JPS595919A - 感熱形流量検出器 - Google Patents
感熱形流量検出器Info
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- JPS595919A JPS595919A JP57115981A JP11598182A JPS595919A JP S595919 A JPS595919 A JP S595919A JP 57115981 A JP57115981 A JP 57115981A JP 11598182 A JP11598182 A JP 11598182A JP S595919 A JPS595919 A JP S595919A
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- heating element
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、流動流体の流動量を発熱体と流動流体間の
熱伝達を利用して検出する流址検出器に関するものであ
る。
熱伝達を利用して検出する流址検出器に関するものであ
る。
従来、上記のような波音検出器として第１図に示すもの
があった。第１図において、１はシリコン半導体からな
るバルク状発熱体、２ ｉｆ−この発熱体１への給電と
その支持を兼ねる電極リード、３は電極リード２を固定
したトランジスタ・パッケージに相当する支持体、４は
取出しリー ド、５はステンレススチール製の１己管パ
イプ、６はパイプ５の内部を通過するミネラルスピリッ
ツなどの被測定流体、７は差動プリツノや増巾器を含む
検出回路で、取１１目２リード４、電極リード２を介し
てパイプ５内に設置された発熱体１に接続されている。
があった。第１図において、１はシリコン半導体からな
るバルク状発熱体、２ ｉｆ−この発熱体１への給電と
その支持を兼ねる電極リード、３は電極リード２を固定
したトランジスタ・パッケージに相当する支持体、４は
取出しリー ド、５はステンレススチール製の１己管パ
イプ、６はパイプ５の内部を通過するミネラルスピリッ
ツなどの被測定流体、７は差動プリツノや増巾器を含む
検出回路で、取１１目２リード４、電極リード２を介し
てパイプ５内に設置された発熱体１に接続されている。
８は検出回路７からの検出出力信号である。
次に、以十のように構成された感熱形流皺検出器の動作
について説１明する。発熱体１への給電電力をＰｉｎ
、発熱体ｌと被画定流体６の間の熱伝達ＩＩｔをＰｏｕ
ｔ ｈｌ−ると、熱平衡状態ではＰｉｎ−Ｐｏｕｔ＝ｈ
−Ａｓ・、ΔＴが成立する。ここで、ｈは発熱体１と被
測定流体の間の熱伝達率、Ａ８は発熱体ｌの表面積、耳
は発熱体１と被測定流体の間の温贋差である。
について説１明する。発熱体１への給電電力をＰｉｎ
、発熱体ｌと被画定流体６の間の熱伝達ＩＩｔをＰｏｕ
ｔ ｈｌ−ると、熱平衡状態ではＰｉｎ−Ｐｏｕｔ＝ｈ
−Ａｓ・、ΔＴが成立する。ここで、ｈは発熱体１と被
測定流体の間の熱伝達率、Ａ８は発熱体ｌの表面積、耳
は発熱体１と被測定流体の間の温贋差である。
一般に、レイノルズ数Ｒｅが１ ＜Ｒｅ＜ ２０００の
層流条件下では、熱伝達率りはａ、ｂを定数とすると、
実験公式ｈ＝ａ＋ｂ−ｖ で近似できる。ここで、■
は流体の平均流速を意味している。発熱体への給電電力
Ｐｉｎは発熱体ｌの抵抗をＲｓ 、 電流をＩｓ。
層流条件下では、熱伝達率りはａ、ｂを定数とすると、
実験公式ｈ＝ａ＋ｂ−ｖ で近似できる。ここで、■
は流体の平均流速を意味している。発熱体への給電電力
Ｐｉｎは発熱体ｌの抵抗をＲｓ 、 電流をＩｓ。
電圧をＶｓとすれは、Ｐｉｎ ＝ Ｉｓ２・Ｒｓ ＝
Ｖｓ２／Ｒｓで表わされるので、発熱体１の電気的イン
ピーダンスを検出回路７で計測することにより、流速Ｖ
または流目Ｑが検出出力信号として得られる。発熱体１
は０．７ Ｘ Ｏ，７Ｘ Ｏ，１５−のシリコンチップ
であり、燐Ｐを１０１′′確 ドープしたＮ形の均質材
料からなる。また、支持体３はＴＯ−４６）ランジスタ
・パッケージを流用しており、ステンレススチール製の
パイプ５は０．７６７ Ｃｍ ｘ ３０硼（径×長さ）
であり、発熱体１は後部の前端から２５．３ｃｚのとこ
ろに設置されている。
Ｖｓ２／Ｒｓで表わされるので、発熱体１の電気的イン
ピーダンスを検出回路７で計測することにより、流速Ｖ
または流目Ｑが検出出力信号として得られる。発熱体１
は０．７ Ｘ Ｏ，７Ｘ Ｏ，１５−のシリコンチップ
