JPS62150860A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62150860A JPS62150860A JP29061485A JP29061485A JPS62150860A JP S62150860 A JPS62150860 A JP S62150860A JP 29061485 A JP29061485 A JP 29061485A JP 29061485 A JP29061485 A JP 29061485A JP S62150860 A JPS62150860 A JP S62150860A
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- Japan
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- resin
- epoxy
- formula
- weight
- parts
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高温高湿下に於いても、信頼性の高い動作が
可能な樹脂封止型の半導体装置に関する。
可能な樹脂封止型の半導体装置に関する。
従来、樹脂封止型の半導体装置は、セラミックス封止型
の半導体装置に比べて、高温高湿状態（６５〜８５Ｃ，
９５％相対湿度中、１２１Ｃ。
の半導体装置に比べて、高温高湿状態（６５〜８５Ｃ，
９５％相対湿度中、１２１Ｃ。
２気圧過飽和水蒸気中）での動作信頼性の点で劣ってい
た。
た。
樹脂封止型の半導体装置では、樹脂とリード線との隙間
、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、そ
の間隙を通じて外部から水分が浸入し、素子上のＡ４配
線、ボンディングベッド部などが、腐食し断線し易いた
めである。
、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、そ
の間隙を通じて外部から水分が浸入し、素子上のＡ４配
線、ボンディングベッド部などが、腐食し断線し易いた
めである。
そこで、この対策として素子表面のカップリング剤処理
により、樹脂との接着性を高める方法や、カップリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
により、樹脂との接着性を高める方法や、カップリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
しかし、これらの方法によっても、樹脂封止型半導体装
置の耐湿特性の充分な向上ｆｃ達成するには至っていな
い。
置の耐湿特性の充分な向上ｆｃ達成するには至っていな
い。
また、メモリ用ＬＳＩなどに於いては、高密度高集積度
化のすう勢が著しく、１セルの寛荷容蓋が益々小さくな
ってきた。このために、パッケージ材料（例えば、封止
用樹脂組成物中のフィン）に微量含まれているウラン、
トリウムから発生するα線エネルキにより、セル中の電
荷容量の調節動作に不良を生ずる（ソフトエラー）問題
がある。
化のすう勢が著しく、１セルの寛荷容蓋が益々小さくな
ってきた。このために、パッケージ材料（例えば、封止
用樹脂組成物中のフィン）に微量含まれているウラン、
トリウムから発生するα線エネルキにより、セル中の電
荷容量の調節動作に不良を生ずる（ソフトエラー）問題
がある。
この対策としては、半導体素子及びリード線と、封止材
料とのｊｈ」に高純度のα線遮蔽材（例えばポリイミド
など）を設けることが行なわれている。
料とのｊｈ」に高純度のα線遮蔽材（例えばポリイミド
など）を設けることが行なわれている。
しかし、αＩｖｊ１遮蔽材は、半導体素子との密着性、
接着性に劣り、先に述べたｈｔ配線の腐食防止の点で必
ずしも効果を上げるに至っていない。
接着性に劣り、先に述べたｈｔ配線の腐食防止の点で必
ずしも効果を上げるに至っていない。
なお、特開昭６０−１５４６６号公報には、この柚装置
が開示されている。
が開示されている。
本発明の目的は、高温高湿下に於いても、信頼性の高い
動作が可能な半導体装置を提供することにある。
動作が可能な半導体装置を提供することにある。
本発明は、
１、半導体素子及びリード線上に、少なくとも、下記一
般式〔ｌ〕 〔式中、１（＝Ｑ〜５．Ｌ＝Ｏ〜４．Ｍ＝Ｏ〜４゜Ｌ＋
Ｍ＝４であり、Ｒ′はＣｍ’Ｈ２ｍ’。ｔ（ｎ’＝１〜
２０）、Ｒ“はＣｍ″Ｈ２ａ“や己ｎ“＝１〜２０）で
ある。〕で表わされる有機リン酸塩・アミン系化合物を
含む材料を被憶してなることを特徴とする。
般式〔ｌ〕 〔式中、１（＝Ｑ〜５．Ｌ＝Ｏ〜４．Ｍ＝Ｏ〜４゜Ｌ＋
Ｍ＝４であり、Ｒ′はＣｍ’Ｈ２ｍ’。ｔ（ｎ’＝１〜
２０）、Ｒ“はＣｍ″Ｈ２ａ“や己ｎ“＝１〜２０）で
ある。〕で表わされる有機リン酸塩・アミン系化合物を
