JPS5948951B2 - 無電解金メッキ液 - Google Patents
無電解金メッキ液Info
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- JPS5948951B2 JPS5948951B2 JP9503178A JP9503178A JPS5948951B2 JP S5948951 B2 JPS5948951 B2 JP S5948951B2 JP 9503178 A JP9503178 A JP 9503178A JP 9503178 A JP9503178 A JP 9503178A JP S5948951 B2 JPS5948951 B2 JP S5948951B2
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- gold
- plating solution
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- cyanide
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Description
本発明は無電解金メッキ液に関し、殊にシアン化金アル
カリ及びシアン化アルカリを主液に含み、水素化ホウ素
アルカリを還元液に含む類の無電解メッキ液に関する。 本発明は短時間で緻密な光沢のある金を多量に析出させ
る原付の無電解メッキ液を提供する。従来公知のこの種
無電解メッキ液としては、主液にシアン化金カリ、シア
ン化カリ及び水酸化カリを含み、還元剤を水素化ホウ素
アルカリとするものがある。 （Ｙ、オキナカ （Ｙ、Ｏｋｉｎａｋａ）プレイテイ
ングＶ０１５７、
カリ及びシアン化アルカリを主液に含み、水素化ホウ素
アルカリを還元液に含む類の無電解メッキ液に関する。 本発明は短時間で緻密な光沢のある金を多量に析出させ
る原付の無電解メッキ液を提供する。従来公知のこの種
無電解メッキ液としては、主液にシアン化金カリ、シア
ン化カリ及び水酸化カリを含み、還元剤を水素化ホウ素
アルカリとするものがある。 （Ｙ、オキナカ （Ｙ、Ｏｋｉｎａｋａ）プレイテイ
ングＶ０１５７、
〔９〕ｌ９７０Ｐ９１４−９２０）こ
の析出金の緻密性は、中程度のものにすぎず、緻密質の
軟質電解金よりも１０倍程度多孔性であるとされており
、また数Ｊｍ〜１０μｍのノジユールがみがき金板表面
に析出し、かつマットな表面を生ずる。また市販の一無
電解メッキ液Ａにおいては、その析出金メッキ膜厚はＮ
ｉメッキ上においてたか・だか０．３μ程度であり、そ
のためにＩＣ等の半導体容器にメッキした場合、半導体
素子のＡｕ／Ｓｉロウによる共晶結合を確実にすること
が出来ず、またアルミ線のワイヤーボンディング、高温
高湿試験においても充分満足を得られなかつた。 これらの特性を満足するためには一般に公知方法によれ
ばＮｉメッキ上又はそれ以外の場合１．５μ以上の金メ
ッキ厚が必要である。従来の方法においては、上述の如
く、短時間での緻密質な原付が出来ないという欠点が存
する。 本発明は従来法の上述の諸欠点を除去し、光沢ある緻密
質原付金メッキを実現する無電解メッキ液を提供するこ
とを目的とする。即ち、本発明の無電解メッキ液は、シ
アン化金カリウム１〜１５ｇ／ｌ、シアン化カリウム５
〜１５ｇ／ｌ、クエン酸ナ、トリウム２０〜１２０ｇ／
ｌ、エチレンジアミン四酢酸エアトリウム１〜１０ｇハ
及び塩化鉛少量を含む主液と、水素化ホウ素ナトリウム
５０〜２００ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム５０〜２００
ｇハを含む還元液との２液混合を特徴とする。フ 以下
本発明について詳述する。 本発明においては、メッキ金はそれ自体公知のシアン化
金カリウムとして与えられ、これに対してシアン化カリ
を併用する。 それ自体錯化剤として公知のエチレンジアミン四酢酸エ
アトリウムＪ（ＥＤＴＡ）を用いるが、本発明において
、クエン酸ナトリウムと併用することにより錯化剤とし
ての作用とともに金析出量増大効果があることが明らか
となつた。また、液の安全性保持のためには、塩化鉛の
小量添加が良好であることが判明した。さらにより光沢
の強い緻密質かつ表面平滑なメツキ膜を得るためにゼラ
チンの小量含有が有効であることも判明した。還元液は
水素化ホウ素ナトリウムと水酸化ナトリウムの組合せで
あるが、これは主としてコスト上の理由によるものでナ
トリウムをカリウムとすることもできる。以下個々の組
成についての量的限定について記す。 （主液） １ シアン化金カリウム１〜１５ｇハ好ましくは１〜１
０ｇ／１． １ｇハ以下ではメツキは粗雑化し１５ｇハ
以上では厚付メツキ及び光沢上において特により以上の
効果は生ぜず、また経済的に不利となる。 １０〜１５ｇ／ｌでは大きな変化はない。 ２ シアン化カリウム５〜１５ｇ／１５ｇハ以下及び１
５ｇハ以上では、析出速度は逆に低下し、厚付けが困難
となる。 １０〜１５ｇハでは余り大差はなく５〜１０ｇハが好ま
しい。 ３ クエン酸ナトリウム２０〜１２０ｇ／１２０ｇハ以
下では析出速度の低下を生ずる。 また８０〜１２０ｇハでは大差はなく１２０ｇハ以上で
はより以上の効果は生じない。また液温の低下の際クエ
ン酸ナトリウムの沈殿が生じ易いので問題がある。４Ｅ
ＤＴＡ１〜１０ｇ／１．１ｇハ以下では析出速度は低下
を来たし、１０ｇハ以上では、液の安定性を欠き分解を
生じ易い。 好ましくは約５ｇハである。５塩化鉛５ｍｇ〜１ｇハ程
度の少量とする。 ５ｍｇハ以下ではメツキ粗雑化が生じ、１ｇハ以上では
析出速度が低下し厚付けに支障となる。 好ましくは１０〜５００ｍｇハである。６ゼラチン少量
（１〜３ｇ／ｌ） １ｇハ以下では光沢に対し効果が少く３ｇハ以上として
も光沢上特により以上の効果は見られない。 （還元液） ７水素化ホウ素ナトリウム５０〜２００ｇ／１．５０ｇ
ハ以下では析出速度が大きく低下し、２００ｇハ以上で
は混合後液の分解を生じ易い。 好ましくは１５０〜２００ｇハとする。８ 水酸化ナト
リウム５０〜２００ｇ／１５０ｇハ以下では液の分解が
生じ、２００ｇ／１以上ではより以上の効果が生じない
。 好ましくは７０〜１２０ｇハである。本発明の無電解メ
ツキ液は金又はパラヂウムの薄膜上に金析出を生じ、緻
密質かつ厚いメツキ膜を形成する。 一例としてセラミツク質基板に金メツキ厚付を施す場合
には、まず通例公知のモリブデン、タングステン等の公
知のメタライジング処理を施した上へ公知方法でニツケ
ルメツキを施す。その後、公知方法により薄く０．３μ
程度の金メツキ層（一次）を形成し、その上へ、本発明
の無電解メツキ処理を施す。上述の一次メツキ層形成の
公知方法としては、例えばアトメツクス（市販品）によ
ることができる。このように形成した金メツキ薄膜上に
、本発明の無電解メツキ液を用いて、厚付け金メツキを
施す。このようにして、特に半導体容器に用いるセラミ
ツク基材に対し、耐高温高湿試験を満足する厚くかつ緻
密質の金メツキが、短時間において形成可能となる。こ
のようにして、セラミツク質半導体容器に金メツキ処理
を施して得られるものは、アルミ線又は金線の熱圧着及
び超音波ボンデイングにも適し、高温高湿試験にも充分
満足な結果を示し、半導体素子（シリコン等）との共晶
結合をも確実にすることが認められた。 その他、本発明の無電解メツキ液は、ステンレス、アル
ミ、ニツケル等の金属表面上、或いはメツキ層上にも同
様にして適用可能である。 以下に本発明の実施例を例示的に示す。 実施例 １ 厚さ０．０３ｃｍ大きさ４ＣＩｎｔの金箔をアルカリ性
の脱脂液で加熱脱脂し水洗後、濃塩酸と水の容量比１：
１の溶液で酸洗する。 その後水洗を行い、次いで金箔を下記のメツキ組成の液
にてメツキした。上記主液と還元液を容量比１０：１の
割合で混合してメツキ液を得た。 このメツキ液を７５〜７８℃に保持し、強制攪拌をしな
がら３０分間メツキした。その結果を第１図に示す。同
図曲線１は本発明のメツキ速度を示し、３０分間で厚さ
４μに達した。またメツキ層は緻密かつ光沢のある表面
性状を示した。さらに従来のメツキ液の如き飽和現象は
現われず、本発明のメツキ液はなお良好であることが認
められた。なお、金箔上への析出と、厚さ０．３μ程度
の一次金メツキ層上への析出速度は、ほ・゛同様である
ことが認められた。 対照例 １ 実施例１と同一の金箔を用い、市販品Ａを用い、比較テ
ストを行いその結果を第１図曲線２に示す。 前処理は実施例１と同様にして行い、メツキ処理は原液
を１０倍にうすめて液温９５℃として行つた。その結果
、３０分間のメツキ厚は０．２μにしか達せず、かつ緻
密質メツキは得られなかつた。
の析出金の緻密性は、中程度のものにすぎず、緻密質の
軟質電解金よりも１０倍程度多孔性であるとされており
、また数Ｊｍ〜１０μｍのノジユールがみがき金板表面
に析出し、かつマットな表面を生ずる。また市販の一無
電解メッキ液Ａにおいては、その析出金メッキ膜厚はＮ
ｉメッキ上においてたか・だか０．３μ程度であり、そ
のためにＩＣ等の半導体容器にメッキした場合、半導体
素子のＡｕ／Ｓｉロウによる共晶結合を確実にすること
が出来ず、またアルミ線のワイヤーボンディング、高温
高湿試験においても充分満足を得られなかつた。 これらの特性を満足するためには一般に公知方法によれ
ばＮｉメッキ上又はそれ以外の場合１．５μ以上の金メ
ッキ厚が必要である。従来の方法においては、上述の如
く、短時間での緻密質な原付が出来ないという欠点が存
する。 本発明は従来法の上述の諸欠点を除去し、光沢ある緻密
質原付金メッキを実現する無電解メッキ液を提供するこ
とを目的とする。即ち、本発明の無電解メッキ液は、シ
アン化金カリウム１〜１５ｇ／ｌ、シアン化カリウム５
〜１５ｇ／ｌ、クエン酸ナ、トリウム２０〜１２０ｇ／
ｌ、エチレンジアミン四酢酸エアトリウム１〜１０ｇハ
及び塩化鉛少量を含む主液と、水素化ホウ素ナトリウム
５０〜２００ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム５０〜２００
ｇハを含む還元液との２液混合を特徴とする。フ 以下
本発明について詳述する。 本発明においては、メッキ金はそれ自体公知のシアン化
金カリウムとして与えられ、これに対してシアン化カリ
を併用する。 それ自体錯化剤として公知のエチレンジアミン四酢酸エ
アトリウムＪ（ＥＤＴＡ）を用いるが、本発明において
、クエン酸ナトリウムと併用することにより錯化剤とし
ての作用とともに金析出量増大効果があることが明らか
となつた。また、液の安全性保持のためには、塩化鉛の
小量添加が良好であることが判明した。さらにより光沢
の強い緻密質かつ表面平滑なメツキ膜を得るためにゼラ
チンの小量含有が有効であることも判明した。還元液は
水素化ホウ素ナトリウムと水酸化ナトリウムの組合せで
あるが、これは主としてコスト上の理由によるものでナ
トリウムをカリウムとすることもできる。以下個々の組
成についての量的限定について記す。 （主液） １ シアン化金カリウム１〜１５ｇハ好ましくは１〜１
０ｇ／１． １ｇハ以下ではメツキは粗雑化し１５ｇハ
以上では厚付メツキ及び光沢上において特により以上の
効果は生ぜず、また経済的に不利となる。 １０〜１５ｇ／ｌでは大きな変化はない。 ２ シアン化カリウム５〜１５ｇ／１５ｇハ以下及び１
５ｇハ以上では、析出速度は逆に低下し、厚付けが困難
となる。 １０〜１５ｇハでは余り大差はなく５〜１０ｇハが好ま
しい。 ３ クエン酸ナトリウム２０〜１２０ｇ／１２０ｇハ以
下では析出速度の低下を生ずる。 また８０〜１２０ｇハでは大差はなく１２０ｇハ以上で
はより以上の効果は生じない。また液温の低下の際クエ
ン酸ナトリウムの沈殿が生じ易いので問題がある。４Ｅ
ＤＴＡ１〜１０ｇ／１．１ｇハ以下では析出速度は低下
を来たし、１０ｇハ以上では、液の安定性を欠き分解を
生じ易い。 好ましくは約５ｇハである。５塩化鉛５ｍｇ〜１ｇハ程
度の少量とする。 ５ｍｇハ以下ではメツキ粗雑化が生じ、１ｇハ以上では
析出速度が低下し厚付けに支障となる。 好ましくは１０〜５００ｍｇハである。６ゼラチン少量
（１〜３ｇ／ｌ） １ｇハ以下では光沢に対し効果が少く３ｇハ以上として
も光沢上特により以上の効果は見られない。 （還元液） ７水素化ホウ素ナトリウム５０〜２００ｇ／１．５０ｇ
ハ以下では析出速度が大きく低下し、２００ｇハ以上で
は混合後液の分解を生じ易い。 好ましくは１５０〜２００ｇハとする。８ 水酸化ナト
リウム５０〜２００ｇ／１５０ｇハ以下では液の分解が
生じ、２００ｇ／１以上ではより以上の効果が生じない
。 好ましくは７０〜１２０ｇハである。本発明の無電解メ
ツキ液は金又はパラヂウムの薄膜上に金析出を生じ、緻
密質かつ厚いメツキ膜を形成する。 一例としてセラミツク質基板に金メツキ厚付を施す場合
には、まず通例公知のモリブデン、タングステン等の公
知のメタライジング処理を施した上へ公知方法でニツケ
ルメツキを施す。その後、公知方法により薄く０．３μ
程度の金メツキ層（一次）を形成し、その上へ、本発明
の無電解メツキ処理を施す。上述の一次メツキ層形成の
公知方法としては、例えばアトメツクス（市販品）によ
ることができる。このように形成した金メツキ薄膜上に
、本発明の無電解メツキ液を用いて、厚付け金メツキを
施す。このようにして、特に半導体容器に用いるセラミ
ツク基材に対し、耐高温高湿試験を満足する厚くかつ緻
密質の金メツキが、短時間において形成可能となる。こ
のようにして、セラミツク質半導体容器に金メツキ処理
を施して得られるものは、アルミ線又は金線の熱圧着及
び超音波ボンデイングにも適し、高温高湿試験にも充分
満足な結果を示し、半導体素子（シリコン等）との共晶
結合をも確実にすることが認められた。 その他、本発明の無電解メツキ液は、ステンレス、アル
ミ、ニツケル等の金属表面上、或いはメツキ層上にも同
様にして適用可能である。 以下に本発明の実施例を例示的に示す。 実施例 １ 厚さ０．０３ｃｍ大きさ４ＣＩｎｔの金箔をアルカリ性
の脱脂液で加熱脱脂し水洗後、濃塩酸と水の容量比１：
１の溶液で酸洗する。 その後水洗を行い、次いで金箔を下記のメツキ組成の液
にてメツキした。上記主液と還元液を容量比１０：１の
割合で混合してメツキ液を得た。 このメツキ液を７５〜７８℃に保持し、強制攪拌をしな
がら３０分間メツキした。その結果を第１図に示す。同
図曲線１は本発明のメツキ速度を示し、３０分間で厚さ
４μに達した。またメツキ層は緻密かつ光沢のある表面
性状を示した。さらに従来のメツキ液の如き飽和現象は
現われず、本発明のメツキ液はなお良好であることが認
められた。なお、金箔上への析出と、厚さ０．３μ程度
の一次金メツキ層上への析出速度は、ほ・゛同様である
ことが認められた。 対照例 １ 実施例１と同一の金箔を用い、市販品Ａを用い、比較テ
ストを行いその結果を第１図曲線２に示す。 前処理は実施例１と同様にして行い、メツキ処理は原液
を１０倍にうすめて液温９５℃として行つた。その結果
、３０分間のメツキ厚は０．２μにしか達せず、かつ緻
密質メツキは得られなかつた。
図はメツキ速度をメツキ厚と時間の関係において示し、
縦軸はメツキ厚（μ）、横軸はメツキ時間（分）を示す
。
縦軸はメツキ厚（μ）、横軸はメツキ時間（分）を示す
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シアン化金アルカリ及びシアン化アルカリと共に錯
化剤、ゼラチンを主液に含み、水素化ホウ素アルカリを
還元剤とする無電解メッキ液において、シアン化金カリ
ウム１〜１５ｇ／ｌ、シアン化カリウム５〜１５ｇ／ｌ
、クエン酸ナトリウム２０〜１２０ｇ／ｌ、エチレンジ
アミン四酢酸二ナトリウム１〜１０ｇ／ｌ及び塩化鉛少
量を含む主液と、水素化ホウ素ナトリウム５０〜２００
ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム５０〜２００ｇ／ｌを含む
還元液との２液混合を特徴とする無電解メッキ液。 ２ 前記塩化鉛５ｍｇ〜１ｇ／ｌ及び前記ゼラチン１〜
３ｇ／ｌを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の無電解メッキ液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9503178A JPS5948951B2 (ja) | 1978-08-05 | 1978-08-05 | 無電解金メッキ液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9503178A JPS5948951B2 (ja) | 1978-08-05 | 1978-08-05 | 無電解金メッキ液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5524914A JPS5524914A (en) | 1980-02-22 |
| JPS5948951B2 true JPS5948951B2 (ja) | 1984-11-29 |
Family
ID=14126710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9503178A Expired JPS5948951B2 (ja) | 1978-08-05 | 1978-08-05 | 無電解金メッキ液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948951B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63138065A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-10 | 山内サツシ工業株式会社 | 建物用のモ−ルデイング |
