JPH0821608B2 - 真空室の材料交換装置 - Google Patents

真空室の材料交換装置

Info

Publication number
JPH0821608B2
JPH0821608B2 JP61168680A JP16868086A JPH0821608B2 JP H0821608 B2 JPH0821608 B2 JP H0821608B2 JP 61168680 A JP61168680 A JP 61168680A JP 16868086 A JP16868086 A JP 16868086A JP H0821608 B2 JPH0821608 B2 JP H0821608B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
exchange chamber
chamber
vacuum chamber
exchange
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP61168680A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6324633A (ja
Inventor
宏 中里
善明 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP61168680A priority Critical patent/JPH0821608B2/ja
Publication of JPS6324633A publication Critical patent/JPS6324633A/ja
Publication of JPH0821608B2 publication Critical patent/JPH0821608B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イオン照射装置や蒸着装置等においてウ
ェハ等の加工材料の交換に用いる真空室の材料交換装置
に関するものである。
〔従来の技術〕
従来からイオン照射装置を用いてイオンビームをウェ
ハ等の加工材料に照射することにより各種加工が行われ
ている。この加工の例としては、イオン注入やIVD(イ
オンベーパーデポジション)法による薄膜形成、イオン
ボンバード洗浄などがある。
このような各種加工は、いずれも真空中で行う必要が
あり、ウェハ等の加工材料を真空室からその内部の真空
度を保った状態で出し入れする構造が必要となる。
このように真空度を保った状態で出り入れするように
した材料交換装置として、第3図に示す自動交換式のも
のと、第4図に示す手動交換式のものとが提案されてい
る。
第3図の例は、真空室31にゲートバルブ32を介して交
換室33を接続し、真空室31内の材料支持台34から交換室
33にわたって材料搬送装置35を設けたものである。36は
材料である。交換室33には材料出し入れ用の開閉蓋37が
設けてある。材料支持台34は材料36を保持するチャック
手段を有しており、回動支軸38回りで上向き姿勢と横向
き姿勢との間に回動可能である。横向きとなった材料支
持台34の材料配置面34aと対向して、真空室31の外壁の
外にイオンビームmの照射用のイオン源39が設置してあ
る。
材料36を交換する際は、真空室31および交換室33を共
に真空の状態とし、まずゲートバルブ32を開き、上向き
となった材料支持台34から交換室33へ材料36を材料搬送
装置35で移動させる。この後、ゲートバルブ32を閉じ、
交換室33内を大気圧に戻して開閉蓋37を開け、材料36を
交換する。
第4図の例は、材料支持台34′を移動用ロッド40で真
空室31′と交換室33′との間に進退移動させるようにし
たものである。移動用ロッド40は作業者の手で操作す
る。その他の構成および操作方法は第3図の例とほぼ同
様である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
これら第3図および第4図の従来例は、いずれも真空
室31,31′の真空度維持のために、ゲートバルブ32が必
要であり、構造が複雑で高価になるという問題点があ
る。すなわち、ゲートバルブ32が複雑な部品であり、高
価となる。
この発明の目的は、ゲートバルブを設けずに真空室の
気密を維持したまま材料の交換が行なえる構造の簡単な
真空室の材料交換装置を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明の真空室の材料交換室は、交換室出入開口を
有する外壁で密閉した真空室と、前記外壁の前記交換室
出入開口から離れた位置に貫設された加工装置と、前記
真空室内で前記交換室出入開口に向く姿勢と前記加工装
置に向く姿勢とに回動可能に取付けられた材料支持台
と、前記交換室出入開口に進入退出移動可能に嵌入して
進入状態で前記外壁の内側に向けて開放した内端の周囲
部が前記材料支持台の材料配置範囲の周囲に密接すると
ともに外端が前記外壁の外側に向けて開放した交換室
と、この交換室の前記外端に設けられて前記外端を開閉
する材料出し入れ用の開閉蓋とを備えたものである。
〔作用〕
この発明の構成によれば、材料支持台が真空室の交換
室出入開口に向く姿勢と加工装置に向く姿勢とに回動す
る構成であるため、装置の据え付け面積を小さくでき
