JPS5948936A - 垂直形半導体基板表面処理装置の基板搬送保持装置 - Google Patents
垂直形半導体基板表面処理装置の基板搬送保持装置Info
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- JPS5948936A JPS5948936A JP15895582A JP15895582A JPS5948936A JP S5948936 A JPS5948936 A JP S5948936A JP 15895582 A JP15895582 A JP 15895582A JP 15895582 A JP15895582 A JP 15895582A JP S5948936 A JPS5948936 A JP S5948936A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
に薄膜生成やプラズマエノチングなどの表面処理を行な
う処理装置の基板搬送および保持装置に関するものであ
る。
う処理装置の基板搬送および保持装置に関するものであ
る。
ＬＳＩやＶＬＳＩの処理工程においては微細な塵埃が結
晶欠陥の原因となる。これらの影響を少しでも防止する
ため、半導体基板を垂直に保持し、処理を行なう方法が
重要な要素となる。
晶欠陥の原因となる。これらの影響を少しでも防止する
ため、半導体基板を垂直に保持し、処理を行なう方法が
重要な要素となる。
このような場合、従来は反応室を閉鎖するために大形の
ゲートバルブが必要であった。寸だ真空中の垂直面に基
板を保持するためＫは従来の真空チャック捷たはベルヌ
ーイ法による吸引法は真空中では使用出来ず、静電チャ
ックもプラズマエツチングなどの場合には使用出来ない
ので、機械的保持方法が採用されていた。しかしこの方
法は着脱機構か複雑であｐ、基板の大口径化に伴い、基
板を自動的に１枚ずつ処理する毎葉式処理方法の実施は
困難であった。
ゲートバルブが必要であった。寸だ真空中の垂直面に基
板を保持するためＫは従来の真空チャック捷たはベルヌ
ーイ法による吸引法は真空中では使用出来ず、静電チャ
ックもプラズマエツチングなどの場合には使用出来ない
ので、機械的保持方法が採用されていた。しかしこの方
法は着脱機構か複雑であｐ、基板の大口径化に伴い、基
板を自動的に１枚ずつ処理する毎葉式処理方法の実施は
困難であった。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、専用の大形ゲートバルブを設けず、基板を保持する
基板ホルダおよびこの基板ホルダを押圧する基板ホルダ
押圧板とで反ＬＣ７、室と予備室との間を気密閉鎖出来
るようにしてゲートバルブの機能を持たせるとともに、
基板の着脱も基板ホルダ押圧板で基板ホルダを押圧およ
び押圧解除することにより自動的に行なえる基板の搬送
および保持装置を提供するものである。以下図面により
詳細に説明する。
で、専用の大形ゲートバルブを設けず、基板を保持する
基板ホルダおよびこの基板ホルダを押圧する基板ホルダ
押圧板とで反ＬＣ７、室と予備室との間を気密閉鎖出来
るようにしてゲートバルブの機能を持たせるとともに、
基板の着脱も基板ホルダ押圧板で基板ホルダを押圧およ
び押圧解除することにより自動的に行なえる基板の搬送
および保持装置を提供するものである。以下図面により
詳細に説明する。
第１図は本発明の基板の搬送および保持装置を使用した
垂直形の反応室および予備室部分の垂直断面図である。
垂直形の反応室および予備室部分の垂直断面図である。
図において１は反応室、２は予備室、３は回転円板、４
は回転軸、５は気密軸受、６は円板回転用駆動部、７は
基板ホルダ、８は基板押えバネ、９は基板ホルダ支持バ
ネ、１０は基板ホルダ押圧板、１１はスライド軸、１２
は気密軸受け、１３は基板ホルダ押圧板用駆動部、１４
はチャック、１５はアーム、１６は基板である。
は回転軸、５は気密軸受、６は円板回転用駆動部、７は
基板ホルダ、８は基板押えバネ、９は基板ホルダ支持バ
ネ、１０は基板ホルダ押圧板、１１はスライド軸、１２
は気密軸受け、１３は基板ホルダ押圧板用駆動部、１４
はチャック、１５はアーム、１６は基板である。
反応室１ｔ／′ｉ垂直円盤状の室で、垂直壁面の一方に
はその円盤中心に気密軸受け５を設け、この気密軸受け
５を貫通して設けた回転１＋４＋ ４の反応室１の内部
側には回転円板３を、外部側には間けつ回転する円板回
