JPS595716A - 酸化亜鉛薄膜の電極構造 - Google Patents
酸化亜鉛薄膜の電極構造Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は安定な特性を承り酸化亜鉛N膜の電極構造に
関する。
関する。
酸化亜鉛薄膜は弾性表面波装置、音叉振動子、音片振動
子などの圧電体として使用されている。
子などの圧電体として使用されている。
この酸化亜鉛薄膜の使用例を音叉振動子にもとづいて説
明する。
明する。
第1図は音叉振動子の一例を示づ側面図である。
図において、1は音叉振動子の本体、2.3はこの本体
1の脚部を示し、脚部2.3の側壁2a、3aには酸化
亜鉛薄膜4.5が形成されている。
1の脚部を示し、脚部2.3の側壁2a、3aには酸化
亜鉛薄膜4.5が形成されている。
この酸化亜鉛薄膜4.5は真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンブレーティング法などにより形成される。6
.7は酸化亜鉛薄膜4.5の上に形成された0r−Au
系またはTi−Au系からなる電極を示す。
法、イオンブレーティング法などにより形成される。6
.7は酸化亜鉛薄膜4.5の上に形成された0r−Au
系またはTi−Au系からなる電極を示す。
この電極6.7は第2図にその詳細な構造を示すように
、第1層電極8としてOrまたはli、第2層電極9と
してAuからなるものが用いられていた。ここでCr、
Tiは密着性を向上させるためのものであり、またA
Uはワイヤボンディングや半田付けができるように選ば
れたものである。
、第1層電極8としてOrまたはli、第2層電極9と
してAuからなるものが用いられていた。ここでCr、
Tiは密着性を向上させるためのものであり、またA
Uはワイヤボンディングや半田付けができるように選ば
れたものである。
図示した:天か、0r−AU系電極としては0r−AL
Iのほか、Cr−Pt−Au5Cr−Pd −Au、C
r−N 1−Au、 Cr−Cu−N i−ハリ、0r
−Cu−AUなどがあり、またTi−AU系電極として
はTi−Auのほか、T i −Cu−Au、”ri−
pt−Au、Ti−Pd−Auなどがある。上記した電
極構成のうち、Tiまたはの範囲に抵抗加熱法、電子ビ
ーム蒸着法などにより形成される。
Iのほか、Cr−Pt−Au5Cr−Pd −Au、C
r−N 1−Au、 Cr−Cu−N i−ハリ、0r
−Cu−AUなどがあり、またTi−AU系電極として
はTi−Auのほか、T i −Cu−Au、”ri−
pt−Au、Ti−Pd−Auなどがある。上記した電
極構成のうち、Tiまたはの範囲に抵抗加熱法、電子ビ
ーム蒸着法などにより形成される。
しかしながら、上記したような酸化亜鉛薄膜の電極構造
では次のような欠点が見られた。つまり、第1層電極の
Ti、Crが高い親和性を示すため、酸化亜鉛薄膜中に
TiまたはOrが拡散するか、酸化亜鉛から酸素を奪い
、酸化亜鉛薄膜の電気的特性、たとえば振動周波数を大
きく変化さけるという現象が認められた。また高温負荷
寿命試験を行うと、さらに上記した現象が促進され、電
気的特性の劣化が一層大きなものとなった。
では次のような欠点が見られた。つまり、第1層電極の
Ti、Crが高い親和性を示すため、酸化亜鉛薄膜中に
TiまたはOrが拡散するか、酸化亜鉛から酸素を奪い
、酸化亜鉛薄膜の電気的特性、たとえば振動周波数を大
きく変化さけるという現象が認められた。また高温負荷
寿命試験を行うと、さらに上記した現象が促進され、電
気的特性の劣化が一層大きなものとなった。
したがって、酸化亜鉛薄膜を形成づるに当っては、電極
を含めた構成全体について考慮する必要があり、従来の
電極構成にさらに改良を施ざなければならなかった。
を含めた構成全体について考慮する必要があり、従来の
電極構成にさらに改良を施ざなければならなかった。
この発明はかかる背景からなされたものであり、安定な
特性を示づ酸化亜鉛簿膜の電極構造を提供覆ることを目
的とする。
特性を示づ酸化亜鉛簿膜の電極構造を提供覆ることを目
的とする。
以下この発明を実施例にもとづいて詳細に説明する。
第3図はこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を音
叉振動子に適用した例を承り側面図である。
叉振動子に適用した例を承り側面図である。
11は]−リンパなどからなる金属音叉、12は酸化亜
鉛薄膜、13はV2O3層、14は0r−Au系電極ま
たはTi−Auu系電極ある。このうち\1203層1
3は電子ビーム法、スパッタリング法、イオンビーム法
