JPS5946094B2 - スパツタ−エツチング方法 - Google Patents
スパツタ−エツチング方法Info
- Publication number
- JPS5946094B2 JPS5946094B2 JP4461376A JP4461376A JPS5946094B2 JP S5946094 B2 JPS5946094 B2 JP S5946094B2 JP 4461376 A JP4461376 A JP 4461376A JP 4461376 A JP4461376 A JP 4461376A JP S5946094 B2 JPS5946094 B2 JP S5946094B2
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- Japan
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- etching
- silicon
- sputter etching
- gas
- sputter
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッターエッチング方法に関し、特に半導体
基板上の絶縁皮膜等を、弗素を含むガスのグロー放電に
よるスパッターエッチングによりエッチングする方法に
関する。
基板上の絶縁皮膜等を、弗素を含むガスのグロー放電に
よるスパッターエッチングによりエッチングする方法に
関する。
従来活性ガスを用いたスパッターエッチングは不活性ガ
スを用いたスパッターエッチングに比較して大きなエッ
チング速度が得られることが知られている。
スを用いたスパッターエッチングに比較して大きなエッ
チング速度が得られることが知られている。
例えば４弗化炭素（ＣＦ４）ガスを用いるとアルゴン（
Ａｒ）ガスを用いた場合に比較してエッチング速度が１
０倍程速くなる。
Ａｒ）ガスを用いた場合に比較してエッチング速度が１
０倍程速くなる。
一方、４弗化炭素を用いたスパッターエッチングにおい
ては例えばシリコン（Ｓｉ）のエッチング速度Ｒｓど二
酸化シリコン（ＳｉＯ２）のエッチング速度ＲＩとの比
ＲレＩｓが小さく、シリコン基板上の二酸化シリコンを
エッチング際には、該二酸化シリコンの膜厚が一様でな
かつたわ、エッチング速度が不均一だつた場合、シリコ
ン基板を過度にエッチングする恐れがある。
ては例えばシリコン（Ｓｉ）のエッチング速度Ｒｓど二
酸化シリコン（ＳｉＯ２）のエッチング速度ＲＩとの比
ＲレＩｓが小さく、シリコン基板上の二酸化シリコンを
エッチング際には、該二酸化シリコンの膜厚が一様でな
かつたわ、エッチング速度が不均一だつた場合、シリコ
ン基板を過度にエッチングする恐れがある。
この様なことをなくすためにはＲＩ」ｓの比が大きいこ
とが望ましい。本発明はエッチング速度の比ＲＩＡｌｓ
を大きくする方法を提供する。
とが望ましい。本発明はエッチング速度の比ＲＩＡｌｓ
を大きくする方法を提供する。
一般にスパッターエッチングの際、真空容器内へ導入さ
れたエッチング用ガスは高周波電力によりグロー放電を
生じ、この結果電離したガスイオンが被エッチング物を
衝撃することによつて、ガスイオン等が該エッチング物
に作用してスパッターエッチングする。
れたエッチング用ガスは高周波電力によりグロー放電を
生じ、この結果電離したガスイオンが被エッチング物を
衝撃することによつて、ガスイオン等が該エッチング物
に作用してスパッターエッチングする。
この時エッチング用ガスが４弗化炭素であれば該エッチ
ング物に作用する物質として、３弗化炭素（ＣＦ３）及
びそのイオン、又は単体弗素（Ｆ）及びそのイオン等が
考えられる。
ング物に作用する物質として、３弗化炭素（ＣＦ３）及
びそのイオン、又は単体弗素（Ｆ）及びそのイオン等が
考えられる。
文献（５０１ｉｄ５ｔａｔｅＥ１ｅｃｔｒ０ｎｉｃｓ１
９７５、Ｖ０１１８、ｐｐ１１４６〜１１４７）等から
推察すれば前記４弗化炭素（ＣＦ４）のグロー放電によ
り、３弗化炭素（ＣＦ３）と単体弗素が生成され該３弗
化炭素はほとんど二酸化シリコンのエッチングに作用し
、単体弗素はシリコン並びに二酸化シリコン両者のエッ
チングに作用する。
９７５、Ｖ０１１８、ｐｐ１１４６〜１１４７）等から
推察すれば前記４弗化炭素（ＣＦ４）のグロー放電によ
り、３弗化炭素（ＣＦ３）と単体弗素が生成され該３弗
化炭素はほとんど二酸化シリコンのエッチングに作用し
、単体弗素はシリコン並びに二酸化シリコン両者のエッ
チングに作用する。
従つて何らかの手段により単体弗素のみを吸収し、シリ
コンに至いらしめなければ、シリコンの被工ツチング速
度を低下せしめることが可能であると考えられる。本発
明はシリコン基板の近傍に、前記単体弗素を吸収し得る
物質としてモリブデン（ＭＯ）、タングステン４シリコ
ン（Ｓｉ）等を配置することを基本とする。
コンに至いらしめなければ、シリコンの被工ツチング速
度を低下せしめることが可能であると考えられる。本発
明はシリコン基板の近傍に、前記単体弗素を吸収し得る
物質としてモリブデン（ＭＯ）、タングステン４シリコ
ン（Ｓｉ）等を配置することを基本とする。
該モリブデン、タングステン、シリコン等は高周波電極
上のイオンシース内又はその近傍に配置され前記単体弗
