JPS5953804A - フアイバ形光アイソレ−タの作製方法 - Google Patents
フアイバ形光アイソレ−タの作製方法Info
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- JPS5953804A JPS5953804A JP57164312A JP16431282A JPS5953804A JP S5953804 A JPS5953804 A JP S5953804A JP 57164312 A JP57164312 A JP 57164312A JP 16431282 A JP16431282 A JP 16431282A JP S5953804 A JPS5953804 A JP S5953804A
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C25/66—Chemical treatment, e.g. leaching, acid or alkali treatment
- C03C25/68—Chemical treatment, e.g. leaching, acid or alkali treatment by etching
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01205—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments
- C03B37/01211—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments by inserting one or more rods or tubes into a tube
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はブＣアイソレータの作製方法に１系り、特に亀
ファイバとの接、鹸Ｉ Ｚ、；６褐であり、挿入損失の
小さいファイバ形つＹ゛アイソレータ作製方法に関する
。
ファイバとの接、鹸Ｉ Ｚ、；６褐であり、挿入損失の
小さいファイバ形つＹ゛アイソレータ作製方法に関する
。
従来、光アイソ１／−夕にはファラデー効果の非相反性
が用いられｒいた。ファラデー効果は、磁界と平行にツ
ーを伝搬するとき、直線偏蓋の偏波…１が回転する現象
であり、偏波面の回転方間は磁界の方向１で依存し、伝
］般する光の方向によらない。従つて第１図に示すよう
に、方向０°の偏π゛子１．４５°の磁気光学回転子２
、方位４５°の検蓋子８を配列すると、順方向では偏蓋
子通過後の１１を昇方向４が４５°回転するので（５け
磁界方向）、６のような電界方向とプぶり、損失なく通
過するが、逆方向ではさら［４５°回転り、結局７のよ
うに９０°偏波面カー回転するので、光は透過すること
六−できない。
が用いられｒいた。ファラデー効果は、磁界と平行にツ
ーを伝搬するとき、直線偏蓋の偏波…１が回転する現象
であり、偏波面の回転方間は磁界の方向１で依存し、伝
］般する光の方向によらない。従つて第１図に示すよう
に、方向０°の偏π゛子１．４５°の磁気光学回転子２
、方位４５°の検蓋子８を配列すると、順方向では偏蓋
子通過後の１１を昇方向４が４５°回転するので（５け
磁界方向）、６のような電界方向とプぶり、損失なく通
過するが、逆方向ではさら［４５°回転り、結局７のよ
うに９０°偏波面カー回転するので、光は透過すること
六−できない。
これまで偏光子およびイす光子とｔ−では、方解石をは
り合わせたグラントムソンプリズム等を用い、磁気光学
