JPH0115207B2 - - Google Patents
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- JPH0115207B2 JPH0115207B2 JP11444782A JP11444782A JPH0115207B2 JP H0115207 B2 JPH0115207 B2 JP H0115207B2 JP 11444782 A JP11444782 A JP 11444782A JP 11444782 A JP11444782 A JP 11444782A JP H0115207 B2 JPH0115207 B2 JP H0115207B2
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- thin film
- oxide thin
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- electrode
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical class [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は安定な特性を示す酸化亜鉛薄膜の電
極構造に関する。
極構造に関する。
酸化亜鉛薄膜は弾性表面波装置、音叉振動子、
音片振動子などの圧電体として使用されている。
この酸化亜鉛薄膜の使用例を音叉振動子にもとづ
いて説明する。
音片振動子などの圧電体として使用されている。
この酸化亜鉛薄膜の使用例を音叉振動子にもとづ
いて説明する。
第1図は音叉振動子の一例を示す側面図であ
る。
る。
図において、1は音叉振動子の本体、2,3は
この本体1の脚部を示し、脚部2,3の側壁2
a,3aには酸化亜鉛薄膜4,5が形成されてい
る。この酸化亜鉛薄膜4,5は真空蒸着法、スパ
ツタリング法、イオンプレーテイング法などによ
り形成される。6,7は酸化亜鉛薄膜4,5の上
に形成されたAl電極を示す。
この本体1の脚部を示し、脚部2,3の側壁2
a,3aには酸化亜鉛薄膜4,5が形成されてい
る。この酸化亜鉛薄膜4,5は真空蒸着法、スパ
ツタリング法、イオンプレーテイング法などによ
り形成される。6,7は酸化亜鉛薄膜4,5の上
に形成されたAl電極を示す。
このAl電極6,7は安価でボンデイングがで
きることから選ばれたもので、電子ビーム蒸着法
などにより3000〜10000Åの膜厚の範囲で形成さ
れる。
きることから選ばれたもので、電子ビーム蒸着法
などにより3000〜10000Åの膜厚の範囲で形成さ
れる。
しかしながら、上記したような酸化亜鉛薄膜の
電極構造では次のような欠点が見られる。つま
り、Al電極そのものが高い親和性を示すため、
酸化亜鉛薄膜中にAlが拡散し、電気的特性が劣
化するという欠点がある。すなわち、2価の半導
体である酸化亜鉛に3価であるAlが拡散するこ
とによつて酸化亜鉛薄膜の電気的特性、たとえば
振動周波数を大きく変化させるという現象が認め
られた。また高温負荷寿命試験を行うと、さらに
上記した現象が促進され、電気的特性の劣化が一
層大きなものとなつた。
電極構造では次のような欠点が見られる。つま
り、Al電極そのものが高い親和性を示すため、
酸化亜鉛薄膜中にAlが拡散し、電気的特性が劣
化するという欠点がある。すなわち、2価の半導
体である酸化亜鉛に3価であるAlが拡散するこ
とによつて酸化亜鉛薄膜の電気的特性、たとえば
振動周波数を大きく変化させるという現象が認め
られた。また高温負荷寿命試験を行うと、さらに
上記した現象が促進され、電気的特性の劣化が一
層大きなものとなつた。
したがつて、酸化亜鉛薄膜を形成するに当つて
は、電極を含めた構成全体について考慮する必要
があり、従来の電極構成にさらに改良を施さなけ
ればならなかつた。
は、電極を含めた構成全体について考慮する必要
があり、従来の電極構成にさらに改良を施さなけ
ればならなかつた。
この発明はかかる背景からなされたものであ
り、安定な特性を示す酸化亜鉛薄膜の電極構造を
提供することを目的とする。
り、安定な特性を示す酸化亜鉛薄膜の電極構造を
提供することを目的とする。
以下この発明を実施例にもとづいて詳細に説明
する。
する。
第2図はこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極
構造を音叉振動子に適用した例を示す側面図であ
る。
構造を音叉振動子に適用した例を示す側面図であ
る。
11はエリンバなどからなる金属音叉、12は
酸化亜鉛薄膜、13はTa層、14は電極である。
このうちTa層は13電子ビーム法、スパツタリ
ング法、イオンビーム法、抵抗加熱蒸着法などに
よつて形成される。
酸化亜鉛薄膜、13はTa層、14は電極である。
このうちTa層は13電子ビーム法、スパツタリ
ング法、イオンビーム法、抵抗加熱蒸着法などに
よつて形成される。
第3図は屈曲振動モードの音片振動子にこの発
明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例
を示した斜視図である。
明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例
を示した斜視図である。
図において、21は振動子本体を示し、振動子
22とこれを支持部24で支持している枠体23
から構成されている。25は酸化亜鉛薄膜で振動
子22の表面に形成されている。26は酸化亜鉛
薄膜25の上に形成されたTa層、27はTa層2
6の上に形成されたAl電極である。
22とこれを支持部24で支持している枠体23
から構成されている。25は酸化亜鉛薄膜で振動
子22の表面に形成されている。26は酸化亜鉛
薄膜25の上に形成されたTa層、27はTa層2
6の上に形成されたAl電極である。
第4図は同じくこの発明を他の屈曲振動モード
の振動子に適用した例の側面図である。
の振動子に適用した例の側面図である。
