JPH0322962B2

JPH0322962B2 -

Info

Publication number: JPH0322962B2
Application number: JP59040174A
Authority: JP
Inventors: Shojiro Kawakami; Kazuo Shiraishi
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1984-03-01
Filing date: 1984-03-01
Publication date: 1991-03-28
Also published as: JPS60184225A

Description

【発明の詳細な説明】 (ア) 技術分野この発明は光フアイバ型アイソレータに関す
る。

光通信システムには光源として、発光ダイオー
ドレーザダイオード等が用いられる。小型で、直
接変調できるという利点があるからである。

レーザダイオードを用いたものは、特に、長距
離大容量の伝送に適している。レーザダイオード
は、しかも、戻り光があると、発振条件が変化
し、動作が不安定になる、という欠点がある。

そこで、半導体レーザ（レーザダイオード）を
光源を用いる光通信システムに於ては戻り光をカ
ツトするため光アイソレータを用いる。

光アイソレータは、フアラデー回転子を偏光子
と検光子とで挾んだものである。フアラデー回転
子は入射してきた光の偏波面を45゜回転するもの
である。偏光子の偏光方向と、検光子の偏光方向
は45゜ずれている。光アイソレータを順方向に通
過する光は、偏光子を通り定まつた偏波面を持つ
直線偏光となり、フアラデー回転子によつて45゜
偏波面が回転するが、検光子の偏光方向と合致す
るから、これを通過する。逆方向に入つた光は逆
方向に偏波面が回転し偏光子の偏光方向と直角を
なすようになるから、偏光子を通り抜ける事がで
きない。

(イ) フアラデー回転子フアラデー回転角は、回転子の長さと、この長
さに沿つて与えられる磁場Ｈの大きたに比例す
る。比例定数はベルデ定数と呼ばれる。

ベルデ定数の大きい物質で、光に対し透明なも
のをフアラデー回転子に選ばなければならない。
フアラデー効果のある物質を磁気光学材料と呼ぶ
もある。この材料として、最もよく知られている
ものはYIG（イツトリウム、鉄、ガーネツト）で
ある。

ベルデ定数は、物質固有の値であるが、透過す
る光の波長によつて変化する。

短波長（0.8μm以下）の光に対しては、HOYA
ガラスFR−５が、大きいベルデ定数を持つ事が
知られている。この常磁性ガラスを用いた光アイ
ソレータも実用化されている。

ところが、FR−５ガラスはベルデ定数が、光
の波長のほぼ２乗に反比例（正確には2.4乗）し
て変化する。このため長波長（1.3〜1.5μm）の光
に対してはベルデ定数が小さくなりすぎて、光ア
イソレータとして使えない。

光フアイバの伝送損失や、安定な半導体レーザ
（Inp系）が存在するという事から、長波長帯の光
を用いた光通信システムは特に有望である。従つ
て、この波長域で有効な光アイソレータが要求さ
れる。

(ウ) YIG光アイソレータ現在のところ、長波長帯用の光アイソレータと
して実際に製作されているものは、YIGを用いた
ものだけである。YIG単結晶を成長させ、これを
切断した単結晶を使う事もある。厚膜単結晶を用
いる事もある。

第１図は公知のYIGフアラデー回転素子の斜視
図である。薄い基板５０の上に、Gd−YIGフイ
ルム５１を液相エピタキシヤル成長させたもので
ある。光軸５２がGd−YIGフイルム５１を面平
行に貫くようにし、光軸５２に平行な磁界Ｈを印
加する。入射光の偏波面５３が、出射側では45゜
回転した偏波面５４となつている。

第２図はこのYIGフアラデー回転素子を使つた
光アイソレータの拡大断面図である。

Gd−YIGフイルム５１を囲むように、円筒形
のひとつの永久磁石は複数の磁化方向が平行な永
久磁石５５が配置される。永久磁石５５の両端面
に接するように強磁性体のヨーク５６，５６が設
けてある。ヨーク５６，５６の端面の中央には、
屈折率分布型レンズ５７，５７が嵌込んである。
レンズ５７，５７とYIGフイルム５１は同一直線
上にあるようにする。

これらの部材はハウジング５８の中に固定され
る。屈折率分布型レンズ５７，５７の端面には偏
光子５９、検光子６０が貼り付けてある。

YIGは、波長1μm付近から長波長側で透明であ
り、フアラデー回転係数も大きい。45゜回転に要
する長さは、飽和磁化において、２〜３mm（λ＝
1.2〜1.3μm）程度である。

