JPS5946082A - 光半導体装置及びその製法 - Google Patents
光半導体装置及びその製法Info
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- JPS5946082A JPS5946082A JP57157354A JP15735482A JPS5946082A JP S5946082 A JPS5946082 A JP S5946082A JP 57157354 A JP57157354 A JP 57157354A JP 15735482 A JP15735482 A JP 15735482A JP S5946082 A JPS5946082 A JP S5946082A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光半導体装置、受光半導体装置等の光半導体
装置に関する。
装置に関する。
光半導体装置として、従来、次の光半導体装置の製法に
よって構成されたものが提案されている。
よって構成されたものが提案されている。
即ち、第１図Ａ〜Ｅは、従来の光半導体装置の製法を示
し、例えばＮ型のＩｎＰでなる半導体基板１が予め用意
される（第１図Ａ）。
し、例えばＮ型のＩｎＰでなる半導体基板１が予め用意
される（第１図Ａ）。
次に、その半導体基板１上に、Ｎ型でなる例えばＩｎＰ
でなるクラッド層２と、例えばＧａＡｓＰ系でなる活性
層３と、Ｐ型の例えばＩｎＰでなるクラッド層４と、Ｎ
型の例えばＧａＡｓＰ系でなる電極付用層５とが、それ
等の順に積層されている、積層体６を、それ自体は公知
の、例えば液相エピタキシャル成長法によって形成する
（第１図Ｂ）。
でなるクラッド層２と、例えばＧａＡｓＰ系でなる活性
層３と、Ｐ型の例えばＩｎＰでなるクラッド層４と、Ｎ
型の例えばＧａＡｓＰ系でなる電極付用層５とが、それ
等の順に積層されている、積層体６を、それ自体は公知
の、例えば液相エピタキシャル成長法によって形成する
（第１図Ｂ）。
次に、積層体６内に、その電極付用層５側から、ストラ
イプ状の電流狭窄用の半導体層７を、クラッド層４内に
達する深さに形成する（第１図Ｃ）。
イプ状の電流狭窄用の半導体層７を、クラッド層４内に
達する深さに形成する（第１図Ｃ）。
次に、半導体基板１の積層体６側とは反対側の面上に、
電極層８をオーミックに付し、また、積層体６の電極付
用層５上に、電極層９を、半導体層７上に延長して、オ
ーミックに付す（第１図Ｄ）。
電極層８をオーミックに付し、また、積層体６の電極付
用層５上に、電極層９を、半導体層７上に延長して、オ
ーミックに付す（第１図Ｄ）。
次に、電極層９を含めた、積層体６に、その積層体６に
対する、エッチング処埋により、半導体基板１に達する
溝１０を形成して、積層体６から、溝１０を隔てて並置
している、積層体１１及び１２を形成し、且つそれら積
層体１１及び１２のそれぞれに、溝１０側において、積
層体６のエッチングによって形成された端面１３を形成
する（第１図Ｅ）。
対する、エッチング処埋により、半導体基板１に達する
溝１０を形成して、積層体６から、溝１０を隔てて並置
している、積層体１１及び１２を形成し、且つそれら積
層体１１及び１２のそれぞれに、溝１０側において、積
層体６のエッチングによって形成された端面１３を形成
する（第１図Ｅ）。
次に、積層体１１及び１２のそれぞれに、半導体基板１
と共に劈開されて形成された、端面１３と対向している
端面１４を形成する（第４図Ｅ）。
と共に劈開されて形成された、端面１３と対向している
端面１４を形成する（第４図Ｅ）。
以上のようにして、半導体基板１上に、クラッド層２と
、活性層３と、クラッド層４とがそれらの順に積層され
ている積層体６でなる、積層体１１及び１２が、溝１０
を隔てて並置形成され、積層体１１及び１２の、溝１０
側の端面１３のそれぞれが、積層体６のエッチングによ
って形成されてなる面でなるという、構成の光半導体装
置を、製造する。
、活性層３と、クラッド層４とがそれらの順に積層され
ている積層体６でなる、積層体１１及び１２が、溝１０
を隔てて並置形成され、積層体１１及び１２の、溝１０
側の端面１３のそれぞれが、積層体６のエッチングによ
って形成されてなる面でなるという、構成の光半導体装
置を、製造する。
以上が、従来提案されている、光半導体装置及びその製
法である。
法である。
上述した従来の光半導体装置によれば、積層体１１を含
んで構成されている１つの光゛半導体装置と、積層体１
２を含んで構成されている他の１つの光半導体装置とを
有する。然して、それ等２つの光半導体装置のそれぞれ
は、所謂上述した端面１３及び１４を利用した光半導体
装置（この場合電流狭窄型）として作用する。
んで構成されている１つの光゛半導体装置と、積層体１
２を含んで構成されている他の１つの光半導体装置とを
