JPS5953360B2 - メツキ法 - Google Patents
メツキ法Info
- Publication number
- JPS5953360B2 JPS5953360B2 JP9066280A JP9066280A JPS5953360B2 JP S5953360 B2 JPS5953360 B2 JP S5953360B2 JP 9066280 A JP9066280 A JP 9066280A JP 9066280 A JP9066280 A JP 9066280A JP S5953360 B2 JPS5953360 B2 JP S5953360B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- treatment
- metal film
- electroplating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメッキ法に係り、不導体表面に乾式法により形
成した金属被膜面上に電気メッキを施す前に、金属被膜
をイオンボンバード処理することにより、優れた電気メ
・ソキ膜の得られるメッキ法を提供することを目的とす
る。
成した金属被膜面上に電気メッキを施す前に、金属被膜
をイオンボンバード処理することにより、優れた電気メ
・ソキ膜の得られるメッキ法を提供することを目的とす
る。
合成樹脂等の不導体表面に金属メッキを施す場合、一般
に無電解メッキ法を用いて不導体表面に薄い金属被膜を
形成し、その後電気メッキ法を用いて所望の厚さの金属
メッキ膜を形成している。
に無電解メッキ法を用いて不導体表面に薄い金属被膜を
形成し、その後電気メッキ法を用いて所望の厚さの金属
メッキ膜を形成している。
この無電解メッキ法の場合、通常前処理として基板表面
のエッチング、センシタイジング及びアクチベイテイン
グ等の工程がある。特に、これらの工程中エッチ〕・グ
処理は、基板表面を化学的に荒らすことにより、基板表
面と被着金属との密着性の向上を目的としており、例え
ばアクリル基板の場合クロム硫酸の高温液に数十分間浸
漬することによつてエッチング処理を行つている。しか
し、この処理は、基板表面にミクロな凹凸を生ぜしめ、
さらには基板にそりを生ぜしめる等面精度が損われると
いつた重大な欠点があり、表面性に高精度を要求される
基板の場合には望ましくない。又、無電解メッキ法は、
浴管理が面倒で、かつコスト高である等の欠点もある。
本発明は、上記欠点を有する無電解メッキ法を経ること
なく不導体表面にメッキ膜を施す方法に関するものであ
り、以下にその実施例について説明する。
のエッチング、センシタイジング及びアクチベイテイン
グ等の工程がある。特に、これらの工程中エッチ〕・グ
処理は、基板表面を化学的に荒らすことにより、基板表
面と被着金属との密着性の向上を目的としており、例え
ばアクリル基板の場合クロム硫酸の高温液に数十分間浸
漬することによつてエッチング処理を行つている。しか
し、この処理は、基板表面にミクロな凹凸を生ぜしめ、
さらには基板にそりを生ぜしめる等面精度が損われると
いつた重大な欠点があり、表面性に高精度を要求される
基板の場合には望ましくない。又、無電解メッキ法は、
浴管理が面倒で、かつコスト高である等の欠点もある。
本発明は、上記欠点を有する無電解メッキ法を経ること
なく不導体表面にメッキ膜を施す方法に関するものであ
り、以下にその実施例について説明する。
例えば図面に示す如く、ペルシャー１内に基板ホルダー
電極２と、例えば直径１０ｃｍで１０巻のステンレス製
のコイル高周波電極３及び蒸発源４を配した真空蒸着装
置を用いて、まずベルソー内を１×１０−０を０ｒｒ迄
排気した後、排気系のメインバルブを開放したままガス
導入端子５より所定のガス圧Ｊ迄、例えばアルゴンガス