転用駆動部６を設けである。回転円板３にはその外周に
近い同一円周上に等間隔に複数個の基板ホルダ７がそれ
ぞれ３個以上の複数個の基板ホルダ支持バネ９で回転円
板３を貫通するように数例けられている。この基板ホル
ダ７は両面が平行な平面上にある環状を呈しており、片
面は７ランジになっている。このフランジの部分に６１
■記の基板ホルダ支持バネ９の一端が固定きれており、
他瑞は回転Ｈ板３に固定されている。基板ホルダ７の環
状の内側には前記フランジの面と反対側の平行面の内側
にこの平面と平行な環状平面をなす基板支持面７−１を
設けてあり、この基板支持面７−１の外側から基板支持
面７−１に押付ける方向にバネ効果を刑する基板押えバ
ネ８が３個所以上の却数個所で基板ボルダの環状のｌ／
Ｊ側にバネ＋ＩＱ１７−２によっ−Ｃ取イ」げられてい
る。これによりＷｉｋ’＆ １６の裏面は外周のエツジ
部分が基板押えバネＢに接触しているのみで、表面外周
部分が基板支持＋イｉｉ ７−１に押付けられて保持き
れている。
はその円盤中心に気密軸受け５を設け、この気密軸受け
５を貫通して設けた回転１＋４＋ ４の反応室１の内部
側には回転円板３を、外部側には間けつ回転する円板回
転用駆動部６を設けである。回転円板３にはその外周に
近い同一円周上に等間隔に複数個の基板ホルダ７がそれ
ぞれ３個以上の複数個の基板ホルダ支持バネ９で回転円
板３を貫通するように数例けられている。この基板ホル
ダ７は両面が平行な平面上にある環状を呈しており、片
面は７ランジになっている。このフランジの部分に６１
■記の基板ホルダ支持バネ９の一端が固定きれており、
他瑞は回転Ｈ板３に固定されている。基板ホルダ７の環
状の内側には前記フランジの面と反対側の平行面の内側
にこの平面と平行な環状平面をなす基板支持面７−１を
設けてあり、この基板支持面７−１の外側から基板支持
面７−１に押付ける方向にバネ効果を刑する基板押えバ
ネ８が３個所以上の却数個所で基板ボルダの環状のｌ／
Ｊ側にバネ＋ＩＱ１７−２によっ−Ｃ取イ」げられてい
る。これによりＷｉｋ’＆ １６の裏面は外周のエツジ
部分が基板押えバネＢに接触しているのみで、表面外周
部分が基板支持＋イｉｉ ７−１に押付けられて保持き
れている。
回転円板３か間けつ回転する場合の基板ホルダ７の停止
位置の１個所（第１図ては最下位となっている）には、
基板７Ｊζルダ７の７ランジになっている側の反応室１
の側壁で基板ホルダ７の中心線と一致する位置に気密＋
１１ＩＩＩ受けＩ２か設けてあり、ε二の気′庁ｆ中山
受しナ１２を貫通してスライド申出１１か設けである。
位置の１個所（第１図ては最下位となっている）には、
基板７Ｊζルダ７の７ランジになっている側の反応室１
の側壁で基板ホルダ７の中心線と一致する位置に気密＋
１１ＩＩＩ受けＩ２か設けてあり、ε二の気′庁ｆ中山
受しナ１２を貫通してスライド申出１１か設けである。
このスライド軸１１の反応室１の側には基板ホルダ抑圧
板１０が、反対側には基板ホルダ抑圧用駆動部１３が設
り′である。基板ボルダ押圧板１０の基板ホルダ７１／
Ｃ対向する１ｈ１には基板ホルダ７に設けである基板押
えバネ８を押圧する環状突堤Ｉ Ｏ−１を設けである。
板１０が、反対側には基板ホルダ抑圧用駆動部１３が設
り′である。基板ボルダ押圧板１０の基板ホルダ７１／
Ｃ対向する１ｈ１には基板ホルダ７に設けである基板押
えバネ８を押圧する環状突堤Ｉ Ｏ−１を設けである。
前記回転円板３上の基板ホルダ７の停止位置（第１図で
は最下位の位置）には前記スライド軸１１の気密＋ＩＱ
Ｉ＋受け１２と反対側の反応室１の側壁に基板１６が貫
通出来る悪を弁して予備室２が設けである。この予備室
２に１垂直面にそって１１動するアーム１５の先端にチ
ャック］４（たとえば静電チャック）がアーム１５の水
平状態のときに基板固着面か水平になるように取り付け
であり、アーム１５が垂直になった時に基板固着面の中
心が停止している基板ホルダ７の中心と一致し７かつ固
着しである基板１６が基板ホルダ抑圧板１０によって押
圧されている基板ホルダ７の基板支持面７−］に接する
ように調整されている。
は最下位の位置）には前記スライド軸１１の気密＋ＩＱ
Ｉ＋受け１２と反対側の反応室１の側壁に基板１６が貫
通出来る悪を弁して予備室２が設けである。この予備室
２に１垂直面にそって１１動するアーム１５の先端にチ
ャック］４（たとえば静電チャック）がアーム１５の水
