JPS5954309A - 水晶振動子の製造方法 - Google Patents
水晶振動子の製造方法Info
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- JPS5954309A JPS5954309A JP16522082A JP16522082A JPS5954309A JP S5954309 A JPS5954309 A JP S5954309A JP 16522082 A JP16522082 A JP 16522082A JP 16522082 A JP16522082 A JP 16522082A JP S5954309 A JPS5954309 A JP S5954309A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超小形の水晶振動子の製造方法に関する。本発
明は水晶振動子の製造方法を簡易化することと、より高
性能な水晶振動子を提供することを目的とするものであ
る。
明は水晶振動子の製造方法を簡易化することと、より高
性能な水晶振動子を提供することを目的とするものであ
る。
一般に、超小形リーフタイプの水晶振動子の製法はフォ
トリソグラフィによる化学的な方法、すなわち写真食刻
技術が用いられている。第１図はこの写真食刻技術によ
る従来の製造方法の一例を示す簡略工程図であるか、以
下この図をもとに従来の製造方法の一例を工程順に説明
する。
トリソグラフィによる化学的な方法、すなわち写真食刻
技術が用いられている。第１図はこの写真食刻技術によ
る従来の製造方法の一例を示す簡略工程図であるか、以
下この図をもとに従来の製造方法の一例を工程順に説明
する。
〔工程Ａ〕十分平滑に表面を研摩し、かつ清浄にした水
晶基板１上に、クロム層２及び金属３を蒸着等によって
被着する。
晶基板１上に、クロム層２及び金属３を蒸着等によって
被着する。
〔工程Ｂ〕更に、金属３の上にフォトレジストを塗布し
、振動片の外形形状のフォトマスクを合せ露光・現像し
て、必要な部分のフォトレジスト層４を形成する。
、振動片の外形形状のフォトマスクを合せ露光・現像し
て、必要な部分のフォトレジスト層４を形成する。
〔工程Ｃ〕フォトレジストの塗布されていない部分の不
必要な金層、クロム層を順にエッチングにより除去する
。
必要な金層、クロム層を順にエッチングにより除去する
。
〔工程Ｄ〕フッ化水素酸液を主成分とする水晶エッチン
グ液に水晶基板１を浸漬し、金属３およびクロム層２で
被膜されていない不必要な部分の水晶を溶し去り、振動
片の外形形状を形成する。
グ液に水晶基板１を浸漬し、金属３およびクロム層２で
被膜されていない不必要な部分の水晶を溶し去り、振動
片の外形形状を形成する。
〔工程Ｅ〕所定の外形形状に腐食抜き加工された水晶基
板１上のレジスト層４を剥離した後、スパッタリング等
で水晶基板１上の表裏全面及び側面に、水晶発振片の電
極膜としてクロム層５、金層６を被着し、更にフォトレ
ジスト層７を塗布する。
板１上のレジスト層４を剥離した後、スパッタリング等
で水晶基板１上の表裏全面及び側面に、水晶発振片の電
極膜としてクロム層５、金層６を被着し、更にフォトレ
ジスト層７を塗布する。
〔工程Ｆ〕水晶基板１に所定の電極形状のフォトマスク
を合せて露光・現像し、必要な部分のフォトレジスト層
７を形成し、更にこれをマスクとして、金属６、クロム
層５、金属３、クロム層２を順番にエッチングして、所
定の形状の電極を形成し、水晶振動片が完成する。
を合せて露光・現像し、必要な部分のフォトレジスト層
７を形成し、更にこれをマスクとして、金属６、クロム
層５、金属３、クロム層２を順番にエッチングして、所
定の形状の電極を形成し、水晶振動片が完成する。
しかし、従来のこの製法は振動片の外形形状、及び電極
形状を形成する際、写真食刻技術を用いているため次に
上げる様な欠点がある。
形状を形成する際、写真食刻技術を用いているため次に
上げる様な欠点がある。
１、薄膜被着・フォトレジスト塗布・露光・現像・エッ
チングという一連の工程が二回繰り返されるため非常に
煩雑な工程である。
チングという一連の工程が二回繰り返されるため非常に
煩雑な工程である。
２、薄膜被着工程、フォトレジスト塗布工程において蒸
着装置・レジスト塗布装置等に水晶ウェハーをセットす
る際、セット治具への移し替え作業が困難で工数が大き
く、歩留りも悪い。
着装置・レジスト塗布装置等に水晶ウェハーをセットす
る際、セット治具への移し替え作業が困難で工数が大き
く、歩留りも悪い。
３、電極膜は表裏両面ともにクロム・金・クロム・金の
４層になっているため、電極エッチング工程が複雑にな
り、また電極膜の厚味管理が煩雑である。
４層になっているため、電極エッチング工程が複雑にな
り、また電極膜の厚味管理が煩雑である。