であり、燐Ｐを１０１′′確 ドープしたＮ形の均質材
料からなる。また、支持体３はＴＯ−４６）ランジスタ
・パッケージを流用しており、ステンレススチール製の
パイプ５は０．７６７ Ｃｍ ｘ ３０硼（径×長さ）
であり、発熱体１は後部の前端から２５．３ｃｚのとこ
ろに設置されている。
従来の感熱形流鼠検出器は５以上のように構成されてい
るので、レイノルズｊｌｉ２０００〜３０ｏＯノ流れが
不安定となる層流から乱０１シへの遷移領域を避けてレ
イノルズ数が２０００以下の条件に設定するようになっ
て１？す、熱伝達率としては低い値を、流れとしては層
流状態を使わなければならない。
るので、レイノルズｊｌｉ２０００〜３０ｏＯノ流れが
不安定となる層流から乱０１シへの遷移領域を避けてレ
イノルズ数が２０００以下の条件に設定するようになっ
て１？す、熱伝達率としては低い値を、流れとしては層
流状態を使わなければならない。
まだ、発熱体となるシリコンチップが均質なバルク状発
熱体であるため熱容址が大きく熱的平衡状態に達するだ
めの熱的時定数も比較的大きなものになってしまう。さ
らに、発熱体ｌがある程度の大きさを有し、電極リード
２と共に流れに撹乱を与える外的要素になってしまい、
構造的に軟弱であるなど、流値検出器としての応答性が
低くなると共に、微少流址または大流蓋の場合に不安定
な特性を有するという欠点があった。
熱体であるため熱容址が大きく熱的平衡状態に達するだ
めの熱的時定数も比較的大きなものになってしまう。さ
らに、発熱体ｌがある程度の大きさを有し、電極リード
２と共に流れに撹乱を与える外的要素になってしまい、
構造的に軟弱であるなど、流値検出器としての応答性が
低くなると共に、微少流址または大流蓋の場合に不安定
な特性を有するという欠点があった。
この発明は、上述のような従来の吃のの欠点を除去しよ
うとするもので、外面が流動流体と接触する薄板状の発
熱部材、およびこの発熱部材を支持する熱的、電気的不
良導体不良尋材料からなる絶縁支持部材をＭし、発熱部
材の内向側に上記流動流体と非接触の中空部を形成した
発熱体を用いることにより、応答性および信頼性にすぐ
れた高性態の感熱形波ｍ検出器を提供することをＵ的と
している。
うとするもので、外面が流動流体と接触する薄板状の発
熱部材、およびこの発熱部材を支持する熱的、電気的不
良導体不良尋材料からなる絶縁支持部材をＭし、発熱部
材の内向側に上記流動流体と非接触の中空部を形成した
発熱体を用いることにより、応答性および信頼性にすぐ
れた高性態の感熱形波ｍ検出器を提供することをＵ的と
している。
以下、この発明の実施ｆ／１１を図について説明する。
実施例１
第２図は実施例１の感熱形流目検出器の検出素子部分の
拡大縦断面図である。第２図において、９は発熱部材で
あり、この発熱部材９は周縁部に比べて中央部の埠さが
薄くなった形状に、サーミスタあるいはＰｔ 、 Ｗ、
Ｍｏ 、 Ｎｉ、 刀−ポ／Ｃなどの抵抗材料または
Ｎｉ−Ｃｒ合金、 Ｆｅ −Ｃｒ−Ａｔ合金。
拡大縦断面図である。第２図において、９は発熱部材で
あり、この発熱部材９は周縁部に比べて中央部の埠さが
薄くなった形状に、サーミスタあるいはＰｔ 、 Ｗ、
Ｍｏ 、 Ｎｉ、 刀−ポ／Ｃなどの抵抗材料または
Ｎｉ−Ｃｒ合金、 Ｆｅ −Ｃｒ−Ａｔ合金。
Ｆｅ−Ｃｒ合金などの合金材料からなる。１０は発熱部
材９の内面側中央部に形成された中空部、１１は発熱部
材９を熱的、電気的に絶縁して支持する絶縁支持部材で
あり、プラスチックまたはガラスなどのセラミック材か
らなる。上記発熱部材９と絶縁支持部材１１とから、こ
れらの内部に流動流体が接触し々い中空部１０を形成し
た発熱体１が構成されている。まｆｃ、１２は発熱部材
９の外端面に形成したｋｌ 、 Ａｕ ＋ Ａｇ ＨＳ
ｎ 、 Ｎ ｉなどの蒸着電極％ １３は蒸着電極１
２に一端部が接続されたＭ。
材９の内面側中央部に形成された中空部、１１は発熱部
材９を熱的、電気的に絶縁して支持する絶縁支持部材で
あり、プラスチックまたはガラスなどのセラミック材か
らなる。上記発熱部材９と絶縁支持部材１１とから、こ
れらの内部に流動流体が接触し々い中空部１０を形成し
た発熱体１が構成されている。まｆｃ、１２は発熱部材
９の外端面に形成したｋｌ 、 Ａｕ ＋ Ａｇ ＨＳ
ｎ 、 Ｎ ｉなどの蒸着電極％ １３は蒸着電極１
２に一端部が接続されたＭ。
Ａｕなとの材質のがンディ／グワイヤ、１４ハｒｌｅｙ
ディングワイヤ１３の他端部に接続されて上記支持部４
