JPS5957967A - 透光性立方晶窒化ほう素緻密体の製造法 - Google Patents
透光性立方晶窒化ほう素緻密体の製造法Info
- Publication number
- JPS5957967A JPS5957967A JP57168083A JP16808382A JPS5957967A JP S5957967 A JPS5957967 A JP S5957967A JP 57168083 A JP57168083 A JP 57168083A JP 16808382 A JP16808382 A JP 16808382A JP S5957967 A JPS5957967 A JP S5957967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- pressure
- boron nitride
- hbn
- cbn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透光性立方晶窒化はう素の緻密体の製造法に関
する。
する。
閃亜鉛鉱型構造を持つ立方晶窒化はう素（以下ｃＢＮと
略記する）は、ダイヤモンドに匹敵する硬度を持つ他に
熱的、化学的にも極めて安定である点から、最近工作機
械の数値制御等による自動。
略記する）は、ダイヤモンドに匹敵する硬度を持つ他に
熱的、化学的にも極めて安定である点から、最近工作機
械の数値制御等による自動。
無人化の傾向が増すにつれて、ｃＢＮは高能率、高精度
の工具用材料として適した物質として注目されるに至っ
た。特に高速度鋼、ダイス鋼、鋳鉄ならびに超硬合金等
の鉄系素材の加工に優れた性能を発揮することが知られ
ている。このほか、ＣＢＮは電子材料、光学材料等の用
途にも有望な特性を具備する。従って、単結晶のみなら
ず、高純度緻密焼結体とする製造技術の確立が要望され
ている。
の工具用材料として適した物質として注目されるに至っ
た。特に高速度鋼、ダイス鋼、鋳鉄ならびに超硬合金等
の鉄系素材の加工に優れた性能を発揮することが知られ
ている。このほか、ＣＢＮは電子材料、光学材料等の用
途にも有望な特性を具備する。従って、単結晶のみなら
ず、高純度緻密焼結体とする製造技術の確立が要望され
ている。
従来の立方晶窒化はう素の焼結体の製造法としては、
１）粒子径、結晶化度、構造規則性などの種々な性状を
持−・つｈＢＮを出発原料とし、これを高温高圧条件下
で処理する方法。（例えば特公昭ｊ２−／７！；２０号
公報） ２）減圧、焼成等の予備処理を施こし活性化された六方
晶窒化はう素を出発原料とする方法。
持−・つｈＢＮを出発原料とし、これを高温高圧条件下
で処理する方法。（例えば特公昭ｊ２−／７！；２０号
公報） ２）減圧、焼成等の予備処理を施こし活性化された六方
晶窒化はう素を出発原料とする方法。
（％開昭３３− ／乙７／１０号公報）等が知られてい
る。
る。
しかしながら、これらの方法で得られるＯＢＮ焼結体は
灰色半透明７５為ら黒色不透明となり、ＣＢＮ粒子が直
接結合した高硬度做密体としてこれを位置づけるには、
なお問題点を含んでいる。
灰色半透明７５為ら黒色不透明となり、ＣＢＮ粒子が直
接結合した高硬度做密体としてこれを位置づけるには、
なお問題点を含んでいる。
本発明者らはさきＫＳｈＢＮまたｌ−ｊ： ｈＢＮ 、
ｅ ｃＢＮとの混合物Ｋ Ｏ，／！； 〜３．０ モル
％ ノＭｅ５８２Ｎ２ （ただし、Ｍｅはアルカリ土類
金属を表わす。以下同じ）を機械的に混合し、これを出
発原料として高圧焼成法により透光性のＯＢＮ緻密体を
製造する方法を発明した。（４￥幀昭５７−３７左ゲタ
号）更に研究を重ねた結果、ｈＢＮ焼結体に０．／、！
ｒ〜３．０モル％のＭｅ、８２Ｎ、を拡散含有させたも
のを出発原料として使用するときは、純ｍ“品質が向上
し、高密庶、高硬度で透光性の優れ九〇ＢＮ緻密体とな
る°ことに加え無色透明体も得られることを究明し得、
本発明を完成した。
ｅ ｃＢＮとの混合物Ｋ Ｏ，／！； 〜３．０ モル
％ ノＭｅ５８２Ｎ２ （ただし、Ｍｅはアルカリ土類
金属を表わす。以下同じ）を機械的に混合し、これを出
発原料として高圧焼成法により透光性のＯＢＮ緻密体を
製造する方法を発明した。（４￥幀昭５７−３７左ゲタ
号）更に研究を重ねた結果、ｈＢＮ焼結体に０．／、！
