JPS596371A - 蒸着ソ−ス集束飛散装置 - Google Patents
蒸着ソ−ス集束飛散装置Info
- Publication number
- JPS596371A JPS596371A JP11293682A JP11293682A JPS596371A JP S596371 A JPS596371 A JP S596371A JP 11293682 A JP11293682 A JP 11293682A JP 11293682 A JP11293682 A JP 11293682A JP S596371 A JPS596371 A JP S596371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- deposition source
- electric field
- source
- magnetic field
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、真空蒸着技術に係わり、特に蒸着ソースの集
束的飛散を可能とした蒸着ソース集束飛散装置に関する
。
束的飛散を可能とした蒸着ソース集束飛散装置に関する
。
従来、エミッションタイプの真空蒸着装置では蒸着ソー
スを蒸着させて蒸着を行っているが、この場合蒸着に使
用する物質が分子状態とな夛広い方向に分散するため、
被蒸着試料の存在する方向以外にも蒸着ソースが蒸散す
る。試料の存在しない方向への蒸着は不用であり、ペル
シャの汚染にもつながシ有害ですらある。このため、蒸
着ソースを一方向へ集束的に飛散させる技術の実現が強
く要望されている。
スを蒸着させて蒸着を行っているが、この場合蒸着に使
用する物質が分子状態とな夛広い方向に分散するため、
被蒸着試料の存在する方向以外にも蒸着ソースが蒸散す
る。試料の存在しない方向への蒸着は不用であり、ペル
シャの汚染にもつながシ有害ですらある。このため、蒸
着ソースを一方向へ集束的に飛散させる技術の実現が強
く要望されている。
本発明の目的は、蒸着ソースを任意の方向へ集束的に飛
散させる仁とができ、蒸着ソースの有効利用をはかシ得
る蒸着ソース集束飛散装置を提供することにある。
散させる仁とができ、蒸着ソースの有効利用をはかシ得
る蒸着ソース集束飛散装置を提供することにある。
本発明は、蒸着ソースに該ソースを飛散させたい方向と
直交する方向に交流電界を印加すると共に、蒸着ソース
に上記飛散希望方向及び電界方向とそれぞれ直交する方
向に上記電界と同位相で交流磁界を印加するようにした
ものである・ 以下、本発明の詳細を第１図を参照して説明する。まず
、蒸着ソース１に紙面左右方向に交流電界Ｅ。を印加す
る。蒸着ソース１に加わる電界Ｅ０が図中Ａ方向になっ
たとき、蒸着ソース１の分子内で分極が起こる。分極に
際しては、ファラデーの法則に従って分子を囲む回転磁
界すが発生する。このとき、回転磁界に作用させるため
の交流磁界Ｂ０を紙面表裏方向に印加する。
直交する方向に交流電界を印加すると共に、蒸着ソース
に上記飛散希望方向及び電界方向とそれぞれ直交する方
向に上記電界と同位相で交流磁界を印加するようにした
ものである・ 以下、本発明の詳細を第１図を参照して説明する。まず
、蒸着ソース１に紙面左右方向に交流電界Ｅ。を印加す
る。蒸着ソース１に加わる電界Ｅ０が図中Ａ方向になっ
たとき、蒸着ソース１の分子内で分極が起こる。分極に
際しては、ファラデーの法則に従って分子を囲む回転磁
界すが発生する。このとき、回転磁界に作用させるため
の交流磁界Ｂ０を紙面表裏方向に印加する。
交流磁界は上記交流電界と同位相で印加、すなわち電界
Ｅ０が入方向の場合、磁界Ｂ０がＢ方向となるようにす
る。このように電界と磁界とを同時に印加することによ
り、例えば分子に働く力ｆが上向きになった場合では、
電界及び磁界の方向が反転したときも同様に分子には上
向きの力ｆが働く。
Ｅ０が入方向の場合、磁界Ｂ０がＢ方向となるようにす
る。このように電界と磁界とを同時に印加することによ
り、例えば分子に働く力ｆが上向きになった場合では、
電界及び磁界の方向が反転したときも同様に分子には上
向きの力ｆが働く。
かくして、電界及び磁界を相互に直交する方向で、かつ
同位相で蒸着ソースに印加することにより、蒸着ソース
を電界及び磁界にそれぞれ直交する方向に集束的に飛散
させることができる。しかも、電界及び磁界を交流的に
印加しているので蒸着ソースに働く力Ｆを十分大きくす
ることが可能である。また、電界及び磁界の強さをコン
トロールすることによシ、蒸着ソースの飛散速度や集束
密度を変化させることも可能となる。
同位相で蒸着ソースに印加することにより、蒸着ソース
を電界及び磁界にそれぞれ直交する方向に集束的に飛散
させることができる。しかも、電界及び磁界を交流的に
印加しているので蒸着ソースに働く力Ｆを十分大きくす
ることが可能である。また、電界及び磁界の強さをコン
トロールすることによシ、蒸着ソースの飛散速度や集束
密度を変化させることも可能となる。
本発明によれば、蒸着ソースを任意の方向へ集束的に飛
散させることができるので、不用な方向への飛散をなく
シ、蒸着ソースの有効利用をはかり得る。また、ベルジ
ャの汚染を必要最小限に抑えることができる等の効果を
奏する。
散させることができるので、不用な方向への飛散をなく
シ、蒸着ソースの有効利用をはかり得る。また、ベルジ
ャの汚染を必要最小限に抑えることができる等の効果を
奏する。
