JPS5944775A - 電気回路の相互接続方法及びそのためのジヤンパケ−ブル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般に高密度の′ｔｌ（気的相互接続に関し、
更に詳細には、相隣る基板上に配（２）（された電気回
路の至近間隔をおくＩＪ−Ｐ＃ｉ！を電気的に相互接続
するための方法及び装置に関する。

電子装置内の一つの点を他の点に接続するためには、こ
れら点間にある導電路捷たはリード線、及びこのリード
線を上記２つの点に接合する方法が必要である。一般に
用いられている型のリード線としては、個別的ワイヤ、
−７６リント配線、及び半１）］パンゾがある。成る特
定の用途に対してどの型のリード線を選択す゛るかは、
２点間の距離、リード線の密度、及びリード線交差の有
無鄭ｆ：考慮して決定される。刀・かるリード線は、機
械的に（汐１１えげ、ピンとソケットとの接続器、弾性
接続器、半田かしの巻付け、機城的締付け、及び超音波
溶接により）、または熱的に（例えば、半田及び熱圧着
溶接により）、または化学的に（例えば、電気めっき及
び導電性接着剤により）接合される。

どの手ＩＱｔ＝選択するかは、リード線、リード細密度
、経済性、環境（１ｈ、気的、研械的、熱的及び雰囲気
的の）、及び断路可能性に対する（カ械的及び材料的適
合性等を考慮［７て決定さｔｚる。集積回路及び他の電
子装置が益々複雑化するにつＪｔで、益益高密度化した
相互接続用導電体パターンを提供することが心壁となっ
てきている。しかし、かかる高密度を提供することは、
例えば点間配線、プリント配線盤、厚膜及び薄膜混成回
路、及び弾性導電体のような従来からある相互接続技術
の能力を越えるかまたはこれに無理を与えるものである
。

真に高い解像ＩＷｆたは微細線の配列を提供しようとす
ると、また、相互接続済み装置の増付は及び実＠につい
ての付随的問題が生ずる。

これらの相互接続及び実装の問題は、「イメージバー」
として総称的に知ら）１．ているマーキング技術の分野
において特に大きな問題である。本明卸）書において用
いる１イメージパー」なるＮｆ’ｔは、データセットを
、一般には紙である「ハードコピー」上の対応のマーク
のセットに変換するための装置を意味する。この飴はま
た、４込み電子（トランスジユーザ）のアレイがフルペ
ージ山付の画累を叶込むよりになっている全ての形式の
プリントパーを包含する。マーキングされる媒体は、連
列、上記パーを通って移動し、これにより、トランスジ
ューサがデータの入力データ流の指示の下で選択的にイ
ネーブルされるにつれて全ページが書込すれる。このよ
うなデータ流は、例えば、コンピュータ、ワードプロセ
ッサ、ラスク入力スキャナ、またはリードパーによって
発生させられる。

「リードパー」とは、可視像を捕獲して、これを表現す
る電子的データセットに変換することのできる装置であ
ると考えるべきものである。印刷物″ｆ：電子的に読取
るＣＯＤスキャナアレイはリードパーの典型的な形式で
ある。システム的に考えると、こｉｔら装置はイメージ
パーに対する相補的なものである。しか（７、相互触接
の観点からは、本明細譬において説明する考察、特に本
発明の方法は、なおリードパーに適用されるものである
。

イメージパーを用いると、マーキング処理は。

電荷をＡｉＬ−理済み＠縁受容体（例えば紙）上に与え
るという方式のガス放電式１１１．子Ｉｔ：　ｄにおけ
るように直接的に行かわれるか、または、画像を中ＩＨ
１受容体上に形成し、次いでこの画１ｆｆ現１俊して紙
に転写するという方式によって間接的に行なわれる。

直接的マーキング手法としてｉｄ、−１：だ、部分約１
たは全ｒｌＪのインキジェットアレイがある。間慶的マ
ーキング手法としては、発電ダイオードプレイ、液晶光
弁アレイ、薄膜磁気ヘッドのアレイ、及び種々の電界発
生アレイがある。

