JPS5954313A - 相互コンダクタンス素子回路 - Google Patents

相互コンダクタンス素子回路

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JPS5954313A
JPS5954313A JP58150403A JP15040383A JPS5954313A JP S5954313 A JPS5954313 A JP S5954313A JP 58150403 A JP58150403 A JP 58150403A JP 15040383 A JP15040383 A JP 15040383A JP S5954313 A JPS5954313 A JP S5954313A
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    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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    • H03H19/004Switched capacitor networks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks
    • H03H11/0422Frequency selective two-port networks using transconductance amplifiers, e.g. gmC filters

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  • Power Engineering (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不光明発明1・i’p l G′)出JJIE目’iC
’5−イ」−4−4)4ii 、−’(コンメクタンス
(21′5菖゛ハ・回路(・(−関すZ゛)1、仁′1
”・)11゛白 f(M  OS  ・4(リ IM 
1赴 1i17  を i史 〕1口4− ・こ・ こ
 −しく二、1す?11  の十・!j il−デツプ
1に1−、31回路を一作成すイ)が出1、る4、M 
OS技術台・便用す・[)と1” +(コ゛I゛テハイ
スの高吃′黒−アレイ13・よひ1’::+品で↓て召
−+、iの小、)ムキャパシタに石易は′実現−4るξ
とか山上2....Lかし、MOSチップ1.tlL形
成、\ Jl る iJl1  >に 1支情・■ に
 (メIl ”)、l広 ハシシく= 31.  る 
]」(抗、  1.III  1Llポリシリコン↓[
(1〕゛i’、 C;l辿j:j’利川用iJ正なチッ
プ面(111の”□7)土(くない(”I゛大きな部分
を・、1“j費4−るこJ: I”l ’l’、る。、
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・(よるA−化θ、ll似めC小τ\く、は、lL /
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・M OS −t−−1’バンタシ、1丸j7[+’白
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二、Lり夫JJl!;! :11. 、K、o(−のア
ンチエイリアシンク・フィルクシ1スイ゛ノチト・キ4
7パシタ技、〕、を便用1−たのでit ’、t”、現
出東ないL S 1回路の・代ノ、j’910丁ある。
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パシタ]シ1ノ、以夕(の力を去−C面積か小τ\ぐ晶
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l域(り、1イ」flJ T 、!・、イ)か1.(。
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と4.1.1.t、l IcII−(′あり、望ましく
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イ1)1の小す4゛力a、カ’皮本’−5VL−(−イ
く)、 CI U) 、1.”、)な喧、用用途(・テ
あツ’で−&’、l’ ull tI’t ’J) 小
;シシ:、1: IJ3f ’J(不118応な厘)ダ
(7的な相IIコンタクタンス(,1′7)・明らかに
極めて有利な構成素子となる。
本発明に従い、この問題はキャパシタと、間欠的に該キ
ャパシタを充放電し、それによつて該キヤパシタを通る
第2の電流を発生する第1の回路と、前記キャパシタお
よび素子に接続され、第1および第2の電流を比較し、
それに応動して制御電圧を発生する第2の回路と、第1
の電流を調整するために素子に制御電圧を加える導線に
より特徴づけられる第1の出力電流を有する相互コンダ
クタンス素子を含む回路により解決された。
ここで“相互コンダクタンス”なる用語は相互コンタク
タンスならびに自己コンダクタンスの両者を包含する総
称として使用するものとする。
以下で述べる回路は当業者にあっては周知の標準的な製
造技法を使用することにより作られる集積回路として実
現されるものと仮定する。以下で述べる回路の各々(例
えば第1図に示す基本回路)は単一チップ中に含まれる
ものと仮定する。例えばこのようなチップを通常のCM
OS技術を用いて製造すると有利である。CMOS技術
を用いればnチャネルおよびpチャネルMOSFETデ
バイスならびに高品質で値の小さい(約100PF以下
)のキャパシタより成る高密度アレイを比較的単純な製
造過程により実現できる。
第1図に示す基本回路において、集積回路チップ11中
に形成された主可変相互コンダクタンス素子10の相互
コンダクタンスは周知のスイッチト・キャパシタのコン
ダクタンスと実効的に整合がとれている。素子10の種
々の実現法について以下で述べる。
第1図のスイッチト・キャパシタはその値がC1PFで
あるキャパシタ12を含んでいる。ここでこのキャパシ
タは図示の如く関連するクロックによって動作するスイ
ッチ14〜17および基準電圧18に接続されている。
図示の特定のスイッチト・キャパシタは、ケー・マーチ
ンおよびエー・エス・セドラの“双線形Z変換に基づく
浮遊容量に不感応なスイッチト・キャパシタ・フィルタ
”、エレクトロニクス・レタース、第15巻、第13号
、頁365−366(1979年)に述べられているよ
うに寄生容量が何らの影響も与えないという特徴を有し
ている。
ここでスイッチ14〜17(第1図)の各々はマスタ・
クロック回路20から加えられる制御パルスによりオン
・オフ・スイッチとして通常の仕方で動作する単一のM
OSFETデバイスより成つている。その動作が標準的
な極めて安定性の高い水晶によって制御されているユニ
ットに基づいている回路20は実質的に温度には不感応
であるものと仮定する。
マスタ・クロック回路20の出力は第3図に示すような
パルス列P1、P2およびP3である。各々のP1パル
スに応動してそのパルス幅の期間中スイッチ14および
15は閉じられる。それ以外では第1図に小ずようにス
イッチ14および15は開いている。同様に各々のP2
パルスに応動してそのパルス幅の期間中スイッチ16お
よび17は閉じられる。パルス列P3はスイッチ22の
動作を制御するのに使用される。スイッチ22の動作に
ついては以下で述べる。第3図において、Tは図示のパ
ルスのクロック周期を表わす。
第1図のスイッチ16は閉じられるとキャパシタ12を
ノード24に接続する。ノード24は通常の演算増幅器
26の非反転入力端子26(仮想接池)に直接接続され
ている。
増幅器28はコンデンサ30(その値はC2である)と
共に当業者にあッては周知の標準的な積分器を形成する
第1図に示す積分器の出力はスイッチ22により周期的
にサンプルされ、出力キャパシタ32に加えられる。キ
ャパシタの両端に現われる電圧は可変相互コンダクタン
ス素子10に相互コンダクタンスを予め定められた値に
設定・保持するために導線34を介して加えられる制御
電圧として作用する。この制fi印上月4.1.−+t
 /、−;、iI、iン!1136を;1゛L、−Uチ
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 、’、”’J’ jj:ig)出勾′屯圧&、l !