Ｊ’ｌｌを責通する４電性拐料のボンディングポストで
ある１゜ 次に、」；述のように構成された発熱体１を有する実施
例１の感熱形θＩＣ１餡検出器の動作について説明する
。絶縁油、ガソリ／、水、空気などの流動流体１５が発
熱部Ｉ９に衝突ｔ、 ％流動流体１５の流速まだは流損
に応じた熱伝達が行なわれる。また、ボンディングポス
ト１４、日ζンデイングワイヤ１３および蒸着型４Ｉｌ
１１１２を通じて発熱部材９へ給電された電力は発Ａｌ
１１ｉ１，４４９の中央部を加熱する。
ディングワイヤ１３の他端部に接続されて上記支持部４
Ｊ’ｌｌを責通する４電性拐料のボンディングポストで
ある１゜ 次に、」；述のように構成された発熱体１を有する実施
例１の感熱形θＩＣ１餡検出器の動作について説明する
。絶縁油、ガソリ／、水、空気などの流動流体１５が発
熱部Ｉ９に衝突ｔ、 ％流動流体１５の流速まだは流損
に応じた熱伝達が行なわれる。また、ボンディングポス
ト１４、日ζンデイングワイヤ１３および蒸着型４Ｉｌ
１１１２を通じて発熱部材９へ給電された電力は発Ａｌ
１１ｉ１，４４９の中央部を加熱する。
この場合に、発熱部材９の中央部は周縁部に比べて厚さ
が薄くなっているため、横方向に拡がる熱抵抗が大きく
、熱容量が小さくなっていることＫより、非定常時の熱
的応答時間が短い。
が薄くなっているため、横方向に拡がる熱抵抗が大きく
、熱容量が小さくなっていることＫより、非定常時の熱
的応答時間が短い。
したがって、実施例１の感熱形流証検出器は、中空部１
０での断熱作用に加えて熱的応答性が改善されているの
で、検出器としての応答性がすぐれていると共に、発熱
部材９を絶縁支持部材１１に支持したので、従来のもの
に比べて堅牢である。
０での断熱作用に加えて熱的応答性が改善されているの
で、検出器としての応答性がすぐれていると共に、発熱
部材９を絶縁支持部材１１に支持したので、従来のもの
に比べて堅牢である。
実施例２
第３図は実施例２の感熱形装置検出器の検出素子部分の
拡大縦断面図である。第３図において、９はエツチング
によって中央部分を削り取ったダイヤフラム状のＮ形シ
リコン基板１６を有する発熱部材であり、上記シリコン
基板１６の外面中央部にはＰ形不純物拡散ノー１７が形
成され、シリコン基板１６の外面上にはＳｉＯ□または
Ａｔ２０．などの酸化膜１８が形成されている。ｌＯは
上記シリコン基板１６の内面中央部をエツチングにより
削り取って形成した中空部、１１はシリコン基板１６を
熱的および電気的に絶縁させるセラミック材からなる絶
縁支持部材、１２は上記酸化膜１８に形成されたコ／ク
タトホール部を介して上記拡散層１７に接続されるＡｔ
蒸着電極、１３はポンディングワイヤ、１４はがンデイ
ングポストである。
拡大縦断面図である。第３図において、９はエツチング
によって中央部分を削り取ったダイヤフラム状のＮ形シ
リコン基板１６を有する発熱部材であり、上記シリコン
基板１６の外面中央部にはＰ形不純物拡散ノー１７が形
成され、シリコン基板１６の外面上にはＳｉＯ□または
Ａｔ２０．などの酸化膜１８が形成されている。ｌＯは
上記シリコン基板１６の内面中央部をエツチングにより
削り取って形成した中空部、１１はシリコン基板１６を
熱的および電気的に絶縁させるセラミック材からなる絶
縁支持部材、１２は上記酸化膜１８に形成されたコ／ク
タトホール部を介して上記拡散層１７に接続されるＡｔ
蒸着電極、１３はポンディングワイヤ、１４はがンデイ
ングポストである。
次に以上のように構成された発熱体１を有する実施例２
の検出器の動作について説明する。この実施例２で発熱
するのは、Ｎ形シリコン基板１のＰ形不純物拡散層１７
に限られ、表面発熱形といわれるものになっている。こ
のため、発熱に必要な電力は小さく、応答性を左右する
熱容量が小さい。また、シリコン基板１６の中央部の厚
さが薄くなっており、横方向に拡がる熱抵抗が大きく熱
容量の小さい構成となっている。また、上記拡散層１７
表面が絶縁膜１８で核われて保睦されている。
の検出器の動作について説明する。この実施例２で発熱
するのは、Ｎ形シリコン基板１のＰ形不純物拡散層１７
に限られ、表面発熱形といわれるものになっている。こ
のため、発熱に必要な電力は小さく、応答性を左右する
熱容量が小さい。また、シリコン基板１６の中央部の厚
さが薄くなっており、横方向に拡がる熱抵抗が大きく熱
容量の小さい構成となっている。また、上記拡散層１７
表面が絶縁膜１８で核われて保睦されている。
この実施例２の感熱形流値検出器は、従来ものに比べて