含む材料を被憶してなることを特徴とする。
２ 半導体素子及びリード線上に、少なくとも、下記一
般式〔Ｉ〕 〔式中、ｋ＝０〜５．Ｌ＝Ｏ〜４．Ｍ＝Ｏ〜４゜Ｌ ＋
Ｍ ＝ ４であｌｙ、ｎ／はＣｍ’Ｈ２ｍ’＋＋ （
” ’ ＝”〜２０）、Ｒ，“はＣ＠”Ｈ２ｍ″、Ｉ（
ｎ“＝１〜２０）である。〕で表わされる有機リン酸塩
・アミン系化合物と、亜鉛、マグネシウム、カルシウム
などの金属微粉末のいずれか、あるいは又は混合物とを
含む材料によシ被覆してなることを特徴とする。
般式〔Ｉ〕 〔式中、ｋ＝０〜５．Ｌ＝Ｏ〜４．Ｍ＝Ｏ〜４゜Ｌ ＋
Ｍ ＝ ４であｌｙ、ｎ／はＣｍ’Ｈ２ｍ’＋＋ （
” ’ ＝”〜２０）、Ｒ，“はＣ＠”Ｈ２ｍ″、Ｉ（
ｎ“＝１〜２０）である。〕で表わされる有機リン酸塩
・アミン系化合物と、亜鉛、マグネシウム、カルシウム
などの金属微粉末のいずれか、あるいは又は混合物とを
含む材料によシ被覆してなることを特徴とする。
１ 半導体素子及びリード線上に、少なくとも、下記一
般式〔ｌ〕 〔式中、ｋ＝ｏ〜５．Ｌ＝Ｏ〜４．Ｍ＝Ｏ〜４゜Ｌ＋Ｍ
＝４であり、Ｒ′はＣｓ’Ｈｚｍ′、ｌ （” ＝１〜
２０）、Ｒ“はＣ＊’Ｈｚ 八＋ （”“＝１〜２０）
）で表わされる有機リン酸塩・アミン系化合物と、有機
系並ひに無機系の重合体（樹脂）とを含む組成物により
、被覆、あるいは又は封止してなることを特徴とする。
般式〔ｌ〕 〔式中、ｋ＝ｏ〜５．Ｌ＝Ｏ〜４．Ｍ＝Ｏ〜４゜Ｌ＋Ｍ
＝４であり、Ｒ′はＣｓ’Ｈｚｍ′、ｌ （” ＝１〜
２０）、Ｒ“はＣ＊’Ｈｚ 八＋ （”“＝１〜２０）
）で表わされる有機リン酸塩・アミン系化合物と、有機
系並ひに無機系の重合体（樹脂）とを含む組成物により
、被覆、あるいは又は封止してなることを特徴とする。
４、一般式〔ｌ〕で表わされる有機リン酸塩・アミン系
化合物が、下記式 〔式中、ｘ＋ｙ＝３．ｘ＝１または２． ｙ＝１筐たは
２である。〕で表わされる、リン酸二水素オクチルフェ
ニルのトリエチルアミン付加物、リン酸水素ビス（オク
チルフェニル）のジエチルアミン付加物、またはリン酸
二水素オクチルとリン酸水素ビス（オクチルフェニル）
の混合物のジエチルアミン付加物であることを特徴とす
る。
化合物が、下記式 〔式中、ｘ＋ｙ＝３．ｘ＝１または２． ｙ＝１筐たは
２である。〕で表わされる、リン酸二水素オクチルフェ
ニルのトリエチルアミン付加物、リン酸水素ビス（オク
チルフェニル）のジエチルアミン付加物、またはリン酸
二水素オクチルとリン酸水素ビス（オクチルフェニル）
の混合物のジエチルアミン付加物であることを特徴とす
る。
本発明において、一般式（１）
〔式中、ｋ＝Ｏ〜５．Ｌ＝Ｏ〜４．Ｍ千０〜４゜Ｌ＋Ｍ
＝４であり、Ｒ′はＣａ’Ｈｚ ｍ’＋ｌ （ｎ′＝１
〜２０ ） 。
＝４であり、Ｒ′はＣａ’Ｈｚ ｍ’＋ｌ （ｎ′＝１
〜２０ ） 。
几“はＣ＊〃Ｈ２、＋、 （ｎ“＝１〜２０）である。
〕で表わされる有機リン酸塩・アミン系化合物とは、例
えば次式 〔式中、ｘ＋ｙ＝３．ｘ＝１または２． ｙ＝１または
２である。〕 で表わされるような、リン酸二水素オクチルフェニルの
トリエチルアミン付加生成物、リン酸水素ビス（オクチ
ルフェニル）のジエチルアミン付加生成物、またはリン
酸二水素オクチルフェニルとリン酸水素ビス（オクチル
フェニル）の混合物のジエチルアミン利金生成物である
。
えば次式 〔式中、ｘ＋ｙ＝３．ｘ＝１または２． ｙ＝１または
２である。〕 で表わされるような、リン酸二水素オクチルフェニルの
トリエチルアミン付加生成物、リン酸水素ビス（オクチ
ルフェニル）のジエチルアミン付加生成物、またはリン
酸二水素オクチルフェニルとリン酸水素ビス（オクチル
フェニル）の混合物のジエチルアミン利金生成物である
。
このような好ましい付加生成物を含み、本発明によりア
ルミニウム粒子を処理するのに直接使用し得る特定の製
品はモーピル化学社から商品名Ｖ １ｒｃｏ−ｐｅｔ
２０として市販されている。この好ましい付加生成物は
米国特許第２９０３３９３号において一般的に検討され
ている。それは有機リン酸塩／アミンの付加生成物を８
０重量％とトルエンを２０重量％含有する。
ルミニウム粒子を処理するのに直接使用し得る特定の製
品はモーピル化学社から商品名Ｖ １ｒｃｏ−ｐｅｔ
２０として市販されている。この好ましい付加生成物は
米国特許第２９０３３９３号において一般的に検討され
ている。それは有機リン酸塩／アミンの付加生成物を８
０重量％とトルエンを２０重量％含有する。
また、本発明において、一般式〔Ｉ〕で表わされる有機
リン酸塩・アミン系化合物を含む材料としては、Ｚｎ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ａｔなどの金属微粉末、更に云えば粒径１
０μｍ以下で、表面積０．０５〜−１５ｍ”７ｇの微粉
末が好ましい。金属微粉末の含有量は５〜９０％の範囲