平状態のときに基板固着面か水平になるように取り付け
であり、アーム１５が垂直になった時に基板固着面の中
心が停止している基板ホルダ７の中心と一致し７かつ固
着しである基板１６が基板ホルダ抑圧板１０によって押
圧されている基板ホルダ７の基板支持面７−］に接する
ように調整されている。
第２図は基板１６？Ｉｌ−固足したチャック１４かアー
ム１５によって垂直に回動して基板支持面７−１に接し
ている状態゛である。この図の示す時点では未だ基板ホ
ルダ抑圧板１０が後退していないので、反応室１と予備
室２との間は気密耐重ざ、ｔしている。
ム１５によって垂直に回動して基板支持面７−１に接し
ている状態゛である。この図の示す時点では未だ基板ホ
ルダ抑圧板１０が後退していないので、反応室１と予備
室２との間は気密耐重ざ、ｔしている。
第６図は基本ホルダ抑圧板ｌＯの位置に停止した基板ホ
ルダ７、回転円板３および反応室側壁１−１などの相互
位置を示した拡大図である。この状態は基板１６は基板
支持面７−１に保持されており、基板ホルダ押圧板１０
は後退していて、基板ボルダ７は基板ホルダ支持バネ９
で回転円板３に支持式れている。この状態で回転円板は
回転するも、のである。
ルダ７、回転円板３および反応室側壁１−１などの相互
位置を示した拡大図である。この状態は基板１６は基板
支持面７−１に保持されており、基板ホルダ押圧板１０
は後退していて、基板ボルダ７は基板ホルダ支持バネ９
で回転円板３に支持式れている。この状態で回転円板は
回転するも、のである。
つきに、本装置の動作について説明する。予備室の基板
出入口の蓋２−１を開いて基板１６を水平状態に保持さ
れている静電チャック上にのせ、靜蜜気により固定する
。この状態が第１図である。
出入口の蓋２−１を開いて基板１６を水平状態に保持さ
れている静電チャック上にのせ、靜蜜気により固定する
。この状態が第１図である。
その後でアーム１５を乎直に回動すると基板１０は基板
ホルダ抑圧板１０で押されている基板ホルダ７の基板支
持面７−１に接する位置に来る。このときＶＣは基板ホ
ルダ７は基板ホルダ押圧板１０で押坏れ又いるので、基
板ホルダ７は予備室側の反応室側壁内１ａ１に押し付け
られているとともに、基板押え・・ネ８は基板ホルダ抑
圧板１０の環状突堤１０−１に押されて基板を押える先
端部分が外側に開いている。この状態でｄ：反応室１ノ
号壁と基板ホルダ７、および基板ホルダ７と基板ホルダ
押圧板１０との間にはＯリングが介在しているので、反
応室１と予備室２との間は気密封止されている。
ホルダ抑圧板１０で押されている基板ホルダ７の基板支
持面７−１に接する位置に来る。このときＶＣは基板ホ
ルダ７は基板ホルダ押圧板１０で押坏れ又いるので、基
板ホルダ７は予備室側の反応室側壁内１ａ１に押し付け
られているとともに、基板押え・・ネ８は基板ホルダ抑
圧板１０の環状突堤１０−１に押されて基板を押える先
端部分が外側に開いている。この状態でｄ：反応室１ノ
号壁と基板ホルダ７、および基板ホルダ７と基板ホルダ
押圧板１０との間にはＯリングが介在しているので、反
応室１と予備室２との間は気密封止されている。
したがって、この状態では反応室１は減圧状態であり、
予備室２は大気圧であることも可能である。
予備室２は大気圧であることも可能である。
前記基板出入口の蓋２−１を基板１６を挿入後に閉鎖し
てから予備室内を減圧しで基板１６が基板支持面７−１
に接するまでの間に反応室内と同じ気圧にすればよい。
てから予備室内を減圧しで基板１６が基板支持面７−１
に接するまでの間に反応室内と同じ気圧にすればよい。
この状態が第２図である。
予備室２が反応室１と同一気圧になった時点で基板ホル
ダ押圧板１０を後退ぜせると環状突堤１〇−１に弁され
て開いていた基板押えバネ８はその弾性によって基板１
６のエッヂ部分で基板１６を基板支持面７−１に押圧す
る。こわと同時にチャック１４を開放状態にす′１１ば
、基板１６は完全に基板ホルダ７に保持されたことにな
る。基板ホルダ押圧板１０の後退とともに基板ホルダ支
持バネ９により基板ホルダ７は押圧されていた反応室Ｉ
の側壁からはなれ、回転円板３は回転可能な状態となる
。この状態が第６図である。
ダ押圧板１０を後退ぜせると環状突堤１〇−１に弁され
て開いていた基板押えバネ８はその弾性によって基板１
６のエッヂ部分で基板１６を基板支持面７−１に押圧す
る。こわと同時にチャック１４を開放状態にす′１１ば
