JPS5961131A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
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- JPS5961131A JPS5961131A JP57172010A JP17201082A JPS5961131A JP S5961131 A JPS5961131 A JP S5961131A JP 57172010 A JP57172010 A JP 57172010A JP 17201082 A JP17201082 A JP 17201082A JP S5961131 A JPS5961131 A JP S5961131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- electron beam
- patterns
- correction
- Prior art date
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- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、所謂、近接効果を？ｉｌｉ正し°ζｉＦ！Ｉ
粕度のパターンを形成することができる電子ビーム露光
方法に関する。
粕度のパターンを形成することができる電子ビーム露光
方法に関する。
従来技術と問題点
一般に、電子ビーム露光方法を適用してパターンを形成
する技術に於いて、パターン精度を向上する為には、所
謂、近接効果を補正することが不可欠である。
する技術に於いて、パターン精度を向上する為には、所
謂、近接効果を補正することが不可欠である。
良く知られているように、近接効果は、被露光物に塗布
形成されたレジストＷｊ中に於りる電子ビーム散乱（前
方ｎｋ乱）及び被露光物である基板からの電子ビーム敗
乱（後方ｆｌ＆乱）に依り、描画後のレジスト・パター
ンが電子ビーム照射パターンよりも大きく拡がる現象で
あり、特に、パターン間の間隔が３〔μｍ〕以下になる
と結果的にパターン形状に著しい歪をもたらして精度を
低下させる。
形成されたレジストＷｊ中に於りる電子ビーム散乱（前
方ｎｋ乱）及び被露光物である基板からの電子ビーム敗
乱（後方ｆｌ＆乱）に依り、描画後のレジスト・パター
ンが電子ビーム照射パターンよりも大きく拡がる現象で
あり、特に、パターン間の間隔が３〔μｍ〕以下になる
と結果的にパターン形状に著しい歪をもたらして精度を
低下させる。
ところで、前記散乱に依るレジス１−中での電子ビーム
散乱強度分布は、外部から照〃・１するビームの中心か
らの距１ｔｌｌｔ ｒの関数として、ｆ （ｒ） ＝ｅ
’ｒｊ）２＋Ｂ−ｅ ’ン）２・・・・（１）なる式
で表わされ、第１項は重力Ｉｔ乱に依り、また、第２項
は後方１１＆乱に依って与えられるものであることが知
られている。面、式（１）中に用いられているΔ、Ｂ、
Ｃそれぞれレジス１−の厚みや基板利料等の条件に依っ
て決る定数である。
散乱強度分布は、外部から照〃・１するビームの中心か
らの距１ｔｌｌｔ ｒの関数として、ｆ （ｒ） ＝ｅ
’ｒｊ）２＋Ｂ−ｅ ’ン）２・・・・（１）なる式
で表わされ、第１項は重力Ｉｔ乱に依り、また、第２項
は後方１１＆乱に依って与えられるものであることが知
られている。面、式（１）中に用いられているΔ、Ｂ、
Ｃそれぞれレジス１−の厚みや基板利料等の条件に依っ
て決る定数である。
従来、近接効果を補正する為の最も一般的な方法として
は、各パターン毎に式（１）で表わされる電子ビーム散
乱強度分布とパターンと隣接パターンからの距離を考慮
して、最適な照射量を予め各パターン；σに設定するこ
と、或いは、１１°Ｉ＋、両パターンのパターン」法を
補正（縮小）すること等が行なわれているが、これ等は