で用いれば好ましい結果を得る。
リン酸塩・アミン系化合物を含む材料としては、Ｚｎ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ａｔなどの金属微粉末、更に云えば粒径１
０μｍ以下で、表面積０．０５〜−１５ｍ”７ｇの微粉
末が好ましい。金属微粉末の含有量は５〜９０％の範囲
で用いれば好ましい結果を得る。
また、上記材料として用いうるものとして、各種のポリ
マがある。
マがある。
例えば、ポリイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリベ
ンズチアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリピラゾー
ル、ポリキノキサリン、ポリチアゾール、ポリテトラア
ゾピレン、ポリ−４−フェニル−１，２，４−トリアゾ
ール、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキザジソジ
オンなどがある。
ンズチアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリピラゾー
ル、ポリキノキサリン、ポリチアゾール、ポリテトラア
ゾピレン、ポリ−４−フェニル−１，２，４−トリアゾ
ール、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキザジソジ
オンなどがある。
また、上記へテロ環ポリ、マの骨格中に、アミド結合、
エステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホ
ン結合、ウレタン結合、シロキサン結合などを含むこと
も出来る。
エステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホ
ン結合、ウレタン結合、シロキサン結合などを含むこと
も出来る。
また、シロキサン結合を有するオイル、ゲル、樹脂やフ
ッ素系処理剤あるいはフッ素系ポリマなどがある。上記
ポリマの中でも、特に、ポリイミド並びに、シロキサン
結合を有するオイル、ゲル、樹脂が有用である。上記ポ
リマ中には、有機リン酸塩・アミン系化合物を０．０５
％以上添加配合することにより、本発明の効果を達成し
得る。このようなポリマ中への添加系については、半導
体素子上に単に被覆する用途だけでなく、ＬＳＩの集積
度向上のための多層配線に於ける層間絶縁膜としての利
用、あるいは層間Ａｔの防食処理としての利用もある。
ッ素系処理剤あるいはフッ素系ポリマなどがある。上記
ポリマの中でも、特に、ポリイミド並びに、シロキサン
結合を有するオイル、ゲル、樹脂が有用である。上記ポ
リマ中には、有機リン酸塩・アミン系化合物を０．０５
％以上添加配合することにより、本発明の効果を達成し
得る。このようなポリマ中への添加系については、半導
体素子上に単に被覆する用途だけでなく、ＬＳＩの集積
度向上のための多層配線に於ける層間絶縁膜としての利
用、あるいは層間Ａｔの防食処理としての利用もある。
次いで、樹脂封止型半導体に於いては、封止用樹脂組成
物中に、有機リン酸塩・アミン系化合物を添加配合した
上で、半導体素子を封止成形することが出来る。
物中に、有機リン酸塩・アミン系化合物を添加配合した
上で、半導体素子を封止成形することが出来る。
本発明において用いることが出来る封止用樹脂組成物と
しては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラ
ミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型ポリイミド樹
脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、
フッ素樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、
ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロ
ピレンなどがある。
しては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラ
ミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型ポリイミド樹
脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、
フッ素樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、
ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロ
ピレンなどがある。
これらの中でも、エポキシ樹脂組成物は封止用樹脂組成
物として有用である。
