JPS595717A - 酸化亜鉛薄膜の電極構造 - Google Patents
酸化亜鉛薄膜の電極構造Info
- Publication number
- JPS595717A JPS595717A JP11444282A JP11444282A JPS595717A JP S595717 A JPS595717 A JP S595717A JP 11444282 A JP11444282 A JP 11444282A JP 11444282 A JP11444282 A JP 11444282A JP S595717 A JPS595717 A JP S595717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- thin film
- electrode
- oxide thin
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 92
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 210000002751 lymph Anatomy 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は安定な特性を示ず酸化亜鉛薄膜の電極構造に
関する。
関する。
酸化亜鉛薄膜は弾性表面波装置、音叉振動子、音片振動
子などの圧電体として使用されている。
子などの圧電体として使用されている。
この酸化亜鉛薄膜の使用例を音叉振動子にもとづいて説
明する。
明する。
第1図は音叉振動子の一例を示す側面図である。
図において、1は音叉振動子の本体、2.3はこの本体
1の脚部を示し、脚部2.3の側壁2a 。
1の脚部を示し、脚部2.3の側壁2a 。
3aには酸化亜鉛薄膜4.5が形成されている。
この酸化亜鉛薄膜4.5は真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンブレーティング法などにより形成される。6
.7″Gま酸化亜鉛薄膜4.5の上に形成されたCr−
Au系またはTi −Al1系からなる電極を示す。
法、イオンブレーティング法などにより形成される。6
.7″Gま酸化亜鉛薄膜4.5の上に形成されたCr−
Au系またはTi −Al1系からなる電極を示す。
この電極6.7は第2図にその詳細な構造を示すように
、第1層電極8としてCrまたはTi1第2層電極9と
してAUからなるものが用いられていた。ここで(::
r、Tiは密着性を向上させるためのものであり、また
Auはワイヤボンディングや半田付けができるように選
ばれたものである。
、第1層電極8としてCrまたはTi1第2層電極9と
してAUからなるものが用いられていた。ここで(::
r、Tiは密着性を向上させるためのものであり、また
Auはワイヤボンディングや半田付けができるように選
ばれたものである。
図示したほか、Cr−Au系電極としてはCr−AUの
ほか、Cr−Pt−Au、Cr−Pd−Au、0r−N
1−Au、Cr−Cu−N i −Au1Cr−Cu
−Auなどがあり、またT i −AU系電極としては
Ti−Auのほか、T + −cu−Au、Tt−Pt
−Au、T 1−Pd−Auなどがある。上記し1=電
極構成のうち、「iまたはCrは200〜500A 、
A uは3000〜5000Aの膜厚の範囲に抵抗加
熱法、電子ビーム蒸着法などにより形成される。
ほか、Cr−Pt−Au、Cr−Pd−Au、0r−N
1−Au、Cr−Cu−N i −Au1Cr−Cu
−Auなどがあり、またT i −AU系電極としては
Ti−Auのほか、T + −cu−Au、Tt−Pt
−Au、T 1−Pd−Auなどがある。上記し1=電
極構成のうち、「iまたはCrは200〜500A 、
A uは3000〜5000Aの膜厚の範囲に抵抗加
熱法、電子ビーム蒸着法などにより形成される。
しかしながら、上記したような酸化亜鉛薄膜の電極構造
では次のような欠点が見られた。つまり、第1層電極の
Ti、Orが高い親和性を示すため、酸化亜鉛薄膜中に
TiまたはOrが拡散でるか、酸化亜鉛から酸素を奪い
、酸化亜鉛薄膜の電気的特性、たとえば振動周波数を大
きく変化させるという現象が認められた。また高温負荷
寿命試験を行うと、さらに上記した現象が促進され、電
気的特性の劣化が一層大きなものとなった。
では次のような欠点が見られた。つまり、第1層電極の
Ti、Orが高い親和性を示すため、酸化亜鉛薄膜中に
TiまたはOrが拡散でるか、酸化亜鉛から酸素を奪い
、酸化亜鉛薄膜の電気的特性、たとえば振動周波数を大
きく変化させるという現象が認められた。また高温負荷
寿命試験を行うと、さらに上記した現象が促進され、電
気的特性の劣化が一層大きなものとなった。
したがって、酸化亜鉛薄膜を形成覆るに当っては、電極
を含めた構成全体について考慮する必要があり、従来の
電極構成にさらに改良を施さなければならなかった。
を含めた構成全体について考慮する必要があり、従来の
電極構成にさらに改良を施さなければならなかった。
この発明はかかる背景からなされたものであり、安定な
特性を示す酸化亜鉛薄膜の電極構造を提供することを目
的とする。
特性を示す酸化亜鉛薄膜の電極構造を提供することを目
的とする。
以下この発明を実施例にもとづいて詳細に説明する。
第3図はこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を音