を導入し、定常的に一定のガス圧を保持する。
電極２と、例えば直径１０ｃｍで１０巻のステンレス製
のコイル高周波電極３及び蒸発源４を配した真空蒸着装
置を用いて、まずベルソー内を１×１０−０を０ｒｒ迄
排気した後、排気系のメインバルブを開放したままガス
導入端子５より所定のガス圧Ｊ迄、例えばアルゴンガス
を導入し、定常的に一定のガス圧を保持する。
その後、例えば１３．５６Ｍ仕の高周波電界を印加して
アルゴンガスを励起し、放電を起こさせ、放電が安定し
た状態で基板６を負極として所定の加速電圧を印加する
。尚、蒸着ゝ試料の蒸発開始直前にイオンボンバード処
理を行い、基板表面の清浄及び活性化を行つておく。そ
して、試料の蒸着終了後、基板面の蒸着金属膜を破損し
ない程度の強さの高周波電界及び低電位の加速電圧等に
より所定時間のイオンボンバード処ク理（以後、この段
階のイオンボンバード処理をＢ−２処理という）を行う
。その後、基板をペルシャー内より取り出し、蒸着金属
膜上に公知の電気メッキ法により所望厚さの金属メッキ
膜を形成する。５ 上記において説明した本発明に係る
メッキ法について、以下において具体的に説明する。
アルゴンガスを励起し、放電を起こさせ、放電が安定し
た状態で基板６を負極として所定の加速電圧を印加する
。尚、蒸着ゝ試料の蒸発開始直前にイオンボンバード処
理を行い、基板表面の清浄及び活性化を行つておく。そ
して、試料の蒸着終了後、基板面の蒸着金属膜を破損し
ない程度の強さの高周波電界及び低電位の加速電圧等に
より所定時間のイオンボンバード処ク理（以後、この段
階のイオンボンバード処理をＢ−２処理という）を行う
。その後、基板をペルシャー内より取り出し、蒸着金属
膜上に公知の電気メッキ法により所望厚さの金属メッキ
膜を形成する。５ 上記において説明した本発明に係る
メッキ法について、以下において具体的に説明する。
実施例 ｌ
アルゴンガス圧が５×１０−４ｔ０ｒｒ、高周波電力が
２００Ｗ、加速電圧が６００Ｖの条件下で基板表面に１
５０人厚のＡｕを、さらにこの上に３００Ａ厚のＮｉを
被着させた後、アルゴンガス圧が５×１０−４ｔ０ｒＴ
′、高周波電力が５０Ｗ、加速電圧が約２００Ｖの条件
下で６０秒間Ｂ−２処理を行なう。
２００Ｗ、加速電圧が６００Ｖの条件下で基板表面に１
５０人厚のＡｕを、さらにこの上に３００Ａ厚のＮｉを
被着させた後、アルゴンガス圧が５×１０−４ｔ０ｒＴ
′、高周波電力が５０Ｗ、加速電圧が約２００Ｖの条件
下で６０秒間Ｂ−２処理を行なう。
その後、例えばメツキ液としてスルフアミン酸ニツケル
液を用い、電流密度が１Ａ／ＤｃＩｒｌ２、４０℃の液
温で、６０〜６５秒間電気メツキ処理を行い、基板表面
にＮｉメツキ膜を形成する。このようにしてＮｉメツキ
を施された基板は表面がそりかえつていることもなく、
又Ｎｉメツキ膜は一様性に優れており、例えば顕微鏡で
その表面を観察してもピンホールはなく、又Ｎｉメツキ
膜の亀裂や剥離さらには欠落といつた欠陥は全く認めら
れず、さらにはＮｉメツ膜は光沢のある優れたものであ
る。
液を用い、電流密度が１Ａ／ＤｃＩｒｌ２、４０℃の液
温で、６０〜６５秒間電気メツキ処理を行い、基板表面
にＮｉメツキ膜を形成する。このようにしてＮｉメツキ
を施された基板は表面がそりかえつていることもなく、
又Ｎｉメツキ膜は一様性に優れており、例えば顕微鏡で
その表面を観察してもピンホールはなく、又Ｎｉメツキ
膜の亀裂や剥離さらには欠落といつた欠陥は全く認めら
れず、さらにはＮｉメツ膜は光沢のある優れたものであ
る。
尚、上記条件下でＢ−２処理をした基板をデシケータ一
内に１週間放置した後、電気メツキ処理をしても、電気
メツキ膜は一様性に優れており、例えばピンホール、亀
裂、剥離及び次落等がなく、光沢のある優れたものであ
る。
内に１週間放置した後、電気メツキ処理をしても、電気
