JPS5946366B2 - 半導体光変調装置 - Google Patents
半導体光変調装置Info
- Publication number
- JPS5946366B2 JPS5946366B2 JP2841378A JP2841378A JPS5946366B2 JP S5946366 B2 JPS5946366 B2 JP S5946366B2 JP 2841378 A JP2841378 A JP 2841378A JP 2841378 A JP2841378 A JP 2841378A JP S5946366 B2 JPS5946366 B2 JP S5946366B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intensity
- modulated
- waveguide
- semiconductor laser
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06203—Transistor-type lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザを用いて被変調光を得る様になさ
れた半導体変調装置に関する。
れた半導体変調装置に関する。
従来の新種半導体光変調装置は、半導体レーザより得ら
れるレーザ光が半導体レーザの駆動電流に応じた強度を
呈することに鑑み、半導体レーザの駆動電流を変調信号
によつて変調せしめてその半導体レーザより変調信号に
よつて強度変調された光を得、これを被強度変調光とし
て得る様になされているを普通としていた。
れるレーザ光が半導体レーザの駆動電流に応じた強度を
呈することに鑑み、半導体レーザの駆動電流を変調信号
によつて変調せしめてその半導体レーザより変調信号に
よつて強度変調された光を得、これを被強度変調光とし
て得る様になされているを普通としていた。
然し乍ら一般に半導体レーザの駆動電流を変調信号によ
つて変調せしめてその半導体レーザより被強度変調光を
得る場合、その被強度変調光の最大周波数は、半導体レ
ーザの、駆動電流を変調信号によつて変調せしめない場
合にこの半導体レーザより得られる光の最大周波数程度
の周波数迄高くすることが出来ないものである。
つて変調せしめてその半導体レーザより被強度変調光を
得る場合、その被強度変調光の最大周波数は、半導体レ
ーザの、駆動電流を変調信号によつて変調せしめない場
合にこの半導体レーザより得られる光の最大周波数程度
の周波数迄高くすることが出来ないものである。
その理由は半導体レーザの、駆動電流を大とすればこれ
に応じて半導体レーザの発振周波数が大となるからであ
る。従つて上述せる従来の半導体光変調装置の場合、被
強度変調光を、半導体レーザの駆動電流を変調せしめな
い場合にこの半導体レーザより得られる光の最大周波数
程度の周波数迄高いものとして得ることが所望とされて
いても、その所望事項を満足し得ないものであつた。又
一般に半導体レーザの駆動電流を変化せしめた場合にそ
の半導体レーザより得られる光の強度が変化するその駆
動電流の変化に対する光の強度の変化の応答性が十分高
速であるとは云えないものである。
に応じて半導体レーザの発振周波数が大となるからであ
る。従つて上述せる従来の半導体光変調装置の場合、被
強度変調光を、半導体レーザの駆動電流を変調せしめな
い場合にこの半導体レーザより得られる光の最大周波数
程度の周波数迄高いものとして得ることが所望とされて
いても、その所望事項を満足し得ないものであつた。又
一般に半導体レーザの駆動電流を変化せしめた場合にそ
の半導体レーザより得られる光の強度が変化するその駆
動電流の変化に対する光の強度の変化の応答性が十分高
速であるとは云えないものである。
依つて上述せる従来の半導体光変調装置の場合、被強度
変調光を、高い周波数を有する変調信号にて強度変調さ
れたものとして得ることが所望とされていても、その所
望事項を満足し得ないものであつた。更に一般に半導体
レーザの駆動電流を変化せしめた場合、その半導体レー
ザが多モードで発振し易くなり、従つて上述せる従来の
半導体光変調装置の場合、被強度変調光が不安定なもの
として得られる゛闇れを有していた等の欠点を有してい
た。
変調光を、高い周波数を有する変調信号にて強度変調さ
れたものとして得ることが所望とされていても、その所