第１図、第２図に示すものは、T.Aoyama，
T.Hibara，andY.Ohta，Light，Waveguide
Tech.LT−１，280（1973）に於て提案されたも
のである。

YIGのフアラデー回転素子としての特性は満足
できるとしても、この光アイソレータにはふたつ
の難点がある。

YIGフイルム５１はバルク動作するので、これ
に光を通すためには、どうしてもレンズが必要で
ある。また、偏光子、検光子が大きい寸法の素子
であつて、シングルモード光フアイバと軸合わせ
するのが難しい。たとえ光軸が合致したとして
も、光は屈折率の異なる多くの媒質の中を通つて
ゆくから、反射による損失が極めて大きい。

シングルモードフイアバは、コア径が5μm程度
で極めて狭いから、シングルモードフアイバの端
面へ光を入射させるのは難しい。

(エ) 問題の所在光通信に於て、半題体レーザを光源とする時
に、戻り光を遮断するために光アイソレータが要
求されている。光は、光フアイバの中を伝搬す
る。光源が半導体レーザであれば、シングルモー
ド光フアイバを用いる事が多い。

光フアイバと光アイソレータが分離しており、
空間が介在する場合、光は異なる屈折率の媒質間
で強く反射されるから、反射損失が大きくなる。
光アイソレータの挿入損失は小さい方が望まし
い。YIGの屈折率は2.2で、光フアイバの屈折率
も約1.5である。光を空気中（屈折率は１）に出
すと、軸合わせが難しいだけでなく、損失が大き
い。

結局、光フアイバに使うアイソレータは単なる
光アイソレータよりも光フアイバアイソレータが
望ましい。

光フアイバアイソレータというのは、光フアイ
バの一部に作られた光アイソレータという事であ
る。光フアイバと光アイソレータの間に空気が介
在せず、互に接合されているものを意味する。

このためには、フアラデー回転素子をフアイバ
の寸法にしなければならないという事だけでな
く、偏光子、検光子もフアイバの寸法で作らなけ
ればならない。

(オ) 偏光子、検光子偏光子、検光子は、多様な偏波面を有する光
を、一定方向に偏波面を有する直線偏光に変える
素子である。偏光プリズム、偏光板などが使われ
ている。いずれも寸法の大きい素子で、光フアイ
バの一部に製作する、という事はできない。

新しい原理に基づく偏光子が必要である。

本発明者は、既に、全く新しい原理による、誘
電体金属多層膜偏光子を発明した（特願昭58−
206801、昭和58年11月１日出願）。

第３図に斜視図を示す。

誘電体金属多層膜偏光子３は、薄い誘電体膜４
と、より薄い金属膜５を交互に多数積層したもの
である。

第３図に於て、光の進行方向をＺ軸とし、これ
に垂直な方向を、Ｘ，Ｙ軸とする。誘電体膜４、
金属膜５はXZ面に平行であるとする。

金属膜５は数十〜数百オングストロームの厚さ
で、誘電体膜４は、数千オングストロームで、光
の波長の程度である。

Ｚ軸方向に進み、誘電体金属多層膜偏光子３に
入射する光は、Ｘ軸方向に電界Exを持つものと、
Ｙ軸方向の電界Eyを持つものの一次結合と考え
る事ができる。

Ｘ軸方向に電界を持つ光は、電界と金属膜５が
平行になるので、金属膜内に電流を生ずる。これ
がジユール熱を発生しエネルギー損失を招くか
ら、Ｘ軸方向の電界Exは急激に減衰する。つま
り、Ｘ軸方向に電界を持つ光は、この誘電体金属
多層膜で著しく減衰し、これを殆ど透過する事が
できない。

Ｘ軸方向に電界Eyを持つ光は、電界Eyと金属
膜５の面とが垂直になる。界面に於て、電束密度
が連続であるから、界面に分極電荷が生じて、金
属内部のＹ方向の電界が０になる。このため、金
属膜内には電流が流れず、ジユール熱も生じな
い。Ｙ軸方向に電界Eyをもつ光は減衰しにくい。