叉振動子に適用した例を示す側面図である。
叉振動子に適用した例を示す側面図である。
11はTリンパなどからなる金属音叉、12は酸化亜鉛
薄膜、13はTa層、14はCr−Au系電極またはT
i−Au系電極である。このうち18層13は電子ビー
ム法、スパッタリング法、イオンビーム法、抵抗加熱蒸
着法などによって形成される。
薄膜、13はTa層、14はCr−Au系電極またはT
i−Au系電極である。このうち18層13は電子ビー
ム法、スパッタリング法、イオンビーム法、抵抗加熱蒸
着法などによって形成される。
第4図は屈曲振動モードの音片振動子にこの発明にかか
る酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例 。
る酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例 。
を示した斜視図である。
図において、21は振動子本体を示し、振動子22とこ
れを支持部24で支持している枠体23から構成されて
いる。25は酸化亜鉛薄膜で振動子22の表面に形成さ
れている。26は酸化亜鉛薄膜25の上に形成されたT
a層、27は18層26の上に形成された0r−ALJ
系電極電極はTi−Au系電極である。
れを支持部24で支持している枠体23から構成されて
いる。25は酸化亜鉛薄膜で振動子22の表面に形成さ
れている。26は酸化亜鉛薄膜25の上に形成されたT
a層、27は18層26の上に形成された0r−ALJ
系電極電極はTi−Au系電極である。
第5図は同じくこの発明を他の屈曲振動モードの振動子
に適用した例の側面図である。
に適用した例の側面図である。
図において、31はセラミクス、プラスチック、ゴムな
どの基板、この基板31表面には、Cr−Au系電極ま
たはT r−Au系電極32.Ta層33、酸化亜鉛薄
膜34.18層35、および0r−Au系電極またはT
i−Au系電極36が順次形成されている。
どの基板、この基板31表面には、Cr−Au系電極ま
たはT r−Au系電極32.Ta層33、酸化亜鉛薄
膜34.18層35、および0r−Au系電極またはT
i−Au系電極36が順次形成されている。
第6図は同じくこの発明を拡がり振動モードの振動子に
適用した例を示づ側面図である。
適用した例を示づ側面図である。
図において、41は酸化亜鉛薄膜、42は酸化亜鉛薄膜
41の両面に形成されたTa層、43はTa層42の上
に形成されたCr−Au系電極またはTi−AIJ系電
極電極る。
41の両面に形成されたTa層、43はTa層42の上
に形成されたCr−Au系電極またはTi−AIJ系電
極電極る。
第7図は同じくこの発明を厚み振動モードの振動子に適
用した例を示す側面図である。
用した例を示す側面図である。
図において、51はSi、5i02などからなる基板、
基板51の上には0r−Au系電極またはTi−Au系
電極52.1−alFj53が順次形成されている。さ
らにTa層53の上には酸化亜鉛薄膜54が形成されて
いる。この酸化亜鉛薄膜54が形成されている位置に相
当する基板51には空部51aが形成されている。酸化
亜鉛薄11i54の上にはla層55、および0r−A
u系電極またはTi−Au系電極56が順次積層して形
成されている。
基板51の上には0r−Au系電極またはTi−Au系
電極52.1−alFj53が順次形成されている。さ
らにTa層53の上には酸化亜鉛薄膜54が形成されて
いる。この酸化亜鉛薄膜54が形成されている位置に相
当する基板51には空部51aが形成されている。酸化
亜鉛薄11i54の上にはla層55、および0r−A
u系電極またはTi−Au系電極56が順次積層して形
成されている。
次に具体的な実施例とし′C1第3図に示した音叉撮動
子につい−てこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造
を適用した例を説明する。
子につい−てこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造
を適用した例を説明する。
第3図を参照しt′説明すれば、振動子11の上にスパ
ッタリング法により酸化亜鉛薄膜12を形成し、その上
に18層13を電子ビーム法により 100人の厚みで
形成し、さらにその上にT1が300A、AUが300
0Aの厚みからなるTi−Au系電極14を電子ビーム
法により形成した。このようにして振動周波数32K
Hzの振動子を作成した。
ッタリング法により酸化亜鉛薄膜12を形成し、その上
に18層13を電子ビーム法により 100人の厚みで
形成し、さらにその上にT1が300A、AUが300
0Aの厚みからなるTi−Au系電極14を電子ビーム
法により形成した。このようにして振動周波数32K
Hzの振動子を作成した。
この振動子に直流電圧20Vを印加し、100℃の温度
に 10000時間放置した。このときの振動周波数の
経時変化特性を試料数20個について測定したところ第
8図に示ずような結果が得られた。図中実線はこの実施
例によるものである。また破線は従来例のTi−Au系
電極のみからなるものについて、同様にして測定した結
果を示したものである。この振動嬰波数の経時変化特性
(△F/Fo)また、絶縁抵抗(IR)および直列共振
抵抗(Ro )についてもそれぞれ同様に測定し、その
結果を第9図、第10図にそれぞれ示した。なお、IR