素と化合し弗化モリブデン、弗化タングステン、弗化シ
リコンを形成する。
上のイオンシース内又はその近傍に配置され前記単体弗
素と化合し弗化モリブデン、弗化タングステン、弗化シ
リコンを形成する。
この様にしてシリコン基板に到達する単体弗素の量を減
少せしめることができる。本発明によれば真空容器内に
弗素を含むエツチング用ガスを導入し、該エツチング用
ガスを高周波電力によりグロー放電させてシリコン基板
上に形成された酸化シリコン膜のエツチング処理を行な
うスパツターエツチングにおいて、前記シリコン基板の
近傍にモリブデン、タングステン、又はシリコンからな
る物質を配置してエツチング処理を行なうことを特徴と
するスパツターエツチング方法が提供される。
少せしめることができる。本発明によれば真空容器内に
弗素を含むエツチング用ガスを導入し、該エツチング用
ガスを高周波電力によりグロー放電させてシリコン基板
上に形成された酸化シリコン膜のエツチング処理を行な
うスパツターエツチングにおいて、前記シリコン基板の
近傍にモリブデン、タングステン、又はシリコンからな
る物質を配置してエツチング処理を行なうことを特徴と
するスパツターエツチング方法が提供される。
ここで弗素を含むエツチング用ガスは一般にフレオン（
４）ＵｐＯｎｔ社商品名）と称される弗化炭素、弗化塩
化炭化水素、弗化塩化炭素を指すものである。
４）ＵｐＯｎｔ社商品名）と称される弗化炭素、弗化塩
化炭化水素、弗化塩化炭素を指すものである。
また前記物質として前記モリブデン、タングステン、シ
リコンが用いられこれ等は網状、板状として用いること
ができる。次に本発明を図面をもつて詳細に説明する。
リコンが用いられこれ等は網状、板状として用いること
ができる。次に本発明を図面をもつて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る製造方法を実施するためのスパツ
ターエツチング装置の構造を示す断面図である。同図に
｝いて１はペルシャー型真空容器、２は被エツチング物
を支持する電極、３はシールド、４は該シールドと前記
電極２との間を絶縁する絶縁物、５は前記真空容器１内
を排気するための排気口、６は真空容器１内へエツチン
グガスを導入するための導入口、７は高周波電源である
。
ターエツチング装置の構造を示す断面図である。同図に
｝いて１はペルシャー型真空容器、２は被エツチング物
を支持する電極、３はシールド、４は該シールドと前記
電極２との間を絶縁する絶縁物、５は前記真空容器１内
を排気するための排気口、６は真空容器１内へエツチン
グガスを導入するための導入口、７は高周波電源である
。
本発明によれば前記電極２上に設置される試料、例えば
表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）皮膜が選択的に形成
されたシリコン（Ｓｉ）基板８土を隔離して覆つてモリ
ブデン（ＭＯ）製の網９が配置される。ここで１０は該
網９を支持する絶縁体で例えば石英からなる支持体であ
る。この様な構成を有する装置において、真空容器１内
を排気口５から排気し、１０→〔ＴＯｒｒ〕にする。
表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）皮膜が選択的に形成
されたシリコン（Ｓｉ）基板８土を隔離して覆つてモリ
ブデン（ＭＯ）製の網９が配置される。ここで１０は該
網９を支持する絶縁体で例えば石英からなる支持体であ
る。この様な構成を有する装置において、真空容器１内
を排気口５から排気し、１０→〔ＴＯｒｒ〕にする。
しかる後ガス導入口６より４弗化炭素（ＣＦ４）を１０
−２〔ＴＯｒｒ〕程に導入し電極２と大地間に周波数１
３．５６〔Ｍ′Ｈｚ〕電力１５０（６）の高周波電圧を
印加し、グロー放電によるスパツターエツチング処理を
行つた。この結果前記試料８において表出されているシ
リコン基板部分は８０〔人／Ｍｉｎ〕のエツチング速度
でエツチングされ、該シリコン基板上の二酸化シリコン
は４００〔人／Ｆｎｉｎ〕のエツチング速度でエツチン
グされた。
−２〔ＴＯｒｒ〕程に導入し電極２と大地間に周波数１
３．５６〔Ｍ′Ｈｚ〕電力１５０（６）の高周波電圧を
印加し、グロー放電によるスパツターエツチング処理を
行つた。この結果前記試料８において表出されているシ
リコン基板部分は８０〔人／Ｍｉｎ〕のエツチング速度
でエツチングされ、該シリコン基板上の二酸化シリコン
は４００〔人／Ｆｎｉｎ〕のエツチング速度でエツチン
グされた。
一方、前記従来のスパツターエツチング法として第１図
に示す装置において網９をとり除いた状態で前記スパツ
ターエツチング条件をもつてスパツターエツチング処理
を行つた。
に示す装置において網９をとり除いた状態で前記スパツ
ターエツチング条件をもつてスパツターエツチング処理
を行つた。
この結果試料８においてシリコン基板は２００〔λ／Ｆ
ｎｉｎ〕のエツチング速度でエツチングされ、該シリコ
ン基板上の二酸化シリコンは３００〔人廓１ｎ〕のエツ
チング速度でエツチングされた。これ等の結果から明ら
かな如く、従来の方法ではエツチング速度の比ＲＩ』ｓ
〜１．５であつたものが本発明に卦いてはＲＩ』ｓ〜５
と大幅に改善される。
