JPS5950167A - グロ−放電による薄膜形成装置 - Google Patents
グロ−放電による薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS5950167A JPS5950167A JP57159305A JP15930582A JPS5950167A JP S5950167 A JPS5950167 A JP S5950167A JP 57159305 A JP57159305 A JP 57159305A JP 15930582 A JP15930582 A JP 15930582A JP S5950167 A JPS5950167 A JP S5950167A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drum
- temp
- substrate
- temperature
- glow discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、グロー放電をオリ用して、ドラム状基板に均
一な薄膜を形成する装置に関する。
一な薄膜を形成する装置に関する。
グロー放電を利用して電子写共用ＡＩ！ ドラム上に
アモルファスンリフン（ａ−Ｓｉ）膜を形成１〜る際に
一蚕問題となるのは、基板であるＡＪ ドラムの温１
楚ないかに制刊叩するかといつ、ことである。すなわち
ＡＪ？ドラム上にグロー放電によるプラズマＣＶＩＪに
よってａ−Ｓｉ膜を形成する場合、膜厚、膜質等を均一
にするためにＡ７ドラムを回転することが埃在の技術で
は心太であるが、この時には、Ａｆドラムの温度を通常
用いる熱？し対によって直接側ることが不可能となる。
アモルファスンリフン（ａ−Ｓｉ）膜を形成１〜る際に
一蚕問題となるのは、基板であるＡＪ ドラムの温１
楚ないかに制刊叩するかといつ、ことである。すなわち
ＡＪ？ドラム上にグロー放電によるプラズマＣＶＩＪに
よってａ−Ｓｉ膜を形成する場合、膜厚、膜質等を均一
にするためにＡ７ドラムを回転することが埃在の技術で
は心太であるが、この時には、Ａｆドラムの温度を通常
用いる熱？し対によって直接側ることが不可能となる。
従ってＭドラムσノ正確な温度制御は仲々難しいことで
ある。
ある。
本発明の目的は上記の問題を解決して基板の温良制側Ｊ
を容易にしたグロー放電による薄膜形成装置を提供する
ことにある。
を容易にしたグロー放電による薄膜形成装置を提供する
ことにある。
本発明では、回転するドラム状基板に約１〜る加熱機構
を、発熱体と熱反射板とから構成する。
を、発熱体と熱反射板とから構成する。
ずなわち発熱体が基板と熱反射板とＶＣ狭まれる様に発
熱体と熱反射板とを固定的に配置して、基板の温度を知
るのに固定された熱反射板の温度を測かるのである。基
板の温度と反射板の温度と（・↓非常に強い相関かある
ので回転している基板の温度を尚い両度で知ることが出
来、これにより基ｉｎ／）正確な温ｒＳＪ：制御がＥｌ
能となる。
熱体と熱反射板とを固定的に配置して、基板の温度を知
るのに固定された熱反射板の温度を測かるのである。基
板の温度と反射板の温度と（・↓非常に強い相関かある
ので回転している基板の温度を尚い両度で知ることが出
来、これにより基ｉｎ／）正確な温ｒＳＪ：制御がＥｌ
能となる。
グロー放電による成膜過程は原料ガスのプラズマ中での
分解、灰化、１徂の基＆表面への軛ａ送、基板次面での
反応の三段階に分けることが出来、それぞれ放電のパワ
ーガスの流れ、基板の温度が王たる制御ファクタである
と考えられているが、形成された膜の特性に与える影響
は基板温度が決定的である。本発明の装置を用いた場合
には、回転する基板の温度をかなり正イ１ｆに制御でき
るので、作られた願の特性は良好でかつ再現性が艮い。
分解、灰化、１徂の基＆表面への軛ａ送、基板次面での
反応の三段階に分けることが出来、それぞれ放電のパワ
ーガスの流れ、基板の温度が王たる制御ファクタである
と考えられているが、形成された膜の特性に与える影響
は基板温度が決定的である。本発明の装置を用いた場合
には、回転する基板の温度をかなり正イ１ｆに制御でき
るので、作られた願の特性は良好でかつ再現性が艮い。
行にＡＪドラムの上にａ−８ｉを形成して箱、子写真に
用いようとする場合、ＡＩ！ ドラムの温度を２００
°Ｏ１ｊＴｌ後のかなり狭い範囲に制御することが不可
欠となり、不発明の装置の効〔発明の実施例〕 以下ａ−８ｉ電子写真用ドラムを作製する装置を例にと
り図を用いて本発明の詳細な説明する。第１図は電子写
真用感光体ドラムを作製するためのグロー放電装置の模
式図である。すなわち排気し得る堆積室内ノの中心に基
板たるＭドラム２をセントし、そのＡＪドラム２を回転
さゼながら内＄１１１からヒータ３でＡＪドラム２を加
熱して２００〜３００°Ｃに昇温させ、電極４に開孔し
た孔５から原料ガス（Ｓ１１−１４）を導入し、電極４
にＲＦ電力を印加してＡｆ ドラム２０回りにプラズ
マをたてＡＩ！ ドラム２０表面にａ−８ｉ膜を形成
するものである。この時、 Ａｆドラム２の温度は形成
されるａ−８ｉ膜の爵１１−を制御する上で極めてＮ要
である。電子写真用感光体は高抵抗で可視光に７１して
良好な感度を有さねはならぬが高抵抗であることと高感
度であることとを両立させることは仲々やっかいなこと
である。そのために倣蓋の深加物（例えはＯ，Ｂ。
用いようとする場合、ＡＩ！ ドラムの温度を２００
°Ｏ１ｊＴｌ後のかなり狭い範囲に制御することが不可
欠となり、不発明の装置の効〔発明の実施例〕 以下ａ−８ｉ電子写真用ドラムを作製する装置を例にと
り図を用いて本発明の詳細な説明する。第１図は電子写
真用感光体ドラムを作製するためのグロー放電装置の模
式図である。すなわち排気し得る堆積室内ノの中心に基
板たるＭドラム２をセントし、そのＡＪドラム２を回転
さゼながら内＄１１１からヒータ３でＡＪドラム２を加
