JPS5947745A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5947745A JPS5947745A JP57157712A JP15771282A JPS5947745A JP S5947745 A JPS5947745 A JP S5947745A JP 57157712 A JP57157712 A JP 57157712A JP 15771282 A JP15771282 A JP 15771282A JP S5947745 A JPS5947745 A JP S5947745A
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- semiconductor element
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野J
本発明は半導体装置に係り、特に耐湿性の改良された樹
脂封止型半導体装置に関する。
脂封止型半導体装置に関する。
[発明の技術向背…とその問題前1
一般に、半導体素子表面は湿気1゛)不純物(・二極め
て敏感C゛あるため、樹脂15レージミツク等r f=
;I +1 、、\れCいる。
て敏感C゛あるため、樹脂15レージミツク等r f=
;I +1 、、\れCいる。
第1図はこのJ、う4f樹脂月II型T 3.il休装
置riffの例である。図におい−(半導体装r i
c、tリートノ1ノーム4に固定され、崖脣体素子のボ
ンフ゛(ンクパット2は別のリードフレーム4a、/1
.l+に今、j′ルミニウ1〜等の金属線3にJ、=)
l IYX続され(い゛る、。
置riffの例である。図におい−(半導体装r i
c、tリートノ1ノーム4に固定され、崖脣体素子のボ
ンフ゛(ンクパット2は別のリードフレーム4a、/1
.l+に今、j′ルミニウ1〜等の金属線3にJ、=)
l IYX続され(い゛る、。
イして、これらは−Lボニ1シ樹脂等のtel +1樹
脂[)(゛モールドされζ全体が1.−1定され(いる
、。
脂[)(゛モールドされζ全体が1.−1定され(いる
、。
このような樹脂ト111−型半導体装2Tは安価(゛あ
る利点があるが、レラミック月11型(6−比べ(耐H
it t’1の点C不充分ひあるためカップリング削ぐ
処理したり、また半導体素子表面をポリイミジン樹脂′
:′1ぐ保護づることが1T t>れ(いる。
る利点があるが、レラミック月11型(6−比べ(耐H
it t’1の点C不充分ひあるためカップリング削ぐ
処理したり、また半導体素子表面をポリイミジン樹脂′
:′1ぐ保護づることが1T t>れ(いる。
しかしながら、カップリング剤(・の処理titさはと
効果が得られず、またポリイミド系樹脂の保護−1−1
〜は、ポリイミド系樹脂が一般IJ1’脣イホ系rど接
着性が悪く、特に吸湿時に接着層N1を/1じ易いため
耐湿性の向上した樹脂封Jj型半存体装置は1りられC
いないのが現状ぐあり、半導体素子が水分にJ、り腐食
して断線し!こり、リーク電波が吸湿時に増大する等の
問題があった。
効果が得られず、またポリイミド系樹脂の保護−1−1
〜は、ポリイミド系樹脂が一般IJ1’脣イホ系rど接
着性が悪く、特に吸湿時に接着層N1を/1じ易いため
耐湿性の向上した樹脂封Jj型半存体装置は1りられC
いないのが現状ぐあり、半導体素子が水分にJ、り腐食
して断線し!こり、リーク電波が吸湿時に増大する等の
問題があった。
[発明の目的J
木5と明はこのJ、うな欠点を解消りるために4賞され
たもので、半導体素子どの適合性が良θIC1耐湿試験
に+Jj &)’lリーク電流の増大が少なく、しがち
腐食、断線等の問題の起こり難い樹脂封」])す半導体
装置を提供りることを目的とりる。
たもので、半導体素子どの適合性が良θIC1耐湿試験