所韓のトランスジューサの密度ｔよ、いうまでもなく、
行なうべきプリントの型（例えばフメント、図式１等）
及び所望の解像度によって定まる。高品質の解像度を満
足させるために砿ｔ、全てのイメージパー技術に共通の
要件として、噸形成紫子を線に沿って２５．４調（１イ
ンチ）当シ２００ないし６００の空間的頻度で配置する
ことが必要である。２５．４咽当り４００という中央値
をとると、２５４ｇ（１０インチ）のパーに対しては全
数約４，０００のトランスジユーザが必すとなる。

各トランスジューサをドライバ寸たはスイッチによって
制御し、これにより、入力データ流によって指示される
適切な値の′電流またｆ′ｉ電圧を与えてマーキングを
行なうことが必要である。大規模集４％（ＬＳＩ）技術
を用いて一群のドライバ並びに付属のアドレス指定及び
メモリ回路を、これが駆動するトランスジユーザとし−
〔同一基板（例えばシリコン）上に作ることができるな
らば、トランスジューサ及びドライバを相互接続するた
めのリード線の／４’ターンを、上記トランスジューサ
’を作るのに用いたと同じ高Ｍ１域度方法（例えば薄膜
沈着及び線描写）を用いて作ることができる。この手法
を用いると、最も簡単なイメージパーｔｊ：、全てのト
ランスジユーザ及びは十■学装置、が単一に一ジ巾基４
反上に作られているというモノリシックパーである。し
かし、多くの場合において、トランスジユーザ及び付属
の′醒子工学装置を同一基板上に巣檀するという手法は
、ＬＳＩ装置で得られる電流及び重圧の範囲に対する現
在のｉＩ？＋Ｊ限があるので、実用的でない。かかる装
置を大形の（−！−ジ１１〕の）基板上に作ること１ｌ
−ｔまた、現在は商業的に実施可能とは考えられない。

これに対して、イメージパーの諸部分を別々の基板上に
作るという混成手法に従うのか経済」＝よシ効果的であ
る場合が１叶々ある。例えば、単一の基板ま充はいくつ
かのモジュラ基板上に作ったマーキングトランスジュー
サを、他の基板上に作ったドライバ電子工学装置に接合
する。次いで、上記別々の基板を相互接続し、そして実
装して一体的イメーノバーを作る。

イメージパー形成に対して混成手法を用いても、密に間
隔配置αしｆｃ’）−ド線を、井込み時に各トランスジ
ユーザに指令するドライバ４ｆ、子工学装置と相互接続
するという問題がある。かなり多政のトランスジューサ
があるので（ベーノＩＩＪバーに対して４．ＯＤＤ程Ｉ
Ｗ）、断髪のドライバの１同者文を減らずためにトラン
スジユーザを７トリツクスアドレス指定することが望寸
しい（常に可能とＱま限らナイが）。典型的なｎＸｍマ
トリックスアドレス指定手法においては、トランスジユ
ーザ１、ｎ十１．２ｎ＋１・・・・・・・・・（ｍ−１
）ｎ−＋−１を部紗し合わせ（行１に対応する）、そし
てトランスジュー１す】、２．３．４・・・・・・ｍを
接続し合わす（列１に対応する）。ｎ行及びｍ列が在る
と、多数のトランスジューサリード線相互接続部が必要
となるばかりでなく、更に上記接続し合わされたトラン
スジユーザに対する多数のリード＃ｉ！交差部が必要と
々る。全てのマーキングトランスジューサ並びに全ての
行及び列の相互接続部を同一の基板上に作ることが望ま
しい。このような構成にすると、外部接続部の個数が対
応的に減少する。即ち、このマトリックスアドレス指定
手法において用いるドライバの個数まで減少する。