結局、誘電体金属多層膜は、膜面に直角な電界
を有する光だけを通すことになる。これは従つて
偏光子なのである。Ｘ軸方向の電界の減衰は極め
て速いから、誘電体金属多層膜のＺ方向の厚みＴ
は極めて小さいものでよい。Ｙ軸方向に電界を有
する光はTMモード、Ｘ軸方向に電界を有する光
はTEモードに対応するから、この偏光子は、
TMモードを通すが、TEモードを通さないとい
う事ができる。

誘電体膜が薄いと、TM、TEともに減衰が大
きいが、その減衰比も大きい。誘電体膜が厚くて
２〜3μmになると、減衰比は少なくなるが、減衰
定数自体が低くなつてくる。

金属膜の厚みは、50〜150オングストロームで
良い。金属膜の厚みを増やすと、TM波の減衰が
増えてゆく。

金属膜はアルミニウム又は銀の蒸着により、誘
電体は石英のスパツタリングにより膜形成でき
る。

(カ) ビスマス置換YIG YIG（イツトリウム鉄ガーネツト）のＹをBiで
置換した物質のベルデ定数の大きい事が発見され
た。H.Takeuchi，K.Shinagawa，andS.
Taniguchi JJAP12，465（1973）は、第４図に示
すようなビスマス置換YIGのフアラデー回転係数
の測定値を与えた。

分子式はY_3-xBi_xFe₅O₁₂で表わされる。Biの置
換量ｘがパラメータとなつている。横軸は光の波
長（μm）である。縦軸はフアラデー回転係数
（10⁴deg／cm）である。これは、飽和磁束が得ら
れるような磁界を与えた時の回転係数で、ベルデ
定数そのものではない。

ＹをBiで置換すると、フアラデー回転の符号
が変わり、置換量ｘを増やすと、フアラデー回転
が増大する。この回転角の増大は、0.6μm以下の
短波長域に於て特に著しい。0.6〜0.8μmに於て
も、ビスマス置換量ｘを増やすと、フアラデー回
転係数は増加する。しかし、長波長域、例えば
1.3μmでの測定値は示されていない。このグラフ
の傾向から、長波長域でフアラデー回転は少ない
ものと推測される。

希土類鉄ガーネツトは、希土類元素により、
Biによつて置換えられる最大量が異なる。希土
類元素をBiによつて置換できる最大量が大きい
のは、ガドリニウム鉄ガーネツトである。

H.Takeuchi，S.Ito，I.Mikami，and S.
Taniguchi，J.Appl Phys.44，4789（1973）は、
ガドリニウム鉄ガーネツトの、３つのガドリニウ
ム原子の内、ひとつをビスマスで置換えた
Gd₂Bi₁Fe₅O₁₂を作り、これのフアラデー回転係
数、吸収係数を測定した。第５図はその結果を示
すグラフである。

横軸は光の波長（μm）、縦軸はフアラデー回転
係数（10³deg／cm）、及び吸収係数（cm^-1）であ
る。実線はGd₂Bi₁Fe₅O₁₂で破線は比較のための
YIGのデータである。

吸収係数はビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネ
ツトもYIGも殆ど変りがない。1.1μm以上の波長
の光に対し吸収が０である。

一方、フアラデー回転係数の方は、YIGに比較
して、ビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネツトの
方が約一桁大きくなる。フアラデー回転係数は光
の波長が増えるとともに減少する。ところが光の
波長が短かくなると、吸収係数が増えてくる。

光アイソレータのフアラデー回転素子として使
うのであるから、フアラデー回転係数が大きいと
いう事だけでなく吸収係数の小さい、という事も
必要である。

そこでフアラデー回転係数で除した性能指数と
いうものを考える。単位はdeg／dBである。第６
図はGd₂Bi₁Fe₅O₁₂とYIGの性能指数を波長依存
性を示すグラフである。いずれも、0.8μm程度の
ひとつの極大を持つ。これは、吸収係数の極小が
0.8μmの付近にあるからである。

性能指数は、1.0μm以上で急激に増加する。こ
れは吸収がほぼ０に近くなる事に原因がある。

重要な事は、ビスマス置換ガドリニウム鉄ガー
ネツトが、1.1〜1.3μmの光のアイソレータ材料と
してYIGより10倍以上優れている、という事であ
る。波長が1.3μmの光に対して、フアラデー回転
係数は2.0×10³deg／cmで、吸収係数は0.05cm^-1、
性能指数は4000deg／dBである。