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、J(l′10からノート24(#(二’the 、f
’L込1.+・電流に4、庁りい3.前・ホの如く、と
71ら電、ノ1〔、σ)Jえきさ(・、1人々C,V 
  ′IMつ何、ひGv、+、l;VItである。、1
汀−)−で、1え 定′1・:51白な+1q゛1仄、lパj −C&・1
−Cあり、(−jj、1:す C5 、l: 4: 、:、 、、(ty:+ 、L’、:+
 ン(T L、、 (」−4(、flo C7) (1
1、’!j、 :]コンタクタンスf:1スイツチト・
キャパシタンスのコンタクタンスと“ij’l−合L−
でいろことか分る1つこj−Oi二のコンタクタンス(
メ91キャパソタ12C/) ′i1: +15 J’
v・上ひり[1ツク1、.(IすIT((−:/lら(
′、I−、、+1、(で7!、1’+ 1.Uj (/
(はイ、感応で、41.4)) kt−,1:つ7i 
C7)み、失’t、:i−,,Jqれる。
史にその4’1.l Irコノタクタンス4−11i1
1i、111ず、;、、 、+、。
、V) ニ第1図ノ」素子10t7;、= j)I)、
Q−r−、;411;)il!、、li−: &−,1
ま/ご副(・、了381.・。■、ひ40(/・二も1
〕](、ぐら/−L 、:、 、、f)fつ−ここ、t
lら副(81′の用j1コンタクタンスも−」/、二各
々スイツ升ト・キャパシタンスのコンタクタンス(l(
]整合し、ていく)こtj−k(’、 ’lる0−!1
’38.40(お、、1.’ 0’閏律1−/、キヤパ
シタ)をJ)−1−r・j14ノ゛、5フイルタの時′
メilIシ(1(−(1) 、1.”)((二(−にク
ロックI、’6.l 14月1’とC11,/)フィル
タ・キヤバンタンスレ(′に1]−る比の;l’1にσ
)、ノド114例J−l:)こ+!: t””:′jイ
)、。
チップ11 (第11−41 +の11’11: I:
’3がA−化J−7:、)ノ、7(,10,38オ、−
1: ヒ404+3− b チップ1−V′)1−・\
てのi’!(i成、(、了1−111i1−の1品出Q
Φ115受(yく(、ものと(hj定する8、このよう
II(、1丁−例えC・31チツプ11の1□1.1冒
j1が増加する。と、土木f−10の1′・め′i−1
〜’+ !’+ 、ffノ、−相llシンタクタンス(
〆;を威倶する11C(向:′1イトI/′、1..t
か((二σ)相1ノコンタクタン:l/fi(!JtA
yJるツノjl+1+! 34イI/r (−−C5!
、rlQ KツノII X−”、+ JI Zl !l
il 1i11 ’11 If(1,L 41化l、 
、J、: f 1 0 (1) filJp 、コンタ
クタンスる一]〜め′7:−められノーi、、l、l/
を二1呆j)Jる11回(、・■ぐ(で副(,1′38
 :t、・、Lひ40のtl、l 、l+コンタクタノ
ス&、l止/−1そ]目・(二J ・1rで人)z l
Zめ定めら、!+た111′1ニイ呆j′rされる。
第11ノ目で・1.1−IJ1変(If lIコンタク
タノス2(,1′10.38お、10’ 40の実現、
ワ、it(it[1Φ/Zのもの;シ)/′5才、[−
)れる1、1つの実現、′ノ、て0I(−41らの、4
8r(1) h′/6.I’、 ri’ノMO8L’ 
I:;Tテハイ:2..1.’ IJ 戊る1、不発明
の原、叩(で6tって横1戊さfL/理(う −の八4
0SFII;T 、1− IJ成る」ミ素f 52 、
を中 のMOS F’I・;TJ、り成6 i+’+l
I素r54 J、・l O−565) ’、’、Jr 
’f−ツブか第2図i’LltH旨!itでいる1、第
2:イ1(t(小す他σ)J’l’l成素r−&、l第
1第1図0応であり、υLつ°C回し戸月用山シシがf
.I,′8;IIていイ、。
ここで第2図(にノドJ− MO3Ii”l=;T 5
 2、54おt: U 5 6の各々C−1(票if/
の11チヤネル・テハイ11LI+.:  ’llj 
iAr: 4’+’ 1.’l: l>”J: t′L
的VC 、隊形;z Jl: fill 、(II −
 小(1.シ」モートて動イ’+し一.−Cいる。各テ
ハイス71i同であるかすだit 、ltい(4:あ、
/l, !1 、オ′のスケール6イ+’ I−、−C
いる11図のテハイスのJ(さは同しであるが,イの幅
G.+i六ν′こ」、・す、ぞJlによつ〔411定の
異なる相1(コンタクタンス4−実現゛4−ることか出
火る。
+i1−〕MO8FE1’素f”if人ツノ 114 
tじ(?電月し7制限されたタイナミツク・レンジをイ
Jしかつ比較的(i弱な高調波歪’t.’+1’lる.
イ1している。it12つ−4これシー)素rを曲のす
置市なノJ/L.て実現することか”イ1 4 1,い
。このようなnbの実現メツ、の1′:)r )j: 
tJ、l−r ! ヘる,1、うなイ1)ゆるMO S
 FI−:T テハーrスの差動対を1史III +−
でいろ。
第4図1rlt通児の差動対1111路し上置る一/J
ぐし一Cい6 13 該回路&.t MO8lrlTテ
ハイスG 5 1/C J: ツC1ノ+i ’II(
さhる’ltL流21(Lバイアスとノーる2つの同一
のMO8FETデバイス60および62,1、り成つ℃
いる。これらテハイス(]1ずへ−(nチャネル+1;
IIのものであり、各々飽,11目)、態で動作するよ
うバイアスさ11(、いる1,静市状j′A4、即ちテ
ハイス6 0 、l: [i 2のゲート”1tj)庫
の間(・ζ′11J,J1已j”+’:カイ′5: (
+: l− ’It イJ易9 1tLl&.l、ハ4
 −7 ス【ll !4i, 2 1v1テハイス60
と62のトレイン・ソース間の回路fj ’:’7 1
− <分;1ill−、iれる。
第・1図f(□aりl−如く小脹幅の重ね7信シ)vが
テハイス60と62のゲートI(+.へItLの間(t
こIJ)1えら:1l−(いろものと仮定」゛る1,こ
れl/( i.6してデノ\イス60ソ)トレイン・ソ
ース回路VC Meれる1idi+tj +.t iた
け」1召力11シ2、デバイス62σ〕トレイン・ソー
ス回路に流iLる電,AI,L同しIだけ減少l−るu
 Lかしj7線64を流れる電イΔ1、シーlす、前と
同し21て4りる。
第1図1□( ・」ぐ)−j’:動ン]の場合、i =
 、/krv           に3)どなること
U1良く知られでい,乙3,ここで1(は各F16 1
’と関連するrfll目臣に依(r: i−るl<ラメ
ータで,!Iる。従って差動対の小frr %敞分−I
II 、/jコンタクタンスG  Ittl1,でij
えもれる、。
I〕■) cI〕P= ykr         (4 )実際の
多くのむ月j用亦でf’.l I:n’11皮と赴17
(的(、(無関係なバイアスtLLidtX.を発、上
する心安が生しる。第5図に示す回路t:L.!qい(
’i ’ILL IIE源18が:hAIsx VCイ
・感応ならば(Il.II1反と1、1(1:λ]係な
バイアス、1。
流を提(J(する。このよつなff1l’l !隻シ(
不感応な市バー源i1人手”)’ iit:である。そ
の1例QL周知のハント・キャ゛ンブ2古・%!4 ’
+ti:川である。
本jc明の原1)1(の、1つの持歳にf)fい、pチ
ャネル・テハイス70お」。ひ72」、り成る)票・−
−的jlL流ミラー回路の夫々のトレイン電1愼から出
テ・、す為!66およU: 6 B K・流れる一定’
11,1; i.’lL: ’庖]〉1持する」、う設
置:1されたし1;置か第5図4′C小JΣfr.てい
る。第5図の2、り腺b8を1Ii1つてノート24V
C流1L込む電流6ーY次IX,てりえられる6。
前述の如く、C+ および1゛シ[寿’C1的に11〜
li ’良Qご不感応であ乙1,史(・C)・・1tめ
で安定で失171j的シこ品1度に不感応な電圧基準源
が知られている3,こヴ)、1、 ・)(・、二 し 
−(、1晶Jut−丸 1王(]ため(′(−小流 I
 が 1′3〜′)・1.・〜’)I);if /、−
111″1.イノ酉)ち庄J/;、11.+’i向((
二あ7.)とキ1ノバンタ32(・′)両ダ、1Ai 
1ノ)’:I!、、l1g QしぞJl−1袖if’j
−J’る51、・)α化)−1i1すlノネルMO8I
イ゛ト: i’ゲハイス74 t/〕ゲ−ト1[1,1
1イIルペ−る、、  (:r−It、 jL“、1、
−7)イタ、1tA! 6 [j l、何−(′J” 
68σ)K′/う流tするILL flil’、、 (
、t ]’ W’+定)J) rl+ ;l 1.、 
/、−111′1′7(二保1、〒さ11イ:)1、+
’1% ’、1図(、′)〜10 S +” ト; l
”デバイス74^1;11 att −J−Z)の((
置史月13\t1/)小、月(、、L −:t /、デ
バイス76 L・1、ヒr 11 (/、1 ケ−h 
’市・j噸11L (tcυ11.Q (i);lる1
、デバイス761・1. (I=γξロ1テハイス74
と同 (−・t’) 、<、)か、1/、−1t: 、
!・、イ、l[7,イ、のスフ1−ルタ(i’ L、−
(lいイ〕、。
、11−:’、] ”iテハイス761・、lひ78び
)と「ノZ9′)ドし・イ ン  ・ ノ −−ス 回
 1−と↑ 6 イλ;[11イ[、11−1,(市、
  (:l:  +I:  /、    ;’+liぐ
=保]冒\J+ 、、4. 、、ε二)+らの市+ii
’、 4,1例えQ1チップ801.7勺1’j 、:
・ト4る回路(1゛・、画、tjJ’ )〜曽Jj用さ
れるバイアス11: iバ161し成する1、(二(〕
)51.・“)・)(−シーr(−ね1−)バイアス・
1L7iiシI[7昌+;4−A−化とi、l j、l
fl: lf)1(系(・(二   −5jニ リ<:
  i:+↓ r1+  ど寥 4t1 、づ・1、1
、史t−(’ 4\1(冒δ゛tノ\11 、gi’+
、 5図い二・i、才+:l: 、“+、 、V、 1
+’ J::j18i1′(二 +2 て二) (供 
、そ占 、\ 才1 、イ)”r’l −小、)1 〜
’It   イj−p(、:  J−7)  Cj、I
J ′j、Ej −r”、  JL <4r l’+’
fl !1’;+’、i ’+14、ll源”t’、’
 ii:1ヘ  換 ξに/、らは、11)旨ト−4る
;1.動′Aj内411 hコンタクタンス(・l 定
(・(1呆1、’+シ、 iffイ)(−とぐ’+(l
f、 li t−、/、−6、(二11な−(、−((
i) ’、i  式(!’i) c′)V   jり一
 代入、 −14,j−(’−: にty  よ リ 
111も if+Tさ(Fイ)、、代入イi?i・)21′ノ、翫
1s /、、 、jlJ A1、−(l 、・1.1= −(7) ′1゛ (かU−1’Ij +(二」))1固J ノ、−ニー、
1 “−)(ぐ次[(か1〕″い、!−42)。
c;       )5/l<  1        
           (8)1) P i+1−−:)’(イ少、1(2イ’、、、iニア7、
nJ−のよ’) I/(−、l −C、);:g +f
:J1々J ′、+ 、111 Itコンタクタンス、
/バスイツチト・キャパシタンスtハコンタクタンスレ
(二りり山’11.11 ii”ii−:)石、 ;1
)、。
〒胃f〕) 17(’、、 J’、’つい」j、)茜冑
支!1、レー弓J暑1,1. 、tf、IF V、。
1′口4.冒1(J□ ;、’、 、’i、’4: ’
、(l (]) 1.1 :、j、’、;が第6 i”
’lのチップ841 CJ、+ ijν:、j−iJ 
’(囲)ノ一部・) 82 &(’・j、\;I+、−
(’いる3、N旧)Stパ1・:T;−ハイヌ85へ−
881、り成る回路(・1)−ト90(・t’、 t’
、、 (ii) 4+71.すIJI、′、ト、\11
.. 、;l:1山、月 ”I(?ljj、i IIL
 J−7、〕。11周、l;内如ぐ、第(1図(・(・
jぐ417m !、・f33i11:ii O2L/、
)動1′1゜1−開始、\(1−、:(lたv+ 匡i
□、1.1票・(1的6いi+tす+ 1)ll:i仙
回:l’iS (図・)、tl−J)n’−我本、′8
:ll ’6 、。
・、、 ti l−!l iで1・・いC,屯)IJl
い1,1回路82中1” 1S:ll :1l−fいど
、1)チ17ネルM(18?’ I・:1゛テハイス8
5!+、l 2.  + ti)・肪71川人1)ヂせ
ネル・デバイス701、・Lひ72,1回 のも17ノ
)と4−イ11.1−リ11す1,1\11(−いも1
.市1月11い111回路中の+1す」7ネル・テハイ
 ス 861、1(′J・ 8761?’  c〕)長
 4\ シ1 、:ミ弓   (−5ら −)か、シー
ハイス87・y’−) ’l’i、’1i、l 、T−
ハ・fス86(、す1(届のl′J  4  (+2−
  :’−6、・、’)、1−  ”l  設置、1、
\ 、ノ1−(旨 /)、、1・jl’ i・(−・[
占11)((、・1f−iJ i1’1゛i 11d)
 nチ」7ネル・デバイス88C1チツプ841のデバ
イス92 = 94.1同 (” 、!’)7、、か)
、ノー【ヒ(・)イ、jl−、率のスケールろ(+ 1
):、、−1:う1没 +tl  、”:  :ll 
 −c  い ど)3゜ejs fi jZIff=・
]、]1−テハイス931・1.(′);94+ノ1チ
ツプ841の7゛1′−巾カシl;バイアスl−る・/
)(・(−1史j目て\ ニア1.  ?  い フイ
)1.   中 Jン 7り (1、、!:  、’、
1  (二 ;1tC−)’、lL lノ11・、シー
’  1.’1′  山11)(,1の相r7. Dン
タクタンス6−スイッチト・キャ(1 バシタの」ンタクタンスー−i(: Jl; jLi 
、’: 11− pl、l−ん′)′I゛ スイッチ−ト・キレバンタ↓、1、置((−上り山11
11印さ11−Cい メ;)(二 、j   −C,1
戸) イ)。  ξ−(7)  、1、  う ・’R
−t   −(−1・(山 I!(ti、+ill 、
I+コンタクタンスi1: :、I−:・′1、ifu
’t ’す(・(−1・1゛・1吊し、・・謔(1、i
J、!i  K  j’a、’:  l ll 1’:
  :f+  Z、  。
)11.f  1・1す、′〕  伺 ))  −i−
山II  I′l1ll−、′1.l+  ・:l  
I’llし・l((′、、)  、、’!、  中1.