回転子としては、大きなファラデー回転角を持つＹ８Ｆ
ｅ５０□２（ＹＩＣ））を使用していた。ｔ、かしこの
タイプのものは元ファイバとの接続が困難であり、また
量産性に問題があった。
り合わせたグラントムソンプリズム等を用い、磁気光学
回転子としては、大きなファラデー回転角を持つＹ８Ｆ
ｅ５０□２（ＹＩＣ））を使用していた。ｔ、かしこの
タイプのものは元ファイバとの接続が困難であり、また
量産性に問題があった。
本発明はこれらの欠点を除去オろため１作製方法が容易
で大計生産が可能であり、かつ）°Ｌファイバとの接続
が容易なファイバ形光アイソレータの作製方法を提供す
るものである。以下図面により本発明の詳細な説明・す
る。
で大計生産が可能であり、かつ）°Ｌファイバとの接続
が容易なファイバ形光アイソレータの作製方法を提供す
るものである。以下図面により本発明の詳細な説明・す
る。
筆２図はファイバ形光アイソレータ用母材の作製例な示
す。舶２図（δ）は通當のＶＡＤ法により作製された光
フアイバ用心材８であり、コア９はＳｉＯ□−（）ｅ
Ｏｓガラス、クラッドＩＯは純シリカである。寸法は外
径１２ｍ＋ｘ、コア径（１−５ｈｂｎ、長さＩＯＣ，ま
たコアとクラッドの＃ｉ、！ ４’Ｊｒ狐差は０・１４
％である。まずこの母材を研削および研摩により、第２
図ｆｂｌ Ｋ示すような半円柱状母１Ａ１１に加工する
。ここで占ア中心から平面までの距離は１．ＦＪ朋であ
る。さらに第２図ｆｃｌπ示すように、ドリルを用いて
穴開は加工を行）。穴１２の直径は３．８闘−大の中心
とコア中心との距離は３．４ＩｌＩＩｌ＋、またコア中
心と穴の中心とを結ぶ１は線と、平］所との角度θは４
５°である。この穴１２（７）部分Ｋ ＦＪ Ｚ図ｆｃ
ｉｌ Ｋ示すような外径Ｆ１．２１１ｍの８１０２ ＋
Ｂ ２０’ａガラス円柱１）１を挿入し ｉｆ ２図
（ｅｌに示すよつｌ’ｘ最終的なアイソレータ用母材１
４を作製する。ここでＢ、０８の濃度は約１０ ｍａｔ
％であり％Ｍ ＣＶ ｐ法によって作製されたドープト
ガラスである。
す。舶２図（δ）は通當のＶＡＤ法により作製された光
フアイバ用心材８であり、コア９はＳｉＯ□−（）ｅ
Ｏｓガラス、クラッドＩＯは純シリカである。寸法は外
径１２ｍ＋ｘ、コア径（１−５ｈｂｎ、長さＩＯＣ，ま
たコアとクラッドの＃ｉ、！ ４’Ｊｒ狐差は０・１４
％である。まずこの母材を研削および研摩により、第２
図ｆｂｌ Ｋ示すような半円柱状母１Ａ１１に加工する
。ここで占ア中心から平面までの距離は１．ＦＪ朋であ
る。さらに第２図ｆｃｌπ示すように、ドリルを用いて
穴開は加工を行）。穴１２の直径は３．８闘−大の中心
とコア中心との距離は３．４ＩｌＩＩｌ＋、またコア中
心と穴の中心とを結ぶ１は線と、平］所との角度θは４
５°である。この穴１２（７）部分Ｋ ＦＪ Ｚ図ｆｃ
ｉｌ Ｋ示すような外径Ｆ１．２１１ｍの８１０２ ＋
Ｂ ２０’ａガラス円柱１）１を挿入し ｉｆ ２図
（ｅｌに示すよつｌ’ｘ最終的なアイソレータ用母材１
４を作製する。ここでＢ、０８の濃度は約１０ ｍａｔ
％であり％Ｍ ＣＶ ｐ法によって作製されたドープト
ガラスである。
次にこのアイソレータ用母利］４を（ｍ引いてファイバ
化する。ファイバ外径は２４０μｎ１、コア径１０μｍ
８ｉ０． ＋ Ｂ、Ｏ，部の直径６４μｍであり、カッ
トオフ波長は１．０μｍである。次にこのファイバの一
部（約４α）を４９％ＨＦで約１ｚ分エツチングし、さ
らに、 ＨＦ −ＮＨ，Ｆ’のエッチ−Ｖントを用いて
約１時間エツチングして、コアの外周型でエツチングが
進んだ時点でエツチングを終ｒ才る。次にエツチングさ
れたファイバの周囲に、−４４Ｋ約０．１μｍの厚さの