ｒ〜３．０モル％のＭｅ、８２Ｎ、を拡散含有させたも
のを出発原料として使用するときは、純ｍ“品質が向上
し、高密庶、高硬度で透光性の優れ九〇ＢＮ緻密体とな
る°ことに加え無色透明体も得られることを究明し得、
本発明を完成した。
本発明の要旨は六方晶窒化はう未焼結体にｏ、ｉｓ〜３
．０モル％のＭｅ、８２Ｎ４を拡散含有させ、これを′
立方晶窒化はう素の熱力学的安定条件下で１３３０℃以
上の温度で高圧焼結することを特徴とする方法である。
．０モル％のＭｅ、８２Ｎ４を拡散含有させ、これを′
立方晶窒化はう素の熱力学的安定条件下で１３３０℃以
上の温度で高圧焼結することを特徴とする方法である。
原料のｈＢＮ焼結体は高純度のものであることが好まし
い。例えば市販の高純度ｈＢＮ焼結体（通常ポットプレ
ス法でｈＢＮ粉末を３３０− ／７００ Ｋｙ／ｃｔｎ
２の圧力と７７００〜２０００℃の条件下で焼結したも
の）を用いて、窒素ガス中で２１００℃の温度に２時間
以上仮焼して、酸素含有量をＯ，ｊ７ｉｔｉ％以下とす
る０ 次に得られた高純度のｈＢＮ焼結体にＭｅ、８２Ｎ、を
拡散含有させる。
い。例えば市販の高純度ｈＢＮ焼結体（通常ポットプレ
ス法でｈＢＮ粉末を３３０− ／７００ Ｋｙ／ｃｔｎ
２の圧力と７７００〜２０００℃の条件下で焼結したも
の）を用いて、窒素ガス中で２１００℃の温度に２時間
以上仮焼して、酸素含有量をＯ，ｊ７ｉｔｉ％以下とす
る０ 次に得られた高純度のｈＢＮ焼結体にＭｅ、８２Ｎ、を
拡散含有させる。
その方法としては、
旬 六方晶窒化はう未焼結体にＭｅ５Ｂ２Ｎ４ｔだはＭ
ｅ・Ｎｉｔ、、を接触させ１非酸化性界囲気中７反工６
拡散させる方法。
ｅ・Ｎｉｔ、、を接触させ１非酸化性界囲気中７反工６
拡散させる方法。
２）大方晶窒化はう未焼結体を窒化はう素るつぼに入れ
、Ｍｅ３Ｂ２Ｎ４と非接触とし、窒素ガス中で気相拡散
させる方法が挙げられる。しかし、（１）の方法が拡散
条件（温度２時間）を制御する点で簡便である。
、Ｍｅ３Ｂ２Ｎ４と非接触とし、窒素ガス中で気相拡散
させる方法が挙げられる。しかし、（１）の方法が拡散
条件（温度２時間）を制御する点で簡便である。
このようにｈＢＮ焼結体にＭｅ、Ｂ２Ｎ４を拡散含有さ
せたものであるため、（１） Ｍｅ５Ｂ２Ｎ４がｈＢＮ
焼結体中に高度に分散混和される。従って、これを高温
高圧条件下で処理して得られるｃＢＮ焼結体は高純度で
品質ならびに組織の均一性が向上し、透光性の極めて優
れたものとなる。また（２） Ｍｅ３Ｂ２Ｎ４例えばＯ
ａ、８２Ｎ４は空気中で加水分解し易いが、これがｈＢ
Ｎ焼結体中に担持されるため、高圧反応容器中に充填す
る際、空気中で取扱い得られる優れた効果が得られる。
せたものであるため、（１） Ｍｅ５Ｂ２Ｎ４がｈＢＮ
焼結体中に高度に分散混和される。従って、これを高温
高圧条件下で処理して得られるｃＢＮ焼結体は高純度で
品質ならびに組織の均一性が向上し、透光性の極めて優
れたものとなる。また（２） Ｍｅ３Ｂ２Ｎ４例えばＯ
ａ、８２Ｎ４は空気中で加水分解し易いが、これがｈＢ
Ｎ焼結体中に担持されるため、高圧反応容器中に充填す
る際、空気中で取扱い得られる優れた効果が得られる。
Ｍｅ、Ｂ２Ｎ４のｈＢＮ焼結体への含浸させる割合は、
０、／！；〜３．０モル％であることが必要である。そ
の割合が０．／３；モル％未満であるとその効果が十分
発揮し得られず、また３、０モル％を超えると、過剰匿
のＭｅ ｓ ８２ Ｎ ａが焼結体粒界に残留したり、
局部的な異常粒成長が生じたりするために良好な焼結体
が得Ｓい。透光性の良好なものを得るには０、、１３；
−／ｉモル％であることが好ましい。
０、／！；〜３．０モル％であることが必要である。そ
の割合が０．／３；モル％未満であるとその効果が十分
発揮し得られず、また３、０モル％を超えると、過剰匿
のＭｅ ｓ ８２ Ｎ ａが焼結体粒界に残留したり、
局部的な異常粒成長が生じたりするために良好な焼結体
が得Ｓい。透光性の良好なものを得るには０、、１３；
−／ｉモル％であることが好ましい。
焼結条件はｃＢＮの熱力学的安定圧力条件下で、／３！
；０℃以上であることが必要である。この圧力の値はビ
スマス、タリウムおよびバリウムの常圧下で圧力によっ
て誘起される相転移を圧力定点として評価されたもので
あり、各々−、ｉｔ 、 Ｊ、７ 。