、堅牢で頑強なものとなっており、熱的応答性が実施例
１のものよりさらに改善されている。
、堅牢で頑強なものとなっており、熱的応答性が実施例
１のものよりさらに改善されている。
なお、実施例２の検出器の上述した以外の構成。
動作は、実施例１のものと同様であるから、説明を省略
する。また、実施例２ではＮ形シリコン基板にＰ形不純
物拡散層を形成したものについて説明したが、この考案
は、Ｐ形の基板にＮ形の拡散層を形成してもよく、この
場合でも同様な効果が得られる。
する。また、実施例２ではＮ形シリコン基板にＰ形不純
物拡散層を形成したものについて説明したが、この考案
は、Ｐ形の基板にＮ形の拡散層を形成してもよく、この
場合でも同様な効果が得られる。
実施例需
第４図は実施例３の感熱形流址検出器の検出素子部分の
拡大縦断面図である。第４図において、１６は平坦なＮ
形シリコン基板、１１はガラスなどのセラミックのよう
な絶縁材料からなる筒状の絶縁支持部材であり、この支
持部材１１内に中空部１０が形成されている。１９は一
？／ディングボス）１４および上記支持部材１１を支持
する電気的絶縁材料製の支持台である。
拡大縦断面図である。第４図において、１６は平坦なＮ
形シリコン基板、１１はガラスなどのセラミックのよう
な絶縁材料からなる筒状の絶縁支持部材であり、この支
持部材１１内に中空部１０が形成されている。１９は一
？／ディングボス）１４および上記支持部材１１を支持
する電気的絶縁材料製の支持台である。
次に、実施例３の検出器の動作について説明する。この
実施例３で発熱するのは、上記不純物拡散層１７のみで
あり、表面発熱形になっていて、発熱電力のほとんどが
絶縁油のような流動流体１５との熱伝導に寄与し、流動
体１５を加熱する。しかし、一部の装置がシリコン基板
１６に伝熱され、上記支持部材１１の方に消費される。
実施例３で発熱するのは、上記不純物拡散層１７のみで
あり、表面発熱形になっていて、発熱電力のほとんどが
絶縁油のような流動流体１５との熱伝導に寄与し、流動
体１５を加熱する。しかし、一部の装置がシリコン基板
１６に伝熱され、上記支持部材１１の方に消費される。
そこで、この実施例２では、支持部材１１をセラミック
製の筒状とし、縦方向の熱抵抗を大きくとることで、拡
散層１７と支持部材１１の熱絶縁を可能にしている。
製の筒状とし、縦方向の熱抵抗を大きくとることで、拡
散層１７と支持部材１１の熱絶縁を可能にしている。
この実施例３の検出器は、検出器としての経時変化が少
なく、出力が安定しており、熱的応答性もすぐれている
。
なく、出力が安定しており、熱的応答性もすぐれている
。
なお、実施例３の上述し７た以外の構成、動作は、実施
例２のものとほぼ同様であるから説明を省略する。
例２のものとほぼ同様であるから説明を省略する。
実施例４
第５図は実施例４の感熱形′ｏ１シ駿検出器の検出素子
部分の拡大縦断面図である。第４図において。
部分の拡大縦断面図である。第４図において。
１６は中央部がエツチングされてＪ＃さが薄くなった実
施例２のものと同様なＮ形シリコン基板、１０はこのシ
リコン基板１６と筒状の絶縁支持部材１１によってこれ
らの内部に形成された中空部、１８はＳｉＯ□のような
酸化膜であり、この酸化膜１８はシリコン基板表面の中
央部のＰ形不純物拡散層１７が露出するように形成され
ている。
施例２のものと同様なＮ形シリコン基板、１０はこのシ
リコン基板１６と筒状の絶縁支持部材１１によってこれ
らの内部に形成された中空部、１８はＳｉＯ□のような
酸化膜であり、この酸化膜１８はシリコン基板表面の中
央部のＰ形不純物拡散層１７が露出するように形成され
ている。
次に、実施例４の検出器の動作について説明する。この
実施例４で発熱するのは、実力用例２と同様に不純物拡
散層１７のみであり、表面発熱形になっており、実施例
３と異なるのｉｊ：、シリコン基板１６の内面中央部が
エツチングされて横方向に拡がる熱抵抗が大きくなつ−
Ｃいることでめる。このため、発熱電力が有効に流動流
体との熱伝達に使われて、小さな投入電力で高い温反差
を与えることができる。そして、この実施例４の感熱形
流旨検出器は、検出器としての経時変化がなく、出力が
安定しており、とくにその熱的な応答性がすぐれている
。
実施例４で発熱するのは、実力用例２と同様に不純物拡
散層１７のみであり、表面発熱形になっており、実施例
３と異なるのｉｊ：、シリコン基板１６の内面中央部が
エツチングされて横方向に拡がる熱抵抗が大きくなつ−