アルミニウム１５を蒸着する。
化する。ファイバ外径は２４０μｎ１、コア径１０μｍ
８ｉ０． ＋ Ｂ、Ｏ，部の直径６４μｍであり、カッ
トオフ波長は１．０μｍである。次にこのファイバの一
部（約４α）を４９％ＨＦで約１ｚ分エツチングし、さ
らに、 ＨＦ −ＮＨ，Ｆ’のエッチ−Ｖントを用いて
約１時間エツチングして、コアの外周型でエツチングが
進んだ時点でエツチングを終ｒ才る。次にエツチングさ
れたファイバの周囲に、−４４Ｋ約０．１μｍの厚さの
アルミニウム１５を蒸着する。
第３図はこσ）ようにして作製されたファイバの断面を
示ｌまたものである。エツチングを行った時、ＳｉＯ□
十Ｂ、０８領域は純シリカに比べてエツチング速度が速
いので１選択的にエツチングされ、第８図の形状となる
。４９％Ｆ任“を用いてエツｆ−ングしたときのエツチ
ング速度は、純シリカの嚇合約２８０ Ｘ／ｓｅａ 、
９ ｍｏ７％の８２０８を含んだ５ｉｎ２の場合約２
５００ス／ｇ ｅ ｃである。
示ｌまたものである。エツチングを行った時、ＳｉＯ□
十Ｂ、０８領域は純シリカに比べてエツチング速度が速
いので１選択的にエツチングされ、第８図の形状となる
。４９％Ｆ任“を用いてエツｆ−ングしたときのエツチ
ング速度は、純シリカの嚇合約２８０ Ｘ／ｓｅａ 、
９ ｍｏ７％の８２０８を含んだ５ｉｎ２の場合約２
５００ス／ｇ ｅ ｃである。
次に第４図に示すように、アルミニウムを蒸着したファ
イバ（ファイバ形偏光千１６）の後続の部分を１ｃｒｎ
の長さくファイバのビート長の７４）に切断し、ファイ
バ形位相板１７とすることによって、波長１．８μｍ用
の元アイソレータを作製する。
イバ（ファイバ形偏光千１６）の後続の部分を１ｃｒｎ
の長さくファイバのビート長の７４）に切断し、ファイ
バ形位相板１７とすることによって、波長１．８μｍ用
の元アイソレータを作製する。
作製されたファイバ形光アイソレータの原理を以下に示
す。このアイソレータシまアルミニウムを蒸着したファ
イバ形偏光子と、応力付与ＹＹ−、ツー。
す。このアイソレータシまアルミニウムを蒸着したファ
イバ形偏光子と、応力付与ＹＹ−、ツー。
バのビート長を利用したファイバ形位相板とから構成さ
れている。第８１ズに示−ｔ２Ｌうに一コアの近傍に金
属が存在オろと、電界が金１％面に垂直なモービレ１吸
収さ」ｔ、平行かモードだけが透過し、偏光子となる。
れている。第８１ズに示−ｔ２Ｌうに一コアの近傍に金
属が存在オろと、電界が金１％面に垂直なモービレ１吸
収さ」ｔ、平行かモードだけが透過し、偏光子となる。
（文献Ｗ、 Ｆ：１ｃｋｈｏｔｔ 、 ” Ｉｎ −１
ｉｎｅｆ１ｂ（３ｒ −ｏｐｔ、１ｃ ｐｏｌａ、ｒ」
、ｚｅｒ ｌ ” Ｅｌｅｃ ｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ、
。
ｉｎｅｆ１ｂ（３ｒ −ｏｐｔ、１ｃ ｐｏｌａ、ｒ」
、ｚｅｒ ｌ ” Ｅｌｅｃ ｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ、
。
Ｖｏｌ、１１＋、 ７６．２０ 、 ｐｐ、 ７１１２
− ’ＩＲＲ、ｌＧ１８（１，）従って、ファイバ１杉
旧元子ノ由〕尚後の光はエツチングされていないファイ
バに入射するが、このときの元の′心界゛方向は、ファ
イバのコア中心とＳｉｎ、 ＋ Ｂ２Ｏ３領域の中心と
を結ぶ直線と４５°の角度な竹する。第２図ｆｅｌに示
すようブｘ傳造のファイバは複屈折性を貧し、そのコア
の二つの主軸は、コア中心から８１０２十Ｂ２Ｏ３領域
の中心への方向と、それと９０°の方向である。
− ’ＩＲＲ、ｌＧ１８（１，）従って、ファイバ１杉