メツキ膜は一様性に優れており、例えばピンホール、亀
裂、剥離及び次落等がなく、光沢のある優れたものであ
る。
これに対して、被着金属面に対してＢ−２処理を施さず
に電気メツキ処理をした場合には、例えば全面に多数の
ピンホール、そして部分的に電気．メツキ膜の亀裂、剥
離さらには欠落といつた欠陥が認められ、電気メツキ膜
の一様性は劣つたものである。
に電気メツキ処理をした場合には、例えば全面に多数の
ピンホール、そして部分的に電気．メツキ膜の亀裂、剥
離さらには欠落といつた欠陥が認められ、電気メツキ膜
の一様性は劣つたものである。
実施例 ２
アルゴンガス圧が７×１０−４ｔ０ｒＴ′、高周波電力
がＪ２ＯＯＷ、加速電圧が５００Ｖの条件下で基板表面
に８０Ａ（７）ＡＵを、さらにこの上に１５０人のＮｉ
を被着させた後、アルゴンガス圧が７×１０−４ｔ０ｒ
ｒ、高周波電力が５０Ｗ、加速電圧が１００Ｖの条件下
で８０秒間Ｂ−２処理を行い、その後実施例１と同様に
して，電気メツキ処理を施す。
がＪ２ＯＯＷ、加速電圧が５００Ｖの条件下で基板表面
に８０Ａ（７）ＡＵを、さらにこの上に１５０人のＮｉ
を被着させた後、アルゴンガス圧が７×１０−４ｔ０ｒ
ｒ、高周波電力が５０Ｗ、加速電圧が１００Ｖの条件下
で８０秒間Ｂ−２処理を行い、その後実施例１と同様に
して，電気メツキ処理を施す。
このようにしてできた電気メツキ膜は、実施例１の場合
と同様に優れたものであり、かつ電気メツキ膜の形成さ
ている基板のそりもなく、極めて優れたものである。
と同様に優れたものであり、かつ電気メツキ膜の形成さ
ている基板のそりもなく、極めて優れたものである。
これに対して、Ｂ−２処理を施さない場合には、電気メ
ツキ膜の一様性は劣つている。
ツキ膜の一様性は劣つている。
実施例 ３
実施例１及び２においては図面中実線で示す位置に基板
を取り付けたのに対し、本実施例では点線又は一点鎖線
で示す位置に取り付け、アルゴンガス圧が１０Ｘ１０−
４ｔ０ｍ、高周波電力が２００Ｗ、加速電圧が６００Ｖ
の条件下で１００人のＡｕを、さらにこの上に４００λ
のＮｉを基板にれらの被着厚さは点線で示す位置の基板
）に被着させた後、アルゴンガス圧が１０×１０−４ｔ
０ｒｒ、高周波電力が５０Ｗ、加速電圧が３００Ｖの条
件下で７０秒間Ｂ−２ζ理を行い、その後実施例１と同
様にして電気メツキ処理を施す。
を取り付けたのに対し、本実施例では点線又は一点鎖線
で示す位置に取り付け、アルゴンガス圧が１０Ｘ１０−
４ｔ０ｍ、高周波電力が２００Ｗ、加速電圧が６００Ｖ
の条件下で１００人のＡｕを、さらにこの上に４００λ
のＮｉを基板にれらの被着厚さは点線で示す位置の基板
）に被着させた後、アルゴンガス圧が１０×１０−４ｔ
０ｒｒ、高周波電力が５０Ｗ、加速電圧が３００Ｖの条
件下で７０秒間Ｂ−２ζ理を行い、その後実施例１と同
様にして電気メツキ処理を施す。
このようにしてできた電気メツキ膜は、実施例１の場合
と同様優れたものであり、かつ基板のそりも認められな
い。
と同様優れたものであり、かつ基板のそりも認められな
い。
又、点線と一点鎖線で示す位置にそれぞれ取り付けた基
板は、被着金属の膜厚が異なるにすぎず、すなわち一点
鎖線の位置の被着金属膜は点線の位置の被着金属膜の厚
さの約１／３〜１／２といつた差異にすぎず、電気メツ
キによるＮｉメツキ膜の一様性については差異が認めら
れない。これに対して、Ｂ−２処理を施さない場合には
、やはり電気メツキ膜の一様性に劣つている。
板は、被着金属の膜厚が異なるにすぎず、すなわち一点
鎖線の位置の被着金属膜は点線の位置の被着金属膜の厚
さの約１／３〜１／２といつた差異にすぎず、電気メツ
キによるＮｉメツキ膜の一様性については差異が認めら
れない。これに対して、Ｂ−２処理を施さない場合には
、やはり電気メツキ膜の一様性に劣つている。
実施例 ４アルゴンガス圧が７×１０−４ｔ０ｒｒ′、