望事項を満足し得ないものであつた。更に一般に半導体
レーザの駆動電流を変化せしめた場合、その半導体レー
ザが多モードで発振し易くなり、従つて上述せる従来の
半導体光変調装置の場合、被強度変調光が不安定なもの
として得られる゛闇れを有していた等の欠点を有してい
た。
依つて本発明は斯る欠点のない新規な半導体レーザを用
いた半導体光変調装置を提案せんとするもので、以下図
面を伴なつて詳述する所より明らかとなるであろう。第
１図は本発明の一例を原理的に示し、半導体基板１を用
いて形成された半導体レーザ２を有する。
いた半導体光変調装置を提案せんとするもので、以下図
面を伴なつて詳述する所より明らかとなるであろう。第
１図は本発明の一例を原理的に示し、半導体基板１を用
いて形成された半導体レーザ２を有する。
この場合半導体レーザ２は公知の種々の型式を有するも
のとし得るも、符号３及び４で示すレーザ発振長を決定
する相対向する端面間を結ぶ半導体レーザ２の長さ方向
に対して垂直な断面でみて例えばメサ型に構成され、而
して一般的に符号５で示されている活性層が側面に露呈
せしめられている。
のとし得るも、符号３及び４で示すレーザ発振長を決定
する相対向する端面間を結ぶ半導体レーザ２の長さ方向
に対して垂直な断面でみて例えばメサ型に構成され、而
して一般的に符号５で示されている活性層が側面に露呈
せしめられている。
又基板１の下面に後述する導波路１０と対向せる位置迄
側方に延長せる電極６が附され、又メサ構成の上面に電
極６と対をなす電極７がメサ構成の長さ方向に延長して
附されているも、そしてメサ構成の上面に附された電極
７が後述する導波路１０側にメサ構成の幅に比し小なる
幅を以つて偏つて配され、依つて電極６及び７を介して
駆動電流がメサ構成内に供給されることにより内部で発
振して得られるレーザ光が導波路１０側の偏つた位置に
て得られる様になされている。又本発明による半導体光
変調装置は導波路１０を有する。
側方に延長せる電極６が附され、又メサ構成の上面に電
極６と対をなす電極７がメサ構成の長さ方向に延長して
附されているも、そしてメサ構成の上面に附された電極
７が後述する導波路１０側にメサ構成の幅に比し小なる
幅を以つて偏つて配され、依つて電極６及び７を介して
駆動電流がメサ構成内に供給されることにより内部で発
振して得られるレーザ光が導波路１０側の偏つた位置に
て得られる様になされている。又本発明による半導体光
変調装置は導波路１０を有する。
この場合この導波路１０は上述せる半導体レーザ２にて
得られる光を導波し得る断面形状を有するも、メサ構成
を有する半導体レーザ２の側面に、一側面を長さＬ丈け
当接せしめた関係で配されている。
得られる光を導波し得る断面形状を有するも、メサ構成
を有する半導体レーザ２の側面に、一側面を長さＬ丈け
当接せしめた関係で配されている。
実際上この導波路１０はその下面及び半導体レーザ２側
の側面を半導体基板１に当接せしめた関係で半導体基板
１上に配されている。又この導波路１０は例えばＬｉＴ
ａＯ３，ＬｉＮｂＯ３の如き強度変調された電界に応じ
た屈折率を呈する材料を以つて構成されている。更に本
発明による半導体光変調装置は導波路１０に変調信号に
よつて強度変調された電界を附与する手段２０を有する
。
の側面を半導体基板１に当接せしめた関係で半導体基板
１上に配されている。又この導波路１０は例えばＬｉＴ
ａＯ３，ＬｉＮｂＯ３の如き強度変調された電界に応じ
た屈折率を呈する材料を以つて構成されている。更に本
発明による半導体光変調装置は導波路１０に変調信号に
よつて強度変調された電界を附与する手段２０を有する
。
この場合手段２０は一例として導波路１０上に附された
上述せる電極６と対となす電極２１と、電極６及び２１
間に接続された変調電圧源２２とを以つて構成されてい
る。以上が本発明による半導体光変調装置の一例構成で
あるが、斯る構成によれば、導波路１０に手段２０より
強度変調された電界が附与されることによりその導波路
１０の屈折率が変調され、これにより半導体レーザ２側
より導波路１０側をみた光の伝播定数が変調されること
明らかであるので、導波路１０の側面の半導体レーザ２
の側面との当接長さＬを適当に設定し置けば、即ち例え
ば手段２０にて導波路１０に強度変調された電界を附与
せしめていない場合に、導波路１０が半導体レーザ２と
最大又は最小結合度を以つて結合する様に長さＬを選定