；０℃以上であることが必要である。この圧力の値はビ
スマス、タリウムおよびバリウムの常圧下で圧力によっ
て誘起される相転移を圧力定点として評価されたもので
あり、各々−、ｉｔ 、 Ｊ、７ 。
ｓ、ｓ ＧＰａ 、！： して作製された荷重−圧力曲
線に基づくものである。また温度は白金−白金・ロジウ
ム（７３％）熱電対を用いて測定し、黒鉛抵抗発熱体に
印加する電力を制御する方法により行った。
線に基づくものである。また温度は白金−白金・ロジウ
ム（７３％）熱電対を用いて測定し、黒鉛抵抗発熱体に
印加する電力を制御する方法により行った。
ＣＢＮの合成可能領域の温度−圧力条件を第を図に示す
。図において、Ａ、Ｂは熱力学的安定領域。
。図において、Ａ、Ｂは熱力学的安定領域。
Ｂ １ｌ−ｊ：ｃＢＮ結晶の合成領域（Ｍｅ３Ｂ２Ｎ４
を用いた場合）、０はｈＢＮの熱力学的安定領域、Ｄは
Ｍｅ３Ｂ２Ｎ４とＢＮＯ共融線である。本発明において
はＢの合成領域で行う。
を用いた場合）、０はｈＢＮの熱力学的安定領域、Ｄは
Ｍｅ３Ｂ２Ｎ４とＢＮＯ共融線である。本発明において
はＢの合成領域で行う。
本発明の方法では例えば第１図に示すベルト型高圧装置
が使用される。第１図はベルト型高圧装置試料構成縦断
面図を示す。図において、ｔは圧力媒体の食塩円筒で、
ｃＢＮ焼結体の生成温度−圧力条件下で融解もしくは半
融の状態にある。／は黒鉛抵抗発熱体、／θは紙ガスケ
ット、／／はパイロフィライトガスケット、／２はＺｒ
Ｏ２円板、１３はモリブデン板、ワは通ｗＬ環を示す。
が使用される。第１図はベルト型高圧装置試料構成縦断
面図を示す。図において、ｔは圧力媒体の食塩円筒で、
ｃＢＮ焼結体の生成温度−圧力条件下で融解もしくは半
融の状態にある。／は黒鉛抵抗発熱体、／θは紙ガスケ
ット、／／はパイロフィライトガスケット、／２はＺｒ
Ｏ２円板、１３はモリブデン板、ワは通ｗＬ環を示す。
黒鉛抵抗発熱体ｌには上下のアンビルから通電環９９Ｍ
０板１３を経て交流もしくは直流電力が供給される。こ
のような高圧、高温発生装置は、ＣＢＮ焼結体の生成に
必要な時間中、操作条件を保持し得られるものであれば
よい。
０板１３を経て交流もしくは直流電力が供給される。こ
のような高圧、高温発生装置は、ＣＢＮ焼結体の生成に
必要な時間中、操作条件を保持し得られるものであれば
よい。
本発明の方法によると、ｈＢＮ焼結体に特定量のＭｇ５
８２Ｎ４を拡散含有させたものを原料として使用するだ
め、均一な品質と組成を有し、かつ優れた透光性を有す
るｃＢＮ緻密体が容易に得られ、また品温高圧実験への
作業に際しても空気中で操作でき、製造過程での不純物
混入等の影響も極めて少ない効果を奏し得られる。
８２Ｎ４を拡散含有させたものを原料として使用するだ
め、均一な品質と組成を有し、かつ優れた透光性を有す
るｃＢＮ緻密体が容易に得られ、また品温高圧実験への
作業に際しても空気中で操作でき、製造過程での不純物
混入等の影響も極めて少ない効果を奏し得られる。
実施例１゜
嵩比重へ９の高純度ｈＢＮ焼結体を窒素ガス雰囲気中で
２１００℃の温度で２時間処理した。放射化分析の結果
、焼結体の残存酸素量は０．／ 重量％以下；であった
。次に予め調製され九Ｋｇ、８２Ｎ４粉末をこのｈＢＮ
焼結体と接触させて、窒素ガス雰囲気中／／１，０℃で
約３時間加熱した。得られたものをＥＰＭＡによる化学
分析と粉末Ｘ線回折法により調べた結果、ｈＢＮ焼結体
内部に０．１モル％のＭｇ５８２Ｎ４が均一に分散しだ
ものであった。
２１００℃の温度で２時間処理した。放射化分析の結果
、焼結体の残存酸素量は０．／ 重量％以下；であった
。次に予め調製され九Ｋｇ、８２Ｎ４粉末をこのｈＢＮ
焼結体と接触させて、窒素ガス雰囲気中／／１，０℃で
約３時間加熱した。得られたものをＥＰＭＡによる化学
分析と粉末Ｘ線回折法により調べた結果、ｈＢＮ焼結体
内部に０．１モル％のＭｇ５８２Ｎ４が均一に分散しだ
ものであった。
これを出発原料とした。第一図は高温高圧の焼成に供す
る試料構成の縦断面図である。ｌは黒鉛抵抗発熱体、２
は黒鉛円板、３は食塩円筒、グは食塩円板を示す。この
ような試料構成の中に、モリブデン円筒！、モリブデン
板乙よりなるモリブデン反応容器を挿入し、出発原料７
を積み重ねて充填した。
る試料構成の縦断面図である。ｌは黒鉛抵抗発熱体、２
は黒鉛円板、３は食塩円筒、グは食塩円板を示す。この