高周波電力が２００Ｗ、加速電圧が６００Ｖの条件下で
基板表面に１００人のＡｕを、さらにこの上に２００人
のＮｉを被着させた後、アルゴンガス圧が７ｘ１０−４
ｔ０ｒｒ、高周波電力が１００Ｗ、加速電圧が４００Ｖ
の条件下で１５０秒間Ｂ−２処理を行い、その後実施例
１と同様にして電気メツキ処理を施す。
高周波電力が２００Ｗ、加速電圧が６００Ｖの条件下で
基板表面に１００人のＡｕを、さらにこの上に２００人
のＮｉを被着させた後、アルゴンガス圧が７ｘ１０−４
ｔ０ｒｒ、高周波電力が１００Ｗ、加速電圧が４００Ｖ
の条件下で１５０秒間Ｂ−２処理を行い、その後実施例
１と同様にして電気メツキ処理を施す。
本実施例においては、実施例１，２及び３の場合よりも
Ｂ−２処理の効果が強く、その為電気メツキ膜の一様性
については実施例１，２及び３の場合よりも少し劣つて
いる。
Ｂ−２処理の効果が強く、その為電気メツキ膜の一様性
については実施例１，２及び３の場合よりも少し劣つて
いる。
しかし、Ｂ−２処理を全くしないものよりもは優れてい
る。さらに、上記実施例で説明したＢ−２処理の条件を
種々変え、例えばガス圧を約１Ｘ１０−４〜１０×１０
−４ｔ０ｒｒ、高周波電力を約１０〜２００Ｗ、加速電
圧を５０〜５００Ｖ、処理時間を約６分以下と変えて行
つて結果、Ｂ−２処理の効果があまりにも強すぎると不
導体表面に形成された金属被着膜上に電気メツキしたメ
ツキ膜の一様性が劣つたものになり、あまり望ましくな
い。
る。さらに、上記実施例で説明したＢ−２処理の条件を
種々変え、例えばガス圧を約１Ｘ１０−４〜１０×１０
−４ｔ０ｒｒ、高周波電力を約１０〜２００Ｗ、加速電
圧を５０〜５００Ｖ、処理時間を約６分以下と変えて行
つて結果、Ｂ−２処理の効果があまりにも強すぎると不
導体表面に形成された金属被着膜上に電気メツキしたメ
ツキ膜の一様性が劣つたものになり、あまり望ましくな
い。
そして、このようなＢ−２処理条件としては、ガス圧が
約１Ｘ１０−４〜１０Ｘ１０″４ｔ０ｒｒ、高周波電力
が約１０〜５０Ｗ、加速電圧が約５０〜３００Ｖ、処理
時間が約３０〜１５０秒といつた範囲の場合が最も優れ
た電気メツキ膜を形成できた。上述の如く、本発明に係
るメツキ法は、高周波励起イオンプレーテイング法によ
り不導体表面に金属膜を形成した後、この金属膜をイオ
ンホンパート処理し、その後この金属膜面上に電気メツ
キするので、電気メツキの前処理に際して無電解メツキ
法の如く基板を高温にすることもなく、従つて不導体の
基板がそりかえつたりすることもなく、又基板表面にミ
クロな凹凸も形成されす、基板面の精度は良好であり、
さらには基板面上に形成した電気メツキ層の表面一様性
にも優れており、例えば顕微鏡で観察してもピンホール
は全く認められず、又メツキ膜の亀裂や剥離さらには欠
落といつた欠陥もなく、しかも不導体表面に金属膜を形
成するのにイオンプレーテイング法を用いるので、金属
膜の形成直前にあらかじめイオンホンパート処理をして
不導体表面を清浄にかつ活性化することが簡単にでき、
又金属膜の形成時に基板に負の加速電圧を印加できるの
で、通常の真空蒸着法による場合よりも金属膜の被着力
が強く、又ガス圧を例えば１ｘ１０−３ｔ０ｒｒといつ
たように比較的大きくておけば蒸着源に対する基板の取
り付け方向によらず金属膜が良好に形成できる等の特長
を有する。
約１Ｘ１０−４〜１０Ｘ１０″４ｔ０ｒｒ、高周波電力
が約１０〜５０Ｗ、加速電圧が約５０〜３００Ｖ、処理
時間が約３０〜１５０秒といつた範囲の場合が最も優れ
た電気メツキ膜を形成できた。上述の如く、本発明に係
るメツキ法は、高周波励起イオンプレーテイング法によ
り不導体表面に金属膜を形成した後、この金属膜をイオ
ンホンパート処理し、その後この金属膜面上に電気メツ
キするので、電気メツキの前処理に際して無電解メツキ