1  シー1B+’。
51ノーvC7+<4−ノ1111ヴ)tjl、’、、
lλ1()ε)ド1・]゛I゛!・’:1’l′’l”
、’、l’l。、(−(,1ヲ1−(I J))C、t
ぐ;1.1(かj−1()・1白的((−・1閣ンヘ:
ご′・ 牧r/+  Ij l”+  的 7111.
、用月I 静(、’  、1、 ) ((1、5え、:
11璽、1(l A、 )J f、 j; i(−月1
− i :>+3、\、゛1タイプ−ミック・レンツ6
イ)’ l−、、、、、−t−1,・l−,1’、i、
lf・も1ノ)1・t’、’ i、l 、;、40内<
F 1ILl、り的−Cifりい、1イ\J1゛、明の
1泉1’l l)) 1山(−・”l ’l’、’41
□1□)((−1・1−い、甲 (。′)八・1081
・I・:T )、・4」、こ1−71、動ン1と)1、
・、(−己5.1.ハit /、j’41′1.をイ1
−」イ)イh’ 、(”Iろ: tJら−4(冒1コノ
タクタンス)1” カL111’< −t’HIL−(
−イリ、+ 、 C(b 改、+’J−t’: iL 
/(l’ l)フロ゛ツク図4第7図(′(=小ず1.
第71ソjの点、8i!の囲んA二部外96C1第1図
の1゛二雌路中K 、r」<1−)、(−10,38オ
ヨU’ 40 (h各)z ノ’l’J定の構成法を小
し−こいる。。
第7図i’c 、−j七ず−(2了・C;[段数1固の
11チヤネルふ・3Lひ■)チ17ネルMo5t・I・
; i’テハイスのみ」;り成り、各デバイス(l↓大
きなタイナミツク・レンジ(例えQ、!、:うV)の人
ノJ)′1、シじ&(利し自東則の、Lr+Ic  ’
屯月!111牛7..1.1. 、j−る。周飼冒り1
/・1−自31−1!;< Jlli ’4−1史用J
−ル?−ト&C,1: I)、I固’Z (1)口取則
テハイスを組合わぜ−C人ノ月lr1.l ij!11
電川V と入きなタイナミック・レンジを有する1、1
弓′11L月7 vのイ+’Ikc Jt例し7た出力
屯?ノ1[1oをJ)を洪4−る回路を構成していイ)
第7図ノJ f &、”I ’71. Il:ミー7−
回路1=、・、J: 0’力1シ/減−t)回路を剖む
フロック98をイJしている。
フロック98において内部C発′1−.された′屯月−
V お、1、ひv LL次【(に」、り規定される3゜
2 vVCf−v(10) ここで咲I:t 、lt例することを人わす、+12号
である。
成分であり、■(12I:LV3:I’++よ0・v4
のコモン・モード成分′Cあり、次の、1、うな関1系
が4リイ)。。
v+ oCVcl +v   ’    (II)v2
■v −■       (12)v3■vc2」■(
1:3) v4γvc2V        (+4+第7図に/バ
ず如く、)・ツク98の出)Jは前述の電圧8、v2、
v3お、1.びv4である。
これら電圧を、1人々1東回路100〜103に力11
えられる1、ここで各1東回路;l単一のλl08F)
り1゛デハ、イスより成る。回f#ri 100〜10
3の人セの出勾(・51次式でj混水される′電流’I
、+2.13および14である。
1で(vol」v)2(15) iz oc (vc、 −v )”       (H
i)13・X(v−Lv)2(+7) +4 cx (vc−v )2(18)出力上流11お
よびi 4 &、lノード104において加鐙され、減
<”J器106の止入力喘T−&()刀j :?−II
、 i 1.  出力ILjjii: i 2およびi
3&よノード108に1.・い−C加1□′1亙Σれ、
減;つ2;ン106の負人ノ) 、′、R,H、′にυ
11えI:):ILる3゜第′71ズ巨ノ)?威’;?
8’rr 1 o 6の出力IL流+ o tr、L 
UCつ“C次戊でJ、Il定される。。
io ”  に+−114L−(iz  」川31  
 (+9)即j。
igcc4v(v   −v   )        
       (2fすcl      c2 こJl([式(団)1.り次の、1.うン(なる1、1
oC(VVc           (21)このよう
ボし、て前述の如く、第7図の装置のjl )ノ電1y
Ie i o i1人勾制fiil 【[j Li−v
  と人カイ8号”1lLJl−v )積i・(比例す
ることVCなる3゜第7図の回路96を・ノー′\てM
O8Ii″I艶T−C実現しまたものを・第8図に/」
k ’J−o第8図1.lI]チャネル・デバイス11
2〜115.1:り成るHill fjl 1に川(v
  )ミラー・バッファ110 ’J ’r’+’んて
い乙。
史(・(第8図6.tnヂレネル・デバイス116〜1
19.124.126.128 :I’、・よひ130
より成る(、;シj電月・(v)ミラー・バッファを含
んでいる3、・1つの同じ整なしたpチせネル・デバイ
ス120〜123 &、i人々第7図に71りず自乗回
路100〜103上り成りでいる、。
第8図(でおいて、11チレネル・デバイス116およ
び124は+VとV を組合l)ぜ、それに比例したゲ
ート・ソース1lLJ7E S−口取デハ、イス120
に加える。デバイス119およ(J: 126にi −
vとV を組合わぜ、(−れにIL例したケート・ソー
ス電圧を口取デバイス121シζ加える。同様(で、テ
ハ、イス111お、J: 0−128は−1−vと■ 
を組合わぜ、そ!1に2 比例したケート・ソース電圧を自乗デバイス122に加
える。更にデバイス118およ0.130 iI −v
とvk1tl1合わせ、それにIl、例2 したケート・ソース電圧を口取アバイス123中(f(
加える。
第8図に示ず減0;シ:)回路T 32 il nチャ
ネル・デバイス134 J、−J、Oj 136より成
る。
nチャネ5ル・デバイス140〜142より1戊ルハイ
7 ス1jJ h6138 I;t l;’J ンje
 (J) 装置+′57 +/) ’l Al: ’)
il、V)1.11/−小1”lj、 4ニー’ I’
に: ”” L、;+1.81・’1+、++、・い(
、テハイス112.1131.1. (+・116・−
119な1回1′ii合1−、、 i5Hnナヤネ11
・」=ット(,1・l 、1 、、テハイス114.1
15.124.126.128 、l、4t:ひ130
シ1−11、た同II”ti″!+’ン(/11す17
ネル・コニットで・ノ・)る。、1+’、1 、’(:
、 ll: r4’38 :′、41の■ 9.1i5
V−を丁ありVssを15V1)1) −7−91・)ぺ)。
第8図(111万〕相rJコンタクタンス、(、■と(
−一(1曵1’it(LfUイ)イJ伺4、シ1装置の
1例(丁あと1,1εLの装置υU ifllえil:
 :3 Vの人力イ、1シじのタイナミツク・レンジ、
約0:3パーセントの高調波歪率J、・、1.ひ:’r
 OMllzの・出1」成上)1を・イi’−1−るこ
とを!11(改と1−る1、 第8図の)i(;′jの、1(冒Iコンタクタンスのf
・め’jJ二められ/こ(的(f、[・1つの1′し1
仁テ′ハイス120〜123σ)スケ−リンクt’ 4
″1′1にノ′べんC=−とニLり実81 iぎ7する
。、あるい(・1イ・jツノ1!的な電流ミラー回路4
便用J−ることり(二、Lす11.II if、I的、
全伺ツノて出)J電流1゜のスケールを変えることも出
来る。
最 r麦 Q(=  、  前 IL 内 回 i1’
l’i  −11’  、1、 (’)−1&  :ノ
、(・l  イに’  51 1月 ・、゛)71;+
、’ Jll 省 、B)、 B111−イ015こル
+、 、I、−7,,1の も r/)”(あ ・1.
(二 、1 イ電1ij li+イ 、X  ;IL 
/;二い1.」\ iI’; ”II σ) j4.’
(−甲(・−1t゛1−い、  k i、づ(月のh’
+i”l’ 、J、;・41.ひ頓囲・′、Iψ’Ii
t+ ’I−・:’+ (′、。;/、ぐ多シシ内・ぷ
−形が!’、 、2′、とj(〔゛上り考え1− f:
i−□□:+ J二、+(・、I明【゛)かrあ、、y
、。
【図面の簡単な説明】
域1図(・1イ\光明の原理(、(7匪う1り度相IS
’、 ]]ンタクタンスー、jのスイツヂト・キャパシ
タ・コンタクタンス制御卸丘行’)  i:Iす’ (
1,;i It /、−回路1ソ1、第2 ill (
・、11″i−々の1り変車1′が中−の1VlOS 
F” I!: l”テハイス41.り成る第1図の回路
の!]1定の月f)jl1例Xj小4−図、第3図!1
第1.2.5j・・41.ひ0図の実ノ11′!シ1り
)1の・1山f’I −f :lil (Ill J−
;l+の((′1史j目さit、 4+クロツク・バル
スヴ)タイミンク1゛ノ1、第11図シ)・v1君者(
ζあ・つて&、I周知の1!′動月6形成する1゜う・
I票if、り白・クニ力8人て相rj、4俣、l、左さ
jl fl 2つの〜1081=”ETデバイスを小1
−図、第5図01 一定のバイアス電流を・1呆]、〜
j /:)ために’(Iff ”jl’t)s 17C
J、’りぢ詑された什力でスイッチト・キャパシタ・コ
ンタクタンスflill 1卸ルア’ K 、+vp 
Nr;+、さ7またILLj、’fLミラー回路5小ず
図、t06図1’、L’ i”、’−動に1のtt、l
−、!iコンタクタン、伐’:+−一’/J−k(二保
持−Jるため(′(二便用1きれ1、 、rX4アスI
1.1+ii: l ’、iIL’l’、 l−る](
(スイッチト・キー17パノタ11i11 fl印ルー
プが1吏111\れCいイ)装置を小J−1ノ11第7
 +:?l 6.i aJY1図の回路で用いるの(′
(゛・1゛、・;jl−ニー、′1−ンCイ」刊)5:
Iり変Ill 、riコンタクタンスIJ′のフロック
図、第8図は第7図(7う回路をJ :、 −(1hl
oS +(+−:゛r、−rJ 実4JJ、 L 1.
= 4F定ノノコに11例X5r iJ<1図(−ある
) 〈1−・波部の7)弓の説明〉 相!!コンタクタンスニ(,1″−101151の回路
  18.14.15.16.17第2(1)回路  
2B、30.22 ・l’s1腺     34 69 FI6.3 FI6.4

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1の出/J ’ih流を自−Jる。用!、7コン
    タクタンスー4□: r(例えU」、10 ) k f
     ijr回路回路ニレー(。 キャパンタ(1列え0ま12)と、6亥キャパシタ6コ
    間欠的にヅ1f ill #=□ 、L Ohk ’;
    L L、イれに1つ)−C該キャパシタk /ノミj 
    ;f’Lる第2の上流を発生−jる第1の回路(例え目
    、18.14.15.16.17)と、第1お・」二ひ
    第2の小凱)L台用11咬L1ぞλL (ttl応動し
    て1llj i:llI lln川を・発子−する1)
    1j記キヤパシタおよび前記素子(lζ接弓」された第
    2の回路(例えシー128.30.22)と、前記第1
    の′1L流を調゛jij(−J“るようI)1」副制御
    1j市圧に111j記、(−イに加える・、す、に’J
    ! (イ列ぐ−0:i34 ) 11c J:す!11
    徴っけら:11る第1の出力′市: l11t、 4有
    J−る打1 、’ltコンタクタンス2(・ミj′i含
    1−r lす11洛。 2!l’!]’ i!′1.、i’1]<の範囲)+)
    1拍記載の回路((二おいて、更に発生された制]1 
    ’di Illに1第1および第2の上流の差の関数で
    あり、素゛↑′の相17コンタクタンスt;1Li11
    1 iΔ11.ト圧の11.IJ故−く丁あるととを特
    (Rと一4゛る回路6、 ′、う 牛)、1’l’ l清水の・扼1ノ(巨i’z
     21J″Ii!1.+叔の回路1′と1.・いて、史
    Q(= i4i+記第1の回路し1第1の1lLL圧i11;j
     (例え附18)とt友漆父1固び)クロ゛ンク(で」
    、って山)) イ’[するスイッチ(例えは14.15
    .16.17)」、すiJ!/、す、1)11記+1−
    仁[トランジスタ(例えは52 ) 、1、り成り、1
    1’I i!LニブB2の回路f’J、−!+’i汗;
    シ:÷(1列乏−Q、I、28、30  )  、、l
    : り成り、第11、・よひ第2 ty)上流i:t 
    Jt:に萌IL 41’L 、’5’J 器C’−’ 
    I Q ’7)人力、゛・1“1.;子(例敬?;J:
     26 ) V(1υ]1えられ、!l1li ll:
    ll′小7j「ノ;’r、 :uA (f伺LHJ、3
    4 ) &、l lヘランシスタのケートl’(: J
    及モノ”1.7\h −C:I=・す、該刊1卸市圧し
    l第1および第2の:[ε流がパ、1マ(7いどへに安
    ′+11”(Xあることを特徴と一]る回路1゜ ・1.  ’l”l’ l;′l、1gl水の!:jノ
    、間第;う111 J1L’、裁の回路い二1.・いて
    、第2の回路は史にlli分:(;)の出JJ夕表わず
    「シ1トをサンプル・ホールトする装置〆Lを含与、該
    νそ置&:t flill l卸市圧導線(′(接続さ
    れていることを!l’!+1ilkとノーる回路。。 5、待1.′1請求の範囲3rし+ 」ci記載の回路
    (ておい゛し史にキャパシタ(例え&:112 )の第
    1のA1、旨こは第1のスイッチ(例えば14)を辿し
    −C第1の電圧ゆjl(例えは1B)K、第2のスイッ
    チ(例えに、17)を通し、て第20゛ILn:、源(
    地気) 17(接イ・)“t、されでおり、キャパシタ
    の第2の端r−は第:うのスイッチ(例えば16)を萌
    して積分器の1つの入りに・第・1のスイッチ(例えQ
    」、15)を: +1+4 して第2の 、定電圧源に
    」シ続されでおり、サンプル・ボールド装置(・4F第
    2のキャパシタ(例え6:l: 32 +と、積分器の
    出JJを第2のキャハンタオJ、び1lill 1卸’
    1.月二’、■’l 杉+! (秒’しe−&」、34
    )にf’P +完する第5のスイッチより成り、すへ−
    このスイッチ(11平常時I:t lilいており、周
    期Tを有するパルス列のパルス(/(よって短肋間閉じ
    、第1および第4のスイッチは第1のパルス列(例えば
    l〕1)によってilt’l alllされ、第2およ
    び第;3のスイッチtt1:4j、’ 2のパルス列(
    例えにll) 2 )に、1: ′)で制御さ、11−
    1第5のスイッチ(l、1第3のパルス列(例え6zl
    、1) 3 )にJ、り刊fjlされ、第2のパルス列
    II第1のパルス列よりJトれ−(V′1.:)が第;
    3のパルス列りり進んでいく〕ことを4′+’ rRと
    する回路、。 (i、  、T、1“π1..1111(の範1〕1巨
    じ58′■記敲の回路1・(おいて、史(ζ第1の、1
    .1介V1、G  を相t1.コンVTI: タフタンス素rの相llコンタクタンス、Vlえを第1
    の)占?(1屯月く1皇 (例えOよ18 )の、1月
    ニド−、J−ルトe GVTE■lt i’(: 舌’
     I= <、’l’y 2 )’LkL 流にlCIを
    第1のキャパシタの’3i1i、Tを前記パ、ILスタ
    11 c’)周IUI J−Z)ど6 c、v /T 
    vc ’rjシ1も く、制御′1lll ′)u IJ、E に1相1(コ
    ニ/ 9クタン、;!、 素/−)j!u’+度の開法
    Cあることを!11徴とする回路。 7 時117「晶、j’Zの11・i間第51Jl記・
    )市の回路((コ・・いて更(′(相4fコンタクタン
    ス素子は11L流ミラ一回路(例えば70.72)に接
    続されたQS + (1) Mo5Fa′r (例えば
    74)J、り成り、1該11jiノICミラ一回路it
     f+’fひj!+V (’f列えす、+H2a、30
     ) il(: I例えにJ、68を・I市し7て)j
    嵌子つ′こされ−Cいイフことを・牛1゛σ(11−す
    る回路。 8゛1日1′1.請、:J(の・1゛・Lジ囲第1」」
    l−第7拍1のいノーれか(〆(6己載の回路において
    、史に111I記素子の相IJコンタクタンスはぞの(
    !++’+度および1111言i1+′屯圧の関故てあ
    り、1ljll i卸電圧id: lit 、7jコン
    タクタンス素r−のll+1!度を表わす出力11!、
    圧を・1吏用J−ることを’1胃i’l!とする回路。 9′11J゛1.′1..llI水の範囲第7項記載の
    回路におい′れ、史に1lill fi’ll ’Lt
    L川ij用f +腺は第1 (7) MO8Flff’
    l’ ノゲートに接続されており、第1のIvl OS
     I” E Tの1つの出力”:A: −F 11 ’
    j14:随ミラーに接続され一〇おり、p(!I )M
    OS Ii”ET +7)曲ノjの出力端−rは友セM
    O3I・’IすTの差動7′/、・]、fL形成ノ形成
    層救飼の他(1) M OS l=’ F21回路(例
    え(、)、93.94)にm Kヮ“1;されているこ
    とi!l’a1敷と゛ノーる回路、。 10”llJ’ ii’l’ +清水の範囲第9項記載
    の回路におい−1、史に′電流ミラー回路は定常人、暢
    電流■を流す第2および第3のM OS I” l; 
    Tより成り、第1のIL+、Ji:J:;i (v、、
    、、、)&、l、1(を第1、第2および第;3のMO
    SFETと関連する幅度に1i′<(Iするパラメータ
    とするとき、V =、JI/kなる′、1.川を第1の
    スイツf(例え?;190.14)に発生し、−′−2
    の、1.1イe f・:t C2/T 2にであり、積
    分器お上ひ、、J′111の、1. fi′、*J!+
    ’、に接続された回路II各差動!・1の各々のM O
    S I” E Tを流IしるEL流を”’/TJ<に1
    呆]、1ノーることを41j徴どする回路。 11  少〈吉もiiJ変柑llコンタクタンス主素−
    rの相11コノタクタンスを・実171的に1品、度変
    ・1山に不感応な状、1座に1′A(持1−る力?去て
    あって1、i亥 カブ去(・:1 1!’I A己4二素子の[1,1+コンタクタンスを
    スイッチト・キャパソタンスのコンタクタンスど整合さ
    せ、 不整合の場合cc 1.I’ 1lrll t’+(+
     11圧を″発生1NせC前記主素子Qで加え、それに
    」、ってぞの相4Lコンタクタンスを実、lt′1的に
    一定に保持するc−、(’、: 、1: !)成4”)
     (fl、、’ *′l’、’l’ II々・14る1
    昌)11.12.   4.、l、  区!’11i1
    ’l  、’l\ Q) −7甲 i’ll  +:f
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    力、ノ、1、
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