ような試料構成の中に、モリブデン円筒！、モリブデン
板乙よりなるモリブデン反応容器を挿入し、出発原料７
を積み重ねて充填した。
これを第１図に示すベルト型高圧装置を使用して、！；
、７ ＧＰａ 、 ／３！；０℃の条件下で約３θ分間
保持した後、急冷して取り出した。モリブデン反応容器
を熱王水によって処理して除去し、緻密体を得た。この
緻密体は無色透明の緻密体であった。
、７ ＧＰａ 、 ／３！；０℃の条件下で約３θ分間
保持した後、急冷して取り出した。モリブデン反応容器
を熱王水によって処理して除去し、緻密体を得た。この
緻密体は無色透明の緻密体であった。
この表面及び破断面について化学分析を行った結１果、
不純物を含まないＣＢＮ単−相であることが実１証され
た。密度は理論値と一致し、微少押込み硬さもｊ ７０
０ Ｋｙ７ａｍ２以上の高い値のものであった。
不純物を含まないＣＢＮ単−相であることが実１証され
た。密度は理論値と一致し、微少押込み硬さもｊ ７０
０ Ｋｙ７ａｍ２以上の高い値のものであった。
その外径乙、７φ×Ｑ、７ｍｍからなる緻密体の可視紫
外領域（ｒｓｏ Ｎｔｏｏ ｎｍ ）での透過率は第３
図のａ線に示す通りであった。
外領域（ｒｓｏ Ｎｔｏｏ ｎｍ ）での透過率は第３
図のａ線に示す通りであった。
実施例２゜
実施例１と同じｈＢＮ焼結体をＭ（３２Ｎ ２粉末と接
触させ、窒素ガス雰囲気中、／２！；０℃で約７時間加
熱した。得られたものは、ｈＢＮ焼結体にへｊモル％の
Ｍｇ、Ｂ２Ｎ４が拡ｌｉｔ含有されたものであった。こ
れを出発原料として実施例１と同様にして、／１１００
℃、、ｒＪＧＰａの条件−Ｆで約ψ分間処理して微密体
を得た。この緻密体は淡緑色に着色していた力；、光学
顕微鏡観察から均一な組織を持つｃＢＮ焼結緻密体であ
ることが（諦詔された。その外径力２乙、ｊφ×０．８
ｍｎの緻密体の可視紫外領域（２５０〜１０１００ｎで
の透過率は第３図のｂ線に示す通りであった０ 実施例 実施例１と同じｈＢＮ焼結体を用いてＳｒ、Ｂ２Ｎ４を
謂素ガス雰囲気中、／ １００℃で約１２時間加熱した
。
触させ、窒素ガス雰囲気中、／２！；０℃で約７時間加
熱した。得られたものは、ｈＢＮ焼結体にへｊモル％の
Ｍｇ、Ｂ２Ｎ４が拡ｌｉｔ含有されたものであった。こ
れを出発原料として実施例１と同様にして、／１１００
℃、、ｒＪＧＰａの条件−Ｆで約ψ分間処理して微密体
を得た。この緻密体は淡緑色に着色していた力；、光学
顕微鏡観察から均一な組織を持つｃＢＮ焼結緻密体であ
ることが（諦詔された。その外径力２乙、ｊφ×０．８
ｍｎの緻密体の可視紫外領域（２５０〜１０１００ｎで
の透過率は第３図のｂ線に示す通りであった０ 実施例 実施例１と同じｈＢＮ焼結体を用いてＳｒ、Ｂ２Ｎ４を
謂素ガス雰囲気中、／ １００℃で約１２時間加熱した
。
得られたものは、黄色を帯びた、約１．リモル％の５ｒ
５Ｂ２Ｎ４を拡散含有したｈＢＮ焼結体であった。これ
を使用して実施例１と同様にして試料を構り艷し、ｊ、
、２ ＧＰａ 、 ／！；１０℃で７時間保持した後、
徐冷し、実施例１と同様にして緻密体を得た。この緻密
イ（ζは淡緑色に着色した透光性のａＢＮ緻密体であっ
た。
５Ｂ２Ｎ４を拡散含有したｈＢＮ焼結体であった。これ
を使用して実施例１と同様にして試料を構り艷し、ｊ、
、２ ＧＰａ 、 ／！；１０℃で７時間保持した後、
徐冷し、実施例１と同様にして緻密体を得た。この緻密
イ（ζは淡緑色に着色した透光性のａＢＮ緻密体であっ
た。
微少押込み硬さは約６ｔ／−Ｏ□ Ｋｙ／ｌｓ２と極め
て高いイ直を示した。
て高いイ直を示した。
ｅ
ナオ、ｆ！Ｆ＠３８２Ｎ ４として前記実施例１のｌ’
！： Ａ−１Ｏａ３Ｂ２Ｎ４ ｒ Ｂａ５Ｂ２Ｎ４を使
用し、同様にしテｉｓゲｅ Ｍ： ）ｃＢＮ緻密体が得
られた。
！： Ａ−１Ｏａ３Ｂ２Ｎ４ ｒ Ｂａ５Ｂ２Ｎ４を使
用し、同様にしテｉｓゲｅ Ｍ： ）ｃＢＮ緻密体が得
られた。
第１図はベル型高圧装置の試料部における断１石図、第
２図は試料構成の縦断面図、第３図は本発明の透光性ｃ
ＢＮ緻密体の吸収スペクトル、（ωけ実施例１のもの （ｂ）は実施例２のもの 第Ｖ図はｃＢＨの合成可能領域の温度′−圧力条伺二図
を示す。 ／：黒鉛抵抗発熱体、 ２：黒鉛円板、３：食塩円筒、
ｔＩ；食塩円板、５：モリブデン円筒、乙：