有する。然して、それ等２つの光半導体装置のそれぞれ
は、所謂上述した端面１３及び１４を利用した光半導体
装置（この場合電流狭窄型）として作用する。
然しながら、上述した従来の光半導体装置の場合、上述
した端面１３及び１４を利用している光半導体装置にお
いて、その一方の端面１４は劈開によって形成されてい
るので、平坦、且つ垂直な鏡面を有するが、他方の端面
１３は、上述した２つの積層体１１及び１２を形成すべ
く溝１０を形成したときに得られる、エッチングによっ
て形成された面であるので、平坦且つ垂直な鏡面である
とは、言えないと共に、その端面３に欠陥が導入されて
いるものであった。
した端面１３及び１４を利用している光半導体装置にお
いて、その一方の端面１４は劈開によって形成されてい
るので、平坦、且つ垂直な鏡面を有するが、他方の端面
１３は、上述した２つの積層体１１及び１２を形成すべ
く溝１０を形成したときに得られる、エッチングによっ
て形成された面であるので、平坦且つ垂直な鏡面である
とは、言えないと共に、その端面３に欠陥が導入されて
いるものであった。
従って、上述した従来の光半導体装置は、上述した端面
を利用している光半導体装置が、所明の特性を十分に発
揮しないという欠点を有していた。
を利用している光半導体装置が、所明の特性を十分に発
揮しないという欠点を有していた。
また、、従来の光半導体装置の製法
によれば、所期の特性を十分に発揮する、上述した端面
を利用している光半導体装置を、製造することができな
いという、欠点を有していた。
を利用している光半導体装置を、製造することができな
いという、欠点を有していた。
よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な光半導
体装置及びその製法を提案せんとするものである。
体装置及びその製法を提案せんとするものである。
以下、本発明による光半導体装置の一例、及びその製法
の一例を、本発明による光半導体装置の製法の一例で詳
述しよう。
の一例を、本発明による光半導体装置の製法の一例で詳
述しよう。
第２図Ａ〜Ｆは、本発明による光半導体装置の製法の一
例を示す。
例を示す。
第２図Ａ〜Ｆにおいて、第１図Ａ〜Ｆとの対応部分には
同一符号を付して示す。
同一符号を付して示す。
第２図Ａ〜Ｆに示す、本発明による光半導体装置の製法
１の一例においては、第１図Ａで上述したと同様に、半
導体基板１が予め用意される（第２図Ａ）。
１の一例においては、第１図Ａで上述したと同様に、半
導体基板１が予め用意される（第２図Ａ）。
次に、その半導体基板１上に、第１図Ｂで上述したに準
じて、第１図Ｂで上述したと同様の、クラッド層２と、
活性層３と、クラッド層４と、電極付用層５とが、それ
らの順に積層されている、積層体６と、その積層体６に
比し大なるエッチング速度を有し、且つ積層体６のクラ
ッド層２と格子整合する半導体層２０とが、半導体層２
０及び積層体６の順に積層されている積層体２２を形成
する（第２図Ｂ）。
じて、第１図Ｂで上述したと同様の、クラッド層２と、
活性層３と、クラッド層４と、電極付用層５とが、それ
らの順に積層されている、積層体６と、その積層体６に
比し大なるエッチング速度を有し、且つ積層体６のクラ
ッド層２と格子整合する半導体層２０とが、半導体層２
０及び積層体６の順に積層されている積層体２２を形成
する（第２図Ｂ）。
次に、第１図Ｃで上述したに準じて、積層体２２内に、
電流狭窄用の半導体層７を形成する（第２図Ｃ）。
電流狭窄用の半導体層７を形成する（第２図Ｃ）。
次に、第１図Ｄで上述したに準じて、半導体基板１の積
層体２２側とは反対側の面上に、電極層８をオーミック
に付し、また、積層体２２の電極付用層５上に、電極層
９を半導体領域７上に延長して、オーミックに付す（第
２図Ｄ）。
層体２２側とは反対側の面上に、電極層８をオーミック
に付し、また、積層体２２の電極付用層５上に、電極層
９を半導体領域７上に延長して、オーミックに付す（第
２図Ｄ）。
次に、第１図Ｅで上述したに準じて、電極層９を含めた
積層体２２に対するエッチング処理により、積層体２２
に、積層体６の位置における溝部１３と、半導体層２０
の位置における、溝部１３より大なる幅を有する溝部２
３とからなる、半導体基板１に達する溝２４を形成して
、積層体２２から、溝２４隔てて並置している、積層体
３１及び３２を形成し、且つ積層体３１及び３２のそれ
ぞれに、溝２４側において積層体６のエッチング処理に
よって形成された端面部３３と、半導体層２０の、端面
部３３より内側に延長しているエッチングによって形成
された端面部３４とよりなる端面３５を形成して、積層
体３１及び３２のそれぞれの積層体６の、端面部３４側
に、半導体層２０の端面部３３より外方に突出している
庇部３５を形成する（第２図Ｅ）。
積層体２２に対するエッチング処理により、積層体２２
に、積層体６の位置における溝部１３と、半導体層２０
