JPS6097304A - 偏光子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｔ７′）技術分野 この発明は、光ファイバの途中に設けた偏光子に関する
。

（イ）従来技術とその問題点 自然光を直線偏光に変える素子を偏光子という。

偏光子には、偏光プリズム、偏光板などがあった。

偏光子（ａｎａｌｙｚｅｒ　）と検光子（ｐｏｌａｒｉ
ｚｅｒ　）　を区別することもあるが、同一構造である
ので、ここでは検光子も含めて偏光子と言うことにする
。

偏光子は、結晶の複屈折性を利用し、常光線と異常光線
とを分離し、これにより光の偏光状態を、直線偏光に変
える。従来は、方解石、水晶、１（１）Ｐ、ＡＤＰなど
の結晶を適当にカットして偏光子を作っていた。

このような、偏光子はかなり大きなもので、光源、レン
ズ、ミラー、受光器などが、個々の光学部品として独立
しており、これらを定盤の上に固定して光学系を組立て
る、というような場合に有効であった。

しかし、レーザ光などは、光フアイバ中を伝搬させる事
が多くなり、シングルモード光ファイバを使用する時、
偏波面をも制御する必要のある場合がある。また光フア
イバジャイロの光源として、半導体レーザを用いるとす
れば、戻り光をカットするため、光アイソレータが必要
となる。光アイソレータを構成するには、偏光子が必要
である。

光フアイバ中を伝搬する光を直線偏光にするには、光フ
ァイバを切断し、切断した端面の間に、レンズ、偏光子
、レンズを配置させなければならなかった。

第５図は、そのような光学系構成図である。

光ファイバ２０．２１の端面か対向しており、この間に
、レンズ２３、偏光子２５、レンズ２４がある。光ファ
イバ２０．２１のコア２６から出則された光は、レンズ
２３によって平行光になり、偏光子２５を通過すること
により、直線偏光に変えられる。この光はレンズ２４に
よって、反対側の光フアイバコア２７へ絞られて入射す
る。

このようにすると、光フアイバ中の光を偏光させること
かできるはずであるが、光をいったん空気中へとり出す
ために、レンズ、偏光子、ファイバ端などに於ける反則
などがあり、挿入損失が大きくなる。また、シングルモ
ードファイバの微細な径のコアに再ひ入射させるのであ
るから、軸合わぜが回加である。また、偏光子の部分が
、他の部分に比して、嵩高くなりずきる。このような欠
点があるので、第５図のような光学系は実用的ではない
。

光フアイバ中の光に対して用いられる偏光子は、光ファ
イバと同程度微細であるべきである。また、挿入損失も
てきる限り小さくなけれはならない。

そこで、光ファイバを切断せず、そのままで偏光させる
、という事が目的になる。現在のところ、様々な提案が
なされているが、未だ満足できるものはない。

第６図は、公知の一例を示１−１光ファイバ偏光子の断
面図である。これはＲ，Ａ、Ｂｃｒｇｂ　ｃｔ　ａｌ　
：ＯＰＬ　、Ｌｅｔｔ　、　、５．１１．４７９　（１
９８０）　によるものである。

光ファイバは、コアＡとクラッド１３とよりなるが、コ
アＡの近傍まで、クラッドＢを弓形に研磨して除去し、
適当な結晶Ｃに貼りつけ、光フアイバ偏光子としている
。コア八を伝搬する光の内、結晶面Ｃに直角方向に偏波
面をもつものと、平行な方向に偏波面をもつものの位相
速度が異なる。

一方の偏光成分は、クラッドから結晶Ｃへ拡散して消え
てしまう。この光フアイバ偏光子は、長さにもよるが、
最大６０　ｄＢの消光比か得られ、挿入損失は数％であ
る、と報告されている。

第７図は他の公知の一例を示す光フアイバ偏光子の断面
図である。これは、Ｗ、　ＥＩＣＫＨＯＦＩ”、；Ｅｌ
ｃｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、、１６，２０．７６２（１９
８０）によるものである。クラッドの一部を弓形に除去
するのは同じであるが、この部分に、こんとは金属Ｍを
貼りつけている。これは、消光比か１４　ｄＢと、報告
されている。ここで消光比というのは、直線偏光に変換
された光のパワーと、これに直角方向に偏波面を有する
光のパワーの比の対数をとって、ｄＢて表わしたもので
ある。