| JPS63117941U (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-30 | ||
| JPH0330497Y2 (ja) * | 1987-04-08 | 1991-06-27 | ||
| JPH0422655Y2 (ja) * | 1985-09-13 | 1992-05-25 | ||
| JPH054513Y2 (ja) * | 1987-07-16 | 1993-02-04 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5355669A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Washer |
| FR2441666A1 (fr) * | 1978-11-16 | 1980-06-13 | Prost Tournier Patrick | Procede de depot chimique d'or par reduction autocatalytique |
| US4337091A (en) * | 1981-03-23 | 1982-06-29 | Hooker Chemicals & Plastics Corp. | Electroless gold plating |
| JPS60121274A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-06-28 | Electroplating Eng Of Japan Co | 自己触媒型無電解金めっき液 |
| JPH03170197A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-23 | Hitachi Ltd | 洗たく機 |
| JP3331260B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2002-10-07 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 無電解金めっき液 |
| JP3331261B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2002-10-07 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 無電解金めっき液 |
| JP3302512B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2002-07-15 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 無電解金めっき液 |
| JP6017726B2 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-11-02 | 小島化学薬品株式会社 | 還元型無電解金めっき液及び当該めっき液を用いた無電解金めっき方法 |
-
1978
- 1978-08-05 JP JP9503178A patent/JPS5948951B2/ja not_active Expired
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422655Y2 (ja) * | 1985-09-13 | 1992-05-25 | ||
| JPS63138065A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-10 | 山内サツシ工業株式会社 | 建物用のモ−ルデイング |
| JPS63117941U (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-30 | ||
| JPH0330497Y2 (ja) * | 1987-04-08 | 1991-06-27 | ||
| JPH054513Y2 (ja) * | 1987-07-16 | 1993-02-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5524914A (en) | 1980-02-22 |
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