し置けば、導波路１０にて半導体レーザ２で得られるレ
ーザ光に基く光の変調信号により強度変調された光が被
強度変調光として得られること明らかであり、従つてこ
の被強度変調光を例えば導波路１０の端面側よりレンズ
１３及び光フアイバ一１４を介して外部に導出し得るも
のである。斯く上述せる本発明の一例によれば、導波路
１０より変調信号によつて強度変調された光を被強度変
調光として得ることが出来るものであるが、この場合、
その被強度変調光を冒頭にて前述せる如くに半導体レー
ザの駆動電流を変調信号によつて変調せしめてその半導
体レーザより得る様にしたものではなく、半導体レーザ
外のその側面に側面が結合せる導波路側に於てその屈折
率を変調信号によつて変調せしめることにより導波路よ
り得る様にしたので、被強度変調光を半導体レーザの駆
動電流を変調信号によつて変調せしめてその半導体レー
ザより得る様にした場合の冒頭にて前述せる種々の欠点
を一掃し得る大なる特徴を有するものである。
上述せる電極６と対となす電極２１と、電極６及び２１
間に接続された変調電圧源２２とを以つて構成されてい
る。以上が本発明による半導体光変調装置の一例構成で
あるが、斯る構成によれば、導波路１０に手段２０より
強度変調された電界が附与されることによりその導波路
１０の屈折率が変調され、これにより半導体レーザ２側
より導波路１０側をみた光の伝播定数が変調されること
明らかであるので、導波路１０の側面の半導体レーザ２
の側面との当接長さＬを適当に設定し置けば、即ち例え
ば手段２０にて導波路１０に強度変調された電界を附与
せしめていない場合に、導波路１０が半導体レーザ２と
最大又は最小結合度を以つて結合する様に長さＬを選定
し置けば、導波路１０にて半導体レーザ２で得られるレ
ーザ光に基く光の変調信号により強度変調された光が被
強度変調光として得られること明らかであり、従つてこ
の被強度変調光を例えば導波路１０の端面側よりレンズ
１３及び光フアイバ一１４を介して外部に導出し得るも
のである。斯く上述せる本発明の一例によれば、導波路
１０より変調信号によつて強度変調された光を被強度変
調光として得ることが出来るものであるが、この場合、
その被強度変調光を冒頭にて前述せる如くに半導体レー
ザの駆動電流を変調信号によつて変調せしめてその半導
体レーザより得る様にしたものではなく、半導体レーザ
外のその側面に側面が結合せる導波路側に於てその屈折
率を変調信号によつて変調せしめることにより導波路よ
り得る様にしたので、被強度変調光を半導体レーザの駆
動電流を変調信号によつて変調せしめてその半導体レー
ザより得る様にした場合の冒頭にて前述せる種々の欠点
を一掃し得る大なる特徴を有するものである。
次に第２図につき本発明の他の例を述べるに、本例に於
て第１図との対応部分には同一符号を附し詳細説明はこ
れを省略するも、第１図にて上述せる構成に於て半導体
レーザ２の側面及び導波路１０間に強度変調された電界
に応じた屈折率を呈する結合用層３０が介挿され、之に
応じて導波路１０に対する手段２０に代えそれと同様の
手段３１が結合用層３０に対して設けられているのを除
いては第１図の場合と同様の構成を有する。
て第１図との対応部分には同一符号を附し詳細説明はこ
れを省略するも、第１図にて上述せる構成に於て半導体
レーザ２の側面及び導波路１０間に強度変調された電界
に応じた屈折率を呈する結合用層３０が介挿され、之に
応じて導波路１０に対する手段２０に代えそれと同様の
手段３１が結合用層３０に対して設けられているのを除
いては第１図の場合と同様の構成を有する。
周この場合導波路１０は強度変調された電界に応じた屈
折率を呈する材料を以つて構成する必要は必ずしもなく
、又結合用層３０はこれをＬｌＴａＯ３，ＬｉＮｂＯ３
等を以つて構成し得るものである。以上が本発明による
半導体光変調装置の他の例であるが、斯る構成によれば
、結合用層３０に手段３１より、変調信号によつて強度
変調された電界が附与されることにより、その結合用層
３０の屈折率が変調され、これにより半導体レーザ２側
より導波路１０側をみた光の伝播定数が変調されること
明らかであるので、第１図の場合と同様に導波路１０の
結合用層３１と当接する長さ打を適当に選定し置けば、
導波路１０より変調信号により強度変調された光が被強
度変調光として得られるものである。而して本例に於て