４、電極膜の厚味のばらつきが大きく、振動子の電気特
性は安定しない。
性は安定しない。
本発明は振動片の外形形状作製のためのエッチングマス
ク物質を水晶基板に直接形成することによって、工程数
を大幅に減らし、作業性を改善することにより歩留り向
上させること、及び振動片の電極膜をクロム・金の二層
にして、電極膜の厚味ばらつきを低減することにより、
振動子の電気特性を向上させることを可能にするもので
ある。
ク物質を水晶基板に直接形成することによって、工程数
を大幅に減らし、作業性を改善することにより歩留り向
上させること、及び振動片の電極膜をクロム・金の二層
にして、電極膜の厚味ばらつきを低減することにより、
振動子の電気特性を向上させることを可能にするもので
ある。
次に本発明の簡略工程図である第２図を用いて水晶振動
子の製造方法の一例を詳細に説明する。
子の製造方法の一例を詳細に説明する。
〔工程Ａ〕水晶基板１を塩化スズ（■）水溶液（濃度１
ｇ．ｌ＾−＾１）に数分間浸漬し、水晶基板表裏全面に
スズ（■）イオン層８を均一に吸着させる。
ｇ．ｌ＾−＾１）に数分間浸漬し、水晶基板表裏全面に
スズ（■）イオン層８を均一に吸着させる。
〔工程Ｂ〕フォトマスクを水晶基板１に重ねて紫外線露
光し光照射部分をスズ（■）イオン層９にした後、これ
を塩化パラジウム（■）水溶液（濃度２ｇ．ｌ＾−＾１
）に浸漬して、パラジウム触媒核層１０が析出させる。
光し光照射部分をスズ（■）イオン層９にした後、これ
を塩化パラジウム（■）水溶液（濃度２ｇ．ｌ＾−＾１
）に浸漬して、パラジウム触媒核層１０が析出させる。
〔工程Ｃ〕更に、パラジウム触媒核層１０の上にフッ化
水素酸液を主成分とする水晶エッチング液に対して耐食
性のあるマスク物質層１１を無電解メッキで被着する。
水素酸液を主成分とする水晶エッチング液に対して耐食
性のあるマスク物質層１１を無電解メッキで被着する。
マスク物質としては、金・銀・銅・ニッケル等が考えら
れるが、これらのうちマスク層として１層もしくは２層
以上被着してもよい。
れるが、これらのうちマスク層として１層もしくは２層
以上被着してもよい。
〔工程Ｄ〕フッ化水素酸とフッ化アンモニウムを含む水
晶エッチング液中に水晶基板１を浸漬し、マスク物質層
１１で覆われていない不必要な部分のパラジウム触媒核
層１１及び水晶基板１を溶し去り、振動片の外形形状を
形成する。
晶エッチング液中に水晶基板１を浸漬し、マスク物質層
１１で覆われていない不必要な部分のパラジウム触媒核
層１１及び水晶基板１を溶し去り、振動片の外形形状を
形成する。
〔工程Ｅ〕マスク物質層１１、パラジウム触媒核層１０
、及びスズ（■）イオン層９を順次溶出除去し、水晶表
面を十分に洗浄した後、スパッタリングにより振動片の
電極膜としてクロム層１２、金層１３を水晶基板１の表
裏両面及び側面に被着し、更にフォトレジスト層１４を
塗布する。
、及びスズ（■）イオン層９を順次溶出除去し、水晶表
面を十分に洗浄した後、スパッタリングにより振動片の
電極膜としてクロム層１２、金層１３を水晶基板１の表
裏両面及び側面に被着し、更にフォトレジスト層１４を
塗布する。
〔工程Ｆ〕所定の電極形状のフォトマスクを水晶基板１
に合せて露光・現像し、不必要な部分の金層１３、クロ
ム層１２をエッチングにより除去した後、フォトレジス
ト層１４を剥離することにより電極を形成し、振動片が
完成する。
に合せて露光・現像し、不必要な部分の金層１３、クロ
ム層１２をエッチングにより除去した後、フォトレジス
ト層１４を剥離することにより電極を形成し、振動片が
完成する。
以上述べた様に本発明によれば、振動片の外形形状作成
のための所定の形状のエッチングマスク物質を、水晶基
板上に直接形成することが可能となるために、従来行わ
れていた外形形状作成のための、フォトレジスト塗布・
現像工程及び、マスク物質のエッチング工程か削除でき
、更に外形形状作成の工程が一貫して湿式でできるため
、従来の蒸着前の精密洗浄・乾燥工程が削除できる。ま
た振動片の電極膜をクロム・金の二層にすることにより
、厚味のばらつきをおさえ、Ｑ値・エージング特性等の
水晶振動子の電気特性を向上させることができる。
のための所定の形状のエッチングマスク物質を、水晶基
板上に直接形成することが可能となるために、従来行わ
れていた外形形状作成のための、フォトレジスト塗布・
現像工程及び、マスク物質のエッチング工程か削除でき
、更に外形形状作成の工程が一貫して湿式でできるため
、従来の蒸着前の精密洗浄・乾燥工程が削除できる。ま
た振動片の電極膜をクロム・金の二層にすることにより
、厚味のばらつきをおさえ、Ｑ値・エージング特性等の
水晶振動子の電気特性を向上させることができる。
第１図は従来の製造方法の一例を示す簡略工程図（（Ａ
）〜（Ｆ））。第２図は本発明の製造方法の一例を示す