、基板１６は完全に基板ホルダ７に保持されたことにな
る。基板ホルダ押圧板１０の後退とともに基板ホルダ支
持バネ９により基板ホルダ７は押圧されていた反応室Ｉ
の側壁からはなれ、回転円板３は回転可能な状態となる
。この状態が第６図である。
処理の終了した基板１６は回転円板３によシ基板ホルダ
押圧板１０の所に停止するので、上記説明の基板挿入動
作と逆の操作竺より取出すので、 １詳細説明は省略
する。なお予備室２と基板ホルダ抑圧板などの基板ホル
ダ押圧装置を２個所に設ければ基板挿入と基板搬出がそ
れぞれ尋用に出来るために、能率を向上出来ることは明
らかである。
押圧板１０の所に停止するので、上記説明の基板挿入動
作と逆の操作竺より取出すので、 １詳細説明は省略
する。なお予備室２と基板ホルダ抑圧板などの基板ホル
ダ押圧装置を２個所に設ければ基板挿入と基板搬出がそ
れぞれ尋用に出来るために、能率を向上出来ることは明
らかである。
このような機構であるので、予備室２の内部気圧は基板
１６の出入れに伴って大気圧と減圧状態とをくり返すが
、反応室１の内部気圧は常に一定の減圧状態が維持され
ている。したがって反応室１の内部では薄膜生成やプラ
ズマエソチンクなどの表面処理が連続的に行なわれてい
るが、これらは本発明の対象外であるので、説明は省略
する。
１６の出入れに伴って大気圧と減圧状態とをくり返すが
、反応室１の内部気圧は常に一定の減圧状態が維持され
ている。したがって反応室１の内部では薄膜生成やプラ
ズマエソチンクなどの表面処理が連続的に行なわれてい
るが、これらは本発明の対象外であるので、説明は省略
する。
以上のよう々構造であれば大口径の基板の表面処理を自
動的に毎葉処理することが容易であるはかりでなく、基
板１６は処理途中で位置を変えて処理されるので、表面
処理が均一に行なわれる。
動的に毎葉処理することが容易であるはかりでなく、基
板１６は処理途中で位置を変えて処理されるので、表面
処理が均一に行なわれる。
また基板１６の挿入および搬出する場所を別個に設けれ
ば挿入および搬出の時間を半減することが出来、全４体
の作業効率を向上出来るなど、実用効果は極めて大きい
。
ば挿入および搬出の時間を半減することが出来、全４体
の作業効率を向上出来るなど、実用効果は極めて大きい
。
第１図は本発明の基板の搬送および保持装置を使用した
垂直形の反応室１および予備室２の垂直断面図で、基板
１６が予備室２に水平に保持されている状態のものであ
る。第２図は第１図と同様で、基板１６が基板ホルダ７
に垂直に押し付けられている状態のものである。第６図
は基板ホルダ抑圧板１０の位置に停止した基板ホルダ７
、回転円板３および反応室側壁１−１などの相互位置を
示（７た拡大図である。 図において、■は反応室、２は予備室、３は回転円板、
７は基板ホルダ、８は基板押えバネ、９は基板ホルダ支
持バネ、１０は基板ホルダ押圧板、１４はチャンク、１
６は基板である。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 弁理士山元俊仁 第１図 １４ １５ ９ 第（、・：図 ］５９
垂直形の反応室１および予備室２の垂直断面図で、基板
１６が予備室２に水平に保持されている状態のものであ
る。第２図は第１図と同様で、基板１６が基板ホルダ７
に垂直に押し付けられている状態のものである。第６図
は基板ホルダ抑圧板１０の位置に停止した基板ホルダ７
、回転円板３および反応室側壁１−１などの相互位置を
示（７た拡大図である。 図において、■は反応室、２は予備室、３は回転円板、
７は基板ホルダ、８は基板押えバネ、９は基板ホルダ支
持バネ、１０は基板ホルダ押圧板、１４はチャンク、１
６は基板である。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 弁理士山元俊仁 第１図 １４ １５ ９ 第（、・：図 ］５９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、垂直に設けた反応室とこの反応室に接して設けた予
備室を有する半導体基板表面処理装置において、反応室
内の垂直面上で間けつ回転する回転円板の同一円周上に
等間隔に力・つ水平方向に移動可能、に設けた基板保持
手段と、この基板保持手段を予備室に通じる窓の周囲の
反応室内壁面に押圧（２て反応室と予備室間を気密側止
させる基板保持手段押圧装置よりなり、前記基板保持手