も被強度変調光を半導体レーザの駆動電流を変調信号に
よつて変調して得る様にしていないので、被強度変調光
を半導体レーザの駆動電流を変調信号によつて変調して
得る場合の冒頭にて前述せる欠点を一掃し得る大なる特
徴を有するものである。
折率を呈する材料を以つて構成する必要は必ずしもなく
、又結合用層３０はこれをＬｌＴａＯ３，ＬｉＮｂＯ３
等を以つて構成し得るものである。以上が本発明による
半導体光変調装置の他の例であるが、斯る構成によれば
、結合用層３０に手段３１より、変調信号によつて強度
変調された電界が附与されることにより、その結合用層
３０の屈折率が変調され、これにより半導体レーザ２側
より導波路１０側をみた光の伝播定数が変調されること
明らかであるので、第１図の場合と同様に導波路１０の
結合用層３１と当接する長さ打を適当に選定し置けば、
導波路１０より変調信号により強度変調された光が被強
度変調光として得られるものである。而して本例に於て
も被強度変調光を半導体レーザの駆動電流を変調信号に
よつて変調して得る様にしていないので、被強度変調光
を半導体レーザの駆動電流を変調信号によつて変調して
得る場合の冒頭にて前述せる欠点を一掃し得る大なる特
徴を有するものである。
周上述に於ては本発明の僅かな実施例を示したに留まり
、本発明の精神を脱することなしに種々の変型変更をな
し得ること明らかであろう。
、本発明の精神を脱することなしに種々の変型変更をな
し得ること明らかであろう。
第１図及び第２図は夫々本発明による半導体光変調装置
の実施例を示す路線的斜視図である。
の実施例を示す路線的斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザと、該半導体レーザの側面に側面が結
合用層を介して又は介することなしに結合せる強度変調
された電界に応じた屈折率を呈する導波路と、該導波路
に変調信号によつて強度変調された電界を附与する手段
とを具備し、上記導波路より変調信号によつて強度変調
された光を被強度変調光として得る様になされた事を特
徴とする半導体光変調装置。 ２ 半導体レーザと、該半導体レーザの側面に側面が強
度変調された電界に応じた屈折率を呈する結合用層を介
して結合せる導波路と、上記結合用層に変調信号によつ
て電界を附与する手段とを具備し、上記導波路より変調
信号により強度変調された光を被強度変調光として得る
様になされた事を特徴とする半導体光変調装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2841378A JPS5946366B2 (ja) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | 半導体光変調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2841378A JPS5946366B2 (ja) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | 半導体光変調装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54121151A JPS54121151A (en) | 1979-09-20 |
| JPS5946366B2 true JPS5946366B2 (ja) | 1984-11-12 |
Family
ID=12247961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2841378A Expired JPS5946366B2 (ja) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | 半導体光変調装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946366B2 (ja) |
-
1978
- 1978-03-13 JP JP2841378A patent/JPS5946366B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54121151A (en) | 1979-09-20 |
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