いずれもパターン・データ作成の時点で予め補正■を決
定するものでする。
は、各パターン毎に式（１）で表わされる電子ビーム散
乱強度分布とパターンと隣接パターンからの距離を考慮
して、最適な照射量を予め各パターン；σに設定するこ
と、或いは、１１°Ｉ＋、両パターンのパターン」法を
補正（縮小）すること等が行なわれているが、これ等は
いずれもパターン・データ作成の時点で予め補正■を決
定するものでする。
そこで、第１図に見られるように、例えばパターンＰ１
の所定辺上にサンプル点ＳＰＩを設定して、他の全パタ
ーン、例えはパターンＰ２，１）３からの影響分を式（
１）に依り求め、これを各パターン毎に行なって、各サ
ンプル点での露光強度か−・定になるように連立方程式
に依り１法及び照射量の両方に対する補正量を求めるご
とが行なわれζいる。
の所定辺上にサンプル点ＳＰＩを設定して、他の全パタ
ーン、例えはパターンＰ２，１）３からの影響分を式（
１）に依り求め、これを各パターン毎に行なって、各サ
ンプル点での露光強度か−・定になるように連立方程式
に依り１法及び照射量の両方に対する補正量を求めるご
とが行なわれζいる。
然し乍ら、式（１）で示されるように、電子ビーム散乱
強度分布は距離の増加に対して指数関数的に減少する為
、距離に対しては非線型性が強い方程式となる。
強度分布は距離の増加に対して指数関数的に減少する為
、距離に対しては非線型性が強い方程式となる。
この為、任意の大きさを有する集積回路パターン、特に
、第２図に見られる如く、形成すべきパターンを矩形に
分割した後の露光パターンに於い（、パターンｐＨとＰ
Ｉ３のように接触していたり、その上、パターンＰ１３
のように幅が小さいものであると前記連立方程式の解か
求められないことが多く、特に寸法補正量を厳密に求め
ることは困難である。尚、第２図に於６）るＰＩ３もパ
ターンである。
、第２図に見られる如く、形成すべきパターンを矩形に
分割した後の露光パターンに於い（、パターンｐＨとＰ
Ｉ３のように接触していたり、その上、パターンＰ１３
のように幅が小さいものであると前記連立方程式の解か
求められないことが多く、特に寸法補正量を厳密に求め
ることは困難である。尚、第２図に於６）るＰＩ３もパ
ターンである。
発明の目的
本発明は、電子ビーム露光を行なうに際し、近似的方法
ではあるが、比較的簡便に、パターン幅が小さく、しか
も、他のパターンと接触しているパターンに対して寸法
及び電子ビーム照射量の両方にり１する補正量を求める
ことができるように、また、高精度のパターンを得るこ
とができるようにするものである。
ではあるが、比較的簡便に、パターン幅が小さく、しか
も、他のパターンと接触しているパターンに対して寸法
及び電子ビーム照射量の両方にり１する補正量を求める
ことができるように、また、高精度のパターンを得るこ
とができるようにするものである。
発明の構成
本発明は、電子ビームを被加工物上に照射し、多数のパ
ターンを描画する電子ビーム露光方法に於いて、形成す
べきパターンを矩形に分割した後の露光パターンが他の
露光パターンと接触している場合、ｎ光パターンと該露
光パターンに影響を及はず範囲内にあって且つ該露光パ
ターンに接触している多角形パターンを一つの矩形パタ
ーンと看做しく近似矩形パターンとする）、電子ビーム
１１に乱に依るパターン間の影響及び近似矩形パターン
の大きさを考慮して目的の露光パターン寸法を得る照射
量及び−１法補正量を求め、その照射量と７ＩＩｉ ｉ
ｔ玉パターン寸θ；に茫づいて電子ヒーノ、ｌ＋／ｉ
ｉｉＴ、ｉｉを行な・）ものである。
ターンを描画する電子ビーム露光方法に於いて、形成す
べきパターンを矩形に分割した後の露光パターンが他の
露光パターンと接触している場合、ｎ光パターンと該露
光パターンに影響を及はず範囲内にあって且つ該露光パ
ターンに接触している多角形パターンを一つの矩形パタ
ーンと看做しく近似矩形パターンとする）、電子ビーム