第２図は本発明の一実施例に係わる蒸着ソース集束飛散
装置を示す概略構成図である。蒸着ソース１を挾み電極
板２．３が対向配置され、これらの電極２，８間には電
界発生用の交流電源４が接続されている。また、電極２
，３の対向方向と直交する方向には、上記蒸着ソース１
を挾んで電磁石５，６が対向配置されている。
装置を示す概略構成図である。蒸着ソース１を挾み電極
板２．３が対向配置され、これらの電極２，８間には電
界発生用の交流電源４が接続されている。また、電極２
，３の対向方向と直交する方向には、上記蒸着ソース１
を挾んで電磁石５，６が対向配置されている。
これらの電磁石５．６には磁界発生用の交流電源１が接
続されている。そして蒸着ソース１には電極２，３及び
電源４による電界と、電磁石５．６及び電源７による上
記電界に直交する方向の磁界とがそれぞれ印加されるも
のとなっている。また、前記電源４．７の各周波数は等
しいものであシ、上記電界及び磁界は同位相で蒸着ソー
ス１に印加されるものとなっている。なお、図には示さ
ないが蒸着ソース１はヒータ等によシ加熱され蒸発させ
られるものとなっている。
続されている。そして蒸着ソース１には電極２，３及び
電源４による電界と、電磁石５．６及び電源７による上
記電界に直交する方向の磁界とがそれぞれ印加されるも
のとなっている。また、前記電源４．７の各周波数は等
しいものであシ、上記電界及び磁界は同位相で蒸着ソー
ス１に印加されるものとなっている。なお、図には示さ
ないが蒸着ソース１はヒータ等によシ加熱され蒸発させ
られるものとなっている。
このような構成であれば、電極２に正、電極３に負の電
極が加わるとき電磁石５から電磁石６方向へ磁界が生じ
るようにしておくことによシ、蒸着ソース１を上方向に
集束的に飛散させることができる。したがって、蒸着ソ
ース１の上方に被蒸着基板等を配置すれば、該基板等に
効率良く蒸着膜を形成することができる。
極が加わるとき電磁石５から電磁石６方向へ磁界が生じ
るようにしておくことによシ、蒸着ソース１を上方向に
集束的に飛散させることができる。したがって、蒸着ソ
ース１の上方に被蒸着基板等を配置すれば、該基板等に
効率良く蒸着膜を形成することができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる・例えば、前記蒸着ソースを蒸発させる
手段はヒータ等による抵抗加熱に限るものではなく、高
周波加熱や電子ビーム等を利用して本よい。また、前記
電界発生用及び磁界発生用の交流電源の周波数中１．電
圧等は、所望する蒸着ソースの飛散速度或いは集束密度
等に応じて適宜定めればよい。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる・例えば、前記蒸着ソースを蒸発させる
手段はヒータ等による抵抗加熱に限るものではなく、高
周波加熱や電子ビーム等を利用して本よい。また、前記
電界発生用及び磁界発生用の交流電源の周波数中１．電
圧等は、所望する蒸着ソースの飛散速度或いは集束密度
等に応じて適宜定めればよい。
第１図は本発明の詳細な説明するための模式図、第２図
は本発明の一実施例に係わる蒸着ソース集束飛散装置を
示す概略構成図である。 １・・・蒸着ソース、２，３・・・電極板、４，７・・
・電源、５，６・・・電磁石。
は本発明の一実施例に係わる蒸着ソース集束飛散装置を
示す概略構成図である。 １・・・蒸着ソース、２，３・・・電極板、４，７・・
・電源、５，６・・・電磁石。
Claims (1)
- 蒸着ソースに交流電界を印加する手段と、上記蒸着ソー
スに上記電界と直交する方向に該電界と同位相で交流磁
界を印加する手段とを具備してなることを特徴とする蒸
着ソース集束飛散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11293682A JPS596371A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 蒸着ソ−ス集束飛散装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11293682A JPS596371A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 蒸着ソ−ス集束飛散装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596371A true JPS596371A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14599196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11293682A Pending JPS596371A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 蒸着ソ−ス集束飛散装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596371A (ja) |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11293682A patent/JPS596371A/ja active Pending
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