JPS5960952A - 電子ビ−ム露光装置用電子銃 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置用電子銃Info
- Publication number
- JPS5960952A JPS5960952A JP17125182A JP17125182A JPS5960952A JP S5960952 A JPS5960952 A JP S5960952A JP 17125182 A JP17125182 A JP 17125182A JP 17125182 A JP17125182 A JP 17125182A JP S5960952 A JPS5960952 A JP S5960952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- electron beam
- electron
- beam exposure
- rectangular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光装置用電子銃に係り、特に大同
化ランタン（ＬａＢｃ）を熱陰極源とした電子ビーム露
光装置用電子銃の改良構造に関する。
化ランタン（ＬａＢｃ）を熱陰極源とした電子ビーム露
光装置用電子銃の改良構造に関する。
く２）技術の背景
電子ビーム露光装置用の電子銃としては最も普通に用い
られていた陰極はヘアピン型のタングステン電極であっ
たが、妥当な量の電子放出のために必要な高い温度では
タングステン電極の蒸発量は極めて早く、最近ではＬａ
Ｂｅ化合物を用いた熱陰極が多く用いられている。
られていた陰極はヘアピン型のタングステン電極であっ
たが、妥当な量の電子放出のために必要な高い温度では
タングステン電極の蒸発量は極めて早く、最近ではＬａ
Ｂｅ化合物を用いた熱陰極が多く用いられている。
最も典型的なＬａＢ６熟陰極の構造はＬａＢ６の棒の先
１７ｆｉｊ近傍に巻回したコイルからの熱放射によって
タングステン電極より低い温度でより多くの電子を放出
さ−Ｕるごとができるようになされている。
１７ｆｉｊ近傍に巻回したコイルからの熱放射によって
タングステン電極より低い温度でより多くの電子を放出
さ−Ｕるごとができるようになされている。
一般にはＬ ａ １３６の先端を尖端にし曲率半ｉ￥を
１０μｍ程度とすれば高い放出密度でも空間電荷による
制限に打し勝つことができるのでレンズ系の軸の近傍を
通ってきた電子を有効に用いることができるので、電子
ビーム露光装置でもスボソ１〜電子ヒーノ、で露光する
ものには利用できるが矩形電子ヒームでＱｊｌ光する電
子ビーム露光装置等では一つの問題か発止した。
１０μｍ程度とすれば高い放出密度でも空間電荷による
制限に打し勝つことができるのでレンズ系の軸の近傍を
通ってきた電子を有効に用いることができるので、電子
ビーム露光装置でもスボソ１〜電子ヒーノ、で露光する
ものには利用できるが矩形電子ヒームでＱｊｌ光する電
子ビーム露光装置等では一つの問題か発止した。
（３）従来技術と問題点
第１図は最近多く利用されζいる矩形電子ビーム露光装
置の概略的なマスク及び陰極部分を示すものであるが１
は例えばＬａＢ６等よりなる陰極でアノード２のアパチ
ャ３を通過した電子ビーム１２は照射レンズ４を通って
矩形状開口６及び９を有する２枚のスリッ１−５及び８
、並びに２枚のスリット間に配された偏向器７に導かれ
る。第１のスリット５の矩形開口６を通過した電子ビー
ム１２の投影１０を第２のスリ・ノ１−８の開口９に偏
向器７で市ね合せる際に任意な形状及び大きさの矩形状
断面１１とした電子ヒームを作って低利等のウェハを露
光するのて微小径の電子ビームを走査してパターンをぬ
りつふすスボ・ノ１−電子ビーム露光装置に比べて露光
スピードを飛躍的に高めることができる。このような矩
形ヒーム露光装置の陰極として用いるＬａＢ６の棒状熱
陰極ｌは第２図（ａｌに示ずようにチップ部１ａを１０
μｍ程度に尖端にすると電子ビーム１２も細くなり電子
ビーム分布曲線１３の均一・に電子ビームが分布する部
分１４の幅ｄ１は小さくなるので矩形開口内で電子ビー
ムの一様性が得られない。これに対しチップ部分１ａの
曲率半径１・を１００μＩｎ程度に第２図（ｂ）の如く
選択すれば電子ビーム分布曲線１５の均一に電子ビーム
が分布するＤＩｉ分１６の幅ｄ２を人きくすることがで
きるので矩形電子ビーム露光装置に適した陰極となし１
Ｍる。
置の概略的なマスク及び陰極部分を示すものであるが１
は例えばＬａＢ６等よりなる陰極でアノード２のアパチ
ャ３を通過した電子ビーム１２は照射レンズ４を通って
矩形状開口６及び９を有する２枚のスリッ１−５及び８
、並びに２枚のスリット間に配された偏向器７に導かれ
る。第１のスリット５の矩形開口６を通過した電子ビー
ム１２の投影１０を第２のスリ・ノ１−８の開口９に偏
向器７で市ね合せる際に任意な形状及び大きさの矩形状