そうすると、45゜のフアラデー回転を得るのに
必要な長さは、225μmである。さらにBiの置換
量を増加させるとフアラデー回転係数が増加する
事が玉城、対馬、第７回日本応用磁気学会学術講
演要集1983年11月、によつて報告されている。一
例としてGd₁.₈₅Bi₁.₁₅Fe₅O₁₂ではフアラデー回転
係数は波長1.3μmで約2300deg／cmである。この
場合、45゜のフアラデー回転を得るのに必要な長
さは196μmになる。

光フアイバアイソレータを作る場合、レンズを
用いず、光フアイバの間に直接、フアラデー回転
素子を付ける必要がある。レンブを用いないの
で、シングルモードフアイバのようにコア径が小
さいものであると、特に損失が大きくなる。しか
し、これは光フアイバの間隔Ｄが小さければ少な
くなる。コア、クラツドの屈折率差は僅かである
から、シングルモードフアイバの開口角は小さ
い。

第７図のように、２本の光フアイバ１，１を対
向させ、屈折率ｎの接続媒質２で接続したとす
る。光フアイバの端面間距離Ｄによつて、回折に
よる光パワーの損失がどのように変化するかを計
算し、第８図にグラフにして示した。横軸は光フ
アイバ端面距離Ｄ（μm）で、縦軸は回折による損
失（dB）である。入出力光フアイバはいずれも、
コア径が9.1μm、コア、クラツドの屈折率差をコ
ア屈折率で割つた値Δは0.24％で、光の波長は
1.3μmである。フアイバコアの屈折率を1.46とす
ると、規格化周波数Ｖは2.2である。2.4より小さ
いので、シングルモードフアイバである。

パラメータは接続媒質２の屈折率ｎであり、ｎ
＝１、1.46、2.2の場合を示している。Gd_3-xBi_x
Fe₅O₁₂のλ＝1.3に対する屈折率は、YIGの値2.2
と等しいとして、ｎ＝2.2のグラフから間隔Ｄが
225μmの場合の回折損失が1.95dBとなる。意外
に小さい値である。これは、屈折率ｎが2.2と大
きい値である事による。

フレネル反射損失は、表面、裏面での反射があ
るので、0.36dBと評価できる。

すると、前記のビスマス置換ガドリニウム鉄ガ
ーネツトフアラデー回転素子（225μm）を光フア
イバ中に挿入した事による全損失は、約2dB程度
という事になる。

全損失をもつと小さくしたい場合には、フアラ
デー回転素子に反射防止膜をつければフレネル反
射による損失分を低下させる事が可能である。さ
らに、第１３図の様に反射防止加工したフアラデ
ー回転素子をその合計の厚さがフアラデー回転角
45゜とする様に複数個に分割して設ければ回折に
よる損失分も小さくできる。。これは回折損失が
間隔Ｄに対して非線形的に増加する事による。

(キ) Gd_3-xBi_xFe₅O₁₂の製作ビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネツトは、こ
こでは、フラツクス法で作られている。Gd₂O₃、
Bi₂O₃及びFe₂O₃を混合し、1300℃で５時間、白
金るつぼ中で溶融する。この後、1000℃まで2.7
℃／ｈの割合で冷却して作製した。

格子定数は12.572Å、室温での飽和磁化は
9.25emu／ｇである。

(ク) 光アイソレータ素子としての提案ビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネツトは、非
常に作り難い物質で、ビスマスの置換量を上げる
と強磁性化するという予想はあつたが、ビスマス
量の多いものは作れなかつた。

この物質を光アイソレータのフアラデー回転素
子として使おうという提案は既になされている。

NHK放送科学基礎研究所の物性研究グループ
により（日刊工業新聞、昭和58年10月31日）その
提案がなされている。これによると、これまで述
べたガドリニウム元素の1/3をビスマスで置換す
るものによりさらに一歩前進して、ガドリニウム
の40％をビスマス置換したビスマス置換ガドリニ
ウム鉄ガーネツトが作製されたとある。

1.15μmの波長の光に対し、フアラデー回転係
数は3200deg／cmであつたと報告されている。45゜
の回転角を得るのに必要な長さは140μmである。

これによつて作られた光アイソレータは５mm×
５mm×５mmであり、挿入損失はdB以下であつた、
と報告されている。

この報告には、偏光子、検光子についての言及
がない。又、その寸法と、挿入損失の小さい事か
ら考えて、この光アイソレータは、レンズを結合
用に使用しているものと推察される。又、偏光子
などは従来通りの偏光板を用いたものであろう。