１１に乱に依るパターン間の影響及び近似矩形パターン
の大きさを考慮して目的の露光パターン寸法を得る照射
量及び−１法補正量を求め、その照射量と７ＩＩｉ ｉ
ｔ玉パターン寸θ；に茫づいて電子ヒーノ、ｌ＋／ｉ
ｉｉＴ、ｉｉを行な・）ものである。
発明の実施例
第３図は、本発明一実施例を説明する為のパターンの要
部平面図である。
部平面図である。
図に於いて、Ｐ２１．Ｐ２２．Ｐ２３．Ｐ２４゜Ｐ２５
は露光パターン、ａＩ＋ ａ２＋ ａ３．ｂｌ。
は露光パターン、ａＩ＋ ａ２＋ ａ３．ｂｌ。
’）２＋ ｂ３は露光パターンｒ’２１．Ｐ２２．Ｐ２
３に於ける辺の長さをそれぞれ示している。
３に於ける辺の長さをそれぞれ示している。
今、パターンＰ２Ｌの補正量を求める場合を考える。
この場合は、矩形に分割した後の露光パターンの一つで
ある露光パターンＰ２２が他の露光パターンＰ２３に接
触し且つ補正対象である露光パターンＰ２１も接触して
いる場合、即ち、露光パターンＰ２１に影響を及ぼす範
囲内にあって、露光パターン２１に接触している多角形
パターン（ここでは、露光パターンＰ２２及びＩ）２３
で構成されている）を露光パターン２１と共に一つの矩
形パターンとして近似するものとする。
ある露光パターンＰ２２が他の露光パターンＰ２３に接
触し且つ補正対象である露光パターンＰ２１も接触して
いる場合、即ち、露光パターンＰ２１に影響を及ぼす範
囲内にあって、露光パターン２１に接触している多角形
パターン（ここでは、露光パターンＰ２２及びＩ）２３
で構成されている）を露光パターン２１と共に一つの矩
形パターンとして近似するものとする。
第３図に破線で表わした矩形パターンが近似矩形パター
ンであり、その大きさ２０１ ｂｏは次のようにして計
算する。
ンであり、その大きさ２０１ ｂｏは次のようにして計
算する。
ａ （１＝ａｌ
ｂｏ ＝ （ａ Ｉ ｂｌ＋ａ２ｂ２ ト
ａ３ｂ３）／ａ＋・ ・ ・ ・ （２） ここで、ａｉ、ｂ ｉ （ｉ−１〜３）は前記した通
り露光パターンＩ）２１．Ｐ２２．Ｐ２３の長辺と短辺
の長さであり、ａｌは接触している辺の長さを表わして
いる。また、ａｉ、ｂｉがある長さε 〔μｍ〕以上で
ある場合はεとする〈実施例の場合は５（ｚｚｍ））。
ａ３ｂ３）／ａ＋・ ・ ・ ・ （２） ここで、ａｉ、ｂ ｉ （ｉ−１〜３）は前記した通
り露光パターンＩ）２１．Ｐ２２．Ｐ２３の長辺と短辺
の長さであり、ａｌは接触している辺の長さを表わして
いる。また、ａｉ、ｂｉがある長さε 〔μｍ〕以上で
ある場合はεとする〈実施例の場合は５（ｚｚｍ））。
第４図は、第３図の露光パターン２Ｉと多角形パターン
を矩形パターンに近似した後の要部平面図であり、次に
、この図を参照しつつ補正量算出の手順を説明する。尚
、近似矩形パターンを記３ＮＰＩで指示しである。
を矩形パターンに近似した後の要部平面図であり、次に
、この図を参照しつつ補正量算出の手順を説明する。尚
、近似矩形パターンを記３ＮＰＩで指示しである。
■ 各パターンについて、パターン自（木のｔ広力くり
を補正する。
を補正する。
パターン内寸法補正量Ｓｉと目的のパターン」法をｉｑ
る為の！！ｎ ’ＡＪＭＱ ｉを求める。尚、第４１２
１で実線で示した近似矩形パターンＮ１）１ば、パター
ン内ｑ法補正後のパターンを表わしている。
る為の！！ｎ ’ＡＪＭＱ ｉを求める。尚、第４１２
１で実線で示した近似矩形パターンＮ１）１ば、パター
ン内ｑ法補正後のパターンを表わしている。
照射量Ｑｉは次式で求めることができる。
Ｑ ｉ ＝ Ｉ九／ｆｆｆ （ｒ ｉ） ｄＳ ・
・・・ （３）ここで、Ｅは各パターンのサンプル点で
の現像エネルギ強度を、ｆ（ｒｉ）は式（１）に於ける
電子ビーム散乱強度分布を示すものであり、ＱｉはＥを
ｆ （ｒ）を描画パターンについて積分した量で割る
ことに依り求めることができる。
・・・ （３）ここで、Ｅは各パターンのサンプル点で