断面１１とした電子ヒームを作って低利等のウェハを露
光するのて微小径の電子ビームを走査してパターンをぬ
りつふすスボ・ノ１−電子ビーム露光装置に比べて露光
スピードを飛躍的に高めることができる。このような矩
形ヒーム露光装置の陰極として用いるＬａＢ６の棒状熱
陰極ｌは第２図（ａｌに示ずようにチップ部１ａを１０
μｍ程度に尖端にすると電子ビーム１２も細くなり電子
ビーム分布曲線１３の均一・に電子ビームが分布する部
分１４の幅ｄ１は小さくなるので矩形開口内で電子ビー
ムの一様性が得られない。これに対しチップ部分１ａの
曲率半径１・を１００μＩｎ程度に第２図（ｂ）の如く
選択すれば電子ビーム分布曲線１５の均一に電子ビーム
が分布するＤＩｉ分１６の幅ｄ２を人きくすることがで
きるので矩形電子ビーム露光装置に適した陰極となし１
Ｍる。
しかし、このようなＬ ａ １３６陰極構造にすると電
子電流密度、ずなわぢ電子ヒーム強さばチップ部の曲率
半径を増加させたことによって低下するのでその分、陰
極の加熱温度を増加させる必要が生ずる。
子電流密度、ずなわぢ電子ヒーム強さばチップ部の曲率
半径を増加させたことによって低下するのでその分、陰
極の加熱温度を増加させる必要が生ずる。
いま、第３図の如く加熱温度′Ｆをパラメータとして電
子ビーム露光装置内の真空度と１時間当りのＬａＢ ６
の消耗量を曲線１７，１８．１９で表すと真空度かＩ
Ｘ ｌ’０−７程度ではｌ、 ａ １３６の力面：１旨
１に度が異なると消耗■が大きく変化し、真空度に大き
く依存するが、真空度がＩ Ｘ １０−″程度になると
加熱温度の低いＬ ａ １３６１４”４への曲線１７．
中間の曲線１８．力旧；４？温度の高いｌ、 ＞Ｊ１３
６陰極の曲わｉｆ １９でも、Ｌ ａ Ｂ ｓ １ｉｆ
ｉ極の消耗量がほとんど変化しない性質を持っているが
実際に電子ビーム露光装置でのＬａＢ６陰極は第４図に
示す如く構成されている。
子ビーム露光装置内の真空度と１時間当りのＬａＢ ６
の消耗量を曲線１７，１８．１９で表すと真空度かＩ
Ｘ ｌ’０−７程度ではｌ、 ａ １３６の力面：１旨
１に度が異なると消耗■が大きく変化し、真空度に大き
く依存するが、真空度がＩ Ｘ １０−″程度になると
加熱温度の低いＬ ａ １３６１４”４への曲線１７．
中間の曲線１８．力旧；４？温度の高いｌ、 ＞Ｊ１３
６陰極の曲わｉｆ １９でも、Ｌ ａ Ｂ ｓ １ｉｆ
ｉ極の消耗量がほとんど変化しない性質を持っているが
実際に電子ビーム露光装置でのＬａＢ６陰極は第４図に
示す如く構成されている。
ずなわら、ＬａＢ６陰極１は炭素等よりなる中心孔を有
する支持部材２１で支持するとともに該支１寺部材２】
をＭｏ等のりｙ ｔ” ２０で挟着し、該ロフトに電流
を流してザボータ２１を加熱することでｌ、 ａ １３
６陰極１をＩＧＯＯ’ｃ前後に熱し、真空度を３ Ｘ
１Ｏ−７ｔｏｒｒとし、１０００時間使用した場合に、
例えば陰極１のチップ部の曲率半径ｒ−１００μｔｒｉ
。
する支持部材２１で支持するとともに該支１寺部材２】
をＭｏ等のりｙ ｔ” ２０で挟着し、該ロフトに電流
を流してザボータ２１を加熱することでｌ、 ａ １３
６陰極１をＩＧＯＯ’ｃ前後に熱し、真空度を３ Ｘ
１Ｏ−７ｔｏｒｒとし、１０００時間使用した場合に、
例えば陰極１のチップ部の曲率半径ｒ−１００μｔｒｉ
。
角度θ−６０〜９０°のものの消耗量はｔ＝５０μＩ１
１であ っ ノこ。
１であ っ ノこ。
このように陰極１はチップ１ａのめならず炭素支持口財
、１２１て加；：Ｊ４される加熱部分１ｂも第４図の点
線で示すように細くなり先端のチップ１ａの曲率半径が
小さくなるために第２図（ａ）に説明したように電子ビ
ーＪ、の一様性が欠けるとともに輝度が低下する欠点を
生ずる。
、１２１て加；：Ｊ４される加熱部分１ｂも第４図の点
線で示すように細くなり先端のチップ１ａの曲率半径が
小さくなるために第２図（ａ）に説明したように電子ビ
ーＪ、の一様性が欠けるとともに輝度が低下する欠点を
生ずる。
（４）発明の目的
本発明は上記欠点に鑑みなされたものであり、その目的
とするところは矩形電子ヒーム露光装置に適した一様性
の高い電子ビームを発生し得る電子銃を提供するにある
。
とするところは矩形電子ヒーム露光装置に適した一様性
の高い電子ビームを発生し得る電子銃を提供するにある
。
（５）発明の構成
上記目的は本発明によれは、電子ヒーム露光装置用電子
銃において、上記電子銃の陰極として円柱または角柱状
に形成した大同化ランタンの底面に下方からレーザを照
射して當に同し底面部分から電子ビームを放出してなる
ことを特徴とする電子ビーム露光装置用電子銃によって
達成される。
銃において、上記電子銃の陰極として円柱または角柱状
に形成した大同化ランタンの底面に下方からレーザを照
射して當に同し底面部分から電子ビームを放出してなる
ことを特徴とする電子ビーム露光装置用電子銃によって
達成される。
（６）発明の実施例