モリブデン板、７；出発原料、 ｔ：食塩円筒、
９：通電環、 ｌθ：紙ガスケ゛ント、ｌ／；
パイロフィライトガスケット、 ／ノ＝酸化ジルコニウム円板、 １３：モリブデン板、 Ａ ＋ Ｂ ： ｃＢＮ熱力学的安定領域、Ｂ ： ｃ
ＢＮ結晶の合成領域（Ｍｏ２Ｂ、、Ｎ４を使用した場合
）、 Ｇ ： ｈＢＩＪの熱力学的安定領域、Ｄ ： Ｍｏ５
Ｂ、、Ｎ４とＢＮの共融線。 伴１図 第、ワ ０ 第３ （２） 波長（ｎｍ） 伴４図 温、胤・（°Ｃ）
２図は試料構成の縦断面図、第３図は本発明の透光性ｃ
ＢＮ緻密体の吸収スペクトル、（ωけ実施例１のもの （ｂ）は実施例２のもの 第Ｖ図はｃＢＨの合成可能領域の温度′−圧力条伺二図
を示す。 ／：黒鉛抵抗発熱体、 ２：黒鉛円板、３：食塩円筒、
ｔＩ；食塩円板、５：モリブデン円筒、乙：
モリブデン板、７；出発原料、 ｔ：食塩円筒、
９：通電環、 ｌθ：紙ガスケ゛ント、ｌ／；
パイロフィライトガスケット、 ／ノ＝酸化ジルコニウム円板、 １３：モリブデン板、 Ａ ＋ Ｂ ： ｃＢＮ熱力学的安定領域、Ｂ ： ｃ
ＢＮ結晶の合成領域（Ｍｏ２Ｂ、、Ｎ４を使用した場合
）、 Ｇ ： ｈＢＩＪの熱力学的安定領域、Ｄ ： Ｍｏ５
Ｂ、、Ｎ４とＢＮの共融線。 伴１図 第、ワ ０ 第３ （２） 波長（ｎｍ） 伴４図 温、胤・（°Ｃ）
Claims (1)
- １、 大方晶窒化はう未焼結体に０．７！ｉ〜３゜０モ
ル％のＭｅ５Ｂ２Ｎ４ （ただし、Ｍｅはアルカリ土類
金属を表わす）を拡散含有させ、これを立方晶窒化はう
素の熱力学的安定条件下で１３３７０℃以上の温度で高
圧焼結することを特徴とする透光性立方晶窒化はう素緻
密体の製造法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168083A JPS6028782B2 (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 透光性立方晶窒化ほう素緻密体の製造法 |
| US06/532,093 US4562163A (en) | 1982-09-27 | 1983-09-14 | Boron nitride complex and process for its preparation, and process for preparing a light-transmitting dense body of cubic system boron nitride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168083A JPS6028782B2 (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 透光性立方晶窒化ほう素緻密体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957967A true JPS5957967A (ja) | 1984-04-03 |
| JPS6028782B2 JPS6028782B2 (ja) | 1985-07-06 |
Family
ID=15861526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168083A Expired JPS6028782B2 (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 透光性立方晶窒化ほう素緻密体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028782B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275168A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-05 | 住友電気工業株式会社 | 高熱伝導性焼結体およびその製造方法 |
| JPS62108772A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | 電気化学工業株式会社 | 立方晶窒化ほう素の素焼結体の製造方法 |