の現像エネルギ強度を、ｆ（ｒｉ）は式（１）に於ける
電子ビーム散乱強度分布を示すものであり、ＱｉはＥを
ｆ （ｒ）を描画パターンについて積分した量で割る
ことに依り求めることができる。
■ 周囲のパターンの影響を考慮してパターン間寸法補
正量ＳＳを求める。
正量ＳＳを求める。
第４図の近似矩形パターンＮＰＩのザンブル点へでは、
次の式が成立する。
次の式が成立する。
Ｑ １ Ｆ （ｒ １ ＋ Ｓ Ｈ＋
Ｓ ３．）＋Ｑ２ Ｆ （ｒ ２．＋ ３２１
０）十〇３Ｆ（ｒ３．Ｓ３．０）−Ｅ ・・・・ （４
）この式（４）を満足するようにパターン間寸法補正量
ＳＳを求める。ここで、ｒＴｌ ’２＋ ｒ３ハハタ−
７ｎＰ １ 、 ＮＰ ２ 、 ＮＰ ３（７）中心か
らサンプル点Ａまでの距離である。また、Ｆ（６，ｍ。
Ｓ ３．）＋Ｑ２ Ｆ （ｒ ２．＋ ３２１
０）十〇３Ｆ（ｒ３．Ｓ３．０）−Ｅ ・・・・ （４
）この式（４）を満足するようにパターン間寸法補正量
ＳＳを求める。ここで、ｒＴｌ ’２＋ ｒ３ハハタ−
７ｎＰ １ 、 ＮＰ ２ 、 ＮＰ ３（７）中心か
らサンプル点Ａまでの距離である。また、Ｆ（６，ｍ。
ｎ）は描画パターンの露光強度であり、β、ＩＴ＋。
ｎが未知数であることを示している。
Ｆ（ｘ 、 ｒＴｌ、 ｎ）は次の式で与えられる。
Ｆ （ｒ ｉ＋ Ｓｉ＋ ５Ｓ）＝／／ｒ （ｒ １
）ｄｓ・ ・ ・ ・ （５） 第５図は、他の実施例を説明する為の要部平面図である
。
）ｄｓ・ ・ ・ ・ （５） 第５図は、他の実施例を説明する為の要部平面図である
。
図に於いて、Ｐ３１．Ｐ３２．Ｐ３３．Ｐ３４は露光パ
ターンである。
ターンである。
図示されているように、矩形に分割された露光パターン
の一部が他の露光パターンに接ｔ％： シている場合は
、補正対象露光パターンＰ３１に影響を反ばず露光パタ
ーンｒ）３２と接触露光パターンＰ３３及びＰ３４との
位置関係に依り接触パターンを選択する。
の一部が他の露光パターンに接ｔ％： シている場合は
、補正対象露光パターンＰ３１に影響を反ばず露光パタ
ーンｒ）３２と接触露光パターンＰ３３及びＰ３４との
位置関係に依り接触パターンを選択する。
本実施例の場合は、露光パターンＰ３２の影響範囲にあ
る露光パターンＰ３３を接触パターンとし、ｉｆＷ光パ
ターンＰ３４は露光パターンＰ３２の影響下にないので
接触パターンとはしない。
る露光パターンＰ３３を接触パターンとし、ｉｆＷ光パ
ターンＰ３４は露光パターンＰ３２の影響下にないので
接触パターンとはしない。
従って、ここでは、補正対象である露光パターンＰ３１
とそれに接触する露光パターン１）３３とで前記実施例
と全く同様にし゛ζ矩形パターンに近（以さ・ければ良
い。
とそれに接触する露光パターン１）３３とで前記実施例
と全く同様にし゛ζ矩形パターンに近（以さ・ければ良
い。
前記のようにしζ、寸法及び電子ビーム照射密度に対す
る補正量をパターン・データ作成時に決定しておくもの
である。
る補正量をパターン・データ作成時に決定しておくもの
である。
第６図は、前記のようにして得たパターン・データを用
いて電子ビーム露光を行なう装置のブロック図である。
いて電子ビーム露光を行なう装置のブロック図である。
図に於いて、４１は本体、４２は電子銃、４３は収束電
子レンズ系、４４はＸ−Ｙ偏向器、４５は被加工物、４
６はプロセッサ、４７はＤＡ変換器、４８は増幅器をそ
れぞれ示す。
子レンズ系、４４はＸ−Ｙ偏向器、４５は被加工物、４
６はプロセッサ、４７はＤＡ変換器、４８は増幅器をそ
れぞれ示す。
本装置では、前記パターン・データをプロセッサ４６に
格納しておき、必要に応して該パターン・データを読み
出しＤＡ変換器４７、増幅器４Ｂを介してＸ−Ｙ偏向器
を駆動し、それに依り、電子ビーム・スポットを歩進さ
せ、所定のパターンを塗り潰すように電子ビームを照射