以下、本発明の−・実施例を第５図乃至第９図について
説明する。
説明する。
第５図は本発明の電子ヒーム露光装置の電子銃の加！ｊ
ハ方法の一実施例を示すものであり、Ｌａ１３＋＋陰極
１の底面ＩＣにＹΔＧレーザ源２３よりレーザ２５を、
アノ−１−２のアパチャ３及びグリソト２１のアパチャ
２２を通して照射させると陰極１の底面ＩＣのみが所定
−＃ｉ！を度に加熱され、該陰極１の底面ＩＣより放出
された電子ヒーノ、１２は偏向器２４等で適当に曲げら
れてウェハ等を露光するようになされる。
ハ方法の一実施例を示すものであり、Ｌａ１３＋＋陰極
１の底面ＩＣにＹΔＧレーザ源２３よりレーザ２５を、
アノ−１−２のアパチャ３及びグリソト２１のアパチャ
２２を通して照射させると陰極１の底面ＩＣのみが所定
−＃ｉ！を度に加熱され、該陰極１の底面ＩＣより放出
された電子ヒーノ、１２は偏向器２４等で適当に曲げら
れてウェハ等を露光するようになされる。
第６図はＬ ａ Ｂ ６陰極１の底面ＩＣにレ−ザビ−
ムを照射するための他の実施例を示すものでありＹＡＧ
レーザ源よりのレーザ光２５ばアノード２の表面を鏡面
２ａとした面に照射され、該鏡面で反射したレーザ光を
カソード２１のアパチャ２２を通して１、ａ Ｉ３６陰
極１の底面ＩＣに照射することで底面ＩＣを１５５０’
Ｃ〜１７００°Ｃに加熱し電子ビーム１２を陰極１の底
面ＩＣより放出させるようにしたものである。
ムを照射するための他の実施例を示すものでありＹＡＧ
レーザ源よりのレーザ光２５ばアノード２の表面を鏡面
２ａとした面に照射され、該鏡面で反射したレーザ光を
カソード２１のアパチャ２２を通して１、ａ Ｉ３６陰
極１の底面ＩＣに照射することで底面ＩＣを１５５０’
Ｃ〜１７００°Ｃに加熱し電子ビーム１２を陰極１の底
面ＩＣより放出させるようにしたものである。
ＬａＢ６陰極１の形状としては第７図に示すように円柱
状のもの或いは多角柱状のものでよく、電子ビーノ・１
２を放出する底面ＩＣは平坦でよく、陰極１はＭｏ等の
金泥からなる円盤状の支持部材２６で保持することで保
持部分を冷却さ・けることができるので従来のように陰
極保持部分１ｂが加熱により蒸発して細くなることがな
く底面部分のみを溶融して電子ビームを放出し得る。Ｌ
ａＢ５陰極の大きさは直径が２００μＩｎφで長さは３
ｌｌ１ｓ程度である。
状のもの或いは多角柱状のものでよく、電子ビーノ・１
２を放出する底面ＩＣは平坦でよく、陰極１はＭｏ等の
金泥からなる円盤状の支持部材２６で保持することで保
持部分を冷却さ・けることができるので従来のように陰
極保持部分１ｂが加熱により蒸発して細くなることがな
く底面部分のみを溶融して電子ビームを放出し得る。Ｌ
ａＢ５陰極の大きさは直径が２００μＩｎφで長さは３
ｌｌ１ｓ程度である。
第８図は本発明の他の実施例を示す陰極であり、ＬａＢ
５陰極１の先α１１１底面ＩＣは円柱状となし支持部分
１ｂのみを円柱状部より大きな角柱状として保持し易い
ように構成してもよい。
５陰極１の先α１１１底面ＩＣは円柱状となし支持部分
１ｂのみを円柱状部より大きな角柱状として保持し易い
ように構成してもよい。
第９図ｆＪ１）、 （ｂ）に示ずものはＩＪ ソｌ：状
のｌ−ａｌ３ ｂ陰極１を保持するノこめの構造を示す
ものであり、陰極１の保持部分１ｂの外周には扇形の保
持ハ２７が配されて、ステンレス等の金泥よりなるリン
グ状保持ｒ＋＋＋ ２８に螺合させたネジ２９によって
保持片２７を押圧さ・Ｕて陰極をボールドさせるように
したものである。また陰極は角柱または多角柱状として
もよいことは明らかである。
のｌ−ａｌ３ ｂ陰極１を保持するノこめの構造を示す
ものであり、陰極１の保持部分１ｂの外周には扇形の保
持ハ２７が配されて、ステンレス等の金泥よりなるリン
グ状保持ｒ＋＋＋ ２８に螺合させたネジ２９によって
保持片２７を押圧さ・Ｕて陰極をボールドさせるように
したものである。また陰極は角柱または多角柱状として
もよいことは明らかである。
（７）発明のりＪ果
以上、詳ｇｎ＋に説明したように本発明の電子ヒーム露
光装置用電子銃によれは、陰極をＬａＢ６の円柱または
角柱となか、その底面を平坦にしたので底面積と加熱温
度で定まる輝度で放出される電子ビームの一様性が長時
間接続する電子銃を得ることができる特徴を有する。
光装置用電子銃によれは、陰極をＬａＢ６の円柱または
角柱となか、その底面を平坦にしたので底面積と加熱温
度で定まる輝度で放出される電子ビームの一様性が長時
間接続する電子銃を得ることができる特徴を有する。
第１図は矩形電子ビーム露光装置の概略図、第２図（ａ
ｌ 、 （ｂｌはＬ ａ Ｂ ６陰極の先端形状の相違
による電子ビーム輝度の一様性を説明するための図、第
３図は加熱温度をパラメータとして真空度と時間当りの
陰極の消耗量の関係を説明する図、第４図は従来のＬ
ａ １３６陰極の加熱方法を説明するための陰極部分の
側ＩＥｊ面図、第５図は本発明の陰極の加熱方法を説明