段には両面が平行平面をなす環状構造の基板ホルダと基
板ホルダの環状の内壁面に設けた複数の基板押えバネを
有し、前記基板保持手段押圧装置には基板保持手段抑圧
時に基板ホルダに密接する乎（ｋｌと基板押えバネを押
圧する環状突堤とを具備したことを特徴とする垂直形半
導体基板表面処理装置の基板搬送保持装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の垂直ツ１多半導体基板
表面処理装置の基板搬送保持装置において、基板押えバ
ネとして前記基板ホルダの環状内壁に設けたバネ、軸で
基板ホルダに取付けられており、基板押えバネの一端は
基板ホルダに拘束されており、他端は自由端でバネ軸と
自由端の中間で前記基板ホルダ押圧板の環状突堤に押圧
きれて基板ホルダの半径方向の外側に開く構造であるこ
とを特徴とする前記垂直形半導体基板表面処理装置の基
板搬送保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15895582A JPS5948936A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 垂直形半導体基板表面処理装置の基板搬送保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15895582A JPS5948936A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 垂直形半導体基板表面処理装置の基板搬送保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948936A true JPS5948936A (ja) | 1984-03-21 |
| JPS6240856B2 JPS6240856B2 (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=15682990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15895582A Granted JPS5948936A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 垂直形半導体基板表面処理装置の基板搬送保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948936A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129345A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-17 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 |
| CN116100391A (zh) * | 2023-02-22 | 2023-05-12 | 苏州希瑞格机器人科技有限公司 | 一种智能夹取定位的法兰表面多角度打磨装置 |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP15895582A patent/JPS5948936A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129345A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-17 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 |
| CN116100391A (zh) * | 2023-02-22 | 2023-05-12 | 苏州希瑞格机器人科技有限公司 | 一种智能夹取定位的法兰表面多角度打磨装置 |
| CN116100391B (zh) * | 2023-02-22 | 2023-10-10 | 苏州希瑞格机器人科技有限公司 | 一种智能夹取定位的法兰表面多角度打磨装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6240856B2 (ja) | 1987-08-31 |
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