Ｃいることでめる。このため、発熱電力が有効に流動流
体との熱伝達に使われて、小さな投入電力で高い温反差
を与えることができる。そして、この実施例４の感熱形
流旨検出器は、検出器としての経時変化がなく、出力が
安定しており、とくにその熱的な応答性がすぐれている
。
なお、実施例４の上述した以外の構成、動作は実施例３
のものとはは同様であるから説明を省略する。
のものとはは同様であるから説明を省略する。
第６図はこの発明の一実施例による感熱形装置検出器の
全体の構成を示している。第６図にお・いて、１は発熱
体％９は発熱体１０発熱部材であり、一方の而すなわち
外面が絶縁油などの流動流体１５と接触し、他方の面す
なわち内面側に流動流体１５と非接触の中空部１０が形
成しである。１３はボンディングワイヤ、１１は発熱部
材９を熱的しよび電気的に絶縁して支持する絶縁支持部
材４はボイディングワイヤ１３にがンデイングボスト１
４を介して接続された散り出しリード、７は差動プリツ
ノや増ｄ】器を含む検出回路、８は検出出力信号である
。また、２０はホース２２に差込まれたニップルであり
、流動流体１５の入口側と出口側で対をなしており、出
口側のニップル２０に上記支持部材１１が固定されてい
る。２１はニップル２００Å口側と出口側との間に挟着
されて、流動流体１５の流れを絞って発熱部材９への衝
突噴流を形成するだめのノズルである。
全体の構成を示している。第６図にお・いて、１は発熱
体％９は発熱体１０発熱部材であり、一方の而すなわち
外面が絶縁油などの流動流体１５と接触し、他方の面す
なわち内面側に流動流体１５と非接触の中空部１０が形
成しである。１３はボンディングワイヤ、１１は発熱部
材９を熱的しよび電気的に絶縁して支持する絶縁支持部
材４はボイディングワイヤ１３にがンデイングボスト１
４を介して接続された散り出しリード、７は差動プリツ
ノや増ｄ】器を含む検出回路、８は検出出力信号である
。また、２０はホース２２に差込まれたニップルであり
、流動流体１５の入口側と出口側で対をなしており、出
口側のニップル２０に上記支持部材１１が固定されてい
る。２１はニップル２００Å口側と出口側との間に挟着
されて、流動流体１５の流れを絞って発熱部材９への衝
突噴流を形成するだめのノズルである。
次に、第６図に示す感熱形流奮検出器の動作について説
明する。絶縁油などの流動流体１５は、入口側のホース
２２を通ってニップル２０へ流れ込み、ノズル２１で大
巾に絞られ噴流となって発熱部材９へ衝突する。発熱部
材９で発熱した電力のほとんどが、中空部１０で実質的
に熱伝導が遮断され、横方向の熱抵抗も大きいので、直
ちに上記流動流体に吸収される。そして、ノズル２１近
傍の流動流体１５の流れに限れば、レイノルズ数の範囲
は最小測定流量でも３０００以上の値となるように設定
してあり、流れは乱流領域に限られるので安定している
。−！た、発熱体ｌに衝突した流れは出口側のニップル
２０を通してホース２２へ流出する。
明する。絶縁油などの流動流体１５は、入口側のホース
２２を通ってニップル２０へ流れ込み、ノズル２１で大
巾に絞られ噴流となって発熱部材９へ衝突する。発熱部
材９で発熱した電力のほとんどが、中空部１０で実質的
に熱伝導が遮断され、横方向の熱抵抗も大きいので、直
ちに上記流動流体に吸収される。そして、ノズル２１近
傍の流動流体１５の流れに限れば、レイノルズ数の範囲
は最小測定流量でも３０００以上の値となるように設定
してあり、流れは乱流領域に限られるので安定している
。−！た、発熱体ｌに衝突した流れは出口側のニップル
２０を通してホース２２へ流出する。
なお、第６図に示す実施例の流電検出器は、この発明の
実施例１ないし４０発熱体のいずれかを用いたものであ
る。
実施例１ないし４０発熱体のいずれかを用いたものであ
る。
第６図に示す実施例の感熱形流量検出器は、上述したよ
うに構成されているので、従来のもののような配管パイ
プを必要とせず、小形、軽量となっており、またレイノ
ルズ数が高い分だけ、大きな熱伝達率が得られ、中空部
１０による断熱効果によって、発熱部材９の熱容蓋が小
さくなっているので、熱的な応答時間が大巾に短縮され
、快出器としての応答性がすぐれている。
うに構成されているので、従来のもののような配管パイ
プを必要とせず、小形、軽量となっており、またレイノ
ルズ数が高い分だけ、大きな熱伝達率が得られ、中空部
１０による断熱効果によって、発熱部材９の熱容蓋が小
さくなっているので、熱的な応答時間が大巾に短縮され