するための概略図、第６図は本発明の他の加熱方法を説
明するための陰極の側断面図、第７図は本発明の陰極保
持方法を示す斜視図、第８図は本発明の陰極の他の構造
を示す斜視図、第９図（ａ）、 （Ｌ＋ｌは本発明の陰
極保持方法を示す他の実施例の側面図並びに平面図であ
る。 １・ ・ ・陰極、 ２・ ・ ・アノード、 ２
ａ・・・鏡面、 ３・・・アパチャ、 ５，８・・
・スリ７ト、 ６．９・・・矩形状開口、 １２・・
・電子ビーム、 ２０・・・ロンド、 ２Ｉ・・・支
持部月、 ２３・・・ＹＡＧレーザ源、２７・・・保持
片、 ２８・・・リング状保持部。 ２８７ 第３ 口 １０ Ｍ ５ 図
ｌ 、 （ｂｌはＬ ａ Ｂ ６陰極の先端形状の相違
による電子ビーム輝度の一様性を説明するための図、第
３図は加熱温度をパラメータとして真空度と時間当りの
陰極の消耗量の関係を説明する図、第４図は従来のＬ
ａ １３６陰極の加熱方法を説明するための陰極部分の
側ＩＥｊ面図、第５図は本発明の陰極の加熱方法を説明
するための概略図、第６図は本発明の他の加熱方法を説
明するための陰極の側断面図、第７図は本発明の陰極保
持方法を示す斜視図、第８図は本発明の陰極の他の構造
を示す斜視図、第９図（ａ）、 （Ｌ＋ｌは本発明の陰
極保持方法を示す他の実施例の側面図並びに平面図であ
る。 １・ ・ ・陰極、 ２・ ・ ・アノード、 ２
ａ・・・鏡面、 ３・・・アパチャ、 ５，８・・
・スリ７ト、 ６．９・・・矩形状開口、 １２・・
・電子ビーム、 ２０・・・ロンド、 ２Ｉ・・・支
持部月、 ２３・・・ＹＡＧレーザ源、２７・・・保持
片、 ２８・・・リング状保持部。 ２８７ 第３ 口 １０ Ｍ ５ 図
Claims (1)
- 電子ビー゛ム露光装置用電子銃において、上記電子銃の
陰極として円柱または角柱状に形成した六ｔｉｌｌ化ラ
ンタンの底面に下方からレーザを照射して常に同じ底面
部分から電子ビームを放出するようにしたことを特徴と
する電子ヒーム露光装置用電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17125182A JPS5960952A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子ビ−ム露光装置用電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17125182A JPS5960952A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子ビ−ム露光装置用電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960952A true JPS5960952A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15919851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17125182A Pending JPS5960952A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子ビ−ム露光装置用電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960952A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332846A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Tadao Suganuma | 電子銃 |
| JPH03190044A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-20 | Ebara Corp | 電子線加速器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4910493A (ja) * | 1972-05-31 | 1974-01-29 | ||
| JPS5382257A (en) * | 1976-12-28 | 1978-07-20 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Laser exciting electron gun |
| JPS5682539A (en) * | 1979-12-07 | 1981-07-06 | Toshiba Corp | Electron gun |
| JPS5763744A (en) * | 1980-10-02 | 1982-04-17 | Fujitsu Ltd | Electron gun |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17125182A patent/JPS5960952A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4910493A (ja) * | 1972-05-31 | 1974-01-29 | ||