第８図は他の公知の光フアイバ偏光子の例を示す断面図
である。これは０１）Ｌ　、　Ｌｃｔｔ　、、　８　、
２　、１２４（１９８３）によるものである。クラッド
の一部を、ボロシリケートガラスＢＳで置換し、外側を
、ジャケットシリカチューブＪＳて被覆している。これ
は、長さか４０肛で、消光比が３ＱｄＢ、挿入損失が１
０（１１３程度であると報告されている。

第９図は、他の公知例にかかる光フアイバ偏光子の断面
図である。これは、クラッドＢの中に、応力付与部］′
Ｓを付加し、さらにクラッドの一方を削り、金属Ｍを貼
りつけたものである。長さが４０胴で、消光比４Ｑ　ｄ
Ｂと報告されている。

以、上に説明した光フアイバ偏光子は、いずれも、単な
る提案にすきず、未だ実用的ではない。

その理由は、挿入損失が小さく、消光比の大きいものが
未だ、安定に、再現性良く得られない、ということにあ
る。

いずれにしても、光ファイバのコアはそのままで、加工
していない。クラッドに非対象性を与えているたけであ
る。クラッドを深く削って、ここに金属や結晶を貼りつ
けると、クラッドと屈折率の異なるものが、クラッドの
かわりに一方に存在することになる。光は、大部分がコ
アの中に分布する波動函数で表わされるが、この函数は
、クラッドの中にも、減衰しなから連続して入ってゆく
。

クラッドが軸対称であれば、いずれの方向ｌこ偏波面を
有する光も位相速度が等しい。

クラッドの屈折率が非対称であれば、コア中を伝わる光
の位相速度が偏波面の方向によって異なる。つまり、偏
波面の方向により、実効的屈折率が異なってくる。一方
の光成分に対して、クラッドは、充分な閉じ込め能力を
持たず、この光成分は、コアから外１ηＳへ漏れてゆく
ことになる。こうして、一方の偏波面を有する光成分の
みが残り、偏光子として機能する。

このように、クラッドの非対称性によるので、選択作用
が極めて弱い。波動ω；ｊ数の拡がりの内、最外側の部
分にのみ、弱い摂動をＬｊえたのにずぎないからである
。

従って、こ１１らは、いずれも長さが４０　ｍｍ程度な
けれはならない、ということか報告さ、ｉ９ている。

しかし、光ファイバや光集積回路の中に於て、単一８ｉ
能の素子が、数１０ｍｒｎの長さを必要とする、という
のは現実的ではない。もつと短かくなくてはならない。

既に提案されたいくつかの光フアイバ偏光子の共通ずる
欠点は、単位長さあたりの消光比があまりにも少なずき
る、という事である。

この欠点は、結局、これらの提案か全て、光ファイバの
クラッドの構造を非対称にする、という発想から出発し
ていることによる。本発明者は、クラッドではなく、コ
アの構造を非対称にすれば、単位長さあたりの消光比の
大きい光フアイバ偏光子を得ることができるはずである
と、考えた。

（つ）金属、誘電体多層体 本発明者は、光ファイバのコアに、直接、偏光作用を起
こさせる素子を挿入すべきである、と考えた。

従来のように、複屈折性を有する結晶を用いる偏光子は
、複屈折による常光線、異常光線の速度の違いにより、
一方の光のみをとり出そうとするものである。

本発明者は、複屈折を利用するのではなく、もつと直接
的な作用により、偏光子を溝底したいと考えた。

光ファイバは、屈折率の異なる２種類の誘電体を同心円
状に組み合わせて、コアの部分に、光を、減衰か少なく
なるように、通したものである。光ファイバの中に存在
する光のモードについては、既に多くのことか知られて
いる。

また、層状に屈折率の異なる誘電体を組合わせたスラブ
型線路の光のモードについても多くのことか知られてい
る。これは、屈折率の高い誘電体を、屈折率の低い誘電
体で挾んだものである。