ｎｉｎ〕のエツチング速度でエツチングされ、該シリコ
ン基板上の二酸化シリコンは３００〔人廓１ｎ〕のエツ
チング速度でエツチングされた。これ等の結果から明ら
かな如く、従来の方法ではエツチング速度の比ＲＩ』ｓ
〜１．５であつたものが本発明に卦いてはＲＩ』ｓ〜５
と大幅に改善される。
さらに本発明の他の実施例として、図面の電極２の表面
にタングステン（５）又はシリコン（Ｓｉ）よりなる板
状の電極カバーをシリコングリースを用いて張り付けて
エツチングを行なつた場合について説明する。
にタングステン（５）又はシリコン（Ｓｉ）よりなる板
状の電極カバーをシリコングリースを用いて張り付けて
エツチングを行なつた場合について説明する。
本実施例では、活性ガスとして４弗化炭素（ＣＦ４）を
２０ＣＣ／分０．０２〔ＴＯｒｒ〕程導入し電極と大地
間に周波数１３．５６〔ＭＨｚ〕、電力２５０（Ｗｌの
高周波を印加して行つた。
２０ＣＣ／分０．０２〔ＴＯｒｒ〕程導入し電極と大地
間に周波数１３．５６〔ＭＨｚ〕、電力２５０（Ｗｌの
高周波を印加して行つた。
被エツチング材料としてシリコン（Ｓｉ）、酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２）に対するそれぞれのエツチング速度は次
のようになつた。な訃従来例としては、電極２を石英板
でカバーした場合で行なつた。な卦上記実施例のモリブ
デン網９やカバー平板等はそれらの形状に限るわけでな
く他の適宜な形状を選択できる。
ン（ＳｉＯ２）に対するそれぞれのエツチング速度は次
のようになつた。な訃従来例としては、電極２を石英板
でカバーした場合で行なつた。な卦上記実施例のモリブ
デン網９やカバー平板等はそれらの形状に限るわけでな
く他の適宜な形状を選択できる。
図面は本発明の実施例に係るスパツターエッチグ装置の
構造を示す断面図である。 図におい′（１・・・・・・ペルシャー型真空容器、２
・・・・・・電極、３・・・・・・シールド、４・・・
・・・絶縁物、５・・・・・・排気口、６・・・・・・
ガス導入口、７・・・・・・高周波電極、８・・・・・
・試料、９・・・・・・網、１０・・・・・・絶縁物。
構造を示す断面図である。 図におい′（１・・・・・・ペルシャー型真空容器、２
・・・・・・電極、３・・・・・・シールド、４・・・
・・・絶縁物、５・・・・・・排気口、６・・・・・・
ガス導入口、７・・・・・・高周波電極、８・・・・・
・試料、９・・・・・・網、１０・・・・・・絶縁物。
Claims (1)
- １ 真空容器内に弗素を含むエッチング用ガスを導入し
、該エッチング用ガスを高周波電力によりグロー放電さ
せてシリコン基板上に形成された酸化シリコン膜のエッ
チング処理を行なうスパッターエッチングにおいて、前
記シリコン基板の近傍にモリブデン、タングステン、又
はシリコンからなる物質を配置してエッチング処理を行
なうことを特徴とするスパッターエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4461376A JPS5946094B2 (ja) | 1976-04-19 | 1976-04-19 | スパツタ−エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4461376A JPS5946094B2 (ja) | 1976-04-19 | 1976-04-19 | スパツタ−エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52127768A JPS52127768A (en) | 1977-10-26 |
| JPS5946094B2 true JPS5946094B2 (ja) | 1984-11-10 |
Family
ID=12696283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4461376A Expired JPS5946094B2 (ja) | 1976-04-19 | 1976-04-19 | スパツタ−エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946094B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01113497U (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111617744B (zh) * | 2020-06-09 | 2021-09-21 | 威海世一电子有限公司 | 一种基于Fe-MOFs的磁性多孔碳吸附材料及其制法 |
-
1976
- 1976-04-19 JP JP4461376A patent/JPS5946094B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01113497U (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52127768A (en) | 1977-10-26 |
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