簡略工程図（（Ａ）〜（Ｆ））である。
）〜（Ｆ））。第２図は本発明の製造方法の一例を示す
簡略工程図（（Ａ）〜（Ｆ））である。
Claims (1)
- 薄板状水晶板より形成される水晶発振片を有する水晶振
動子の製法において、水晶基板の表裏全面に水晶加工剤
に耐えるマスク物質を、所定の外形形状に直接パターン
メッキする工程と、形成された外形形状パターンメッキ
層をマスクとして、水晶基板を選択的に除去して所定の
形状の水晶基板を形成する工程と、形成された水晶基板
の全面に、導電性を有する物質をスパッタリング等で被
着せしめ、所定の電極パターンをフォトエッチングして
電極を形成する工程からなることを特徴とする水晶振動
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16522082A JPS5954309A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 水晶振動子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16522082A JPS5954309A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 水晶振動子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954309A true JPS5954309A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15808128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16522082A Pending JPS5954309A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 水晶振動子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954309A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7174620B2 (en) * | 2002-12-27 | 2007-02-13 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Method of manufacturing thin quartz crystal wafer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673915A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-19 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Manufacture for quartz oscillator |
| JPS57118417A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Seiko Epson Corp | Production of quartz oscillator |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP16522082A patent/JPS5954309A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673915A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-19 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Manufacture for quartz oscillator |
| JPS57118417A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Seiko Epson Corp | Production of quartz oscillator |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7174620B2 (en) * | 2002-12-27 | 2007-02-13 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Method of manufacturing thin quartz crystal wafer |
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