物として有用である。
エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡのジグ
リシジルエーテル、ブタジエンジエポキサイド、３．４
−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ
）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキ
サンジオキシド、４゜４’−ジ（１，２−エポキシエチ
ル）ジフェニルエーテル、４．４’−（１，２−エポキ
シエチル）ビフェニル、２．２−ビス（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）プロパン、レゾルシンのグリシジル
エーテル、７０ログリシンのジグリシジルエーテル、メ
チルフロログリシンのジグリシジルエーテル、ビス−（
２，３−エポキシシクロベンチル）エーテル、２−（３
，４−エポキシ）シクロヘキサン−５，５−スピロ（３
，４−エポキシ）−シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン、
ビス＝（３，４−エボキシ−６−メチルシクロヘキシル
）アジペート、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレンビス＋４．５
−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジカルボキシイ
ミドなどの２官能のエポキシ化合物、バラアミノフェノ
ールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジル
エーテル、ｉｔ ３＋ ５ ）’！Ｊ（１，２−エポ
キシエチル）ベンゼン、２．２’。
リシジルエーテル、ブタジエンジエポキサイド、３．４
−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ
）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキ
サンジオキシド、４゜４’−ジ（１，２−エポキシエチ
ル）ジフェニルエーテル、４．４’−（１，２−エポキ
シエチル）ビフェニル、２．２−ビス（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）プロパン、レゾルシンのグリシジル
エーテル、７０ログリシンのジグリシジルエーテル、メ
チルフロログリシンのジグリシジルエーテル、ビス−（
２，３−エポキシシクロベンチル）エーテル、２−（３
，４−エポキシ）シクロヘキサン−５，５−スピロ（３
，４−エポキシ）−シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン、
ビス＝（３，４−エボキシ−６−メチルシクロヘキシル
）アジペート、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレンビス＋４．５
−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジカルボキシイ
ミドなどの２官能のエポキシ化合物、バラアミノフェノ
ールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジル
エーテル、ｉｔ ３＋ ５ ）’！Ｊ（１，２−エポ
キシエチル）ベンゼン、２．２’。
４．４′−テトラグリシドキシベンゾフェノン、２．２
’ 、４．４’ −テトラグリシドキシビクユニル、テ
トラグリ７ドキシテトラフエニルエタン、フェノールホ
ルムアルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、
グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロール
プロパンのトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエ
ポキシ化合物。
’ 、４．４’ −テトラグリシドキシビクユニル、テ
トラグリ７ドキシテトラフエニルエタン、フェノールホ
ルムアルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、
グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロール
プロパンのトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエ
ポキシ化合物。
また、次式
％式％
で表わされるトリス（ヒドロキシフェニル）メタンベー
スの多官能エポキシ、あるいは以下の含フツ素エポキシ
化合物々どかある。
スの多官能エポキシ、あるいは以下の含フツ素エポキシ
化合物々どかある。