法の如く基板を高温にすることもなく、従つて不導体の
基板がそりかえつたりすることもなく、又基板表面にミ
クロな凹凸も形成されす、基板面の精度は良好であり、
さらには基板面上に形成した電気メツキ層の表面一様性
にも優れており、例えば顕微鏡で観察してもピンホール
は全く認められず、又メツキ膜の亀裂や剥離さらには欠
落といつた欠陥もなく、しかも不導体表面に金属膜を形
成するのにイオンプレーテイング法を用いるので、金属
膜の形成直前にあらかじめイオンホンパート処理をして
不導体表面を清浄にかつ活性化することが簡単にでき、
又金属膜の形成時に基板に負の加速電圧を印加できるの
で、通常の真空蒸着法による場合よりも金属膜の被着力
が強く、又ガス圧を例えば１ｘ１０−３ｔ０ｒｒといつ
たように比較的大きくておけば蒸着源に対する基板の取
り付け方向によらず金属膜が良好に形成できる等の特長
を有する。
図面は、本発明に係るメツキ法の実施に際して用いる蒸
着装置の説明図である。 １・・・・・・ペルシャー、２・・・・・・基板ホルダ
ー電極、３・・・・・・コイル高周波電極、４・・・・
・・蒸発源、５・・・・・・ガス導入端子、６・・・・
・・基板。
着装置の説明図である。 １・・・・・・ペルシャー、２・・・・・・基板ホルダ
ー電極、３・・・・・・コイル高周波電極、４・・・・
・・蒸発源、５・・・・・・ガス導入端子、６・・・・
・・基板。
Claims (1)
- １ 高周波励起イオンプレーティング法により不導体表
面に金属膜を形成した後、この金属膜をイオンボンバー
ド処理し、その後この金属膜面上に電気メッキすること
を特徴とするメッキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9066280A JPS5953360B2 (ja) | 1980-07-04 | 1980-07-04 | メツキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9066280A JPS5953360B2 (ja) | 1980-07-04 | 1980-07-04 | メツキ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5716195A JPS5716195A (en) | 1982-01-27 |
| JPS5953360B2 true JPS5953360B2 (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=14004738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9066280A Expired JPS5953360B2 (ja) | 1980-07-04 | 1980-07-04 | メツキ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953360B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01111859A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-28 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Ｆｒｐ表面の金属メッキ法 |
-
1980
- 1980-07-04 JP JP9066280A patent/JPS5953360B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5716195A (en) | 1982-01-27 |
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