この他にも矩形断面の誘電体の中のモードについても詳
しく調へられている。

これらの導波路は、光を損失なく、伝搬させることかで
きるか、偏光作用はない。

円偏光を直線偏光にするには、一方に偏光した光のみを
通し、それ以外の光を減衰させるようにずれは良いわけ
である。

そこで木発明者は、金属と、誘電体の多層膜を作り、層
面へ平行に光を通せば、偏光作用が得られるはすである
、という着想を得た。

誘電体の中を通る光は、金属のために、減衰する。しか
し、この減衰は全ての偏光について、等しく起るのでは
ない。金属へ入射した光か吸収されるのは、電場によっ
て、金属中に電流か流れ、これによりジュール熱損失が
生するからである。

金属か多くの自由電子を含むから、電磁波が入射すれば
、これによる渦電流が発生ずる。このため、電磁波は金
属の中まで深く浸透することができない。

もしも金属が三次元的な拡りをもっておれは、どのよう
な方向に偏光している電磁波も、容易に減衰してしまう
。

しかし、金属が極めて薄ければ、ある特定の偏波面を有
する電磁波だけは、減衰しないで、ここを通り抜けるこ
とができるはすである。

薄い金属面に対し直角な電場を有する電磁波がこれであ
る。このような電磁波は、電場が薄い金属面と直交して
いるので、金属自由電子か電場によって動かない。従っ
て、電子によって、電磁波のエネルギーか奪われること
はない。

ここて″薄く″というのは、それゆえ、電子の平均自由
工程より短いという事である。

これとは逆に、金属面に対し平行な電界を有する電磁波
は、電界によって金属面内の電子が動くので、これによ
ってエネルギーが奪われ、早やかに減衰する。

つまり、全ての金属が電磁波からエネルギーを奪うので
はなく、極めて薄い金属板は、板面に対して直角の電界
を持つ電磁波に対しては、全く存在しないのと同しであ
る。

そこで、本発明者は、薄い金属層と、誘電体層とを交互
に設けた金属、誘電体多層体によって、偏光子を構成で
きるはずである、と考えた。

これは、全く例のない、新しい着想である。

第１０図は金属、誘電体多層体３０の斜視図である。厚
さｄの誘電体層３１と、厚さｇの極めて薄い金属層３２
とを交互に層状に重ね合わせてなる。

光の伝搬方向をｌ、金属層、誘電体層の法線方向をＸと
する。これらの層面はｙＺ面に平面である。

多様な方向に偏光している光が、金属、誘電体多層体を
通過すると、Ｘ軸方向に１■界を有する光だけが反対側
まで透過する。それ以外の偏光の光は全て吸収されてし
まう。

マックスウェルの方程式から、Ｅｘ　、　Ｅｙ　、　Ｈ
ｘ　。

＋１ｙは、Ｅｚ　、　１１７．　によって、下のように
表わすことができる。

１（２−ωμε−β２（５） ただし、βは２方向の位相定数、μは透磁率、εは誘電
率、ωは光の角振動数である。誘電体層と金属層は周期
的にＸ方向に繰返えしている。従って、どの誘電体層に
於ても光の波動函数は同じになるはずである。金属層の
中でも同じはずである。

そこで、ある誘電体層の中心を原点にとる。金属層との
境界はＸ−±ｄ／２である。この金属層の中心はＸ−±
ｄ／２±ｇである。

この多層体を通過するＴＭモードと、ＴＥモードとにつ
いて考える。

′１′Ｍモートというのは、ｌ方向の磁場がないという
ことである。Ｈｚ　＝　Ｑ　である。さらにＸ方向の微
分もａ／ａ７　＝　Ｏであるとする。

そうすると、Ｅｙ　＝　Ｑ、ｌ−１ｘ　＝　Ｏであり、
そこで、ｔｔｙにつＬ）での波動方程式を考える。これ
は、 である。但し、ｅｘｐ　ｉ　（β２−ωｔ）の項がｌ−
１ｙに含まれるものとした。（８）式は誘電体の中でも
、金属層の中でも成立する。ただし、誘電率εの内容が
異なる。誘電体では、εは正の実数である。金属層では
、εは虚数部を有する。これは電気伝導率σによるもの
である。誘電体と金属の中で（８）式％式％ 誘電体中で対称な解をめると、Ａを定数として、 Ｈｙ　＝　Ａ　ｃｏｓ　Ｐｘ　（９） とかける。Ｐは（５）式のεを、誘電体の誘電率εｌ（
正の実数）としたもので、 Ｐ−ｆ（ｎ”−ｐ−’Ｅ”１’−”’−β２Ｑｌである
。（７）式と（９）式よりＥｚをめると、となる。