旧元子ノ由〕尚後の光はエツチングされていないファイ
バに入射するが、このときの元の′心界゛方向は、ファ
イバのコア中心とＳｉｎ、 ＋ Ｂ２Ｏ３領域の中心と
を結ぶ直線と４５°の角度な竹する。第２図ｆｅｌに示
すようブｘ傳造のファイバは複屈折性を貧し、そのコア
の二つの主軸は、コア中心から８１０２十Ｂ２Ｏ３領域
の中心への方向と、それと９０°の方向である。
この複屈折性は線引き時に約２０００ ’Ｃに加熱され
、急激に室温まで冷やされる過程において、純シリカと
Ｓｉｎ、 ＋ Ｂ２Ｏ３ガラスの熱膨張係数の差によっ
てファイバ中に残留応力が生じるために生じろ。（文献
保坂他、”非対称屈折率溝なイイーする単一偏波光ファ
イバ″′、光・着工ｌ／ω１うｌ；会。
、急激に室温まで冷やされる過程において、純シリカと
Ｓｉｎ、 ＋ Ｂ２Ｏ３ガラスの熱膨張係数の差によっ
てファイバ中に残留応力が生じるために生じろ。（文献
保坂他、”非対称屈折率溝なイイーする単一偏波光ファ
イバ″′、光・着工ｌ／ω１うｌ；会。
０ＱＥ８１−２２ 、Ｔ）ｌ）−４８−４８，１９８１
，）この複屈折性ファイバ（氾５図に示す１８’）に入
射する元の醒界方向は、この実施例の場合主軸と４５°
の角度である。主軸に対して４５°の角ＩＷで入射した
直線偏光１９は、第５図に示すように伝搬するに従って
楕円偏′ｆ：ｚＯ１円偏蓋２１、楕円偏光、直線偏光と
変化する。ビート長工、は直線偏光が再び同じ方向の直
線部ｆｆ′、にもどるまでの長・ 】 さであり、ファイバの長さカービート長の４の長さのと
き、出射婦では円偏光となる。この実施例ではＬ中４（
ｍである。従ってこのアイソレータでは、ファイバの長
さめ；Ｉｃｍであるので、ファイバ形部光子に続く偏心
ファイバからの出射光は１円偏光となる。
，）この複屈折性ファイバ（氾５図に示す１８’）に入
射する元の醒界方向は、この実施例の場合主軸と４５°
の角度である。主軸に対して４５°の角ＩＷで入射した
直線偏光１９は、第５図に示すように伝搬するに従って
楕円偏′ｆ：ｚＯ１円偏蓋２１、楕円偏光、直線偏光と
変化する。ビート長工、は直線偏光が再び同じ方向の直
線部ｆｆ′、にもどるまでの長・ 】 さであり、ファイバの長さカービート長の４の長さのと
き、出射婦では円偏光となる。この実施例ではＬ中４（
ｍである。従ってこのアイソレータでは、ファイバの長
さめ；Ｉｃｍであるので、ファイバ形部光子に続く偏心
ファイバからの出射光は１円偏光となる。
資アインレータの必要性は、）ｆ源と一体化されたファ
イバと、通常のファイバとの接続点における反射光を光
源にもとさｌｒいようにすることにある。
イバと、通常のファイバとの接続点における反射光を光
源にもとさｌｒいようにすることにある。
第６図に示すように、光強（半・ｒ＜体レーザ２２）と
一体化されたこの実施例によるファイバ形イ―アイソレ
ータに、通常のファイバを接続するとき、コア・ｆバ形
部資子通過後の直線部イーはｚ８となり、ファイバ形位
相板通過後の円偏光は２４となり、伝搬光は円偏光２７
となって、通常の伝送用ファイバ２８に入射され伝搬す
る。し、か１２接続点では光の一部が反射され、ファイ
バ形光アイソレータにもどる。ただし第６図に示すよ５
に一反射光は反射点において、アイソレータ側から見た
とき透過光とは逆回りの円偏光ｚ５となることが知られ
ている。この反射円偏光２５はビート長の４の長さの複
屈折ファイバ（ファイバ形位相板１７）を通過後、ファ
イバ形偏光子の直前では電界が金 １属面に垂直
な直線部′＃：、２６と１．（るので、コアイノく形部
光子によって減衰させられろ。コアイノ（形部°光子に