の位置における、溝部１３より大なる幅を有する溝部２
３とからなる、半導体基板１に達する溝２４を形成して
、積層体２２から、溝２４隔てて並置している、積層体
３１及び３２を形成し、且つ積層体３１及び３２のそれ
ぞれに、溝２４側において積層体６のエッチング処理に
よって形成された端面部３３と、半導体層２０の、端面
部３３より内側に延長しているエッチングによって形成
された端面部３４とよりなる端面３５を形成して、積層
体３１及び３２のそれぞれの積層体６の、端面部３４側
に、半導体層２０の端面部３３より外方に突出している
庇部３５を形成する（第２図Ｅ）。
次に、積層体３１及び３２のそれぞれの、積層体６の庇
部３５を劈開して、積層体６の、劈開によって形成され
た鏡面を有する端面部３６を形成し、積層体３１及び３
２のそれぞれに、積層体６の端面部３６と、半導体層２
０の端面部３３とからなる端面３７を形成する（第２図
Ｅ）。
部３５を劈開して、積層体６の、劈開によって形成され
た鏡面を有する端面部３６を形成し、積層体３１及び３
２のそれぞれに、積層体６の端面部３６と、半導体層２
０の端面部３３とからなる端面３７を形成する（第２図
Ｅ）。
次に第１図Ｅに上述したに準じて、積層体３１及び３２
のそれぞれに、半導体基板と共に劈開されて形成された
、端面３７と対向している端面３８を形成する（第２図
Ｆ）。
のそれぞれに、半導体基板と共に劈開されて形成された
、端面３７と対向している端面３８を形成する（第２図
Ｆ）。
以上のようにして、半導体基板１上に、クラッド層２と
、活性層３とクラッド層４とがそれらの順に積層されて
いる積層体６と、クラッド層２と格子整合している半導
体層２０とが、半導体層２０及び積層体６の順で積層さ
れている、２つの積層体３１及び３２が、溝２４を隔て
て並置形成され、積層体３１及び３２の、溝２４側の端
面２７のそれぞれが、積層体６の端面部３６と、半導体
層２０の端面部３３とからなり、積層体６の端面部３６
が、積層体６のエッチングによって形成されてなる面で
なるという、構成の光半導体装置を、製造する。
、活性層３とクラッド層４とがそれらの順に積層されて
いる積層体６と、クラッド層２と格子整合している半導
体層２０とが、半導体層２０及び積層体６の順で積層さ
れている、２つの積層体３１及び３２が、溝２４を隔て
て並置形成され、積層体３１及び３２の、溝２４側の端
面２７のそれぞれが、積層体６の端面部３６と、半導体
層２０の端面部３３とからなり、積層体６の端面部３６
が、積層体６のエッチングによって形成されてなる面で
なるという、構成の光半導体装置を、製造する。
以上が、本発明による光半導体装置の一例及びての製法
の一例である。
の一例である。
上述した、本発明による光半導体装置によれば、第１図
で上述した従来の光半導体装置に準じて、積層体３１を
含んで構成されている１つの光半導体装置と、積層体３
２を含んで構成されている他の１つの光半導体装置とを
有する。
で上述した従来の光半導体装置に準じて、積層体３１を
含んで構成されている１つの光半導体装置と、積層体３
２を含んで構成されている他の１つの光半導体装置とを
有する。
然して、それ等２つの光半導体装置のそれぞれは、所謂
上述した端面３７及び３８を利用した光半導体装置（こ
の場合電流狭窄型）として作用する。
上述した端面３７及び３８を利用した光半導体装置（こ
の場合電流狭窄型）として作用する。
然しながら、上述した本発明による光半導体装置の場合
、上述した端面３７及び３８を利用している光半導体装
置において、その一方の端面３８が第１図で上述した従
来の光半導体装置と同様に劈開によって形成されている
ので、平坦、且つ垂直な鏡面を有し、また他方の端面３
７を構成している積層体６の端面３６も、劈開により形
成されているので、平坦且つ垂直な鏡面である。
、上述した端面３７及び３８を利用している光半導体装
置において、その一方の端面３８が第１図で上述した従
来の光半導体装置と同様に劈開によって形成されている
ので、平坦、且つ垂直な鏡面を有し、また他方の端面３
７を構成している積層体６の端面３６も、劈開により形
成されているので、平坦且つ垂直な鏡面である。
従って、上述した、本発明による光半導体装置は、上述
した端面を利用している光半導体装置が、所期の特性を
十分に発揮する、という大なる特徴を有する。
した端面を利用している光半導体装置が、所期の特性を
十分に発揮する、という大なる特徴を有する。
また、上述した、本発明による光半導体装置の製法によ
れば、所期の特性を十分に発揮する上述した端面を利用
している光半導体装置を、容易に製造することができな
い、という特徴を有する。
れば、所期の特性を十分に発揮する上述した端面を利用
している光半導体装置を、容易に製造することができな
い、という特徴を有する。
なお、上述においては、半導体基板１上に、上述した端