金属層（ｄ／２〜ｄ／２＋ｇ／２）テノヤはりＸ−（ｄ
＋ｇ　）／２について対称な解をめると、ｄｇ　（２） Ｈｙ　＝　Ｂ　ｃｏｓｈ　Ｑ　（Ｘ　−Ｔ　−了）であ
る。ただし、Ｑは（５）式のＫと、反対符号にとった値
で、 Ｑ＝〆−ｐ−Ｔ’；π　α葎 である。ε２は複素数であるから、Ｑも複素数である。

たたし、実数部分の符号が正になるようにしである。

（７）式からＥｚをめると、 となる。金属、誘電体の境界Ｘ−ｄ／２に於て、磁場の
接線成分１−１ｙが連続、電場の接続成分Ｅｚが連続で
ある、という境界条件を課す。

（９）、０才式より、ｘ　＝　ｄ／２に於て、ａｌ）、
　（１４）式より、ｘ−ｄ／２に於てＯｏ、θＱは固有
値方程式 を得る。ε２は複素数、Ｑも複素数である。これは一般
式であるが、容易に解けない。そこでＰｄくく１、ＩＱ
ｇ＋＜＜１　という仮定をする。これは光の波長λが誘
電体の厚みｄより長い、という事を要求している。

以下は近似式である。上記の仮定はよって、０９式は、 と書きかえることができる。

以上の式は、Ｍ　Ｋ　Ｓ単位系でのマックスウェル方程
式から出発しているので、ε、μはＭＫＳ単位での値で
ある。これでは不便なので、ε、μをｃ、ｇ、ｓ単位の
値に変える。波数ｋを導入する、−二　〇〇 でこれは定数である。ＱＯ、０３式を（至）式に代入す
るが、ここで、ε、μを、ｃ、ｇ、ｓ単位に置換えると
、（ｋ２μεｌ−β２）ｄε２−（β２−に２με２）
ε１ｇ　翰となる。

これを解いて、βについて固有値をめると、となる。こ
れが−１”　Ｍ波の位相定数βの固有値である。

次に、この多層体を２方向に伝搬するＴＥモードについ
て考える。ＴＥモードであるからＥｚ　＝０である。ｙ
微分は全て０である、とすると、Ｅｘ　＝　Ｑ、Ｈｙ　
＝　Ｑである。　（１）　〜（４）式より、となる。Ｅ
Ｖについての微分方程式は（８）式と同様で、 となる。

誘電体中で対称な解は、 Ｅｙ　＝Ｃｃｏｓ　Ｐｘ　ｅＡ である。Ｐは００に与えられている。

金属中で対称な解は である。

誘電体中でＨｚは、（イ）式より、 金属中でｌ−１ｚは（ホ）、（イ）よりである。

Ｈｚ　、　Ｅｙの境界条件を課すと、 となる。

固有値方程式は、 である。Ｊ’　ｄ　＜＜　１の近似をすると、Ｐ２ｄ　
＝　Ｑ２ｇ　に３っ である。Ｑｏ）　、　Ｕ式と、ε、μについてｃ、ｇ、
ｓ単位系への吉き換えをすると、 （ｋ２με１−β２）ｄ＝ｇ（β２　１２．、ε２）■
これから、βをめると、固有値 がめられる。

誘電体の誘電率εｌは正の実数で、たとえは溶融石英の
場合、１．４６２＝　２．１３の程度である。

ε２は金属層の誘電率であるから、電気伝導度σによる
虚数部を含む。これによって位相定数βは、虚数部を含
むことになる。βの虚数部は、光の振幅の減衰を表わし
ている。′■”Ｍモードと、ＴＥモードのβの虚数部の
大きさが問題である。

まず、誘電体の厚みｄ、金属層の厚みｇについて考える
。もしもｇが大きくて、ｄと同程度、又はｄより大きい
とすると、ＴＥモード、’ｌ−Ｍモードのいずれもが同
しβ２の値をとるようになり、減衰も大きい。したがっ
て、′１”Ｅ、ＴＭモードに減衰の差がない。つまり、
偏光子として機能しない。