は応力付与部（ｓ１ｏ２＋Ｂ２ｏ８領域）がないので、
複屈折性はなく、ここでは金属面に垂直な直線偏光が保
存され、急激に反射光は減衰する。
一体化されたこの実施例によるファイバ形イ―アイソレ
ータに、通常のファイバを接続するとき、コア・ｆバ形
部資子通過後の直線部イーはｚ８となり、ファイバ形位
相板通過後の円偏光は２４となり、伝搬光は円偏光２７
となって、通常の伝送用ファイバ２８に入射され伝搬す
る。し、か１２接続点では光の一部が反射され、ファイ
バ形光アイソレータにもどる。ただし第６図に示すよ５
に一反射光は反射点において、アイソレータ側から見た
とき透過光とは逆回りの円偏光ｚ５となることが知られ
ている。この反射円偏光２５はビート長の４の長さの複
屈折ファイバ（ファイバ形位相板１７）を通過後、ファ
イバ形偏光子の直前では電界が金 １属面に垂直
な直線部′＃：、２６と１．（るので、コアイノく形部
光子によって減衰させられろ。コアイノ（形部°光子に
は応力付与部（ｓ１ｏ２＋Ｂ２ｏ８領域）がないので、
複屈折性はなく、ここでは金属面に垂直な直線偏光が保
存され、急激に反射光は減衰する。
このように反射光を除去して光源へのもどり゛）ｆをな
くすことノ）−できるので、元アイソレータと１、ての
効果がある。
くすことノ）−できるので、元アイソレータと１、ての
効果がある。
半導化レーザとこの元アイツレ−ｌとの接続は、通常の
ようｂτ無反射コーティングを行えば間頭ない。
ようｂτ無反射コーティングを行えば間頭ない。
なおこの実施例では波長が１．３／ｚｍ用のゲｒ−アイ
ソレータについて説明ｌまたが、波Ｊそｔｔ、 ｓ・３
μｍＫ限定されない。またコア径、屈折率差、応力付与
部（Ｓ１０□十Ｂ２Ｏ３ガラス領域）の大きさ、ビート
長り等も適当に剋ぶこと示できろ。
ソレータについて説明ｌまたが、波Ｊそｔｔ、 ｓ・３
μｍＫ限定されない。またコア径、屈折率差、応力付与
部（Ｓ１０□十Ｂ２Ｏ３ガラス領域）の大きさ、ビート
長り等も適当に剋ぶこと示できろ。
さらにコアの形状も第７図に示すようｔｔ ８１円もし
くは矩形も可能である。応力（＝Ｉ与部は５ｉＯ８＋
Ｂ２Ｏ３＋ Ｐ２Ｏ，または８ｉ０４ ＋ Ｂ、０３４
− ｒ）ｅｏ、ガラス等を用いることもで般る。
くは矩形も可能である。応力（＝Ｉ与部は５ｉＯ８＋
Ｂ２Ｏ３＋ Ｐ２Ｏ，または８ｉ０４ ＋ Ｂ、０３４
− ｒ）ｅｏ、ガラス等を用いることもで般る。
この実施例では、コア中心とボロンドープト領域の中心
とを結ぶ１Ｕ線と、半円柱状ファイバの直線部との角度
が４５°の場合について説明したが、実際にはエツチン
グする前のファイバの二つの光学的主軸の方向が、半円
柱状ファイバ断面内の直線部と４５°の角度を有するこ
とゾを必甥であり、コアがファイバ表面にあること’ｔ
６よびコアの楕円化等による複屈折性を考にすると、ボ
ロンドープト領域の位置は必ずしも構造的Ｗは４５°の
方向に限定されない。
とを結ぶ１Ｕ線と、半円柱状ファイバの直線部との角度
が４５°の場合について説明したが、実際にはエツチン
グする前のファイバの二つの光学的主軸の方向が、半円
柱状ファイバ断面内の直線部と４５°の角度を有するこ
とゾを必甥であり、コアがファイバ表面にあること’ｔ
６よびコアの楕円化等による複屈折性を考にすると、ボ
ロンドープト領域の位置は必ずしも構造的Ｗは４５°の
方向に限定されない。
ファイバ形偏光子は消光比４０ ｄＢ、かつ挿入損失１
．２ｄＢの詩性力ζ得られるので、基本的にはファイバ
形光アイソレータもアイソレーション４０ ｄＢ、挿入
損失１．２ ｄＢという低損失かつ高アイソレーション
化ゾ迅ｉ「能である。
．２ｄＢの詩性力ζ得られるので、基本的にはファイバ