熱して２００〜３００°Ｃに昇温させ、電極４に開孔し
た孔５から原料ガス（Ｓ１１−１４）を導入し、電極４
にＲＦ電力を印加してＡｆ ドラム２０回りにプラズ
マをたてＡＩ！ ドラム２０表面にａ−８ｉ膜を形成
するものである。この時、 Ａｆドラム２の温度は形成
されるａ−８ｉ膜の爵１１−を制御する上で極めてＮ要
である。電子写真用感光体は高抵抗で可視光に７１して
良好な感度を有さねはならぬが高抵抗であることと高感
度であることとを両立させることは仲々やっかいなこと
である。そのために倣蓋の深加物（例えはＯ，Ｂ。
Ｐ晴・）を加えて所要の膜を形成するのであるが、これ
ら添加物の賞の制御と同時に晶也の温度が膜の抵抗の大
きさを決定する。従つ”ＣＡ７ドラム２の′０Ａ）徒を
正確に制御Ｌ（Ｊすることは電子写真用ａ−８＋ ド
ラムを作製する上に於いて非常に重要なことなのである
。
ら添加物の賞の制御と同時に晶也の温度が膜の抵抗の大
きさを決定する。従つ”ＣＡ７ドラム２の′０Ａ）徒を
正確に制御Ｌ（Ｊすることは電子写真用ａ−８＋ ド
ラムを作製する上に於いて非常に重要なことなのである
。
８１！２図は、第１図のヒータ３の部分をやや詳細に示
した俣式的防囲図である。ＡＡドラム２上に電子写真感
光体たるａ−８ｉ膜をグロー放電によってＳｉＨ，を分
解して形成する場合には、ＡＪドラム２を回転して形成
されるａ−８ｉ膜の膜厚、膜ηを均一化する心裏がある
ので、伝熱の方式も制約を５けるか、最大の問題は回転
しているＭドラム２の温度をいかにして正確に知るかと
いうことである。本実施例の装置のヒータ３は、ハロゲ
ンランプ３１とそのランプに給電する電極板３２、この
電極板３２を覆５絶縁体３３、熱反身Ｊ板たるＡＪ円筒
３４およびヒーター全体を支える架台６かもなっている
。ハロゲンランプ３）には２本のコード３５より電極板
３２を進して給電され、その輻射熱を利用してＡＩ！ド
ラム２°を加熱する。その際、加熱をより効率良く行う
ためにランプ３ノの１倶」に熱反射板となるＭ円筒３４
を置いである−０そしてこのＡ７円筒３４の温度を熱電
対７で側ることにより、 Ａｊ？ドクム２の温度を副側
Ｊするのである。もちろんそのためにはあらかじめ内側
］のＡｊ？円筒３４とＭトラム２の温度との相関をとっ
ておかねはならない。実際にｉｔ測すると内０１ｉｊ
ｏ′）ＡＩ！円匍３４をできるだけランプ３１に近つげ
、かつＡＩ！ ドラム２にラング３１を接近さぜると
、ＡＪドラム２とＡＩ！円筒３４の温度はＩ Ｏ’Ｃ程
ｊ狭しか違わす、温度の相関は非常に良い。従って本実
施例によれは、回転しているＡＪ？ドラムの温度を正確
に制御できるので形成されるａｓ＋ＩＩＭの膜厚および
膜負を効果的に制御でき、優れた１包子写真用感光体を
歩留りよく作ることが出来る。
した俣式的防囲図である。ＡＡドラム２上に電子写真感
光体たるａ−８ｉ膜をグロー放電によってＳｉＨ，を分
解して形成する場合には、ＡＪドラム２を回転して形成
されるａ−８ｉ膜の膜厚、膜ηを均一化する心裏がある
ので、伝熱の方式も制約を５けるか、最大の問題は回転
しているＭドラム２の温度をいかにして正確に知るかと
いうことである。本実施例の装置のヒータ３は、ハロゲ
ンランプ３１とそのランプに給電する電極板３２、この
電極板３２を覆５絶縁体３３、熱反身Ｊ板たるＡＪ円筒
３４およびヒーター全体を支える架台６かもなっている
。ハロゲンランプ３）には２本のコード３５より電極板
３２を進して給電され、その輻射熱を利用してＡＩ！ド
ラム２°を加熱する。その際、加熱をより効率良く行う
ためにランプ３ノの１倶」に熱反射板となるＭ円筒３４
を置いである−０そしてこのＡ７円筒３４の温度を熱電
対７で側ることにより、 Ａｊ？ドクム２の温度を副側
Ｊするのである。もちろんそのためにはあらかじめ内側
］のＡｊ？円筒３４とＭトラム２の温度との相関をとっ
ておかねはならない。実際にｉｔ測すると内０１ｉｊ
ｏ′）ＡＩ！円匍３４をできるだけランプ３１に近つげ
、かつＡＩ！ ドラム２にラング３１を接近さぜると
、ＡＪドラム２とＡＩ！円筒３４の温度はＩ Ｏ’Ｃ程
ｊ狭しか違わす、温度の相関は非常に良い。従って本実
施例によれは、回転しているＡＪ？ドラムの温度を正確
に制御できるので形成されるａｓ＋ＩＩＭの膜厚および
膜負を効果的に制御でき、優れた１包子写真用感光体を
歩留りよく作ることが出来る。
第１図は本発明の一実施例装置の軌略格成を示す図、第
２図はその役部構成をボずん「面図である６ ！・・堆積窓、２・・ＡＪドラム、３・・・ヒータ、３
１・・・ハロゲンランプ（発熱（４，）、３４・・・Ａ
Ｉ！円筒（熱反射板）、７・・・熱亀幻。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ↓ ↑非ｌＡ人 第２図
２図はその役部構成をボずん「面図である６ ！・・堆積窓、２・・ＡＪドラム、３・・・ヒータ、３
１・・・ハロゲンランプ（発熱（４，）、３４・・・Ａ
Ｉ！円筒（熱反射板）、７・・・熱亀幻。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ↓ ↑非ｌＡ人 第２図
Claims (2)
- （１） Ｉ＋ｎの回りに回転するドラム状基板の上に
所要の膜を形成するグロー放電による薄膜形成装置にお
い又、基板を熱輻射により加熱する加熱機構として発熱
体と熱反射板を設け、発熱体を基板と熱反ＩＪ１＆との
間に設置して熱反射板の温度を測ることにより基板の温
度を副側ｊするよ５にしたことぐ特徴とするグロー放電
による薄膜形成装置。 - （２） 基板が電子写真用ＡＪドラムであって、発熱
体がランプである特許請求の範囲第１項記載のグロー放