複雑なマーキングトランスジユーザ構造に対しては、ペ
ージ巾基板は、歩留りが低いという主な理由によυ、実
用的でない。かかる構造に対しては、いくつかの短尺の
トランスジューサモジュールを並列させて突き合わせる
ことによってページ巾バーを構成することができる。こ
の構成にすると、モジュール対モジュールの相互接続部
及びモジュール対ドライバ電子工学装口の相互接続部が
あることになる。このことは、マーギンブトランスジュ
ーサ基板の外部で接続しなければならないリード線密度
が、例えば２５．４＊ｕｉ（１インチ）当り１０から典
型的にｉｊ、　２５　、４　ｍｍ嶺シ５０ないし１００
へ増加することを意味する。また、多くノＩＪ−ド線交
差部をモジュールの外部に作ら々ければならない。モジ
ュールがトランスジューサを一つの縁に沿って有してい
る場合には（例えＣｊ薄膜磁気ヘッド）、全ての外部接
続部は、一般に、反対の縁に作られることになり、突合
せがなされている辺上には作られない。モジュールがト
ランスジューサを面の中央部に（例えは、成る苔千のイ
メージバー内に）有している場合には、リード線を、突
合せがなされてない両縁トで接続することができ、従っ
てリード・腺間ｌ涌を２倍にするこ表ができる。

これらのマトリックスアドレス１旨定式モノニライメー
ジバーに対してｔよ、外部相Ｉｉ接続部を最少限化する
ために、可及的多くの相互接続１’５１＋を、トランス
ジューサ担持のモジュール上に作るべきである。モジュ
ール対モジュール相互接続部（即ち、単一のドライバに
対する別々のモジュール上のトランスジューサの群の相
互接続部）は、ドライバ電子工学装置を保持している同
じ基板上にリード線のパターンを形成することによって
作ることができる。かかる接続部に対する線間隔は比較
的大きく、従って、従来の技術を比較的容易に用いるこ
とができる。勿論、最も望甘しくは、リード線の・臂タ
ーンをモジュール上の線間隔に整合させて基板上に形成
し、接続すべき全てのリード線をイメージバー内で互い
に対向整列はせることができるようにする。マーキング
トランスジューサ基板材料の熱膨張係え文はリード線・
９ターンを形成した基板の熱膨張係数と常に整合すると
は限らないから、基板及びモジュールｍ１の相り接続部
における歪逃しのための融通性を与えることが望ましい
。

適切に整合させることのできるリード線のパターンを提
供することが可能である場合には、従来の弾性接続器を
用いて一括接続を行なうことができる。同様に、従来の
可撓プリント回路盤を用いてモジュール及び基板間の接
続を行なうことができ、る。弾性接続器も、またはプリ
ント町撓配腺も・全てのイメージバーの基板対基板接続
手法に対して適当するとは限らな眞。これら手段による
接続には適さないトランスジユーザ及びリード線の配置
または・臂ターン及び間隔の変化がある。かかる場合に
は、相隣る基板上の至近間隔をおく、または配置を異に
するリード線またはゼンデイング・平ツド相互間の可撓
接続を可能ならしめる相互接続手段を用いることが極め
て望ましい。

チップの段１昔において最も広く用いられている相り接
続技術はワイヤゲンデイングである。しかし、ワイヤデ
ンデングは一度Ｖこｌツイヤ１本の割で行なわれるもの
であり、従って比較的時間がかかる。また、ワイヤゲン
デイングは装置腎の周辺に限定すれる。ワイヤポンデイ
ングシこ代る手段であるフリツゾチップ及びビームリー
ドか、↓、特に大形のチップに対しては、混成回路相互
、ｊｇ続部を作るため望まれる融通性を提供しない。ま
た、フリップチップ及ビームリード手法にｔ、Ｊ、細別
的な処叩上郊がちり、そのために歩留りが低下し及び費
用が増大する。近時、いわゆるテープ昶ンプ１イング技
術が、個別集積回路のビンディングを自動化及び量産化
する経済的手段として開発されている。当初の方法はテ
ープ自！＄Ｉ７Ｉ’Ｍンディング（ＴＡＢ）と呼ばれて
おり、この方法においては、隆起した接点ノｆツドまた
はバンプを具備するＩＣＣチップラノ平ターン蝕刻した
テープ形式のリードフレーム（一般的には銅の箔）に自
動的にデンディングする。

