KR100983032B1

KR100983032B1 - Ｇｍ-Ｃ 필터의 디지털 튜닝 회로

Info

Publication number: KR100983032B1
Application number: KR1020080023515A
Authority: KR
Inventors: 박경석
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2008-03-13
Filing date: 2008-03-13
Publication date: 2010-09-17
Also published as: US7705665B2; US20090231027A1; KR20090098263A

Abstract

본 발명은 Gm(전달 컨덕턴스)-C(커패시터) 필터의 튜닝 회로에 관한 것으로, 커패시터 튜닝 모드 동안에는 클럭신호가 사용되나, gm 튜닝 모드 동안에는 클럭신호를 이용하지 않고 커패시터 산포(편차)가 반영된 직류(DC)값을 이용하여 Gm을 튜닝할 수 있고, 이에 따라, 클럭신호에 의한 수신 신호의 열화 등을 막을 수 있다.

Gm, Gm-C 필터, 디지털 튜닝, 공정산포, 온도변화

Description

Ｇｍ-Ｃ 필터의 디지털 튜닝 회로{DIGITAL TUNING CIRCUIT OF Gm-C FILTER}

본 발명은 Gm(전달 컨덕턴스)-C(커패시터) 필터의 튜닝 회로에 관한 것으로, 특히 커패시터 튜닝 모드 동안에는 클럭신호가 사용되나, gm 튜닝 모드 동안에는 클럭신호를 이용하지 않고 커패시터 산포(편차)가 반영된 직류(DC)값을 이용하여 Gm을 튜닝할 수 있는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로에 관한 것이다.

일반적으로, 집적회로(IC) 필터의 설계는 공정 및 온도의 영향에 의해 그 차단(cut-off) 주파수가 변화게 된다. 이를 보정하기 위해서는 필터를 이루고 있는 소자들의 공정 및 온도변화에 따른 적응형 보정을 수행하는 튜닝회로를 삽입해야 한다. 예를 들어 Gm-C 필터의 경우는 Gm과 커패시터 비율을 일정하게 해야 하며, 액티브(Active) RC의 경우는 레지스터(Resistor)와 커패시터(capacitor)의 비율을 일정하게 유지해야 한다.

또한, Gm-C 필터에서도 온도 변화에 따른 적용형 보정을 수행하는 튜닝회로가 필요하며, 이러한 Gm-C 필터의 튜닝회로에 대해 도 1을 참조하여 설명한다.

도 1은 종래 Gm-C 필터의 튜닝 회로의 구성도이다.

도 1을 참조하면, 종래 Gm-C 필터의 튜닝 회로는, Gm 셀을 포함하여, 사전에 설정된 주파수를 생성하는 전압제어발진기(10)와, 상기 전압제어발진기(10)로부터의 발진주파수와 기준주파수간의 위상을 비교하여 위상차를 검출하는 위상 검출부(20)와, 상기 위상 검출부(20)로부터의 위상차 신호를 저역으로 통과시켜 위상차 신호에서 노이즈 성분을 제거하여 상기 전압제어발진기(10)에 출력하는 저역통과필터(30)를 포함한다.

이때, 상기 전압제어발진기(10)는, 상기 저역통과필터(30)로부터의 위상차 신호에 따라 Gm을 보정한다.

이와 같이, 도 1에 도시된 종래 Gm-C 필터의 튜닝 회로는, 전압제어발진기(VCO)를 이용한 방식으로, 기준주파수(Reference Clock)와 상기 전압제어발진기의 주파수를 비교하는 PLL 타입으로 구현하여, Gm/C가 일정하게 유지하기 위한 방식이다.

여기서, 전압제어발진기(VCO)는 링타입(Ring type), 네가티브(negative) Gm 등을 이용하는 방식들이 있다.

그러나, 이와같은 도 1에 도시된 종래 Gm-C 필터의 튜닝 회로에서는, 통상 전압제어발진기는 신호가 제한되기까지 대신호(Large Signal)로 동작하게 되며, 소신호(Small signal)로 동작되는 필터의 특성과 다소 많은 차이를 가질 수 있으며, 전압제어발진기로 동작시 Gm값은 필터로 동작하는 Gm값과 다를 수 있으며, 이는 환 경 변화에 따라 심하게 변화하는 경향이 있는 문제점이 있다.

또한, 이러한 보정회로는 주파수 특성 보정을 위해, 기준주파수로서 클럭신호가 사용되어야 하며, 이러한 클럭신호는 신호에 악 영향을 주는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서 제안된 것으로써, 그 목적은 커패시터 튜닝 모드 동안에는 클럭신호가 사용되나, gm 튜닝 모드 동안에는 클럭신호를 이용하지 않고 커패시터 산포가 반영된 직류(DC)값을 이용하여 Gm을 튜닝할 수 있는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로에 관한 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 클럭신호에 의한 수신 신호의 열화 등을 막을 수 있고, 또한 한 개의 Gm셀(cell)을 사용하여 전력이 감소되며, 별도의 루프필터(loop filter)가 필요하지 않아 외부 핀이 필요없는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로를 제공하는데 있다.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 기술적인 측면은, 커패시터 튜닝모드시 동작하여, 클럭신호에 따라 기설정된 제1 기준전압을 충방전하여, 커패시터의 공정산포를 포함하는 제1 전류를 출력하는 스위치드 커패시터; Gm 튜닝모드시 동작하여, 튜닝계수에 따라 Gm 튜닝을 수행하는 Gm 셀 회로부; 커패시터 튜닝모드시 상기 스위치드 커패시터의 제1 전류를 제1 전압으로 변환하고, Gm 튜닝모드시 상기 Gm 셀 회로부의 제2 전류를 제2 전압으로 변환하는 부하 저항; 상기 튜닝계수에 따라 기설정된 제2 기준전압을 가변하고, 가변된 제2 기준전압을 아날로그의 제3 전압으로 변환하는 D/A 컨버터; 커패시터 튜닝모드시 상기 제1 전압 과 제3 전압간의 제1 차전압을 이용하여 커패시터 튜닝을 제어하고, Gm 튜닝모드시 상기 제2 전압과 제3 전압간의 제2 차전압에 해당되는 Gm 튜닝계수를 이용하여 Gm 튜닝을 제어하는 에러 검출부; 및 커패시터 튜닝모드시 상기 에러 검출부의 커패시터 튜닝 제어에 따라 제1 차전압에 해당되는 상기 튜닝계수를 상기 D/A 컨버터로 제공하는 DAC 튜닝부를 포함하는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로를 제안한다.

상기 스위치드 커패시터는, 접지에 연결된 일단과 타단을 갖는 커패시터; 상기 제1 기준전압의 제1 단자와 상기 커패시터의 타단 사이에 연결되어, 클럭신호에 따라 스위칭되는 제1 스위치; 및 상기 커패시터의 타단과 제1 기준전압의 제2 단자 사이에 연결되어, 상기 클럭신호에 따라 상기 제1 스위치와 서로 교번하여 스위칭되는 제2 스위치를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 에러 검출부는, 동작 개시시 상기 커패시터 튜닝모드를 수행하여 상기 제1 전압과 제3 전압이 같아질 때까지 피드백 제어를 수행하고, 상기 제1 전압과 제3 전압이 같아지면 상기 Gm 튜닝모드를 수행하여 제2 전압과 제3 전압이 같아지도록 피드백 제어를 수행하는 것을 특징으로 한다.

상기 스위치드 커패시터는, Gm 튜닝모드시 디스에이블되는 것을 특징으로 한다.

상기 Gm 셀 회로부는, 커패시터 튜닝모드시 디스에이블되는 것을 특징으로 한다.

상기 DAC 튜닝부는, Gm 튜닝모드시 디스에이블되는 것을 특징으로 한다.

상기 제2 기준전압은, Gm-C 필터에서, 공정 산포 없는 커패시터의 용량값에 해당되는 것을 특징으로 한다.

이와같은 본 발명에 의하면, 커패시터 튜닝 모드 동안에는 클럭신호가 사용되나, gm 튜닝 모드 동안에는 클럭신호를 이용하지 않고 커패시터 산포가 반영된 직류(DC)값을 이용하여 Gm을 튜닝할 수 있고, 클럭신호에 의한 수신 신호의 열화 등을 막을 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명은 설명되는 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상에 대한 이해를 돕기 위해서 사용된다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.

도 2는 본 발명에 따른 Gm-C 필터의 튜닝 회로의 구성도이다.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 Gm-C 필터의 튜닝 회로는, 스위치드 커패시터(100), Gm 셀 회로부(200), 부하 저항(RL), D/A 컨버터(300), 에러 검출부(400), 및 DAC 튜닝부(500)를 포함한다.

상기 스위치드 커패시터(100)는, 커패시터 튜닝모드시 동작하여, 클럭신호에 따라 기설정된 제1 기준전압을 충방전하여, 커패시터의 공정산포를 포함하는 제1 전류(I10)를 출력한다.

상기 Gm 셀 회로부(200)는, Gm 튜닝모드시 동작하여, 튜닝계수에 따라 Gm 튜닝을 수행한다.

상기 부하 저항(RL)은, 커패시터 튜닝모드시 상기 스위치드 커패시터(100)의 제1 전류(I10)를 제1 전압(V10)으로 변환하고, Gm 튜닝모드시 상기 Gm 셀 회로부(200)의 제2 전류(I20)를 제2 전압(V20)으로 변환한다.

상기 D/A 컨버터(300)는, 상기 튜닝계수에 따라 기설정된 제2 기준전압을 가변하고, 가변된 제2 기준전압을 아날로그의 제3 전압(V30)으로 변환한다.

상기 에러 검출부(400)는, 커패시터 튜닝모드시 상기 제1 전압(V10)과 제3 전압(V30)간의 제1 차전압을 이용하여 커패시터 튜닝을 제어하고, Gm 튜닝모드시 상기 제2 전압(V20)과 제3 전압(V30)간의 제2 차전압에 해당되는 Gm 튜닝계수를 이용하여 Gm 튜닝을 제어한다.

상기 DAC 튜닝부(500)는, 커패시터 튜닝모드시 상기 에러 검출부(300)의 커패시터 튜닝 제어에 따라 제1 차전압에 해당되는 상기 튜닝계수를 상기 D/A 컨버터(200)로 제공한다.

도 3은 본 발명의 Gm-C 필터의 튜닝 회로의 커패시터 튜닝모드 동작 설명도이다.

도 3을 참조하면, 커패시터 튜닝모드시에는, 상기 스위치드 커패시터(100)에 의한 제1 전압(V10)을 기준으로 하여, 상기 D/A 컨버터(300)에 의한 제3 전압(V30) 이 상기 제1 전압(V10)과 동일하도록 피드백 제어가 수행되므로, 이러한 커패시터 튜닝모드에서는, 상기 Gm 셀 회로부(200)는, 디스에이블될 수 있다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 에러 검출부(400)는, 동작 개시시 상기 커패시터 튜닝모드를 수행하여 상기 제1 전압(V10)과 제3 전압(V30)이 같아질 때까지 피드백 제어를 수행하고, 상기 제1 전압(V10)과 제3 전압(V30)이 같아지면 상기 Gm 튜닝모드를 수행하여 제2 전압(V20)과 제3 전압(V30)이 같아지도록 피드백 제어를 수행한다.

도 4는 본 발명의 Gm-C 필터의 튜닝 회로의 Gm 튜닝모드 동작 설명도이다.

도 4를 참조하면, Gm 튜닝모드시에서는 상기 D/A 컨버터(300)에 의한 제3 전압(V30)을 기준으로 하여, 상기 Gm 셀 회로부(200)에 의한 제2 전압(V20)이 상기 제3 전압(V30)과 동일하도록 피드백 제어가 수행되므로, 이러한 Gm 튜닝모드시에서는 상기 DAC 튜닝부(500)는, 디스에이블될 수 있다.

도 5는 본 발명의 스위치드 커패시터의 회로도이다.