、抵抗加熱蒸着法などによって形成される。
鉛薄膜、13はV2O3層、14は0r−Au系電極ま
たはTi−Auu系電極ある。このうち\1203層1
3は電子ビーム法、スパッタリング法、イオンビーム法
、抵抗加熱蒸着法などによって形成される。
第4図は屈曲振動モードの音片振動子にこの発明にかか
る酸化亜鉛@膜の電極構造を適用した例を示した斜視図
である。
る酸化亜鉛@膜の電極構造を適用した例を示した斜視図
である。
図におい“(,21は振動子本体を示し、振動子22と
これを支持部24で支持している枠体23から構成され
Cいる。25は酸化亜鉛薄膜て振動子22の表面に形成
されている。26は酸化亜鉛IN!25の上に形成され
た\/203層、27ハV2O3!1126(7)上ニ
形成されたC r −A u系電極または1−i −A
u系電極である。
これを支持部24で支持している枠体23から構成され
Cいる。25は酸化亜鉛薄膜て振動子22の表面に形成
されている。26は酸化亜鉛IN!25の上に形成され
た\/203層、27ハV2O3!1126(7)上ニ
形成されたC r −A u系電極または1−i −A
u系電極である。
第5図は同じくこの発明を他の屈曲振動モードの振動子
に適用した例の側面図である。
に適用した例の側面図である。
図において、31はセラミクス、プラスチック、ゴムな
どの基板、この基板31表面には、0r−Au系電極ま
たはl’1−ALJ系電極電極322O3層33、酸化
亜鉛薄膜34、V20a1M35、およびCr−Au系
電極またはTi−Au系%4136が順次形成されてい
る。
どの基板、この基板31表面には、0r−Au系電極ま
たはl’1−ALJ系電極電極322O3層33、酸化
亜鉛薄膜34、V20a1M35、およびCr−Au系
電極またはTi−Au系%4136が順次形成されてい
る。
第6図は同じくこの発明を拡がり振動モードの振動子に
適用した例を示す側面図ぐある。
適用した例を示す側面図ぐある。
図において、41は酸化亜鉛薄膜、42は酸化亜鉛薄膜
41の両面に形成されたV203層、43はV2O3層
42の上に形成された0r=AU系電極またはTi−A
u系電極である。
41の両面に形成されたV203層、43はV2O3層
42の上に形成された0r=AU系電極またはTi−A
u系電極である。
第7図は同じくこの発明を厚み振動モードの振動子に適
用した例を示す側面図である。
用した例を示す側面図である。
図において、51はSi、5i02などからなる基板、
基板51の上にはCr −A LJ系電極またはTi−
Au系電極52、V203層53が順次形成されている
。ざらにV20G層53の上には酸化亜鉛薄g54が形
成されている。この酸化亜鉛薄膜54が形成されている
位置に相当する基板51には空部51aが形成されてい
る。酸化亜鉛薄膜54の上にはV2O3層55、および
Cr−Au系電極またはTi−Au系電極56が順次積
層して形成されている。
基板51の上にはCr −A LJ系電極またはTi−
Au系電極52、V203層53が順次形成されている
。ざらにV20G層53の上には酸化亜鉛薄g54が形
成されている。この酸化亜鉛薄膜54が形成されている
位置に相当する基板51には空部51aが形成されてい
る。酸化亜鉛薄膜54の上にはV2O3層55、および
Cr−Au系電極またはTi−Au系電極56が順次積
層して形成されている。
次に具体的な実施例として、第3図に示した音叉振動子
についてこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適
用した例を説明する。
についてこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適
用した例を説明する。
第3図を参照して説明1れば、振動子11の上にスパッ
タリング法により酸化亜鉛薄膜12を形成し、その上に
V2O3層13を抵抗加熱法により250△の厚みで形
成し、さらにその上にTiが300A、Auが3000
Aの厚みからなるTi−Au系電極14を電子ビーム法
により形成した。このようにして振動周波数32K H
Zの振動子を作成した。
タリング法により酸化亜鉛薄膜12を形成し、その上に
V2O3層13を抵抗加熱法により250△の厚みで形
成し、さらにその上にTiが300A、Auが3000
Aの厚みからなるTi−Au系電極14を電子ビーム法
により形成した。このようにして振動周波数32K H
Zの振動子を作成した。
この振動子に直流電圧20Vを印加し、100℃の温度
に10000時間放置した。このときの振動周波数の経
時変化特性を試料数20個について測定したところ第8