これを変形したものであってバンプ形テープ自動ゼンデ
イング（ＢＴＡＢ）として知られている手法が、ＩＣＣ
チップ上隆起バンプ接点を形成することに付随する製作
上の問題を回避する手段として開発された。ＢＴＡＢに
おいては、各リード線の端部にバンプを設け、このよう
にして普通のＩＣチップに対する一括ゼンディングを可
能ならしめる。この量産的・ビンディング手法（ＴＡＢ
の例における）は、特に車−チップＩＣ装置の実装にお
いて、商業的に採用可能であることが認められている。

しかし、この技術を混成類小形回路に適用することは更
に困難な問題であることが認められている。即ち、上述
から解るように、かかる混成回路（例えば、イメージバ
ーに対するトランスジユーザまたはドライバモジュール
）においては、装動の型、大きさ、厚さ並びに相Ｉｉ、
接枕用金属化の・ぐターン及び配置が種々に異なってい
る。

最近、ボラック（Ｐｏ１ｌａｃｋ　）、ケラ−マン（に
ｅｌｌｅｒｍａｎ　）及びネーゼル（にｎｅｅｚｅｌ　
）にかかる「高密度箱、気回路及びこれに対する相互接
続部の形成方法Ｊ　（Ｍｅｔｈｏｃｌ　ｏｆ　Ｆｏｒｍ
ｌｎｑ　ａ　ＨｌｑｈＤｅｎｓｉｔｙ　Ｅｌｅｃｔｒｌ
ｃａｌ　Ｃ１ｒｃｕｌｔ　ａｎｄ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎ
ｅｃｔｓＴｈｅｒｅｔｏ　）なる発明の名称の係属中の
米国特許出願において新型のバンプ形可撓プリント配線
が提案されており、その内容を、５８　曲として本明細
ｎにおいて説明する。この米国特許出願においては、隆
起マツシュルーム形バンプの二次元アレイが、至近間隔
配置したリード線に対する接点を提供する（絶縁１−を
介して）。上記バンプ形のリード覗は次のようにして作
られる。即ち、先ず、線描写のホトレゾストノやターン
を用いて、γｆｔ、気めっきまたは電鋳によってリード
線の・ぐターンを作る。次圧、この導電体の上に薄い絶
縁性の感光性膜を被覆する。その後、リード線巾バイア
スの二次元アレイを上記感光性膜内に形成し、該バイア
スを、その下に横たわっている導電体を露出させるよう
に整合させる。上記バイアスは、相隣るバイアス間の間
隔がその下に（黄たわっている回路内の相隣る導電体間
の間隔よりも大きくなるように、所定のマトリックスア
レイとして互いに間隔配置される。次に、導電性材料を
上記バイアスを通して上記感光性膜上に′ｍ気めっきし
、比較的大形のマツシュルーム形接点バンプを形成する
。強度を強めるためには１．ｋｎ己バンプをエポキシの
ｆ−で被（麓し、碩化後、この層を研削して平坦なビン
ディングパッドの二次元アレイを露出させる。

本発明は、上述したボラック等の相互接続手法を（に拡
張し、ｒｉＪ婦回路の両端部に隆起接点のマツシュルー
ム領域を有する高密度バンプ形ジャン・ｆケーブルを提
供、することを目的とするものであり、この本発明のケ
ーブルは、相隣る基板上の回路間の相互接続を行なうだ
めの一括ボンディングを可能ならしめるものである。

本発明はまた、相隣る基板上の′醒気回路を相互接続す
る方法を提供するものである。この本発明の方法におい
ては、先ず、接げすべき各基板の面に所定］やターンの
ビンディング・そラドを形成する。

その鏝、各端部にバンプ相互接続＋ｘｌ（のフィールド
・卆ターンを有する可撓ジャン・９ケーブルを形ＤＫｆ
る。上記バンプ相互接続部のフィールド・ぐターンは丘
記基板上のポンプイングツやラドの−やターンに対応し
ている。＋、！ＩＩち、上記ジャン・２ケーブル上のマ
ツシュルームフィールドパターン＆Ｊ：、　、Ｓ続ｔ　
べき基板上のビンディング・母ツド（「センディング足
跡」）のパターンの鏡像である。仄いで、上記のそれぞ
れ対応するパターンのバンプ相柘従続８１（をＥ記基板
上のゼンデイングノヤツドに学舎させて一１舌デンディ
ングする。好ましくは、このビンディング段階は、再流
れ半田付け、；％　！Ｅ　ｔ、１・ぜンディング、また
は裏当て板によって加えられる締付は圧力（リード線及
びこれと相溶性のバンプ相斤接続部の冶金学的接合を生
じきせる）による。本発明方法の他のＤ１１打でにおい
ては、ゼンフ”インクの段階を、半田啄−ストまたは・
Ａ　’＋［性工ｒキシのような導電性接合剤の使用によ
って行なう。