上記化合物は、用途、目的に応じて１種以上併用して使
用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤
が併用される。それらは、垣内弘著；エポキシ樹脂（昭
和４５年９月発行）１０９〜１４９ページ、リー１ｅｅ
）、ネブイル（Ｎｅｖｉｌｌｅ）著；エポキシ レジン
（Ｅｐｏｘｙｌ（ｅｓｉｎｓ ） （ＭＣＱｒａｗ−）
（ｉｌｌ １３ｏｏｋ ＣｏｍｐａｎｙＩｎｃ、 Ｎｅ
ｗ Ｙｏｒｋ、 １９５７年発行）６３〜１４１ページ
、ピー イー プラニイス（Ｐ、Ｅ、Ｂｒｕｎｉｓ ）
著；エポキシ レジ／ テクノロジ（ＥｐｏｘｙＲｅｓ
ｉｎｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ） （Ｉｎｔｅｒｓｃ
ｉｅｎｃｅｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、 Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ
、 １９６８年発行）４５〜１１１ページなどに記載の
化合物であり、例えば脂肪族ポリアミン、芳香族ポリア
ミン、第２および第３アミンを含むアミン類、カルボン
酸類、トリメリット酸トリプリセライト（リカレジン；
ＴＭＩＡなど）を含むカルボン酸無水物類、脂肪族およ
び芳香族ポリアミドオリゴマーおよびポリマー類、三フ
ッ化ホウ素−アミンコンプレックス類、フェノール樹脂
、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂などの合成
樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミド、カルボ
ン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類などがある。
用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤
が併用される。それらは、垣内弘著；エポキシ樹脂（昭
和４５年９月発行）１０９〜１４９ページ、リー１ｅｅ
）、ネブイル（Ｎｅｖｉｌｌｅ）著；エポキシ レジン
（Ｅｐｏｘｙｌ（ｅｓｉｎｓ ） （ＭＣＱｒａｗ−）
（ｉｌｌ １３ｏｏｋ ＣｏｍｐａｎｙＩｎｃ、 Ｎｅ
ｗ Ｙｏｒｋ、 １９５７年発行）６３〜１４１ページ
、ピー イー プラニイス（Ｐ、Ｅ、Ｂｒｕｎｉｓ ）
著；エポキシ レジ／ テクノロジ（ＥｐｏｘｙＲｅｓ
ｉｎｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ） （Ｉｎｔｅｒｓｃ
ｉｅｎｃｅｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、 Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ
、 １９６８年発行）４５〜１１１ページなどに記載の
化合物であり、例えば脂肪族ポリアミン、芳香族ポリア
ミン、第２および第３アミンを含むアミン類、カルボン
酸類、トリメリット酸トリプリセライト（リカレジン；
ＴＭＩＡなど）を含むカルボン酸無水物類、脂肪族およ
び芳香族ポリアミドオリゴマーおよびポリマー類、三フ
ッ化ホウ素−アミンコンプレックス類、フェノール樹脂
、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂などの合成
樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミド、カルボ
ン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類などがある。
上記硬化剤は、用途、目的に応じて１種以上使用するこ
とが出来る。
とが出来る。
特に、フェノールボラック樹脂は、硬化樹脂の金属イン
サートに対する密着性、成形時の作業性などの点から、
上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適である
。
サートに対する密着性、成形時の作業性などの点から、
上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適である
。
該樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラック型フェ
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用すること拉出来る。
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用すること拉出来る。
また、本発明の上記材料中には、公知カップリング剤を
併用して使用することも出来る。このようなカップリン