、快出器としての応答性がすぐれている。
以上説明したように、この発明の感熱形流値検出器は、
応答性および信頼性がすぐれ、高性能であるという効果
がある。
応答性および信頼性がすぐれ、高性能であるという効果
がある。
第１図は従来の感熱形流祉検出器を示す構成説明図、第
２図、第３図、第４図および第５図はこの発明の実施例
１．２．３および４による発熱体をそれぞれ示す検出素
子部分の拡大縦断面図、第６図はこの発ＩＩの一＝−実
ＭＭ例による感熱形流址検出器を示す構成説明図である
。 １・・・発熱体、７・・・検出回路、８・・・検出出力
信号、９・・・発熱部材、ｉｏ・・・中空部、１１・・
・絶縁支持部材、１２・・・’Ｋｍ、１３・・・がノデ
イングワイヤ、１４・・・＋ＩＦンデイングポスト、】
５・・・流動流体。 １６・・・シリコン基板、１７・・・不純物拡散層、１
８・・・酸化膜、１９・・・支持台、２０・・・ニップ
ル、２１・・・ノズル、２２・・・ホース。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 為 野 イｄ −
２図、第３図、第４図および第５図はこの発明の実施例
１．２．３および４による発熱体をそれぞれ示す検出素
子部分の拡大縦断面図、第６図はこの発ＩＩの一＝−実
ＭＭ例による感熱形流址検出器を示す構成説明図である
。 １・・・発熱体、７・・・検出回路、８・・・検出出力
信号、９・・・発熱部材、ｉｏ・・・中空部、１１・・
・絶縁支持部材、１２・・・’Ｋｍ、１３・・・がノデ
イングワイヤ、１４・・・＋ＩＦンデイングポスト、】
５・・・流動流体。 １６・・・シリコン基板、１７・・・不純物拡散層、１
８・・・酸化膜、１９・・・支持台、２０・・・ニップ
ル、２１・・・ノズル、２２・・・ホース。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 為 野 イｄ −
Claims (8)
- （１）発熱体と流動流体間の熱伝達量から流速゛または
流値のような上記流動流体の流動量を検出する感熱形流
鈑検出器において、外面が上記流動流体と接触する薄板
状の発熱部材、およびこの発熱部材を支持する熱的、電
気的不良導材料からなる絶縁支持部材を有し、発熱部材
の内面側に上記流動流体と非接触の中空部を形成した発
熱体と、この発熱体へ発熱電力を供給すると共に発熱体
の電気的インピーダンスを計測する検出回路とを備えた
ことを特徴とする感熱形＃ｔ、蓋検出器。 - （２）発熱体を構成する発熱部材が感温半導体材料から
なる特許請求の範囲第１項記載の感熱形流値検出器。 - （３）発熱体を構成する発熱部材が不純物拡散層を含む
シリコン半導体基板である特許請求の範囲第２項記載の
感熱形流量検出器。 - （４）発・熱体を構成する絶縁支持部材がセラミック材
である特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載
の感熱形：／気量検出器。 - （５）発熱体を構成する絶縁支持部材で発熱部材の周縁
部を支持した特許請求の範囲第１項、第２項。 第３項または第４項記載の感熱形流箪検出器。 - （６）発熱体を構成する発熱部材が中央部に形成された
不純物拡散層を含んだシリコン半導体基板である特許請
求の範囲第３項または第５項記載の感熱形流址検出器。 - （７）発熱体を構成する発熱部材が流動流体と接するよ
うに形成された不純物拡散層を含んだシリコン半導体基
板である特許請求の範囲第３項または第６項記載の感熱
形流址検出器。 - （８）発熱体を構成する発熱部材が不純物拡散層を含ん
だ部分のみ厚さが薄いシリコン半導体基板である特許請
求の範囲第３狽、第６項または第７項記載の感熱形流量
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115981A JPS595919A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 感熱形流量検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115981A JPS595919A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 感熱形流量検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595919A true JPS595919A (ja) | 1984-01-12 |