도 5를 참조하면, 상기 스위치드 커패시터(100)는, 접지에 연결된 일단과 타단을 갖는 커패시터(C10)와, 상기 제1 기준전압(Vref1)의 제1 단자(+Vref1/2)와 상기 커패시터(C10)의 타단 사이에 연결되어, 클럭신호에 따라 스위칭되는 제1 스위치(SW10)와, 상기 커패시터(C10)의 타단과 제1 기준전압(Vref1)의 제2 단자(- Vref/2) 사이에 연결되어, 상기 클럭신호에 따라 상기 제1 스위치(SW10)와 서로 교번하여 스위칭되는 제2 스위치(SW20)를 포함한다.

또한, 클럭신호에 의한 노이즈를 줄이고, 소비전력을 줄이기 위해서, 상기 스위치드 커패시터(100)는, Gm 튜닝모드시 디스에이블 될 수 있다.

한편, 상기 제2 기준전압은, Gm-C 필터에서, 공정 산포 없는 커패시터의 용량값에 해당될 수 있다.

도 6은 본 발명의 튜닝모드에서의 주요전압의 파형 그래프이다.

도 6에서, V10은 스위치드 커패시터(100)에 의한 출력전압이고, V30은 D/A 컨버터(300)에 의한 출력전압이다. t1은 커패시터 튜닝모드 구간이고, t2는 Gm 튜닝모드 구간이다.

이하, 본 발명의 작용 및 효과를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명한다.

도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 Gm-C 필터의 튜닝 회로를 설명하면, 도 2에서, 본 발명에 따른 Gm-C 필터의 튜닝 회로는, 스위치드 커패시터(100), Gm 셀 회로부(200), 부하 저항(RL), D/A 컨버터(300), 에러 검출부(400), 및 DAC 튜닝부(500)를 포함한다.

먼저, 본 발명의 커패시터 튜닝모드에 대해 설명한다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 에러 검출부(400)는, 동작 개시시 상기 커패시터 튜닝모드를 수행하여 상기 제1 전압(V10)과 제3 전압(V30)이 같아질 때까지 피드백 제어를 수행한다.

이에 따라, 상기 스위치드 커패시터(100)는, 상기 에러 검출부(400)의 제어에 따라 커패시터 튜닝모드시 동작하여, 클럭신호에 따라 기설정된 제1 기준전압을 충방전하여, 커패시터의 공정산포를 포함하는 제1 전류(I10)를 출력한다.

이때, 상기 부하 저항(RL)은, 상기 Gm 셀 회로부(200)는 디스에이블되므로, 상기 스위치드 커패시터(100)의 제1 전류(I10)를 제1 전압(V10)으로 변환한다.

또한, 상기 D/A 컨버터(300)는, 상기 커패시터 튜닝계수에 따라 기설정된 제2 기준전압을 가변하고, 가변된 제2 기준전압을 아날로그의 제3 전압(V30)으로 변환한다. 여기서, 상기 제2 기준전압은, Gm-C 필터에서, 공정 산포 없는 커패시터의 용량값에 해당될 수 있다.

상기 에러 검출부(400)는, 커패시터 튜닝모드시 상기 제1 전압(V10)과 제3 전압(V30)간의 제1 차전압을 이용하여 커패시터 튜닝을 제어한다.

이후, 상기 DAC 튜닝부(500)는, 커패시터 튜닝모드시 상기 에러 검출부(300)의 커패시터 튜닝 제어에 따라 제1 차전압에 해당되도록 DAC 튜닝계수를 조절하여 레지스터에 저장하고, 상기 DAC 튜닝계수를 상기 D/A 컨버터(200)로 제공하며, 이러한 과정을 통해서 커패시터 튜닝을 수행한다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 전술한 커패시터 튜닝모드시에는, 상기 스위치드 커패시터(100)에 의한 제1 전압(V10)을 기준으로 하여, 상기 D/A 컨버터(300)에 의한 제3 전압(V30)이 상기 제1 전압(V10)과 동일하도록 피드백 제어가 수행되므로, 이러한 커패시터 튜닝모드에서는, 상기 Gm 셀 회로부(200)는, 디스에이블된다.