形光アイソレータもアイソレーション４０ ｄＢ、挿入
損失１．２ ｄＢという低損失かつ高アイソレーション
化ゾ迅ｉ「能である。
以上説明したように、本発明によるファイバ形光アイソ
レータの作Ｑ方法は、基本的にファイバ作製における線
引き技術を利用しているので、大量生産が可能で力・す
、また構造ノ）ζ＋ｔｒ１単のｌこめ低価格化が可能で
ある。
レータの作Ｑ方法は、基本的にファイバ作製における線
引き技術を利用しているので、大量生産が可能で力・す
、また構造ノ）ζ＋ｔｒ１単のｌこめ低価格化が可能で
ある。
さらにファイバ構造を有するので、一般のファイバとの
接続が容易であるという大きな利点ノ）ζある。
接続が容易であるという大きな利点ノ）ζある。
第１図は従来法による光アイソレータの概略図第２図は
ファイバ形削アイソレータ用母材の作製図、第８図はフ
ァイバ形偏光子の断面図、第１図はファイバ形光アイソ
レータの概略図、第５図は主軸に対して４５°の角度の
直線偏光を人！：ｌしたと西襟屈折性ファイバ中を伝搬
する光の（Ｉ＋ｒｌ−）Ｙ−、状！轡を示す図、第６図
はアイル−タの作用の説明図。 第７図は楕円コア党アイソレータの概略を示す断面図で
ある。 １・・・偏光子、２・・・磁気光学回転子、８・・・検
光子、４・・・偏光子通過後の磁界方向、５・・・磁界
方向、６・・・磁気光学回転子通過後の４界方向。 ７・・・逆方向の光の磁気光学回転子通過段の７（１，
昇方向、８・・・光フアイバ用母材、９・・・コア、ｌ
Ｏ・・・クラッド、１１・・・半円４４：状母材、１２
・・・穴、ＩＲ・・・Ｓｉｎ、 ＋ Ｂ、ＯＲガラス円
柱、１４・・・アイソレータ用母材、１５・・・了ルミ
ニウム、１６・・・ファイバ形偏光子、１７・・・ファ
イバ形位相板、１８・・・複屈折性ファイバ、ｌ １１
・・・直線偏光、２０・・・楕円偏光、２１・・・円偏
光、ｚ２・・・半導体レーザ、２８・・・ファイバ形愉
尤子通過陵の面線１．ｈｉｉ元、２４・・・ファイバ形
位相寂連過陵の円偏光、２５・・・反射円遍圧−２６・
・・除去される直線偏光、ｚ７・・・云搬円偏尤、２８
・・・伝送用ファイバ。
ファイバ形削アイソレータ用母材の作製図、第８図はフ
ァイバ形偏光子の断面図、第１図はファイバ形光アイソ
レータの概略図、第５図は主軸に対して４５°の角度の
直線偏光を人！：ｌしたと西襟屈折性ファイバ中を伝搬
する光の（Ｉ＋ｒｌ−）Ｙ−、状！轡を示す図、第６図
はアイル−タの作用の説明図。 第７図は楕円コア党アイソレータの概略を示す断面図で
ある。 １・・・偏光子、２・・・磁気光学回転子、８・・・検
光子、４・・・偏光子通過後の磁界方向、５・・・磁界
方向、６・・・磁気光学回転子通過後の４界方向。 ７・・・逆方向の光の磁気光学回転子通過段の７（１，
昇方向、８・・・光フアイバ用母材、９・・・コア、ｌ
Ｏ・・・クラッド、１１・・・半円４４：状母材、１２
・・・穴、ＩＲ・・・Ｓｉｎ、 ＋ Ｂ、ＯＲガラス円
柱、１４・・・アイソレータ用母材、１５・・・了ルミ
ニウム、１６・・・ファイバ形偏光子、１７・・・ファ
イバ形位相板、１８・・・複屈折性ファイバ、ｌ １１
・・・直線偏光、２０・・・楕円偏光、２１・・・円偏
光、ｚ２・・・半導体レーザ、２８・・・ファイバ形愉
尤子通過陵の面線１．ｈｉｉ元、２４・・・ファイバ形
位相寂連過陵の円偏光、２５・・・反射円遍圧−２６・
・・除去される直線偏光、ｚ７・・・云搬円偏尤、２８
・・・伝送用ファイバ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 光フアイバ用母材を研摩加工１７でコアを含む半円