| JPH0256612B2 JPH0256612B2 (ja) | 1990-11-30 |
Family
ID=14675916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57115981A Granted JPS595919A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 感熱形流量検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595919A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0147831A2 (en) * | 1983-12-27 | 1985-07-10 | Honeywell Inc. | Flow sensor |
| JPS61138168A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Tokyo Keiso Kk | 熱電式流速計 |
| JPH02103271U (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-16 | ||
| US5087239A (en) * | 1982-12-23 | 1992-02-11 | Tampax Limited | Tampon applicator |
| JPH08114474A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Kanagawa Pref Gov | 流量計センサ |
| JP2002081982A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Horiba Ltd | 赤外線ガス検出器用フローセンサおよびフローセンサの製造方法 |
| JP2007319769A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Casio Comput Co Ltd | 反応装置、その反応装置を用いた発電装置、及び、電子機器 |
-
1982
- 1982-07-01 JP JP57115981A patent/JPS595919A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087239A (en) * | 1982-12-23 | 1992-02-11 | Tampax Limited | Tampon applicator |
| EP0147831A2 (en) * | 1983-12-27 | 1985-07-10 | Honeywell Inc. | Flow sensor |
| EP0147831A3 (en) * | 1983-12-27 | 1985-12-04 | Honeywell Inc. | Flow sensor |
| JPS61138168A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Tokyo Keiso Kk | 熱電式流速計 |
| JPH02103271U (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-16 | ||
| JPH08114474A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Kanagawa Pref Gov | 流量計センサ |
| JP2002081982A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Horiba Ltd | 赤外線ガス検出器用フローセンサおよびフローセンサの製造方法 |
| JP2007319769A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Casio Comput Co Ltd | 反応装置、その反応装置を用いた発電装置、及び、電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256612B2 (ja) | 1990-11-30 |
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