도 5를 참조하면, 상기 스위치드 커패시터(100)를 중심으로 입력측 제1 스위치(SW10)와 출력측 제2 스위치(SW20)를 상기 클럭신호에 따라 교번하여 스위칭시키면, 상기 제1 기준전압(Vref1)의 제1 단자(+Vref1/2)와 제2 단자(-Vref1/2) 사이의 등가저항이 정해진다. 즉, 상기 커패시터(C10)의 커패시턴스가 등가 저항으로 변환되며, 이 등가 저항과 상기 제1 기준전압(Vref1)에 의해 정해지는 제1 전류(I10)가 출력된다.

다음, 본 발명의 Gm 튜닝모드에 대해 설명한다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 에러 검출부(400)는, 상기 제1 전압(V10)과 제3 전압(V30)이 같아지면 상기 Gm 튜닝모드를 수행하여 제2 전압(V20)과 제3 전압(V30)이 같아지도록 피드백 제어를 수행한다.

이에 따라, 상기 Gm 셀 회로부(200)는, 상기 에러 검출부(400)의 Gm 튜닝제어에 따라, Gm 튜닝모드시 동작하여, 튜닝계수에 따라 Gm 튜닝을 수행한다.

상기 부하 저항(RL)은, Gm 튜닝모드시 상기 스위치드 커패시터(100)가 디스에이블되므로, 상기 Gm 셀 회로부(200)의 제2 전류(I20)를 제2 전압(V20)으로 변환 한다.

이때, 상기 D/A 컨버터(300)는, 상기 커패시터 튜닝모드에서 결정된 제2 기준전압을 아날로그의 제3 전압(V30)으로 변환하여 출력한다.

이에 따라, 상기 에러 검출부(400)는, Gm 튜닝모드시 상기 제2 전압(V20)과 제3 전압(V30)간의 제2 차전압에 해당되도록 Gm 튜닝계수를 조절하고, 상기 Gm 튜닝계수를 이용하여 상기 Gm 셀 회로부(200)에 Gm 튜닝을 제어한다. 상기 제2 전압(V20)과 제3 전압(V30)이 같아질 때 까지 피드백 제어를 수행한다.

이에 따라, 상기 에러 검출부(400)의 Gm 튜닝제어에 따라, Gm 튜닝모드시 동작하여, Gm 튜닝계수에 따라 Gm 튜닝을 수행하여 결국 상기 제2 전압(V20)과 제3 전압(V30)이 서로 같아지게 되어 Gm 셀의 온도산포가 보정된다.

도 2 및 도 4를 참조하면, 전술한 Gm 튜닝모드시에서는 상기 D/A 컨버터(300)에 의한 제3 전압(V30)을 기준으로 하여, 상기 Gm 셀 회로부(200)에 의한 제2 전압(V20)이 상기 제3 전압(V30)과 동일하도록 피드백 제어가 수행되므로, 이러한 Gm 튜닝모드시에서는 상기 DAC 튜닝부(500)는, 디스에이블될 수 있다.

도 6을 참조하면, 커패시터 튜닝모드 구간(t1)에서는, 상기 스위치드 커패시터(100)에 의한 제1 전압(V10)과, 상기 D/A 컨버터(300)에 의한 제3 전압(V30)은 클럭신호의 영향으로 불안정하지만, Gm 튜닝모드 구간에서는, 상기 스위치드 커패시터(100)에 의한 제1 전압(V10)과, 상기 D/A 컨버터(300)에 의한 제3 전압(V30)은 거의 리플성분없이 안정됨을 알 수 있다.

전술한 바와같이, 본 발명의 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로에서, 커패시터는 커패시터 튜닝모드에서 튜닝되고, Gm은 Gm 튜닝모드에서 튜닝되므로, 커패시터의 공정 산포 뿐만 아니라 Gm의 온도산포 까지 튜닝하여 보다 정확한 Gm-c 필터의 튜닝이 가능해진다.

또한, 본 발명에서, 필터의 튜닝을 커패시터 튜닝모드와 Gm 튜닝모드를 분리하여 수행하고, 기본적으로 커패시터 튜닝모드 구간에서는 클럭신호를 사용하지만, Gm을 보정하는 Gm 튜닝모드 구간에서는 직류(DC)만 사용함으로써, 기본적으로 사용되는 클럭신호의 사용을 신호수신 때 사용하지 않음으로서 수신 신호의 열화 등을 막을 수 있다.