柱状母材を作製【２．との半円柱状母材のクラッド中に
コアから帷して円柱状の穴を開けた後１円柱状のボロン
ドープトシリカガラスを該穴に挿入し、一体化し、た祷
、線引いてファイバ化し１次にこのファイバ化したファ
イバの一部をフッ酸系エッチャントでコア付近までエツ
チングすると同時に、ボロンドープトシリカ領域をエツ
チングして除去した後、さらにその周囲に金属膜を装荷
し、前記エツチング部に後続するエツチングおよび金属
膜装荷を施さないファイバを、該ファイバの二つの偏波
モードの云搬定教差をΔβとしたとき、Ｌ＝２π／Δβ
で表わされるビート長りの１．／４の長さに切断するこ
とか特徴とするファイバ形光アイソレークの作製方法。 ２、’＄許請求のｆｌｔｉ＞四埴１項記載のファイバ形
光アイソレークの作製方法において、エツチングを施す
前の半円杆状ファイバ断面内において、ボロンド−プト
シリカ領域による残留応力等２しって発生するファイバ
の二つの光学的主軸の方向７）ζ、半円柱状ファイバ断
面の直線ＨＩＥと４５°の／？Ｉ ＩＩＣＫなるようｊ
７ボａ７ドープトシリカガラスを挿入する穴の位置を設
定することを特許、Ｉ＝−，ｌ−るファイバ形光アイソ
レークの作・目方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164312A JPS5953804A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | フアイバ形光アイソレ−タの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164312A JPS5953804A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | フアイバ形光アイソレ−タの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5953804A true JPS5953804A (ja) | 1984-03-28 |
Family
ID=15790743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164312A Pending JPS5953804A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | フアイバ形光アイソレ−タの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953804A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7627202B2 (en) * | 2006-07-28 | 2009-12-01 | Tsinghua University | Method for manufacturing optical fiber probe |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57164312A patent/JPS5953804A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7627202B2 (en) * | 2006-07-28 | 2009-12-01 | Tsinghua University | Method for manufacturing optical fiber probe |
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