グ剤としては、エポキシシラン、アミノシラン、メルカ
プトシラン、フルオロシラン、ビニルシランなど公知の
シラン系カップリング剤、アルミニウム、チタン、ジル
コニウムなどの金属アルコキサイドあるいはキレート系
の公知のカップリング剤、などがある。
併用して使用することも出来る。このようなカップリン
グ剤としては、エポキシシラン、アミノシラン、メルカ
プトシラン、フルオロシラン、ビニルシランなど公知の
シラン系カップリング剤、アルミニウム、チタン、ジル
コニウムなどの金属アルコキサイドあるいはキレート系
の公知のカップリング剤、などがある。
［発明の実施ψ１１ ］
実施例１〜３
有機リン哨塩・アミン系化合物として、リン酸二水素オ
クチルフェニルのトリエチルアミン付加物と、リン酸水
素ビス（オクチルフェニル）のジエチルアミン付加物、
並びにリン酸二水素オクチルとリン酸水素ビス（オクチ
ルフェニル）の等量混合物のジエチルアミン付加物の３
徨類を採り上げ、それぞれを、インプロビルアルコール
／トルエン等量混合液に溶解して、０．２パーセント溶
液を作成した。
クチルフェニルのトリエチルアミン付加物と、リン酸水
素ビス（オクチルフェニル）のジエチルアミン付加物、
並びにリン酸二水素オクチルとリン酸水素ビス（オクチ
ルフェニル）の等量混合物のジエチルアミン付加物の３
徨類を採り上げ、それぞれを、インプロビルアルコール
／トルエン等量混合液に溶解して、０．２パーセント溶
液を作成した。
該溶液を、２５６にピットＤ−Ｒ，ＡＭメモリＬＳＩの
素子並びにリード線上に塗布した後、１００ｔＺ’。
素子並びにリード線上に塗布した後、１００ｔＺ’。
３０分＋１５０Ｃ，３０分間加熱処理した。その後、下
記のエポキシ樹脂組成物で、トランスファ成形により
（１ｓｏｃ、 ７ｏｋｇｆ／ａｉｔ、 １．５分成形）
樹脂封止型半導体装置を得た。それぞれ１００ケの樹脂
封止型ＬＳＩについて耐湿信頼性を評価し次。結果を第
１表に記した。
記のエポキシ樹脂組成物で、トランスファ成形により
（１ｓｏｃ、 ７ｏｋｇｆ／ａｉｔ、 １．５分成形）
樹脂封止型半導体装置を得た。それぞれ１００ケの樹脂
封止型ＬＳＩについて耐湿信頼性を評価し次。結果を第
１表に記した。
実施例４
リン酸二水素オクチルフェニルのトリエチルアミン付加
物の２パーセント溶液（インプロビルアルコール／トル
エフ等量混液）を、２５６にピットメモリＬＳＩの素子
上並びにリード線に塗布し１００Ｃ’、３０分、１５０
Ｃ，３０分焼付は処理した後、ポリイミド前駆体溶液（
ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸とのアミ
ド酸フェス、固形分１３パーセント、Ｎ−メチルピロリ
ドン溶液）を、更に塗布した後、１５００．１時間子、
２００Ｃ＋１時間、２５０ｔｌ：’１時間焼付は処理し
て、６０μｍの厚さのコート膜を設けた。
物の２パーセント溶液（インプロビルアルコール／トル
エフ等量混液）を、２５６にピットメモリＬＳＩの素子
上並びにリード線に塗布し１００Ｃ’、３０分、１５０
Ｃ，３０分焼付は処理した後、ポリイミド前駆体溶液（
ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸とのアミ
ド酸フェス、固形分１３パーセント、Ｎ−メチルピロリ
ドン溶液）を、更に塗布した後、１５００．１時間子、
２００Ｃ＋１時間、２５０ｔｌ：’１時間焼付は処理し
て、６０μｍの厚さのコート膜を設けた。
次いで、実施例１と同じエポキシ樹脂組成物で、トラン
スファ成形を行ない樹脂封止型ＬＳＩを得た。該ＬＳＩ
の耐湿信頼性の結果を第１表に示した。
スファ成形を行ない樹脂封止型ＬＳＩを得た。該ＬＳＩ
の耐湿信頼性の結果を第１表に示した。
封止用エポキシ樹脂組成物の作成
多官能エポキシ化合物として、トリス（ヒドロキシフェ
ニル）メタンペースの多官能エポキシ化介物Ｙｎ−ＱＯ
５：ｌダウ・ケミカルネ土製、エボキシ当量２２５ ＋
１００重量部、硬化剤として、ノボラック型フェノール
樹脂（日立化成社製、軟化点８３Ｃ１５５重侶：部、硬
化促進剤として、トリエチルアミンテトラフェニルボレ
ート（ＴＥＡ−１０３重量部、カップリング剤として、
エポキシシランＫＢＭ３０３（信越化学社製）２重量部
、難燃材として、付加型イミドコート赤リン５重量部、
離型剤として、ステアリン酸カルシウム１重量部とへキ
ストワックスＥ（ヘキストジャパン社製）１重量部、充
填材として、溶融石英ガラス粉４９０重量部、着色材と
して、カーボンブラック（キャボット社製）２重量部を
添加配合した。
ニル）メタンペースの多官能エポキシ化介物Ｙｎ−ＱＯ
５：ｌダウ・ケミカルネ土製、エボキシ当量２２５ ＋
１００重量部、硬化剤として、ノボラック型フェノール
樹脂（日立化成社製、軟化点８３Ｃ１５５重侶：部、硬
化促進剤として、トリエチルアミンテトラフェニルボレ