そこで、ｇはｄよりも小さくなければならない。

ｇ　＜＜　ｄ　（ハ） である。こうすると、′Ｉ″Ｍモード、Ｔ　Ｉｉモード
のβの値が異なってくる。

金属の誘電率ε２は、実数部と虚数部を有する。

実数部をη、虚数部をξとする。

ε２−η十ｊξ　（ト） である。

ＴＭモードのβ２は、 とかける。βを実数部と虚数部に分けるβ二に＋＋ｉに
２　（至） さらに、近似を重ねて、 となる。

゛１゛１シモードのβ２は、同様に βを実数部と虚数部に分けて、虚数部に２はとなる。虚
数部の−ｒ　ｈｔ、Ｔ　Ｅモードについての什は である。

位相定数βの虚数部に２の値は、Ｔ　Ｅモードの方が゛
ｒＭモードより大きい。

単位長さあたりの減衰比の対数をめると、減衰比／長さ
　をデシベルで表わすことかできる。

減衰は ３１ て与えられる。

例によって、この値を計算する。波長１μＩｌｌの光を
、ｇ　、＝　１５０人、ｄ　＝　４５００　久の多層体
へ通したとする。μ＝１と仮定する。誘電体は石英とし
てεｌ　＝　１．４６２、金属層はＡｊ７としてη＝−
６１．９、ξ＝　−２３，２とする。

ＴＥ、ＴＭの減衰比ＡＴはこの例で これは、１μＩｎ当りの消う←比に等しい。１μＩｎ　
あたり、１４ｄＢ　の消光比が得られるということにな
る。

一方、ＴＭモードの減衰ＡＭはこの例てにすきない。

２に２（’Ｉ″Ｅ）ユＡ］′　である。

このような計算結果から、数μＩｎ〜数十μｍ　の長さ
て、消光比が１００　ｄＢ程度、挿入損失（Ｔ　Ｍ波の
減衰）がＱ、ｌｄＢｄＢ程度のか得られる可能性のある
事か分った。

第１１図は、′１”Ｍモード、ＴＥモードの光のこの多
層体を通過する時の、減衰定数を波長を変数として示し
たグラフである。ＴＭモードの減衰定数の方がＴ　Ｅモ
ードのそれより著しく小さし）。波長の依存性は、ｋ、
εｌ、η、ξ　なとを通じて、これに人ってくる。

誘電体は５ｉ０２て厚さｄは１０００　Ａ、金属はＡｊ
７て、ｊｆさビは５０人である。横軸は波長（μｍ　）
、縦軸は１μＩＩＩあたりの減衰定数を示した。

（１）本発明の偏光子の製造方法 前節に於て、全く新しい技術思想にもとつく偏光子を説
明した。この偏光子は、もちろん個別の部品として作る
こともできる。

しかし、寸法が小さいことと、結晶を必要としない、と
いう優れた特長があり、光フアイバ中に偏光子を作製す
るのに最適である。

この方法を、第１図から第３図によって説明する。

まず、第１図に示すように、コア２とクラッド３よりな
る光ファイバ１の側方からコア２に至るまで、溝４を切
りこむ。溝４は、弓形に切りこむが、底面５は平坦でな
ければならない。側面６゜６も平坦であるのか望ましい
。溝の弓形の切除部がコア２の部分を含む、というのが
重要である。

溝４の底面５、側面６を平坦にするため、イオンミリン
グ、スパッタエツチング、リアクティブイオンエツチン
グなど方向性を有するエツチング法が適している。

また、鋭利な刃物によって機械的に溝４を切りこむこと
もできる。

こうして弓形の溝ができると、底面５に平行になるよう
、底面５へ、誘電体層γと金属層８を形成してゆく。

例えは、溶融石英をスパッタリングによって、溝４の中
へ厚さか４０００〜５０００　Ａとなるように層形成す
る。この上に、Ａｌを蒸着により、厚さが５０〜２００
Ａ　程度になるようつけてゆく。石英と、Ａｊｌ’とを
交互に繰返し溝４の底面５に平行になるように層形成し
てゆく。

コアの部分を覆うたけ、金属、誘電体の多層体かできれ
はよい。たとえは、金属、誘電体の１層の厚さが０．５
７７１１１とし、コアの１Ｍ径が５μｍとすれば、この
操作を１０〜２０回繰返せば、コアの部分に、多層体を
形成できる。