に+Jj &)’lリーク電流の増大が少なく、しがち
腐食、断線等の問題の起こり難い樹脂封」])す半導体
装置を提供りることを目的とりる。
[発明の概要]
づなわ15本発明は、半導体素子を樹脂1:−ルドによ
り封止しCなる樹脂封仕型半導体装直にあい−C1半導
体素子表面には、一般式 および/また番、L は芳香族ジアミン)ひ表わされるポリイミジンlf+・
1脂の焼イ(1層が形成され(いるこ〕゛を特徴どりる
。
り封止しCなる樹脂封仕型半導体装直にあい−C1半導
体素子表面には、一般式 および/また番、L は芳香族ジアミン)ひ表わされるポリイミジンlf+・
1脂の焼イ(1層が形成され(いるこ〕゛を特徴どりる
。
本発明に使用りる前記 般j((小、\れるポリイミジ
ン樹脂は、N−メチル−21;’++リドン、N 。
ン樹脂は、N−メチル−21;’++リドン、N 。
N′−ジメブルア1= +・アミlS、l’J、N’
−ジヌfルボルムアミド、m−クレゾール、0−〕〕1
−ルノIノールの右機溶剤中(・づ3市/Aシフ′ミン
とン°。
−ジヌfルボルムアミド、m−クレゾール、0−〕〕1
−ルノIノールの右機溶剤中(・づ3市/Aシフ′ミン
とン°。
香族ジベンジリアンを反応さぜる4とし二、J、す1(
11られる。芳香族ジノ7ミンどしく1.J/1./I
−ジノ′ミノシフ1ニルに−jJし等があIl’ ”i
4’t、少y香脈ジヘンジリデンとし’C4;i 3
、 !′i ジl\ンジリjン ;3゜5−ジヒド
[、:I−1H、’7 It〜へシソ(’1.2(ン。
11られる。芳香族ジノ7ミンどしく1.J/1./I
−ジノ′ミノシフ1ニルに−jJし等があIl’ ”i
4’t、少y香脈ジヘンジリデンとし’C4;i 3
、 !′i ジl\ンジリjン ;3゜5−ジヒド
[、:I−1H、’7 It〜へシソ(’1.2(ン。
/1.5−C)−−ジ−ノン−1,7ジΔンがあfJ”
1〜)れる。反応の際、樹脂中のウラン、トリウA1
の3石(1)が0.lppm以1・になるJ、)Ill
illミオを精製すれば、ポリイミジン樹脂自身からの
α線の発生t、1゛夾際上問題にイ1らない。精製はモ
ノマーや溶媒を再結晶、4華、魚留簀にJ二つで行なう
。
1〜)れる。反応の際、樹脂中のウラン、トリウA1
の3石(1)が0.lppm以1・になるJ、)Ill
illミオを精製すれば、ポリイミジン樹脂自身からの
α線の発生t、1゛夾際上問題にイ1らない。精製はモ
ノマーや溶媒を再結晶、4華、魚留簀にJ二つで行なう
。
また、耐湿試験時の11g食、リーク等を少なくするた
め、ノ1〜リウムの含有r11は111+1+11以手
になるように精製づるのが望ましい。
め、ノ1〜リウムの含有r11は111+1+11以手
になるように精製づるのが望ましい。
このJ、うにしC背られるポリイミジン樹脂を半導体素
子表面に塗布する。塗布の即きは1〜/100IJ、m
程度が適しくいる。特に半導体装置ffiがメ[リーの
場合、塗ri Palさを3;5μm以」に選IRりれ
ばα線によるソノl−J−ジーを防止りることがでさる
ので有効である。
子表面に塗布する。塗布の即きは1〜/100IJ、m
程度が適しくいる。特に半導体装置ffiがメ[リーの
場合、塗ri Palさを3;5μm以」に選IRりれ
ばα線によるソノl−J−ジーを防止りることがでさる
ので有効である。
半導体素子表面にポリイミジン樹脂を塗布した後、ポリ
イミジン樹脂の軟化点以、]ム例えば200〜/loo
’cr数時間加熱しノで溶剤を乾燥させるとと6に焼付
()る。焼付けにより炭素−炭素の2重粘合が聞いて上
式の如くE次元架橋構造をどり、これによっC極めC良
好な耐湿性、接着性が得られる。
イミジン樹脂の軟化点以、]ム例えば200〜/loo
’cr数時間加熱しノで溶剤を乾燥させるとと6に焼付
()る。焼付けにより炭素−炭素の2重粘合が聞いて上
式の如くE次元架橋構造をどり、これによっC極めC良
好な耐湿性、接着性が得られる。
(以−ト余白)
このようにし°ζ半導体素了表面←二保護1−1〜を施
した後、土ボニ1シ樹脂、ジアリルツタ1ノート樹脂、
゛フェノール樹脂、不飽和ポリ1スJ−ル4y・1脂、
シリコ」−ン樹脂等の成形材r「(・博(型、1・、ノ
ンツノ1成形、射出成形等の成形方法り、、’、 、1
: &) 0 、5 □〜j)■稈爪の厚さに1−ルド
覆る3゜ 1発明の実施例」 次に本発明の実施例につい(iIl!明りる。1第2図
の平面図に承りように、半導体素子1の表面にはポリイ
ミジン樹脂がボンディングパット2を除いた部分に厚さ
30〜10011mに塗イliされてる。塗布方法は従
来より行われているスピノ−−=、+ −1−後のフォ
トレジス]−1ツヂング法で0よい1ノ、ステンシルス
クリーンにJ、る印刷方式〇もよい。またここで使用さ
れているポリイミジン樹脂は、例えば3,5−ジベンジ
リデン−3,5−ジヒド0−111. 71−1−ベン
ゾ11.2−C:4゜5−C’ )−シラン−1,7
−ジオンo、i′cルと4. /I’−ジアミノジフェ
ニル土−−r)Ilo、1モルをN−タブ−ルー2−ピ
[1リドン溶剤中で反応させることにJ:り製造される
。
した後、土ボニ1シ樹脂、ジアリルツタ1ノート樹脂、
゛フェノール樹脂、不飽和ポリ1スJ−ル4y・1脂、
シリコ」−ン樹脂等の成形材r「(・博(型、1・、ノ
ンツノ1成形、射出成形等の成形方法り、、’、 、1
: &) 0 、5 □〜j)■稈爪の厚さに1−ルド
覆る3゜ 1発明の実施例」 次に本発明の実施例につい(iIl!明りる。1第2図
の平面図に承りように、半導体素子1の表面にはポリイ
ミジン樹脂がボンディングパット2を除いた部分に厚さ
30〜10011mに塗イliされてる。塗布方法は従
来より行われているスピノ−−=、+ −1−後のフォ
トレジス]−1ツヂング法で0よい1ノ、ステンシルス
クリーンにJ、る印刷方式〇もよい。またここで使用さ
れているポリイミジン樹脂は、例えば3,5−ジベンジ
リデン−3,5−ジヒド0−111. 71−1−ベン
ゾ11.2−C:4゜5−C’ )−シラン−1,7
−ジオンo、i′cルと4. /I’−ジアミノジフェ
ニル土−−r)Ilo、1モルをN−タブ−ルー2−ピ
[1リドン溶剤中で反応させることにJ:り製造される
。
塗布した後200 ’Cで1時間、さらに350’Cぐ
5時間加熱されてポリイミジン樹脂は架橋され、半導体
素子1の表面は架橋ポリイミジン樹脂層6で保護される
(第2図)。このようにして得られる半導体素子を使用
して第1図と同様の樹脂層1型半導体装置が製造される
。
5時間加熱されてポリイミジン樹脂は架橋され、半導体
素子1の表面は架橋ポリイミジン樹脂層6で保護される
(第2図)。このようにして得られる半導体素子を使用
して第1図と同様の樹脂層1型半導体装置が製造される
。
すなわら架橋ポリイミジン樹脂層6′c(!護された半
導体素子1はリードフレ−ム\/I +、二固γさ1し
、半導体素子のボンjパイングバット?(,1別のリー
ドフレーム4a、4bG、:金属線:31−. 、J、
−)<1* 続c ’ItCいる。ぞし【こ4’1.
’l’>は」−ボ1〕ノ4A’l II旨り(月11ε
\れ(いる。ここでボシディンクバ・ント2(・−ポリ
デミジン樹脂を−1−1・(フイi: /J)・)l、
理由(,1、金属線;1を接続Δぜる工程がある(−と
と、1=−1+I−樹脂5と架橋ポリイミジン樹脂層の
熱膨張係数の差に起因(Jる事故が発生づるおイれがあ
る/jr +:’> cある。
導体素子1はリードフレ−ム\/I +、二固γさ1し
、半導体素子のボンjパイングバット?(,1別のリー
ドフレーム4a、4bG、:金属線:31−. 、J、
−)<1* 続c ’ItCいる。ぞし【こ4’1.
’l’>は」−ボ1〕ノ4A’l II旨り(月11ε
\れ(いる。ここでボシディンクバ・ント2(・−ポリ
デミジン樹脂を−1−1・(フイi: /J)・)l、
理由(,1、金属線;1を接続Δぜる工程がある(−と
と、1=−1+I−樹脂5と架橋ポリイミジン樹脂層の
熱膨張係数の差に起因(Jる事故が発生づるおイれがあ
る/jr +:’> cある。
このJ、うに製造5きれた4が1脂月II型丁ン9イホ
装置(。
装置(。
ついC信頼性試験4行な−)だと(−))、α線4.−
’)い(は100万デバイス■、1間以1、耐湿tlに
)い(は125℃の飽和水蒸気中c800時間以1の高
信頼性が得られた。
’)い(は100万デバイス■、1間以1、耐湿tlに
)い(は125℃の飽和水蒸気中c800時間以1の高
信頼性が得られた。
[発明の効果1
以上説明したように本発明の樹脂1111型゛1′30
1本装置は、従来のポリイミド系4^111t7 )責
/iす、Yミド環M4造中の一゛−)のカルポール基が
1夫素−炭小02重粘合となっCいるポリデミジン樹脂
ひl’ rff、 l不素子を保護したから、半導係累
rのシリ 1−シとの表面畜W’t!tが改善され、さ
らに加熱にJ、っ(ポリイミジン樹脂は痩素−炭素の2
脂結合が開いC二次元架橋構造をとっ(いるのぐ、極め
て良りfな耐湿イ1、接着性を得ることがぐきる。
1本装置は、従来のポリイミド系4^111t7 )責
/iす、Yミド環M4造中の一゛−)のカルポール基が
1夫素−炭小02重粘合となっCいるポリデミジン樹脂
ひl’ rff、 l不素子を保護したから、半導係累
rのシリ 1−シとの表面畜W’t!tが改善され、さ
らに加熱にJ、っ(ポリイミジン樹脂は痩素−炭素の2
脂結合が開いC二次元架橋構造をとっ(いるのぐ、極め
て良りfな耐湿イ1、接着性を得ることがぐきる。
第1図は従来の樹脂層」1−型」′導体装置の断面図、
第2図は本発明にa3ける半導体素子の平面図、第3図
は第2図の半導体素子を使用した本発明の半導体共首の
1例を承り断面図ぐある。 1・・・・・・・・・・・・半導体素子2・・・・・・
・・・・・・ボンディングパツ1゛3・・・・・・・・
・・・・金属線 /l、/la、/11)用す−ドル−ム5・・・・・・
・・・・・・Iq止樹脂6・・・・・・・・・・・・架
橋ポリ−rミジン樹脂代理人弁理士 須 山 佐
− 20e 第1図 第2図 第3図
第2図は本発明にa3ける半導体素子の平面図、第3図
は第2図の半導体素子を使用した本発明の半導体共首の
1例を承り断面図ぐある。 1・・・・・・・・・・・・半導体素子2・・・・・・
・・・・・・ボンディングパツ1゛3・・・・・・・・
・・・・金属線 /l、/la、/11)用す−ドル−ム5・・・・・・
・・・・・・Iq止樹脂6・・・・・・・・・・・・架
橋ポリ−rミジン樹脂代理人弁理士 須 山 佐
− 20e 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 半導体素子を樹脂モールドにJ:すiK1止しCなる樹
脂月w型?1′導体装向にa3い−4、半導体素子表面
R2は芳香族ジアミン)で表わされるポリイミジン樹脂
の焼付層が形成されていることを1;i 徴とりる樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57157712A JPS5947745A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57157712A JPS5947745A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5947745A true JPS5947745A (ja) | 1984-03-17 |
JPS6219065B2 JPS6219065B2 (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=15655720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57157712A Granted JPS5947745A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5947745A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4918153A (en) * | 1989-03-14 | 1990-04-17 | Cassidy Patrick E | Copoly(imidine-amide) |
US5008733A (en) * | 1982-10-11 | 1991-04-16 | Toray Silicone Company, Limited | Semiconductor device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5955810U (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-12 | 三菱電機株式会社 | 非常用照明器具 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP57157712A patent/JPS5947745A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5955810U (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-12 | 三菱電機株式会社 | 非常用照明器具 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5008733A (en) * | 1982-10-11 | 1991-04-16 | Toray Silicone Company, Limited | Semiconductor device |
US4918153A (en) * | 1989-03-14 | 1990-04-17 | Cassidy Patrick E | Copoly(imidine-amide) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6219065B2 (ja) | 1987-04-25 |
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