| JPS5382257A (en) * | 1976-12-28 | 1978-07-20 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Laser exciting electron gun |
| JPS5682539A (en) * | 1979-12-07 | 1981-07-06 | Toshiba Corp | Electron gun |
| JPS5763744A (en) * | 1980-10-02 | 1982-04-17 | Fujitsu Ltd | Electron gun |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332846A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Tadao Suganuma | 電子銃 |
| JPH03190044A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-20 | Ebara Corp | 電子線加速器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100459019C (zh) | 使用电子场发射阴极的x-射线发生机构 | |
| US7176610B2 (en) | High brightness thermionic cathode | |
| JP2000285840A (ja) | 電子銃および電子銃を用いた描画装置および電子線応用装置 | |
| US4346325A (en) | Electron gun | |
| JP2000173900A (ja) | 電子ビーム照明装置、および該照明装置を用いた電子ビーム露光装置 | |
| US7657003B2 (en) | X-ray tube with enhanced small spot cathode and methods for manufacture thereof | |
| JPS5960952A (ja) | 電子ビ−ム露光装置用電子銃 | |
| JP2956612B2 (ja) | フィールドエミッタアレイとその製造方法およびその駆動方法 | |
| JP2530591B2 (ja) | 大電流密度の電子放出に適するパルス状レ−ザ−光励起による電子源装置 | |
| US6670620B1 (en) | Electron gun, illumination apparatus using the electron gun, and electron beam exposure apparatus using the illumination apparatus | |
| EP0363055A2 (en) | Electron gun and process of producing same | |
| JP3389967B2 (ja) | 液体金属イオン源装置 | |
| US20050141670A1 (en) | X-ray generating device | |
| JP2000030642A (ja) | Ｘ線管装置 | |
| JPH10321120A (ja) | 電子銃 | |
| US20240021400A1 (en) | Planar filament with focused, central electron emission | |
| JPH0451438A (ja) | 電子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| JP2610414B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR20080100158A (ko) | 전자총, 전자빔 노광 장치 및 노광 방법 | |
| JPH10223166A (ja) | 電子銃 | |
| Klemperer et al. | On the Spherical Aberration of Electron Emission Systems | |
| JPS59196544A (ja) | 電子銃 | |
| JPS5842133A (ja) | 熱電子放射陰極 | |
| JP2001006589A (ja) | 電子銃、電子線露光装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2000228352A (ja) | 電子銃及びそれを備える電子線転写装置 |