ート（ＴＥＡ−１０３重量部、カップリング剤として、
エポキシシランＫＢＭ３０３（信越化学社製）２重量部
、難燃材として、付加型イミドコート赤リン５重量部、
離型剤として、ステアリン酸カルシウム１重量部とへキ
ストワックスＥ（ヘキストジャパン社製）１重量部、充
填材として、溶融石英ガラス粉４９０重量部、着色材と
して、カーボンブラック（キャボット社製）２重量部を
添加配合した。
次いで、７０〜８５Ｃの８インチ径２本ロールで７分間
混練した後、粗粉砕して樹脂組成物を得た。
混練した後、粗粉砕して樹脂組成物を得た。
実施例５
多官能エポキシ化合物として、トリス（ヒドロキシフェ
ニル）メタンベースの多官能エポキシ化合物ＸＤ−９０
５３（ダウ・ケミカル社製、エポキシ当量２２５ ）１
００重量部、硬化剤として、ノボラック型フェノール樹
脂（日立化成社製、軟化点８３Ｃ１５５重量部、硬化促
進剤として、トリエチルアミンテトラフェニルボレート
（ＴＥＡ−Ｋ）３重量部、カップリング剤として、エポ
キシシランＫＢＭ３０３（信越化学社製）２重量部、難
燃材として、付加型イミドコート赤リン５重量部、離型
剤として、ステアリン酸カルシウム１重量部とへキスト
ワックスＥ（ヘキストジャパン社製）１重量部、リン酸
二水素オクチルフェニルのトリエチルアミン付加物０．
５重量部、充填材として、溶融石英ガラス粉４９０重量
部、着色材として、カーボンブラック（キャボット社製
）２重量部を添加配合した。
ニル）メタンベースの多官能エポキシ化合物ＸＤ−９０
５３（ダウ・ケミカル社製、エポキシ当量２２５ ）１
００重量部、硬化剤として、ノボラック型フェノール樹
脂（日立化成社製、軟化点８３Ｃ１５５重量部、硬化促
進剤として、トリエチルアミンテトラフェニルボレート
（ＴＥＡ−Ｋ）３重量部、カップリング剤として、エポ
キシシランＫＢＭ３０３（信越化学社製）２重量部、難
燃材として、付加型イミドコート赤リン５重量部、離型
剤として、ステアリン酸カルシウム１重量部とへキスト
ワックスＥ（ヘキストジャパン社製）１重量部、リン酸
二水素オクチルフェニルのトリエチルアミン付加物０．
５重量部、充填材として、溶融石英ガラス粉４９０重量
部、着色材として、カーボンブラック（キャボット社製
）２重量部を添加配合した。
次いで、７０〜８５ｔｒの８インチ径２本ロールで７分
間混練した後、粗粉砕して樹脂組成物を得た。
間混練した後、粗粉砕して樹脂組成物を得た。
本発明によれば、高温高湿下においても信頼性の高い動
作が可能な半導体装置を提供することができる。
作が可能な半導体装置を提供することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子及びリード線上に、少なくとも、下記一
般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、ｋ＝０〜５、Ｌ＝０〜４、Ｍ＝０〜４、Ｌ＋Ｍ
＝４であり、Ｒ′はＣ＿ｎ＿′Ｈ＿２＿ｎ＿′＿＋＿１
（ｎ′＝１〜２０）、Ｒ″はＣ＿ｎ＿″Ｈ＿２＿ｎ＿″
＿＋＿１（ｎ″＝１〜２０）である。〕で表わされる有
機リン酸塩・アミン系化合物を含む材料を被覆してなる
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29061485A JPS62150860A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29061485A JPS62150860A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150860A true JPS62150860A (ja) | 1987-07-04 |
Family
ID=17758271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29061485A Pending JPS62150860A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150860A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093712A (en) * | 1989-11-15 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29061485A patent/JPS62150860A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093712A (en) * | 1989-11-15 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
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