については測定電圧10Vにて測定した埴である。
に 10000時間放置した。このときの振動周波数の
経時変化特性を試料数20個について測定したところ第
8図に示ずような結果が得られた。図中実線はこの実施
例によるものである。また破線は従来例のTi−Au系
電極のみからなるものについて、同様にして測定した結
果を示したものである。この振動嬰波数の経時変化特性
(△F/Fo)また、絶縁抵抗(IR)および直列共振
抵抗(Ro )についてもそれぞれ同様に測定し、その
結果を第9図、第10図にそれぞれ示した。なお、IR
については測定電圧10Vにて測定した埴である。
第8図〜第10図から明らかなように、この発明にかか
るしのは、振動周波数、IRlおよびR。
るしのは、振動周波数、IRlおよびR。
のいずれも従来例にくらべて経時変化が小さくなってい
る。
る。
ここでIR,Roを測定したのは次のような理由による
。
。
まず、酸化亜鉛薄膜についてその等両回路を示せば第1
1図のようになる。図中、cdは並列容量を示し、酸化
亜鉛薄膜を]ンデン)lとして考えた場合の静電容量に
近い値ぐある。Roは直列共振抵抗、Coは等価容量、
Loは等価インダクタンスである。またIRは酸化亜鉛
薄膜の絶縁抵抗である。
1図のようになる。図中、cdは並列容量を示し、酸化
亜鉛薄膜を]ンデン)lとして考えた場合の静電容量に
近い値ぐある。Roは直列共振抵抗、Coは等価容量、
Loは等価インダクタンスである。またIRは酸化亜鉛
薄膜の絶縁抵抗である。
ここで、酸化亜鉛薄膜のIRは圧電体としての特性を備
える上で高い値を示すことが必要とされることから、I
Rの劣化が生じることは不都合なこととされている。と
ころが、第9図から明らかなように、この発明の実施例
によれば、従来のものにくらべてIRの低下が小さくな
っており、実用上有用な酸化亜鉛薄膜の電極構造である
と云える。
える上で高い値を示すことが必要とされることから、I
Rの劣化が生じることは不都合なこととされている。と
ころが、第9図から明らかなように、この発明の実施例
によれば、従来のものにくらべてIRの低下が小さくな
っており、実用上有用な酸化亜鉛薄膜の電極構造である
と云える。
また、この発明の実施例によれば、Roは変化幅が小さ
なものとなっているが、このRoは第12図に示したイ
ンピーダンスと周波数の関係から、直列共振周波数(j
o)に対応し、このRoが大きく変化ずれば、発振条件
の低下をもたらすことになることが伺える。したがって
Roの値の変化が小さいこの発明のものによればかかる
問題がなく、高温負荷の条件においても実用上十分な特
性を示づものであると理解することができる。
なものとなっているが、このRoは第12図に示したイ
ンピーダンスと周波数の関係から、直列共振周波数(j
o)に対応し、このRoが大きく変化ずれば、発振条件
の低下をもたらすことになることが伺える。したがって
Roの値の変化が小さいこの発明のものによればかかる
問題がなく、高温負荷の条件においても実用上十分な特
性を示づものであると理解することができる。
なお、0r−Au系電極についてこの発明を適用しても
同様の効果が得られることを確認し1〔。
同様の効果が得られることを確認し1〔。
以上この発明によれば、酸化亜鉛薄膜とCr−Au系電
極またはTi−Au系電極との間にOr、Tiの拡散防
止層としてTa層を介在させたものであり、従来のもの
にくらべて実用上十分な特性を示す酸化亜鉛跡I19を
提供することかできる。特にこの発明によれば、高温負
荷寿命試験に対して振動周波数、IRの変化が小さく、
またR oの値の変化も小さいなど信頼性の高い酸化亜
鉛薄膜が得られる。
極またはTi−Au系電極との間にOr、Tiの拡散防
止層としてTa層を介在させたものであり、従来のもの
にくらべて実用上十分な特性を示す酸化亜鉛跡I19を
提供することかできる。特にこの発明によれば、高温負
荷寿命試験に対して振動周波数、IRの変化が小さく、
またR oの値の変化も小さいなど信頼性の高い酸化亜
鉛薄膜が得られる。
第1図は音叉撮動子の一例を示1側面図、第2図は第1
図における電極部分の部分拡大図、第3図は音叉撮動子
にこの発明にかかる酸化亜鉛′Xg膜の電極構造を適用
した例を示す側面図、第4図は音片振動子にこの発明に
かかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例の斜視図、
第5図〜第7図は同じくこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜
の電極構造を各振動子に適用した例の側面図、第8図は
この発明の具体的実施例にもとづく振動周波数の経時変
化特性図、第9図は同じ<11の経時変化特性図、第1
0図は同じ<Roの経時変化特性図、第11図は酸化亜
鉛薄膜の等両回略図、第12図はインピーダンスと周波
数の関係特性図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・酸化亜鉛薄膜
、13・・・・・・Ta層、14・・・・・・Cr−A
u系電極またはTi−Au系電極。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 第5図 角う 乙 11B 輔7図 −83− 第110 %f?図 も 3Q Fh′Il数−
図における電極部分の部分拡大図、第3図は音叉撮動子
にこの発明にかかる酸化亜鉛′Xg膜の電極構造を適用
