ−ＲＡＭメモリ用ＭＯ８−Ｃ８Ｉの素子及
びリード線（１６ビン）に、０．０１％ヘキストワツク
スＥ（ヘキストジャノくン社！！！ ） ／ ）リクロ
ルエチレン溶液を滴下した後、室温で３０分１ｆ（］風
乾した。次いで、２００Ｃの恒温層中で１１間加熱焼付
は処理を行なった。
びリード線（１６ビン）に、０．０１％ヘキストワツク
スＥ（ヘキストジャノくン社！！！ ） ／ ）リクロ
ルエチレン溶液を滴下した後、室温で３０分１ｆ（］風
乾した。次いで、２００Ｃの恒温層中で１１間加熱焼付
は処理を行なった。
上記のワックス被覆の厚さはｌμｔｎ以下である。
このワックス被覆処理された７００ケの素子及びリード
線をフェノールノボラック型のエポキシ樹脂組成物で、
１８００．７０Ｋｇ／ｃｔｎ” 、１．５分の条件でト
ランスファモールドにより、樹脂封止した。１８０ｔＴ
、１５時間アフタキュアを施した後、下記の条件で耐湿
性試験を行なった。素子及びリード線をへキストワック
スＥで処理しない場合についても比較例として第３表に
示した。
線をフェノールノボラック型のエポキシ樹脂組成物で、
１８００．７０Ｋｇ／ｃｔｎ” 、１．５分の条件でト
ランスファモールドにより、樹脂封止した。１８０ｔＴ
、１５時間アフタキュアを施した後、下記の条件で耐湿
性試験を行なった。素子及びリード線をへキストワック
スＥで処理しない場合についても比較例として第３表に
示した。
耐湿性試験条件
○ プレンシャクツカテスト（ＰＯＴ）； １２１Ｃ１
２気圧過飽和水蒸気中７Ａ置試験 ０６５Ｃ，９５チＲＨ放置試験 ０８５Ｃ１８５チＲＨ放置試験 第３表 表中、分母は試片数、分子はＡｔ配線腐食による断線不
良 実施例 ７ ７００ケのＤ−’ＲＡＭメモリ用ＭＯ８−ＬＳＩの素子
及びリード線（１６ピン）にＱ、００１％並びにｏ、
１ ％のカルナバワックス／トリクロルエチレン、エチ
ルアルコール混合溶媒溶液を滴下した後、室温で３０分
間風乾した。次いでｘ８０ｃ、１８８間加熱焼付は処理
を行なった。
２気圧過飽和水蒸気中７Ａ置試験 ０６５Ｃ，９５チＲＨ放置試験 ０８５Ｃ１８５チＲＨ放置試験 第３表 表中、分母は試片数、分子はＡｔ配線腐食による断線不
良 実施例 ７ ７００ケのＤ−’ＲＡＭメモリ用ＭＯ８−ＬＳＩの素子
及びリード線（１６ピン）にＱ、００１％並びにｏ、
１ ％のカルナバワックス／トリクロルエチレン、エチ
ルアルコール混合溶媒溶液を滴下した後、室温で３０分
間風乾した。次いでｘ８０ｃ、１８８間加熱焼付は処理
を行なった。
上記のワックス被覆処理された各々７００ケの素子及び
リード線を、ヘキストワックスＥを１ ｆｉｌ添加した
フェノールノボラック硬化のエポキシ槓（脂組成物で、
１８０ Ｃ，７０Ｋｇ／ｍ２． １．５分の条件でトラ
ンスファモールドによシ樹脂封止した。１８０１．’、
１５時間アフタキュアを施した後、下記の条件で耐湿性
試験を行なった。結果を第２表に示１〜グヒ。素子及び
リード線全セルナバワックスで処理しない場合についＣ
も比Ｊ数例として第４表に示した。
リード線を、ヘキストワックスＥを１ ｆｉｌ添加した
フェノールノボラック硬化のエポキシ槓（脂組成物で、
１８０ Ｃ，７０Ｋｇ／ｍ２． １．５分の条件でトラ
ンスファモールドによシ樹脂封止した。１８０１．’、
１５時間アフタキュアを施した後、下記の条件で耐湿性
試験を行なった。結果を第２表に示１〜グヒ。素子及び
リード線全セルナバワックスで処理しない場合についＣ
も比Ｊ数例として第４表に示した。
Claims (1)
- １、少なくとも半導体素子の上を、ワックスおよび／ま
たはシリコーンオイルを用いて塗布、焼付けることによ
シ、１μｍ以下の被覆層を設けることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14755682A JPS5963749A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14755682A JPS5963749A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963749A true JPS5963749A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15433003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14755682A Pending JPS5963749A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963749A (ja) |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP14755682A patent/JPS5963749A/ja active Pending
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