図に示すような結果が得られた。図中実線はこの実施例
によるものである。また破線は従来例のTi−Au系電
極のみからなるものについて、同様にして測定した結果
を示したものである。この撮動周波数の経時変化特性(
ΔF/Fo)は次式より求めた。
に10000時間放置した。このときの振動周波数の経
時変化特性を試料数20個について測定したところ第8
図に示すような結果が得られた。図中実線はこの実施例
によるものである。また破線は従来例のTi−Au系電
極のみからなるものについて、同様にして測定した結果
を示したものである。この撮動周波数の経時変化特性(
ΔF/Fo)は次式より求めた。
(Ro )についてもそれぞれ同様に測定し、その結果
を第9図、第10図にそれぞれ示した。なお、IRにつ
いては測定電圧10Vにで測定した値Cある。
を第9図、第10図にそれぞれ示した。なお、IRにつ
いては測定電圧10Vにで測定した値Cある。
第8図〜第10図から明らかなように、この発明にがか
るbのは、振動周波数、IRについては従来例にくらべ
て経時変化が小さく、Roについては従来例にくらべて
小さな値を示している。
るbのは、振動周波数、IRについては従来例にくらべ
て経時変化が小さく、Roについては従来例にくらべて
小さな値を示している。
ここでTR,、Roを測定したのは次のような理由によ
る。
る。
まず、酸化亜鉛薄膜についでその等節回路を示せば第1
1図のようになる。図中、C(lは並列容量を示し、酸
化亜鉛薄膜をコンデン1)として考えた場合の静電容量
に近い値である。ROは直列共振抵抗、Coは等価容量
、Loは等価インダクタンスである。またIRは酸化亜
鉛薄膜の絶縁抵抗である。
1図のようになる。図中、C(lは並列容量を示し、酸
化亜鉛薄膜をコンデン1)として考えた場合の静電容量
に近い値である。ROは直列共振抵抗、Coは等価容量
、Loは等価インダクタンスである。またIRは酸化亜
鉛薄膜の絶縁抵抗である。
ここで、酸化亜鉛薄膜のIRは+−r電休と体ての特性
を備える上で高い値を承りことが必要とされることから
、IRの劣化が生じることは不都合なこととされている
。ところが、第9図から明らかなように、この発明の実
施例によれば、従来のものにくらべてIRの低下が小さ
くなっ−CiJ5す、実用上有用な酸化亜鉛薄膜の電極
構造であると云える。
を備える上で高い値を承りことが必要とされることから
、IRの劣化が生じることは不都合なこととされている
。ところが、第9図から明らかなように、この発明の実
施例によれば、従来のものにくらべてIRの低下が小さ
くなっ−CiJ5す、実用上有用な酸化亜鉛薄膜の電極
構造であると云える。
また、この発明の実施例によれば、Roは小さな値を示
している。このRoは第12図に示したインピーダンス
と周波数の関係から、直列共振周波数(、to)に対応
し、このRoが大きくなれば発振に大きな増幅度が必要
となり、発成条件め低下をもたらすことになることが伺
える。したがってRoの値の小さなこの発明のものによ
ればかかる問題がなく、高温負荷の条件においても実用
上十分な特性を示1ものであると理解づることができる
。なお、0r−AU系電極についてこの発明を適用して
も同様の効果が得られることを確認した。
している。このRoは第12図に示したインピーダンス
と周波数の関係から、直列共振周波数(、to)に対応
し、このRoが大きくなれば発振に大きな増幅度が必要
となり、発成条件め低下をもたらすことになることが伺
える。したがってRoの値の小さなこの発明のものによ
ればかかる問題がなく、高温負荷の条件においても実用
上十分な特性を示1ものであると理解づることができる
。なお、0r−AU系電極についてこの発明を適用して
も同様の効果が得られることを確認した。
以上この発明によれば、酸化亜鉛薄膜と0r−Au系電
極またはTi−Au系電極との間にOr、Tiの拡散防
1層としてV203層を介−在させたものであり、従来
のものにくらべて実用上十分な特性を示′?1wi化亜
鉛薄膜を提供することができる。
極またはTi−Au系電極との間にOr、Tiの拡散防
1層としてV203層を介−在させたものであり、従来
のものにくらべて実用上十分な特性を示′?1wi化亜
鉛薄膜を提供することができる。
特にこの発明によれば、高温負荷寿命試験に対して振動
周波数、I Rの変化が小さく、またRoの値の増大も
ないなど信頼性の高い酸化並鉛薄膜が得られる。
周波数、I Rの変化が小さく、またRoの値の増大も
ないなど信頼性の高い酸化並鉛薄膜が得られる。
第1図は音叉振動子の一例を示づ側面図、第2図は第1
図における電極部分の部分拡大図、第3図は音叉振動子
にこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した
例を示す側面図、第4図は音片振動子にこの発明にかか
る酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例の斜視図、第5
図〜第7図は同じくこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電
極構造を各振動子に適用した例の側面図、第8図はこの
発明の具体的実施例にもとづく振ll]周波数の経時変
化特性図、第9図は同じ<IRの経時変化特性図、第1
0図は同じ<Roの経時変化特性図、第11図は酸化亜
鉛薄膜の等両回略図、第12図はインピーダンスと周波
数の関係特性図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・酸化亜鉛薄膜
、13・・・・・・v203層、14−・−=−Cr
−A u光電極またL;L−ri−AU系電極。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 @/m %2図 第 5 図 第1= 図 第7図
図における電極部分の部分拡大図、第3図は音叉振動子
にこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した
例を示す側面図、第4図は音片振動子にこの発明にかか
る酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例の斜視図、第5
図〜第7図は同じくこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電
極構造を各振動子に適用した例の側面図、第8図はこの
発明の具体的実施例にもとづく振ll]周波数の経時変
化特性図、第9図は同じ<IRの経時変化特性図、第1
0図は同じ<Roの経時変化特性図、第11図は酸化亜
鉛薄膜の等両回略図、第12図はインピーダンスと周波
数の関係特性図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・酸化亜鉛薄膜
、13・・・・・・v203層、14−・−=−Cr
−A u光電極またL;L−ri−AU系電極。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 @/m %2図 第 5 図 第1= 図 第7図
Claims (1)
- 酸化亜鉛薄膜表面とCr −A u系電極またはTt−
Au系電極との間にV2O;〕層を介在させたことを特
徴とする酸化亜鉛薄膜の電極構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57114441A JPS595716A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57114441A JPS595716A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS595716A true JPS595716A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=14637808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57114441A Pending JPS595716A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS595716A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04241188A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-28 | Ichihide Seishi Kojo:Kk | 模様紙製造方法及び装置 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57114441A patent/JPS595716A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04241188A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-28 | Ichihide Seishi Kojo:Kk | 模様紙製造方法及び装置 |
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