した例を示す側面図、第4図は音片振動子にこの発明に
かかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例の斜視図、
第5図〜第7図は同じくこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜
の電極構造を各振動子に適用した例の側面図、第8図は
この発明の具体的実施例にもとづく振動周波数の経時変
化特性図、第9図は同じ<11の経時変化特性図、第1
0図は同じ<Roの経時変化特性図、第11図は酸化亜
鉛薄膜の等両回略図、第12図はインピーダンスと周波
数の関係特性図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・酸化亜鉛薄膜
、13・・・・・・Ta層、14・・・・・・Cr−A
u系電極またはTi−Au系電極。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 第5図 角う 乙 11B 輔7図 −83− 第110 %f?図 も 3Q Fh′Il数−
Claims (1)
- 酸化亜鉛M膜表面と0r−AU系電極またはTi −A
U系電極との間にTa層を介在させたことを特徴とする
酸化亜鉛薄膜の電極構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11444282A JPS595717A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11444282A JPS595717A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS595717A true JPS595717A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=14637834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11444282A Pending JPS595717A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS595717A (ja) |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11444282A patent/JPS595717A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6239536B1 (en) | Encapsulated thin-film resonator and fabrication method | |
US7105880B2 (en) | Electronic device and method of fabricating the same | |
JP3411908B2 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
US6826815B2 (en) | Method for manufacturing a surface acoustic wave device | |
JPH0158890B2 (ja) | ||
JPH07105688B2 (ja) | 圧電振動部品 | |
JP2005142629A (ja) | 弾性表面波素子およびその製造方法 | |
US6483224B1 (en) | Surface acoustic wave device and method of producing the same | |
JPS595717A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 | |
US4065734A (en) | Elastic surface wave devices | |
US20210313956A1 (en) | Piezoelectric resonator unit and method of manufacturing the same | |
JPS595719A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 | |
JPS595718A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 | |
JPH0115207B2 (ja) | ||
JPS595716A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 | |
JPH0115209B2 (ja) | ||
JPH0115208B2 (ja) | ||
JPH0115210B2 (ja) | ||
JPH0115211B2 (ja) | ||
US4697116A (en) | Piezoelectric vibrator | |
JPH0115206B2 (ja) | ||
JPS63316912A (ja) | 圧電振動子 | |
JPH07226642A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JP2001044785A (ja) | 圧電振動子 | |
JPH08228398A (ja) | 横波トランスデューサ |