面を利用した光半導体装置が、２つ構成されているとい
う、光半導体装置について述べたが、３つ以上の、上述
した端面を利用した光半導体装置が、構成されている構
成とすることもできることは、明らかであろう。
面を利用した光半導体装置が、２つ構成されているとい
う、光半導体装置について述べたが、３つ以上の、上述
した端面を利用した光半導体装置が、構成されている構
成とすることもできることは、明らかであろう。
また、半導体基板１上に、上述した端面を利用した光半
導体装置が１つ構成されている、という構成とすること
もできることも明らかであろう。
導体装置が１つ構成されている、という構成とすること
もできることも明らかであろう。
第３図Ａ〜Ｆは、この場合の光半導体装置の実施例及び
その製法の実施例を示し、第２図Ａ〜Ｆとの対応部分に
は同一符号を付して、詳細説明は省略するが、第２図Ａ
〜Ｆで上述した本発明による光半導装置及びその製法の
場合と同様の勝れた特徴の他、上述した端面間の長さの
短い光半導体装置を、容易に得ることができることは、
明らかであろう。
その製法の実施例を示し、第２図Ａ〜Ｆとの対応部分に
は同一符号を付して、詳細説明は省略するが、第２図Ａ
〜Ｆで上述した本発明による光半導装置及びその製法の
場合と同様の勝れた特徴の他、上述した端面間の長さの
短い光半導体装置を、容易に得ることができることは、
明らかであろう。
また、上述においては、本発明の僅かな実施例を示した
に留まり、本発明の精神を脱することなしに種々の変型
変更をなし得るであろう。
に留まり、本発明の精神を脱することなしに種々の変型
変更をなし得るであろう。
第１図Ａ〜Ｅは、従来の光半導体装置及びその製法へ示
す、その製法の順次の工程における略線的断面図である
。 第２図Ａ〜Ｆは、従来の光半導体装置及びその製法を示
す、その製法の順次の工程における略線的断面図である
。 第３図Ａ〜Ｆは、従来の光半導体装置及びその製法を示
す、、その製法の順次の工程にこおける略線的断面図で
ある。 出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 田中正治
す、その製法の順次の工程における略線的断面図である
。 第２図Ａ〜Ｆは、従来の光半導体装置及びその製法を示
す、その製法の順次の工程における略線的断面図である
。 第３図Ａ〜Ｆは、従来の光半導体装置及びその製法を示
す、、その製法の順次の工程にこおける略線的断面図で
ある。 出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 田中正治
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に、第１のクラッド層と、活性層と、
第２のクラッド層とがそれ等の順に積層されている第１
の積層体と、上記第１のクラッド層と格子整合している
半導体層とが、上記半導体層及び上記第１の積層体の順
に積層されている、少くとも１つの第３の積層体が形成
され、 上記第３の積層体の少くとも１つの端面が、上記第１の
積層体の第３の端面部と、上記半導体層の第２の端面部
とからなり、 上記第３の端面部が劈開によって形成された鏡面でなり
、 上記第２の端面部がエッチングによって形成された面で
なることを特徴とする光半導体装置。 ２、半導体基板上に、第１のクラッド層と、活性層と、
第２のクラッド層とがそれ等の順に積層されている第１
の積層体と、上記第１の積層体に比し大なるエッチング
速度を有し、且つ上記第１のクラッド層と格子整合する
半導体層とが、上記半導体層及び上記第１の積層体の順
に積層されている第２の積層体を形成する工程と、 上記第２の積層体に対するエッチング処理により、上記
第２の積層体から第３の積層体を形成し、且つ上記第３
の積層体に、上記第１の積層体のエッチングにより形成
された第１の端面部と、上記半導体層の、上記第１の端
面部より内側に延長しているエッチングにより形成され
た第２の端面部とからなる第１の端面を形成して、上記
第３の積層体の第１の積層体の、上記第３の端面部側に
、上記半導体層の上記第２の端面部より外方に突出して
いる庇部を形成する工程と、 上記第３の積層体の、第１の積層体の上記庇部を劈開し
て、上記第１の積層体の、劈開によって形成された鏡面
を有する第３の端面部を形成し、上記第３の積層体に、
上記第１の積層体の上記第３の端面部と、上記半導体層
の上記第２の端面部とからなる第２の端面を形成する工
程とを含むことを特徴とする光半導体装置の製法。 ３、半導体基板上に、第１のクラッド層と、活性層と、
第２のクラッド層とがそれらの順に積層されている第１
の積層体と、上記第１のクラッド層と格子整合している
半導体層とが、上記半導体体層及び上記第１の積層体の
順に積層されている、少くとも２つの第３及び第４の積
層体が、溝を隔てて並置形成され、上記第３及び第４の
積層体の、上記溝側の端面のそれぞれが、上記第１の積