る。しかも、真空室の交換室出入開口に交換室を進入退
出移動可能に嵌入し、進入状態で交換室の内端の開口の
周囲部が材料配置台の材料配置範囲の周囲に密接するも
のとしたので、交換室を進入状態とすることにより、交
換室の外端の開閉蓋を開けても真空室の気密状態が維持
される。そのため、真空室を気密状態に維持したまま、
交換室から材料の交換が行なえる。また、交換室の開閉
蓋を閉じると、交換室を退出させて材料支持台から離れ
させても、外部に対して真空室の気密状態が維持され
る。このように交換室を退出状態とすることにより、交
換室が邪魔となることなく、材料支持台上の材料に加工
を施すことができる。
このように、従来のゲートバルブを設けることなく、
交換室を進入退出移動可能とするのみですむので、構造
が簡素化され、それだけ低コスト化を図ることができ
る。
〔実施例〕
この発明をイオン照射装置に適用した一実施例を第1
図および第2図に基づいて説明する。この装置は、真空
室1内に設けた材料支持台2に対向して、真空室1の外
壁の天井部分に交換室出入開口3を設け、この交換室出
入開口3に交換室4を進入退出移動可能に嵌入したもの
である。交換室4は両端が開口しかつ外端にフランジ4a
を有する円筒状に形成され、外端の開口4bに開閉蓋5が
ヒンジ6により開閉回動可能に取付けられている。交換
室4は、進入状態において内端の開口4cの周囲部が上向
姿勢の材料支持台2の材料配置範囲の周囲に密接するも
のであり、開口4cの周囲部に気密用のパッキング7が取
付けてある。また、真空室1の交換室出入開口3内およ
び開閉蓋5にも、各々気密用の摺動部パッキング8およ
び開閉部パッキング9が設けてある。各パッキング7〜
9はOリング等からなる。
材料支持台2は先端の材料配置面2aにウェハ等の円板
状の材料10を保持するものであり、静電式または押え爪
式等の材料チャック手段(図示せず)を有する。材料支
持台2は回動支軸11回りで交換室出入開口3に向く上向
姿勢と加工装置であるイオン源12に向く横向姿勢とに回
動可能であり、回動駆動装置(図示せず)と連結されて
いる。回動支軸11は真空室1内の支持枠に設けたもので
ある。横向き姿勢の材料支持台2の材料配置面2aと対向
して、イオンビームaの照射用のイオン源12が真空室1
に付設されている。なお、真空室1および交換室4は、
図示しないが各々真空ポンプ等の吸引装置と接続してあ
る。
この構成の動作を説明する。材料10を交換するとき
は、真空室1を真空状態のままとし、材料支持台2を鎖
線で示す横向き姿勢から実線で示す上向き姿勢とする。
次に交換室4を下方へ進入させ、パッキング7が材料支
持台2の材料配置面2aに接触するまで降ろす。この後、
交換室4を大気圧に戻して開閉蓋5を開け、材料2を交
換する。このとき、交換室4の内端のパッキング7が材
料支持台2の材料配置面2aに接しているので、真空室1
の真空状態が維持される。
新たな材料10を材料支持台2へ載せ、開閉蓋5を閉じ
て交換室4の中を真空引きした後、第2図に示す位置ま
で上方へ退出させる。そして、材料支持台2を横向きと
する。このとき、交換室4は上方へ逃がしてあるので、
材料支持台2を回動させる操作の邪魔とならない。
このように、ゲートバルブを必要とせずに、真空室1
の真空状態を維持したまま、材料10の交換が可能とな
る。そのため、従来例に比べ、装置が簡素化され、それ
だけ低コストが図れる。材料支持台2が真空室1の交換
室出入開口3に向く姿勢と加工装置のイオン源12に向く
姿勢とに回動する構成であるため、装置の据え付け面積
を小さくできる。
なお、この発明は、ウェハ以外の種々の材料10の加工
や検知等を行なう真空室に適用することができる。
〔発明の効果〕
この発明は、材料支持台が真空室の交換室出入開口に
向く姿勢と加工装置に向く姿勢とに回動する構成である
ため、装置の据え付け面積を小さくできる。また真空室
の交換室出入開口に交換室を進入退出移動可能に嵌入
し、進入状態で交換室の内端の開口の周囲部が材料配置
台の材料配置範囲の周囲に密接するものとしたので、交
換室を進入状態とすることにより、交換室の外端の開閉
蓋を開けても真空室の気密状態が維持される。そのた
め、真空室を気密状態に維持したまま、交換室から材料
の交換が行なえる。また、交換室の開閉蓋を閉じると、
交換室を退出させて材料支持台から離れさせても、外部
に対して真空室の気密状態が維持される。このように交
換室を退出状態とすることにより、交換室が邪魔となる
ことなく、材料支持台の材料に加工を施すことができ
る。
このように、従来のゲートバルブを設けることなく、
交換室を進入退出移動可能とするのみですむので、構造
が簡素化され、それだけ低コスト化を図ることができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の材料交換時の状態の破断
側面図、第2図はその交換室退出位置を示す断面図、第
3図および第4図はそれぞれ従来例の破断側面図であ
る。 1……真空室、2……材料支持台、3……交換室出入開
口、4……交換室、5……開閉蓋、10……材料、12……
イオン源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 14/56 8939−4K H01L 21/203 M 9545−4M 21/265

