JPS58170531A - 真空用試料加熱装置 - Google Patents
真空用試料加熱装置Info
- Publication number
- JPS58170531A JPS58170531A JP5199882A JP5199882A JPS58170531A JP S58170531 A JPS58170531 A JP S58170531A JP 5199882 A JP5199882 A JP 5199882A JP 5199882 A JP5199882 A JP 5199882A JP S58170531 A JPS58170531 A JP S58170531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- heater
- thermoelectron
- sample table
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、真空中で試料を加熱する真空用試料加熱装置
の改良に関する。
の改良に関する。
近年、薄膜形成技術、その他各種の技術において真空中
で試料を加熱することが行われている。真空中で試料を
加熱するには、抵抗ヒータにより直接或いは間接的に加
熱する方法、赤外線ラングによって加熱する方法および
電子ビームによって加熱する方法等が用いられているが
、この種の方法で紘試料を効率良く加熱することができ
ないと云う問題がある。例えば、分子線エピタキシャル
成長法においては、加熱し九試料を分子線源の方向に開
放していなければならず、従って試料から輻射によって
熱が逃けるため試料を効率曳く加熱することは困難であ
る。
で試料を加熱することが行われている。真空中で試料を
加熱するには、抵抗ヒータにより直接或いは間接的に加
熱する方法、赤外線ラングによって加熱する方法および
電子ビームによって加熱する方法等が用いられているが
、この種の方法で紘試料を効率良く加熱することができ
ないと云う問題がある。例えば、分子線エピタキシャル
成長法においては、加熱し九試料を分子線源の方向に開
放していなければならず、従って試料から輻射によって
熱が逃けるため試料を効率曳く加熱することは困難であ
る。
このため、大きな試料を高い温［Ｋ加熱するには大容量
のヒータ等を必要とし、これがために配線導体の大型化
ひいては装置全体の大型化を招く。さらに、配線導体の
大型化のために試料の駆動に際し大きな支障を招く等の
問題があった。
のヒータ等を必要とし、これがために配線導体の大型化
ひいては装置全体の大型化を招く。さらに、配線導体の
大型化のために試料の駆動に際し大きな支障を招く等の
問題があった。
本発明の目的は、真空中で試料を効率良く加熱すること
ができ、大容量のヒータ等を用いることなく大きな試料
を高い温度に加熱し得る真空用試料加熱装置を提供する
ことにある。
ができ、大容量のヒータ等を用いることなく大きな試料
を高い温度に加熱し得る真空用試料加熱装置を提供する
ことにある。
本発明の骨子は、ヒータの輻射熱による加熱とヒータか
らの熱電子による加熱とを同時に行うことによって、試
料を効率良く加熱することにある。
らの熱電子による加熱とを同時に行うことによって、試
料を効率良く加熱することにある。
すなわち本発明は、真空中で導電性試料を加熱する真空
用試料加熱装置において、上記試料を試料台で保持し、
上記試料の裏面に対向して設けられたヒータによシ該試
料の裏面に輻射熱を与えると共に、上記試料とヒータと
の間に接続し九電源によシ上記ヒータからの熱電子を上
記試料の裏面に衝突せしめるようにしたものでおる。
用試料加熱装置において、上記試料を試料台で保持し、
上記試料の裏面に対向して設けられたヒータによシ該試
料の裏面に輻射熱を与えると共に、上記試料とヒータと
の間に接続し九電源によシ上記ヒータからの熱電子を上
記試料の裏面に衝突せしめるようにしたものでおる。
本発明によれば、抵抗ヒータの輻射熱による加熱或いは
電子ビームによる加熱の単独を用いていえ場合に比して
、試料を効率良く加熱することができ、これにより大型
の試料をも高い温度まで加熱することが可能となる。さ
らに、両者を同時に行うにも拘らず、その構成が極めて
簡略である等の効果を奏する。
電子ビームによる加熱の単独を用いていえ場合に比して
、試料を効率良く加熱することができ、これにより大型
の試料をも高い温度まで加熱することが可能となる。さ
らに、両者を同時に行うにも拘らず、その構成が極めて
簡略である等の効果を奏する。
模式図、第２図は第１図の矢視Ａ−ム断面図である。図
中１は導電性の試料であシ、この試料１は導電性の支持
具２を介して試料台１上に保持されている。試料台３は
導電性の材料、例えばタンタルで作られたもので、その
中央部には試料１と略同径の開孔が形成されている。試
料台３の下方にはヒータ４が配置され、このヒータ４は
電源５によって通電加熱されている。ま九、ヒータ４と
試料台３との間には図示極性の直流電源６が接続されて
いる。
中１は導電性の試料であシ、この試料１は導電性の支持
具２を介して試料台１上に保持されている。試料台３は
導電性の材料、例えばタンタルで作られたもので、その
中央部には試料１と略同径の開孔が形成されている。試
料台３の下方にはヒータ４が配置され、このヒータ４は
電源５によって通電加熱されている。ま九、ヒータ４と
試料台３との間には図示極性の直流電源６が接続されて
いる。
このような構成であれば、ヒータ４を通電加熱すること
により、ヒータ４からの輻射熱によって試料１および試
料台３はそれぞれ裏面よシ加熱される。同時に、ヒータ
４は発熱時に真空中に熱電子を放出する。ここで、ヒー
タ４と試料台３との間にはヒータ４が負電位となる電界
が印加されているので、上記熱電子は試料台３方向に引
かれる。そして、熱電子は電位差のエネルギ分の運動エ
ネルギを得て試料１および試料台Ｓの裏面に衝突する。
により、ヒータ４からの輻射熱によって試料１および試
料台３はそれぞれ裏面よシ加熱される。同時に、ヒータ
４は発熱時に真空中に熱電子を放出する。ここで、ヒー
タ４と試料台３との間にはヒータ４が負電位となる電界
が印加されているので、上記熱電子は試料台３方向に引
かれる。そして、熱電子は電位差のエネルギ分の運動エ
ネルギを得て試料１および試料台Ｓの裏面に衝突する。
このとき、電子が衝突しエネルギを運動エネルギを失い
試料１および試料台３に電流が流れることにより試料１
および試料台３が発熱する。かくして、試料１および試
料台２はヒータ４からの輻射熱と電子ビームとの両方に
よって同時に加熱されることに逢る。
試料１および試料台３に電流が流れることにより試料１
および試料台３が発熱する。かくして、試料１および試
料台２はヒータ４からの輻射熱と電子ビームとの両方に
よって同時に加熱されることに逢る。
次に１本装置を用い実際の試料加熱に供し九例について
説明する。試料１としてＰ型３インチ径シリコンウェー
ハ（比抵抗５〜ｌＯΩｅＭ）を使用し、試料台３にはタ
ンタル板を使用し九。
説明する。試料１としてＰ型３インチ径シリコンウェー
ハ（比抵抗５〜ｌＯΩｅＭ）を使用し、試料台３にはタ
ンタル板を使用し九。
マえ、ヒータ４はトリニーティラド・タングステンで作
シ、その表面積が５０（ｊ）、室温での抵抗が５Ｘ１０
−”［Ω〕のものを使用した。ヒータ４に１０ ［”
Ａ 〕の電流を流しヒータ４を約１２００（ｍｌ：：）
に加熱し、さらに試料台３とヒータ４との間に１ ［Ｋ
Ｖ］の電圧を印加した。これによシ、試料１および試料
台３を約１２００（℃）まで加熱することができた。
シ、その表面積が５０（ｊ）、室温での抵抗が５Ｘ１０
−”［Ω〕のものを使用した。ヒータ４に１０ ［”
Ａ 〕の電流を流しヒータ４を約１２００（ｍｌ：：）
に加熱し、さらに試料台３とヒータ４との間に１ ［Ｋ
Ｖ］の電圧を印加した。これによシ、試料１および試料
台３を約１２００（℃）まで加熱することができた。
このように、試料１とヒータ４との間の温度差をなくす
ことが可能となったので、熱的な均一性が良くなり、そ
の結果としてヒータ４の寿命が従来よシ５倍根本長くな
つ九。したがって、真空用試料加熱装置としての使用コ
ストが格別に低くなった。
ことが可能となったので、熱的な均一性が良くなり、そ
の結果としてヒータ４の寿命が従来よシ５倍根本長くな
つ九。したがって、真空用試料加熱装置としての使用コ
ストが格別に低くなった。
なお、本発明は上述し九実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記試料台および支持具の形
状は何ら限定されるものではなく、導電性のものであれ
ばよい。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記試料台および支持具の形
状は何ら限定されるものではなく、導電性のものであれ
ばよい。
また、試料とヒータとの間に電源を接続することにより
、試料台および支持具を導電性材料以外で形成すること
も可能である。を九、前記ヒータはタングステン、その
他の材料で適当な形状に変更してもよいのは勿論のこと
である。さらに、ヒータの加熱用電源およびヒータと試
料台との間の直流印加電源等の電圧は、仕様に応じて適
宜定めればよい。
、試料台および支持具を導電性材料以外で形成すること
も可能である。を九、前記ヒータはタングステン、その
他の材料で適当な形状に変更してもよいのは勿論のこと
である。さらに、ヒータの加熱用電源およびヒータと試
料台との間の直流印加電源等の電圧は、仕様に応じて適
宜定めればよい。
第１図は本発明の一実施例の要部構成を示す模式図、第
２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図である。 １・・・試料、２・・・支持具、３・・・試料台、４・
・・ヒータ、５，６・・・直流電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 □４
２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図である。 １・・・試料、２・・・支持具、３・・・試料台、４・
・・ヒータ、５，６・・・直流電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 □４
Claims (1)
- 真空中で導電性試料を加熱する真空用試料加熱装置にお
いて、上記試料を保持する試料台と、上記試料の裏面に
対向して設けられ該試料の裏面に輻射熱を与えるヒータ
と、上記試料とヒータとの間に接続され上記ヒータから
の熱電子を上記試料の裏面に衝突せしめる電源とを具備
してなることを特徴とする真空用試料加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199882A JPS58170531A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 真空用試料加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199882A JPS58170531A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 真空用試料加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170531A true JPS58170531A (ja) | 1983-10-07 |
Family
ID=12902510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5199882A Pending JPS58170531A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 真空用試料加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170531A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62234539A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPS63242993A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線結晶成長方法 |
| JPH07220855A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 被処理物の加熱方法および加熱装置 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5199882A patent/JPS58170531A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62234539A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPH0380050B2 (ja) * | 1986-04-04 | 1991-12-20 | Hitachi Ltd | |
| JPS63242993A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線結晶成長方法 |
| JPH042554B2 (ja) * | 1987-03-30 | 1992-01-20 | ||
| JPH07220855A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 被処理物の加熱方法および加熱装置 |
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