従来の偏光板に反射防止加工をし、さらに光ア
イソレータとしては単にレーザービームを用いた
バルク動作を行なつているものと考えられる。

（ケ）発明の構成本発明の光フアイバ型アイソレータは、第９図
に略斜視図を示すように、 (1) ビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネツトの薄
いフアラデー回転素子２を、ひとつ或は複数個
２つの光フアイバ１，１の端面間に挾んで接着
或はフアイバに作成した溝に挿入し、 (2) それぞれの光フアイバあるいはその端面に、
互にほぼ45゜傾いた誘電体金属多層膜偏光子３，
３を形成し、 (3) フアラデー回転素子２を囲むように設けら
れ、フアラデー回転角が45゜になるような磁場
を与える磁場印加機構を設けている。

第９図では磁場印加機構の図示を略している
が、これは永久磁石とヨークによつて構成でき
る。

第９図に於て、２本の光フアイバ１，１がフア
ラデー回転素子２に於て突合わせられている。フ
アラデー回転素子２の厚みは既に説明したよう
に、100〜250μmである。

誘電体金属多層膜３は光フアイバ１の途中に作
る事ができる。この場合、光フアイバのＡの部分
とＢの部分は、もともと連続した１本のフアイバ
である。

そうではなくて、誘電体金属多層膜３を別個の
材料で作り、これを薄片として、光フアイバの端
面間に貼りつける事もできる。この場合、光フア
イバのＡとＢの部分はもともと別個のものであ
る。

フアラデー回転素子２、誘電体金属多層膜偏光
子３を光フアイバ１の途中に形成した後、フアイ
バの周面に合わせて研磨すれば第９図に示すよう
な形状になる。

第９図に示したフアイバのＢの部分の長さを零
にした構造（第１４図）にすることも可能であ
る。

（コ）光フアイバ型アイソレータの製作まず、第１０図に示すようコア８とクラツド９
よりなる光フアイバ１の側方から、コア８に至る
まで、溝１０を切りこむ。溝１０は弓形に切込む
が、側面１１は平坦でなければならない。溝の側
面１２，１２も平坦であるのが望ましい。

溝１０の側面１１、側面１２を平坦にするた
め、イオンミリング、スパツタエツチング、リア
クテイブオンエツチングなど方向性を有するエツ
チング法が適している。

又、鋭利な刃物により、機械的に溝１０を切欠
く事もできる。

こうした弓形の溝１０ができると、側面１１に
平行になるよう、側面１１へ、誘電体膜４と金属
膜５を交互に形成してゆく。

例えば、溶融石英をスパツタリングによつて、
溝１０の中へ厚さが4000〜5000Åとなるように層
形成する。この上に、Alを蒸着により、厚さが
50〜200Å程度になるようにつけてゆく。これを
繰返して、平行な誘電体膜、金属膜を多数形成す
る。多層膜の形成は少なくともコア８を覆うだけ
は繰返さなければならない。コアを含む多層膜の
形成が終ると、残りは全て誘電体膜としても良
い。

又薄片とした金属誘電体交互多層膜からなる偏
検光子を光フアイバに作成した弓形の溝中あるは
完全に切断したフアイバ間に挿入することもでき
る。

溝１０の幅は数μm〜数十μmで良い。

第１１図は光フアイバの途中に誘電体金属多層
膜偏光子を作製した場合の拡大斜視図である。

第９図に示すものは光フアイバ型アイソレータ
の概念図で、実際には、これに被覆を施して、補
強する。

又ビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネツトは単
結晶であるから、機械的に強くないし、成形も難
しいので、前記の手順で作成した光フアイバの溝
へ薄片のまま挿入するか或いは角形の薄片のまま
光フアイバ端面に接着し、接着剤１４で周囲を囲
むようにしても良い。

第１２図は、永久磁石を磁場印加機構とした光
フアイバ型アイソレータの一例を示す。永久磁石
１５の磁場は強磁性体のヨーク１６によつて導か
れ、フアラデー回転素子２に於て、軸方向の磁界
となる。