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】交換室出入開口を有する外壁で密閉した真
    空室と、前記外壁の前記交換室出入開口から離れた位置
    に貫設された加工装置と、前記真空室内で前記交換室出
    入開口に向く姿勢と前記加工装置に向く姿勢とに回動可
    能に取付けられた材料支持台と、前記交換室出入開口に
    進入退出移動可能に嵌入して進入状態で前記外壁の内側
    に向けて開放した内端の周囲部が前記材料支持台の材料
    配置範囲の周囲に密接するとともに外端が前記外壁の外
    側に向けて開放した交換室と、この交換室の前記外端に
    設けられて前記外端を開閉する材料出し入れ用の開閉蓋
    とを備えた真空室の材料交換装置。
JP61168680A 1986-07-17 1986-07-17 真空室の材料交換装置 Expired - Fee Related JPH0821608B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61168680A JPH0821608B2 (ja) 1986-07-17 1986-07-17 真空室の材料交換装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61168680A JPH0821608B2 (ja) 1986-07-17 1986-07-17 真空室の材料交換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6324633A JPS6324633A (ja) 1988-02-02
JPH0821608B2 true JPH0821608B2 (ja) 1996-03-04

Family

ID=15872484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61168680A Expired - Fee Related JPH0821608B2 (ja) 1986-07-17 1986-07-17 真空室の材料交換装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0821608B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4615670B2 (ja) * 2000-04-19 2011-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静電チャックにおけるチャッキング力を制御する方法及び装置
JP5573723B2 (ja) * 2011-02-18 2014-08-20 株式会社Ihi アンテナ交換方法、アンテナ搬送システム、およびアンテナ搬送装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60249328A (ja) * 1984-05-25 1985-12-10 Kokusai Electric Co Ltd 半導体ウエ−ハ用ドライエツチング・化学気相生成装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6324633A (ja) 1988-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0511733B1 (en) Removable shutter apparatus for a semiconductor process chamber
US4717461A (en) System and method for processing workpieces
JP2699045B2 (ja) 基板取扱い処理システム
JP3455468B2 (ja) 真空処理装置及び方法
JPH04226048A (ja) 二重カセット装填ロック装置
WO2000070666A1 (fr) Technique de traitement et dispositif correspondant
JPH0621356B2 (ja) 改良されたロードロツク排気機構
JP2001104776A (ja) 処理装置及び処理方法
US6203677B1 (en) Sputtering device for coating an essentially flat disk-shaped substrate
EP1052681B1 (en) Apparatus for processing wafers
JPH0821608B2 (ja) 真空室の材料交換装置
JP3500455B2 (ja) 処理装置
JP2583747B2 (ja) 真空積層装置
JPS588106B2 (ja) ホゴジヨウケンカデノ シヨリソウチ
US5004924A (en) Wafer transport apparatus for ion implantation apparatus
JPS5858726A (ja) 半導体処理装置
JP3160691B2 (ja) 処理装置
JPS60238133A (ja) 真空処理装置
JP3427868B2 (ja) 処理装置および処理方法
JP3375252B2 (ja) イオンビーム加工装置
JP3058006B2 (ja) 成膜装置
JP3600848B2 (ja) 予備真空室のシール性を改善したx線分析装置
JPH0719340A (ja) 真空チャンバ
JPH08138615A (ja) イオン注入装置及びその排気方法
JP2501687Y2 (ja) 基板交換装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees