JPS5947745A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野Ｊ 本発明は半導体装置に係り、特に耐湿性の改良された樹
脂封止型半導体装置に関する。

［発明の技術向背…とその問題前１ 一般に、半導体素子表面は湿気１゛）不純物（・二極め
て敏感Ｃ゛あるため、樹脂１５レージミツク等ｒ　ｆ＝
；Ｉ　＋１　、、＼れＣいる。

第１図はこのＪ、う４ｆ樹脂月ＩＩ型Ｔ　３．ｉｌ休装
置ｒｉｆｆの例である。図におい−（半導体装ｒ　ｉ　
ｃ、ｔリートノ１ノーム４に固定され、崖脣体素子のボ
ンフ゛（ンクパット２は別のリードフレーム４ａ、／１
．ｌ＋に今、ｊ′ルミニウ１〜等の金属線３にＪ、＝）
ｌ　ＩＹＸ続され（い゛る、。

イして、これらは−Ｌボニ１シ樹脂等のｔｅｌ　＋１樹
脂［）（゛モールドされζ全体が１．−１定され（いる
、。

このような樹脂ト１１１−型半導体装２Ｔは安価（゛あ
る利点があるが、レラミック月１１型（６−比べ（耐Ｈ
ｉｔ　ｔ’１の点Ｃ不充分ひあるためカップリング削ぐ
処理したり、また半導体素子表面をポリイミジン樹脂′
：′１ぐ保護づることが１Ｔ　ｔ＞れ（いる。

しかしながら、カップリング剤（・の処理ｔｉｔさはと
効果が得られず、またポリイミド系樹脂の保護−１−１
〜は、ポリイミド系樹脂が一般ＩＪ１’脣イホ系ｒど接
着性が悪く、特に吸湿時に接着層Ｎ１を／１じ易いため
耐湿性の向上した樹脂封Ｊｊ型半存体装置は１りられＣ
いないのが現状ぐあり、半導体素子が水分にＪ、り腐食
して断線し！こり、リーク電波が吸湿時に増大する等の
問題があった。

［発明の目的Ｊ 木５と明はこのＪ、うな欠点を解消りるために４賞され
たもので、半導体素子どの適合性が良θＩＣ１耐湿試験
に＋Ｊｊ　＆）’ｌリーク電流の増大が少なく、しがち
腐食、断線等の問題の起こり難い樹脂封」］）す半導体
装置を提供りることを目的とりる。

［発明の概要］ づなわ１５本発明は、半導体素子を樹脂１：−ルドによ
り封止しＣなる樹脂封仕型半導体装直にあい−Ｃ１半導
体素子表面には、一般式 および／また番、Ｌ は芳香族ジアミン）ひ表わされるポリイミジンｌｆ＋・
１脂の焼イ（１層が形成され（いるこ〕゛を特徴どりる
。

本発明に使用りる前記　般ｊ（（小、＼れるポリイミジ
ン樹脂は、Ｎ−メチル−２１；’＋＋リドン、Ｎ　。

Ｎ′−ジメブルア１＝　＋・アミｌＳ、ｌ’Ｊ、Ｎ’　
−ジヌｆルボルムアミド、ｍ−クレゾール、０−〕〕１
−ルノＩノールの右機溶剤中（・づ３市／Ａシフ′ミン
とン°。

香族ジベンジリアンを反応さぜる４とし二、Ｊ、す１（
１１られる。芳香族ジノ７ミンどしく１．Ｊ／１．／Ｉ
−ジノ′ミノシフ１ニルに−ｊＪし等があＩｌ’　”ｉ
　４’ｔ、少ｙ香脈ジヘンジリデンとし’Ｃ４；ｉ　３
　、　！′ｉ　　ジｌ＼ンジリｊン　；３゜５−ジヒド
［、：Ｉ−１Ｈ、’７　Ｉｔ〜へシソ（’１．２（ン。

／１．５−Ｃ）−−ジ−ノン−１，７ジΔンがあｆＪ”
　１〜）れる。反応の際、樹脂中のウラン、トリウＡ１
の３石（１）が０．ｌｐｐｍ以１・になるＪ、）Ｉｌｌ
ｉｌｌミオを精製すれば、ポリイミジン樹脂自身からの
α線の発生ｔ、１゛夾際上問題にイ１らない。精製はモ
ノマーや溶媒を再結晶、４華、魚留簀にＪ二つで行なう
。

また、耐湿試験時の１１ｇ食、リーク等を少なくするた
め、ノ１〜リウムの含有ｒ１１は１１１＋１＋１１以手
になるように精製づるのが望ましい。

このＪ、うにしＣ背られるポリイミジン樹脂を半導体素
子表面に塗布する。塗布の即きは１〜／１００ＩＪ、ｍ
程度が適しくいる。特に半導体装置ｆｆｉがメ［リーの
場合、塗ｒｉ　Ｐａｌさを３；５μｍ以」に選ＩＲりれ
ばα線によるソノｌ−Ｊ−ジーを防止りることがでさる
ので有効である。

半導体素子表面にポリイミジン樹脂を塗布した後、ポリ
イミジン樹脂の軟化点以、］ム例えば２００〜／ｌｏｏ
’ｃｒ数時間加熱しノで溶剤を乾燥させるとと６に焼付
（）る。焼付けにより炭素−炭素の２重粘合が聞いて上
式の如くＥ次元架橋構造をどり、これによっＣ極めＣ良
好な耐湿性、接着性が得られる。

（以−ト余白） このようにし°ζ半導体素了表面←二保護１−１〜を施
した後、土ボニ１シ樹脂、ジアリルツタ１ノート樹脂、
゛フェノール樹脂、不飽和ポリ１スＪ−ル４ｙ・１脂、
シリコ」−ン樹脂等の成形材ｒ「（・博（型、１・、ノ
ンツノ１成形、射出成形等の成形方法り、、’、　、１
：　＆）　０　、５　□〜ｊ）■稈爪の厚さに１−ルド
覆る３゜ １発明の実施例」 次に本発明の実施例につい（ｉＩｌ！明りる。１第２図
の平面図に承りように、半導体素子１の表面にはポリイ
ミジン樹脂がボンディングパット２を除いた部分に厚さ
３０〜１００１１ｍに塗イｌｉされてる。塗布方法は従
来より行われているスピノ−−＝、＋　−１−後のフォ
トレジス］−１ツヂング法で０よい１ノ、ステンシルス
クリーンにＪ、る印刷方式〇もよい。またここで使用さ
れているポリイミジン樹脂は、例えば３，５−ジベンジ
リデン−３，５−ジヒド０−１１１．　７１−１−ベン
ゾ１１．２−Ｃ：４゜５−Ｃ’　　）−シラン−１，７
−ジオンｏ、ｉ′ｃルと４．　／Ｉ’−ジアミノジフェ
ニル土−−ｒ）Ｉｌｏ、１モルをＮ−タブ−ルー２−ピ
［１リドン溶剤中で反応させることにＪ：り製造される
。

塗布した後２００　’Ｃで１時間、さらに３５０’Ｃぐ
５時間加熱されてポリイミジン樹脂は架橋され、半導体
素子１の表面は架橋ポリイミジン樹脂層６で保護される
（第２図）。このようにして得られる半導体素子を使用
して第１図と同様の樹脂層１型半導体装置が製造される
。

すなわら架橋ポリイミジン樹脂層６′ｃ（！護された半
導体素子１はリードフレ−ム＼／Ｉ　＋、二固γさ１し
、半導体素子のボンｊパイングバット？（，１別のリー
ドフレーム４ａ、４ｂＧ、：金属線：３１−．　、Ｊ、
−）＜１＊　続ｃ　’ＩｔＣいる。ぞし【こ４’１．　
’ｌ’＞は」−ボ１〕ノ４Ａ’ｌ　ＩＩ旨り（月１１ε
＼れ（いる。ここでボシディンクバ・ント２（・−ポリ
デミジン樹脂を−１−１・（フイｉ：　／Ｊ）・）ｌ、
理由（，１、金属線；１を接続Δぜる工程がある（−と
と、１＝−１＋Ｉ−樹脂５と架橋ポリイミジン樹脂層の
熱膨張係数の差に起因（Ｊる事故が発生づるおイれがあ
る／ｊｒ　＋：’＞　ｃある。

このＪ、うに製造５きれた４が１脂月ＩＩ型丁ン９イホ
装置（。

ついＣ信頼性試験４行な−）だと（−））、α線４．−
’）い（は１００万デバイス■、１間以１、耐湿ｔｌに
）い（は１２５℃の飽和水蒸気中ｃ８００時間以１の高
信頼性が得られた。

［発明の効果１ 以上説明したように本発明の樹脂１１１１型゛１′３０
１本装置は、従来のポリイミド系４＾１１１ｔ７　）責
／ｉす、Ｙミド環Ｍ４造中の一゛−）のカルポール基が
１夫素−炭小０２重粘合となっＣいるポリデミジン樹脂
ひｌ’　ｒｆｆ、　ｌ不素子を保護したから、半導係累
ｒのシリ　１−シとの表面畜Ｗ’ｔ！ｔが改善され、さ
らに加熱にＪ、っ（ポリイミジン樹脂は痩素−炭素の２
脂結合が開いＣ二次元架橋構造をとっ（いるのぐ、極め
て良りｆな耐湿イ１、接着性を得ることがぐきる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の樹脂層」１−型」′導体装置の断面図、
第２図は本発明にａ３ける半導体素子の平面図、第３図
は第２図の半導体素子を使用した本発明の半導体共首の
１例を承り断面図ぐある。 １・・・・・・・・・・・・半導体素子２・・・・・・
・・・・・・ボンディングパツ１゛３・・・・・・・・
・・・・金属線 ／ｌ、／ｌａ、／１１）用す−ドル−ム５・・・・・・
・・・・・・Ｉｑ止樹脂６・・・・・・・・・・・・架
橋ポリ−ｒミジン樹脂代理人弁理士　　　須　山　佐　
− ２０ｅ 第１図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体素子を樹脂モールドにＪ：すｉＫ１止しＣなる樹
   脂月ｗ型？１′導体装向にａ３い−４、半導体素子表面
   Ｒ２は芳香族ジアミン）で表わされるポリイミジン樹脂
   の焼付層が形成されていることを１；ｉ　徴とりる樹脂
   封止型半導体装置。