도 1은 종래 Gm-C 필터의 튜닝 회로의 구성도.

도 2는 본 발명에 따른 Gm-C 필터의 튜닝 회로의 구성도.

도 3은 본 발명의 Gm-C 필터의 튜닝 회로의 커패시터 튜닝모드 동작 설명도.

도 4는 본 발명의 Gm-C 필터의 튜닝 회로의 Gm 튜닝모드 동작 설명도.

도 5는 본 발명의 스위치드 커패시터의 회로도.

도 6은 본 발명의 튜닝모드에서의 주요전압의 파형 그래프.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 스위치드 커패시터 200 : Gm 셀 회로부

300 : D/A 컨버터 400 : 에러 검출부

500 : DAC 튜닝부 RL : 부하 저항

I10 : 제1 전류 I20 : 제2 전류

TC : 튜닝계수 V10 : 제1 전압

V20 : 제2 전압 V30 : 제3 전압

C10 : 커패시터 SW10 : 제1 스위치

SW20 : 제2 스위치

Claims

커패시터 튜닝모드시 동작하여, 클럭신호에 따라 기설정된 제1 기준전압을 충방전하여, 커패시터의 공정산포를 포함하는 제1 전류를 출력하는 스위치드 커패시터;

Gm 튜닝모드시 동작하여, Gm 튜닝계수에 따라 Gm 튜닝을 수행하는 Gm 셀 회로부;

커패시터 튜닝모드시 상기 스위치드 커패시터의 제1 전류를 제1 전압으로 변환하고, Gm 튜닝모드시 상기 Gm 셀 회로부의 제2 전류를 제2 전압으로 변환하는 부하 저항;

DAC 튜닝계수에 따라 기설정된 제2 기준전압을 가변하고, 가변된 제2 기준전압을 아날로그의 제3 전압으로 변환하는 D/A 컨버터;

커패시터 튜닝모드시 상기 제1 전압과 제3 전압간의 제1 차전압을 이용하여 커패시터 튜닝을 제어하고, Gm 튜닝모드시 상기 제2 전압과 제3 전압간의 제2 차전압에 해당되는 Gm 튜닝계수를 이용하여 Gm 튜닝을 제어하는 에러 검출부; 및

커패시터 튜닝모드시 상기 에러 검출부의 커패시터 튜닝 제어에 따라 제1 차전압에 해당되는 상기 DAC 튜닝계수를 상기 D/A 컨버터로 제공하는 DAC 튜닝부를 포함하고,

상기 에러 검출부는,

동작 개시시 상기 커패시터 튜닝모드를 수행하여 상기 제1 전압과 제3 전압이 같아질 때까지 피드백 제어를 수행하고, 상기 제1 전압과 제3 전압이 같아지면 상기 Gm 튜닝모드를 수행하여 제2 전압과 제3 전압이 같아지도록 피드백 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로.
제1항에 있어서, 상기 스위치드 커패시터는,

접지에 연결된 일단과 타단을 갖는 커패시터;

상기 제1 기준전압의 제1 단자와 상기 커패시터의 타단에 연결되어, 클럭신호에 따라 스위칭되는 제1 스위치; 및

상기 커패시터의 타단과 제1 기준전압의 제2 단자 사이에 연결되어, 상기 클럭신호에 따라 상기 제1 스위치와 서로 교번하여 스위칭되는 제2 스위치

를 포함하는 것을 특징으로 하는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로.
삭제
제2항에 있어서, 상기 스위치드 커패시터는,

Gm 튜닝모드시 디스에이블되는 것을 특징으로 하는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로.
제2항에 있어서, 상기 Gm 셀 회로부는,

커패시터 튜닝모드시 디스에이블되는 것을 특징으로 하는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로.
제2항에 있어서, 상기 DAC 튜닝부(500)는,

Gm 튜닝모드시 디스에이블되는 것을 특징으로 하는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로.
제2항에 있어서, 상기 제2 기준전압은,

Gm-C 필터에서, 공정 산포 없는 커패시터의 용량값에 해당되는 것을 특징으로 하는 Gm-C 필터의 디지털 튜닝 회로.