図において、31はセラミクス、プラスチツ
ク、ゴムなどの基板、この基板31表面には、
Al電極32、Ta層33、酸化亜鉛薄膜34、Ta
層35、およびAl電極36が順次形成されてい
る。
ク、ゴムなどの基板、この基板31表面には、
Al電極32、Ta層33、酸化亜鉛薄膜34、Ta
層35、およびAl電極36が順次形成されてい
る。
第5図は同じくこの発明を拡がり振動モードの
振動子に適用した例を示す側面図である。
振動子に適用した例を示す側面図である。
図において、41は酸化亜鉛薄膜、42は酸化
亜鉛薄膜41の両面に形成されたTa層、43は
Ta層42の上に形成されたAl電極である。
亜鉛薄膜41の両面に形成されたTa層、43は
Ta層42の上に形成されたAl電極である。
第6図は同じくこの発明を厚み振動モードの振
動子に適用した例を示す側面図である。
動子に適用した例を示す側面図である。
図において、51はSi、SiO2などからなる基
板、基板51の上にはAl電極52、Ta層53が
順次形成されている。さらにTa層53の上には
酸化亜鉛薄膜54が形成されている。この酸化亜
鉛薄膜54が形成されている位置に相当する基板
51には空部51aが形成されている。酸化亜鉛
薄膜54の上にはTa層55、およびAl電極56
が順次積層して形成されている。
板、基板51の上にはAl電極52、Ta層53が
順次形成されている。さらにTa層53の上には
酸化亜鉛薄膜54が形成されている。この酸化亜
鉛薄膜54が形成されている位置に相当する基板
51には空部51aが形成されている。酸化亜鉛
薄膜54の上にはTa層55、およびAl電極56
が順次積層して形成されている。
次に具体的な実施例として、第2図に示した音
叉振動子についてこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜
の電極構造を適用した例を説明する。
叉振動子についてこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜
の電極構造を適用した例を説明する。
第2図を参照して説明すれば、振動子11の上
にスパツタリング法により酸化亜鉛薄膜12を形
成し、その上にTa層13を電子ビームにより150
Åの厚みに形成し、さらにその上に厚みが1μか
らなるAl電極14を電子ビーム法により形成し
た。このようにして振動周波数32KHzの振動子を
作成した。
にスパツタリング法により酸化亜鉛薄膜12を形
成し、その上にTa層13を電子ビームにより150
Åの厚みに形成し、さらにその上に厚みが1μか
らなるAl電極14を電子ビーム法により形成し
た。このようにして振動周波数32KHzの振動子を
作成した。
この振動子に直流電圧20Vを印加し、120℃の
温度に10000時間放置した。このときの振動周波
数の経時変化特性を試料数20個について測定した
ところ第7図に示すような結果が得られた。図中
実線はこの実施例によるものである。また破線は
従来例のAl電極のみからなるものについて、同
様にして測定した結果を示したものである。この
振動周波数の経時変化特性(ΔF/Fo)は次式よ
り求めた。
温度に10000時間放置した。このときの振動周波
数の経時変化特性を試料数20個について測定した
ところ第7図に示すような結果が得られた。図中
実線はこの実施例によるものである。また破線は
従来例のAl電極のみからなるものについて、同
様にして測定した結果を示したものである。この
振動周波数の経時変化特性(ΔF/Fo)は次式よ
り求めた。
ΔF/Fo=振動周波数の経時変化値−振
動周波数の初期値/振動周波数の初期値(ppm) また、直列共振抵抗(Ro)および並列共振抵
抗(Ra)についてもそれぞれ同様に測定し、そ
の結果を第8図、第9図にそれぞれ示した。
動周波数の初期値/振動周波数の初期値(ppm) また、直列共振抵抗(Ro)および並列共振抵
抗(Ra)についてもそれぞれ同様に測定し、そ
の結果を第8図、第9図にそれぞれ示した。
第7図〜第9図から明らかなように、この発明
にかかるものは、従来例にくらべて、振動周波数
の経時変化が小さく、またRoの経時変化が小さ
く、さらにRaの経時変化も小さいなどの効果が
得られている。
にかかるものは、従来例にくらべて、振動周波数
の経時変化が小さく、またRoの経時変化が小さ
く、さらにRaの経時変化も小さいなどの効果が
得られている。
ここで、Ro、Raを測定したのは次のような理
由による。
由による。
まず、酸化亜鉛薄膜についてその等価回路を示
せば第10図のようになる。図中、Cdは並列容
量を示し、酸化亜鉛薄膜をコンデンサとして考え
た場合の静電容量に近い値である。Roは直列共
振抵抗、Coは等価容量、Loは等価インダクタン
スである。
せば第10図のようになる。図中、Cdは並列容
量を示し、酸化亜鉛薄膜をコンデンサとして考え
た場合の静電容量に近い値である。Roは直列共
振抵抗、Coは等価容量、Loは等価インダクタン
スである。
またRaは近似的に次式より求められるもので
ある。
ある。
Roは第11図に示したインピーダンスと周波
数の関係から、直列共振周波数(o)に対応し、
このRoが大きくなれば発振に大きな増幅度が必
要となり、発振条件の低下をもたらすことになる
ことが伺える。
数の関係から、直列共振周波数(o)に対応し、
このRoが大きくなれば発振に大きな増幅度が必
要となり、発振条件の低下をもたらすことになる
ことが伺える。
またRaは同じく第11図に示したインピーダ
ンスと周波数の関係から、反共振周波数(a)
に対応し、このRaが小さくなれば発振に十分な
位相変化がとれず、これもまた発振条件の低下を
もたらすことになる。
ンスと周波数の関係から、反共振周波数(a)
に対応し、このRaが小さくなれば発振に十分な
位相変化がとれず、これもまた発振条件の低下を
もたらすことになる。
第8図、第9図から明らかなように、この発明
の実施例によれば、従来例のAl電極のものにく
らべ、Ro、Raの経時変化が小さく、このことか
らこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造は安
定な電気的特性を有するとともに、高温負荷寿命
試験に対しても安定した特性を示すものであると
理解することができ、安定した発振を期待するこ
とができるか否かの目安とする。
の実施例によれば、従来例のAl電極のものにく
らべ、Ro、Raの経時変化が小さく、このことか
らこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造は安
定な電気的特性を有するとともに、高温負荷寿命
試験に対しても安定した特性を示すものであると
理解することができ、安定した発振を期待するこ
とができるか否かの目安とする。
以上この発明によれば、酸化亜鉛薄膜とAl電
極との間にAlの拡散防止層としてTa層を介在さ
せたものであり、従来のものにくらべて実用上十
分な特性を示す酸化亜鉛薄膜を提供することがで
きる。特にこの発明によれば、高温負荷寿命試験
に対してRo、Raの変化が小さく、周波数変化が
少ないなど信頼性の高い酸化亜鉛薄膜が得られ
る。
極との間にAlの拡散防止層としてTa層を介在さ
せたものであり、従来のものにくらべて実用上十
分な特性を示す酸化亜鉛薄膜を提供することがで
きる。特にこの発明によれば、高温負荷寿命試験
に対してRo、Raの変化が小さく、周波数変化が
少ないなど信頼性の高い酸化亜鉛薄膜が得られ
る。
第1図は音叉振動子の一例を示す側面図、第2
図は音叉振動子にこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜
の電極構造を適用した例を示す側面図、第3図は
音片振動子にこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電
極構造を適用した例の斜視図、第4図〜第6図は
同じくこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造
を各振動子に適用した例の側面図、第7図はこの
発明の具体的実施例にもとづく振動周波数の経時
変化特性図、第8図は同じくRoの経時変化特性
図、第9図は同じくRaの経時変化特性図、第1
0図は酸化亜鉛薄膜の等価回路図、第11図はイ
ンピーダンスと周波数の関係特性図である。 11……基板、12……酸化亜鉛薄膜、13…
…Ta層、14……Al電極。
図は音叉振動子にこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜
の電極構造を適用した例を示す側面図、第3図は
音片振動子にこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電
極構造を適用した例の斜視図、第4図〜第6図は
同じくこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造
を各振動子に適用した例の側面図、第7図はこの
発明の具体的実施例にもとづく振動周波数の経時
変化特性図、第8図は同じくRoの経時変化特性
図、第9図は同じくRaの経時変化特性図、第1
0図は酸化亜鉛薄膜の等価回路図、第11図はイ
ンピーダンスと周波数の関係特性図である。 11……基板、12……酸化亜鉛薄膜、13…
…Ta層、14……Al電極。
Claims (1)
- 1 酸化亜鉛薄膜表面とAl電極との間にTa層を
介在させたことを特徴とする酸化亜鉛薄膜の電極
構造。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11444782A JPS595722A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
US06/509,028 US4445066A (en) | 1982-06-30 | 1983-06-29 | Electrode structure for a zinc oxide thin film transducer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11444782A JPS595722A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS595722A JPS595722A (ja) | 1984-01-12 |
JPH0115207B2 true JPH0115207B2 (ja) | 1989-03-16 |
Family
ID=14637956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11444782A Granted JPS595722A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS595722A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3339350B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2002-10-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
KR100685952B1 (ko) | 2002-03-19 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자용 기판, 액정표시소자 및 그 제조방법 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11444782A patent/JPS595722A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS595722A (ja) | 1984-01-12 |
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