| US4772575A (en) * | 1986-04-09 | 1988-09-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing sintered compact of cubic boron nitride |
| EP0695731A1 (en) | 1994-08-01 | 1996-02-07 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Super hard composite material for tools |
| EP0701982A1 (en) | 1994-09-16 | 1996-03-20 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Layered film made of ultrafine particles and a hard composite material for tools possessing the film |
| EP0709353A2 (en) | 1994-10-27 | 1996-05-01 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Hard composite material for tools |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57168083A patent/JPS6028782B2/ja not_active Expired
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275168A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-05 | 住友電気工業株式会社 | 高熱伝導性焼結体およびその製造方法 |
| JPS62108772A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | 電気化学工業株式会社 | 立方晶窒化ほう素の素焼結体の製造方法 |
| JPH0445474B2 (ja) * | 1985-11-07 | 1992-07-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | |
| US4772575A (en) * | 1986-04-09 | 1988-09-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing sintered compact of cubic boron nitride |
| EP0695731A1 (en) | 1994-08-01 | 1996-02-07 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Super hard composite material for tools |
| EP0701982A1 (en) | 1994-09-16 | 1996-03-20 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Layered film made of ultrafine particles and a hard composite material for tools possessing the film |
| US5700551A (en) * | 1994-09-16 | 1997-12-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Layered film made of ultrafine particles and a hard composite material for tools possessing the film |