さらにフアラデー回転素子２は、第１３図に示
すように、複数個設けるようにしても良い。フア
ラデー回転角の合計がほぼ45゜になるようにする。
こうすれば回折損失がより少なくなる。

第１４図は偏光子とフアラデー回転子がフアイ
バＢ部を除去した形で接続され、フアイバ間に挾
まれたより簡単化した構造である。

（サ）効果本発明は、光フアイバの中へ直接にアイソレー
タを作つたものであるから、次の効果と奏する。

(1) 大型で重い偏検光子、フアラデー回転素子、
或いはレンズを必要としない。小型で軽量であ
る。

(2) 軸合わせなど困難な作業を繰返す必要がな
い。

(3) フアイバの中を伝搬する光は空気中へ出ない
のでフレネル反射損失を著しく低減できる。

(4) 波長が0.8〜1.6μmの光に対して有効に使える
アイソレータを与える。

(5) 取扱いが容易である。

（シ）用途この発明は、半導体レーサを光源とする光通信
システム、光フアイバジヤイロなどの光計測機
器、その他の応用機器に用いる事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はGd−YIGフイルムを使つたフアラデ
ー回転素子の斜視図。第２図はGd−YIGフイル
ムをフアラデー回転素子とした公知の光アイソレ
ータの断面図。第３図は本発明者が発明した誘電
体金属多層膜偏光子の斜視図。第４図はYIGのＹ
をビスマスで置換したものの、ビスマス置換量ｘ
をパラメータとする、波長に対するフアラデー回
転係数の測定値のグラフ。第５図はビスマス置換
ガドリニウム鉄ガーネツトGd₂Bi₁Fe₅O₁₂とYIG
の、光の波長（μm）に対する吸収係数（cm^-1）
と、フアラデー回転係数（10³deg／cm）とを示す
グラフ。実線がビスマス置換ガドリニウム鉄ガー
ネツト、破線がYIGのデータである。第６図はビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネツ
トとYIGの、光の波長（μm）に対する性能指数
を示すグラフである。性能指数の単位は（deg／
dB）である。第７図は２本の光フアイバを距離
Ｄを置いて対向させ屈折率ｎの接続媒質２で結合
した状態を略示する断面図。コア、クラツドの区
別はしていない。第８図は第７図に示す光フアイ
バ間における回折損失を計算し、距離Ｄの函数と
して示すグラフ。パラメータは接続媒質の屈折率
である。光の波長は1.3μm、コア径9.1μm、コア、
クラツド屈折率差の割合Δ＝0.0024、規格化周波
数Ｖ＝2.2のシングルモードフアイバである。第９図は本発明の光フアイバ型アイソレータの
略斜視図。第１０図は光フアイバに弓形の溝に形
成したものを示す斜視図。第１１は弓形の溝の中
へ誘電体金属多層膜を形成したものの斜視図。第
１２図は磁石を設けたフアラデー回転素子に磁界
を印加するようにした光フアイバ型アイソレータ
の断面図。第１３図はフアラデー回転素子を２つ
設けた光フアイバ型アイソレータの実施例を示す
斜視図。第１４図は偏光子とフアラデー回転子が
一体となつてフアイバー間に挿入された光フアイ
バ型アイソレータの実施例を示す斜視図。１……光フアイバ、２……フアラデー回転素
子、３……誘電体金属多層膜偏光子、４……誘電
体膜、５……金属膜、８……コア、９……クラツ
ド、１０……溝、１１……溝の側面、１２……溝
のもう一方の側面、１４……接着剤、１５……永
久磁石、１６……ヨーク、１７……通し穴。

Claims

【特許請求の範囲】

１コア８とこれを囲むクラツド９とよりなる２
本の光フアイバ１，１と、この光フアイバ１，１
の端面間に挿入される１個ないしは複数のフアラ
デー回転素子２と、それぞれの光フアイバ１，１
の側面からコア８に至るまで切りこまれた溝１０
の中に誘電体膜４と金属膜５を交互に積層して形
成してあるか、又は別個に誘電体膜４と金属膜５
を交互に積層したものを光フアイバ１，１の任意
の端面に接着してある誘電体金属多層膜偏光子３
と前記フアラデー回転素子２に軸線方向の磁場を
与えてフアラデー回転素子２を通る光の偏波面を
回転させる磁場印加機構とより構成される事を特
徴とする光フアイバ型アイソレータ。