電による薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159305A JPS5950167A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | グロ−放電による薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159305A JPS5950167A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | グロ−放電による薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950167A true JPS5950167A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15690893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57159305A Pending JPS5950167A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | グロ−放電による薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950167A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59213439A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-03 | Kyocera Corp | 容量結合型グロ−放電分解装置 |
| KR100466307B1 (ko) * | 1997-10-25 | 2005-05-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자제조장치및이를이용한디가스공정,식각공정및열처리공정 |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP57159305A patent/JPS5950167A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59213439A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-03 | Kyocera Corp | 容量結合型グロ−放電分解装置 |
| JPH0438449B2 (ja) * | 1983-05-18 | 1992-06-24 | ||
| KR100466307B1 (ko) * | 1997-10-25 | 2005-05-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자제조장치및이를이용한디가스공정,식각공정및열처리공정 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000031017A (ja) | 基板加熱装置、基板加熱方法及び基板処理方法 | |
| JPS5950167A (ja) | グロ−放電による薄膜形成装置 | |
| JPS6137354B2 (ja) | ||
| JP2004266265A5 (ja) | ||
| JP2002261036A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS60161616A (ja) | 半導体ウエハの赤外線加熱装置 | |
| JPH0853766A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6250627A (ja) | 基板の表面温度の制御方法 | |
| JP2001289714A (ja) | 基板の温度計測方法及び計測装置、並びに基板の処理装置 | |
| JP2003197535A (ja) | 気相成長装置および気相成長装置の温度検出方法ならびに温度制御方法 | |
| JPH07281453A (ja) | 基板の加熱方法および装置 | |
| JPH01321440A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS62123485A (ja) | 定着装置 | |
| TW201207892A (en) | Substrate processing method | |
| JP2003029112A (ja) | 基板保持装置および成膜方法 | |
| JP3402952B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| Riley | Design and modeling of rapid thermal processors for improved temperature uniformity | |
| JPS646953A (en) | Thermal development method | |
| JPS6013075A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2719502B2 (ja) | 電子写真光受容部材の製造方法 | |
| JPS56121040A (en) | Electrophotographic light sensitive material and its manufacture | |
| JP2002343705A (ja) | フォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形成する方法 | |
| JPH1063024A (ja) | 光受容部材の製造方法及び装置 | |
| Geist et al. | Low-contrast thermal resolution test targets: a new approach | |
| JPH08181179A (ja) | 半導体製造装置 |