| EP0709353A2 (en) | 1994-10-27 | 1996-05-01 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Hard composite material for tools |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6028782B2 (ja) | 1985-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1268362B1 (en) | Process for forming 312 phase materials and process for sintering the same | |
| US5942455A (en) | Synthesis of 312 phases and composites thereof | |
| US3853973A (en) | Isostatic hot-pressing process for manufacturing dense sintered articles | |
| JPS595547B2 (ja) | 立方晶系窒化ほう素の焼結体の製造法 | |
| US4004937A (en) | Method for producing a sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic | |
| US3531308A (en) | Transparent spinel body | |
| JP2590413B2 (ja) | 透光性高純度立方晶窒化ほう素焼結体の製造法 | |
| Bocquillon et al. | Synthesis of cubic boron nitride using Mg and pure or M′-doped Li 3 N, Ca 3 N 2 and Mg 3 N 2 with M′= Al, B, Si, Ti | |
| JPS5939362B2 (ja) | 窒化ホウ素系化合物およびその製造方法 | |
| JPS6229388B2 (ja) | ||
| JP2939535B2 (ja) | 透明酸化イットリウム焼結体の製造法 | |
| JPS5957967A (ja) | 透光性立方晶窒化ほう素緻密体の製造法 | |
| US5043304A (en) | Method of production of cubic boron nitride-containing high-density inorganic composite sintered article | |
| US4562163A (en) | Boron nitride complex and process for its preparation, and process for preparing a light-transmitting dense body of cubic system boron nitride | |
| GB2216546A (en) | Zirconium oxide sinter for forming thin film thereof and method for production of the same | |
| Sheldon et al. | The Nitridation of High Purity, Laser‐Synthesized Silicon Powder to Form Reaction Bonded Silicon Nitride | |
| NO177002B (no) | Framgangsmåte for tilvirkning av keramiske kompositter | |
| US4772575A (en) | Method of manufacturing sintered compact of cubic boron nitride | |
| JPH0478335B2 (ja) | ||
| JPS5938164B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素の製造法 | |
| JPH05221730A (ja) | 立方晶窒化ホウ素焼結体及びその製造法 | |
| JPS6345175A (ja) | 立方晶窒化硼素焼結体の製造方法 | |
| JPS6218481B2 (ja) | ||
| JP7364449B2 (ja) | 窒化イットリウムの製造方法 | |
| JPH10502325A (ja) | 焼結反応結合した窒化珪素部品 |