層体の第３の端面部と、上記半導体の第２の端面部とか
らなり、 上記第３の端面部が劈間によって形成された鏡面でなり
、 上記第２の端面部がエッチングによって形成された面で
なることを特徴とする光半導体装置。 ４、半導体基板上に、第１のクラッド層と、活性層と、
第２のクラッド層とがそれ等の順に積層されている第１
の積層体と、該第１の積層体に比し大なるエッチング速
度を有し、且つ上記第１のクラッド層と格子整合する半
導体層とが、上記半導体層及び上記第１の積層体の順に
積層されている第２の積層体を形成する工程と、 上記第２の積層体に対するエッチング処理により、上記
第２の積層体に、上記第１の積層体の位置における第１
の溝部と、上記半導体の位置における、上記第１の溝部
より大なる幅を有する第２の溝部とからなる、上記半導
体基板に達する溝を形成して、上記第２の積層体から、
上記溝を隔てて並置している、第３及び第４の積層体を
形成し、且つ上記第３及び第４の積層体のそれぞれに、
上記溝側において、上記第１の積層体のエッチングによ
って形成された第１の端面部と、上記半導体層の、上記
第１の端面部より内側に延長しているエッチングにより
形成された第２の端面部とからなる第１の端面を形成し
て、上記第３及び第１の積層体のそれぞれの上記第１の
積層体の、上記第３の端面部側に、上記半導体層の上記
第２の端面部より外方に突出している庇部を形成する工
程と、 上記第３及び第４の積層体のそれぞれの、上記第１の積
層体の上記庇部を劈開して、上記第１の積層体の、劈開
によって形成された鏡面を有する第３の端面部を形成し
、上記第３の積層体のそれぞれに、上記第１の積層体の
上記第３の端面部と、上記半導体層の上記第２の端面部
とからなる第２の端面を形成する工程とを含むことを特
徴とする光半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157354A JPS5946082A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 光半導体装置及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157354A JPS5946082A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 光半導体装置及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946082A true JPS5946082A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15647836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157354A Pending JPS5946082A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 光半導体装置及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946082A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286786A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
| JPS63239874A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオードアレイ及びその製造法 |
| KR100404416B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2003-11-05 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP57157354A patent/JPS5946082A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286786A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
| JPS63239874A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオードアレイ及びその製造法 |
| KR100404416B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2003-11-05 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
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