して描画を行なうものである。また、電子ビームに対し
ては、プロセッサ４６からの信号に応してブランキング
装置に依り照射及びブランキングの制御が加えられる。
格納しておき、必要に応して該パターン・データを読み
出しＤＡ変換器４７、増幅器４Ｂを介してＸ−Ｙ偏向器
を駆動し、それに依り、電子ビーム・スポットを歩進さ
せ、所定のパターンを塗り潰すように電子ビームを照射
して描画を行なうものである。また、電子ビームに対し
ては、プロセッサ４６からの信号に応してブランキング
装置に依り照射及びブランキングの制御が加えられる。
電子ビーム照射密度の制御は、第６図に見られる装置で
あれば、電子ビーム・スポットの歩進速度やブランキン
グ時間の制御で達成される。
あれば、電子ビーム・スポットの歩進速度やブランキン
グ時間の制御で達成される。
発明の効果
本発明に依れば、電子ビーム露光を行なうに際し、形成
すべきパターンのうらパターンを矩形に分割して得た露
光パターンのうり所定露光パターンに他の多角形露光パ
ターンが接触し該所定露光パターンが補正対象となった
場合、該補正対象となった露光パターン及びそれに影響
を及はず範囲内にある前記多角形露光パターンを一つの
Ｘｌｉ形露光露光パターン似し、電子ビーム＋＋を乱に
依るパターン間の影響及び近似矩形パターンの大きさを
考慮して目的の露光パターン」法を得る照射量及び用法
補正量を求め、該照射■及び＝Ｊ法補正最に基づいて描
画を行なうようにしている為、パターン幅が小さく、し
かも、他のパターンと接触しているパターンに対し、寸
法及び照射量の両方に対する補正量を比較的簡便に求め
ることかびき、高粘度のパターンを得るのに有効である
。
すべきパターンのうらパターンを矩形に分割して得た露
光パターンのうり所定露光パターンに他の多角形露光パ
ターンが接触し該所定露光パターンが補正対象となった
場合、該補正対象となった露光パターン及びそれに影響
を及はず範囲内にある前記多角形露光パターンを一つの
Ｘｌｉ形露光露光パターン似し、電子ビーム＋＋を乱に
依るパターン間の影響及び近似矩形パターンの大きさを
考慮して目的の露光パターン」法を得る照射量及び用法
補正量を求め、該照射■及び＝Ｊ法補正最に基づいて描
画を行なうようにしている為、パターン幅が小さく、し
かも、他のパターンと接触しているパターンに対し、寸
法及び照射量の両方に対する補正量を比較的簡便に求め
ることかびき、高粘度のパターンを得るのに有効である
。
第１図及び第２図は従来技術の問題点を説明する為のパ
ターンを表わす要部平面図、第３図及び第４図は本発明
一実施例を説明する為のパターンを表わす要部平面図、
第５図は他の実施例を説明する為のパターンを表わす要
部平面図、第６図は本発明を実施する装置の一例を表わ
すブロック図である。 図に於いて、Ｐ２１．Ｐ２２．Ｐ２３．Ｐ２４゜Ｉ）２
５は露光パターン、ａＩ＋ ”２＋ ”３は露光パター
ンの長辺、ｂｌ＋ ｂ２＋ ｂ３は露光パターンの短辺
、Ｎ ）） １ば近似矩形パターン、ａｏは近催知形パ
ターンの短辺、ｂｏは近似矩形パターンの長辺、Δはサ
ンプル点、ｓｓはパターン間寸法補正量である。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 工具 久五部 （外３名） 第 １ 図 第２図 ■ 第３図 ２２ Ｐ１４
ターンを表わす要部平面図、第３図及び第４図は本発明
一実施例を説明する為のパターンを表わす要部平面図、
第５図は他の実施例を説明する為のパターンを表わす要
部平面図、第６図は本発明を実施する装置の一例を表わ
すブロック図である。 図に於いて、Ｐ２１．Ｐ２２．Ｐ２３．Ｐ２４゜Ｉ）２
５は露光パターン、ａＩ＋ ”２＋ ”３は露光パター
ンの長辺、ｂｌ＋ ｂ２＋ ｂ３は露光パターンの短辺
、Ｎ ）） １ば近似矩形パターン、ａｏは近催知形パ
ターンの短辺、ｂｏは近似矩形パターンの長辺、Δはサ
ンプル点、ｓｓはパターン間寸法補正量である。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 工具 久五部 （外３名） 第 １ 図 第２図 ■ 第３図 ２２ Ｐ１４
Claims (1)
- 電子ビームを被加工物上に照射して多数のパターンを描
画する電子ビーム露光方法に於いて、形成すべきパター
ンを矩形に分割して得た露光パターンのうち所定露光パ
ターンに他の多角形露光パターンが接触し該所定露光パ
ターンが補正対象となった場合、該補正り１象となった
露光パターン及びそれに影響を及ばず範囲内にある前記
多角形露光パターンを一つの矩形露光パターンに近似し
、電子ビーム散乱に依るパターン間の影響及び近偵矩形
バクーンの大きさを考慮して目的の露光パターン１法を
得る照射量及び寸法補正量を求め、該照射量及び；Ｊ法
補正用に基づいて描画を行なうことを１１？徴とＪる電
子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57172010A JPS5961131A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57172010A JPS5961131A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961131A true JPS5961131A (ja) | 1984-04-07 |
| JPH0336293B2 JPH0336293B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=15933847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57172010A Granted JPS5961131A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961131A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183926A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム照射装置 |
| US5393634A (en) * | 1993-05-27 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Continuous phase and amplitude holographic elements |
| JP2010128441A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラム |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57172010A patent/JPS5961131A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183926A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム照射装置 |
| US5393634A (en) * | 1993-05-27 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Continuous phase and amplitude holographic elements |
| JP2010128441A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336293B2 (ja) | 1991-05-31 |
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