溝の幅は数μｍ〜数十μｍでよい。

第２図は層形成の途中を示す斜視図である。

第３図はコアを含む部分の層形成ができ、さらに、クラ
ッド部分にも溶融石英を積層した状態を示す。さらに、
この上を被覆して補強することもある。

第４図は多層体を形成した部分の断面図である。

シングルモードファイバであるから、コアの径は５　μ
ｌｎ　〜１０７７ｍ　９！Ｊにすきない、クラッドの径
は、１００〜３００　ｔｔｍ　ｎ程ｒＫて、この例では
２５０　ｐｍ　ｐとなっている。

オ）本発明の偏光子 本発明の偏光子は、 （１）　コア及びクラッドよりなる光コアイノくのコア
を含みコア軸線と直角な弓形部分に、（２）　薄い金属
層８と、これより厚い誘電体層７をある繰返し周期で、
コア軸線と平行になるよう積層した金属、誘電体多層体
を設けである。

ここて、金属層は、Ａｌの他にＡｕ　、４ｇ　、　Ｃｕ
などを使うことができる。

誘電体は、光フアイバコアの材質と、はぼ同じ誘電率を
持ち、光に対し透明であることか望まれる。

（力）効　果 本発明によれば、光フアイバ中に直接、微小偏光素子を
形成できる。従来の偏光プリズム、偏光板と光ファイバ
を組合わ１せる場合に比して、レンズか不要で、端面て
のレンズ、偏光子との軸合わせを必要としない、という
長所かある。また、大ノ（“）の光学ｊＸｉ５品を組合
せたものではないから、機械的な振動に対して強く、調
１（（を繰返すという煩雑さからも免れる。微小である
ので、スペースをとらず、集積化に好適である。光集積
回路中の一素ｒ−としても利用することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は光ファイバの側面から弓形の講を切りこんた状
スＩＶを示す斜視図。 第２図は弓形の溝の中に、底面に平行となるよう１、入
電体、金属の７；’ｉい層を形成する途中を示す斜視図
。 第３図は溝の中の誘電体、金属の層形成が終り偏光子か
作製された状態を示す斜視図。 第４図は溝の部分の縦断拡大図。 第５図はレンズ、偏光子、レンズよりなる従来の光フア
イバ偏光装置の光学系構成図。 第６図は既に提案されている公知の光フアイバ偏光子の
例を示す断面図。クラッドを弓形に削り取りここへ結晶
を貼りつけたもの。 第７図は既に提案されている公知の光フアイバ偏光子の
他の例を示す断面図。クラッドの一部を弓形に除去して
金属を貼りつけたもの。 第８図は提案されている公知の光フアイバ偏光子の第３
の例を示す断面図。クラッドの一部をボロシリケートガ
ラスで置換えたもの。 第９図は提案されている公知の光フアイバ偏光子の第４
の例を示す断面図。クラッドの一部を削って金属を貼り
つけ、クラッド中に応力付与部を設は異方性を与えてい
る。 第１０図は金属、誘電体多層体の斜視図。光の伝搬方向
を２軸、金属誘電体面の法線方向をＸ軸方向に取っであ
る。光軸上の矢印は偏波面の方向を略示している。 第１１図は本発明者が偏光子として提案した金属、誘電
体多層体を面に平行な方向に通過するＴＭモート波、Ｔ
Ｅモード波について、波長によって減衰定数が変化する
のを示すグラフである。これは、誘電体層の厚さｄが１
０００　Ａ、金属（ＡＪ　）層の厚さｇが５０人、誘電
体層は石英である場合の計算例ある。横軸は偏光子を通
る光の波長（ｔｔｍ　）　、縦軸は減衰定数（ｄＢ／Ｉ
ｔｍ　）である。 １・・・・・・光ファイバ ２・・・・・・コ　ア ３・・・・・・クラッド ４・・・・溝 ５・・・・・・溝の底面 ６・・・・・・溝の側面 ７・・・・・・誘電体層 ８・・・・・・金　属　層 発　明　者　川　上　彰二部 白　石　和　男 特許出願人　川　上　彰二部 第６図 第７図 第８図 第９図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. コア及びクラッドよりなる光ファイバのコアを含みコア
   軸線と直角な弓形部分に、薄い金属層とこれより厚い誘
   電体層をある繰返し周期で、コア軸線と平行になるよう
   積層した金属誘電体多層体を設けた事を特徴とする偏光
   子。