以斗、本発明を図面を参照して詳細に説明する。

相隣る基板上の′−程気気回路相互接続するための本発
明にかかる方法を第１図に示す。個別の導電体またはリ
ード線１２が、可撓ジャン・母ケーブル１０上の１逢起
バンプ形相互接続部１４の対の間に延びている。バンプ
形相互接続部１４は上記ジャンパケーブルの下面から外
方へ延びており、相隣る基板］６及び１７上の一？ンデ
イング、？ツド１８及び１９のパターンにそれぞれ対応
する二次元面積プレイまたはフィールド・やターンを形
成している。ジャンパケーブル１０のための回部支持体
は、基板１６及び１７の相互間の歪みを逃す作用のある
もの（例えば、熱１彫張の差を考慮に入れたもの）であ
ることが望ましい。しかし、要すれは、上記ケーブルの
端部を、例えば、そのテープのバンプなし側に堅い材料
をデンディングするというような方法により、堅くして
もよい。イ１，１ン１から解るように、上記ケーブルの
長さは、ピンディング部位ａ　ＩＩ　間の距離、即ち、
アビンディング・母ツドの・平ターン２２及び３２の相
互間の小ｒＪ＃によって決められる。相反接続部Ｊ４の
フィールドパターンの形状も同様に、結合すべき基板上
の＋Ｉ？ンデイング部位の形状に応じて定寸る。

前述したように、本明細書において説明する接続方法は
、超小形電子工学的相互接続の分野の多数の方面に対す
る広い用途を有す。即ち、鏝で詳述するように、本発明
に従うポンディングに適当する基板としては、マツシュ
ルームバンプ形基１反、厚膜混成回路、薄膜混成回路、
及び個別ＩＣチップがある。基板に共通する装作として
、ジャン・９ケーブル上に隆起しているマツシュルーム
バンプ形相互接続部のフィールド・やターンｅこ反映さ
れるｉ４ツドのビンディング足跡のあることが必要であ
る。、上記ジャン・平ケーブル上の相互接続部は隆起し
たバンプであるから、基板１６及び１７上にはバンプ捷
たは１雀起頃域のある必惨はない。各＋１？ンデイング
パツド１８及び工９は、ケーブル上の対応のマツシュル
ーム形相互接続部とほぼ同じ大きさであるべきである。

特に、小形の）げンディングノ臂ツドに対して、相反接
続部１４の一つによって短絡される可能性のある＃１ど
に接近した裸かの導電体があってはいけない。かかる導
電体を近づけなければ々らない、鴨合には、勿論のこと
として、該導電体を絶＠層で被覆することが必要である
。

また、基板Ｊ６及び１７上の回路の・やターン解像度は
、ゼンディンダノ９ツド１８及び１９．ＩＱびにパッド
自体に対するリード・線のパターン形成を可能ならしめ
るのに充分なものであることが囁ましい。

第２図は、本発明にかかる央１！１１例ジャンノやケー
ブルの端部を詳細に示すものである。図示の構造は、好
ましくは、前掲のボラック等の米国ｔｐ＋許出願に開示
されている方法で作られる。この方法を用いて、導゛屯
リード１腺２２のパターンを、例えば電気めつきまだは
電鋳により、１丁撓支持体２０上に形成する＠次いで、
導電リード！２２を、例えばポリイミドのような絶縁物
の薄嘆層２６で被覆する。上述した工程によシ、個別・
、４重り一ト°線を担持する可撓基板が作られる。第２
図に示すリード線の本数及び形状（Ｊ１第１１）１の可
撓ジャン・！ケルゾル１０の・端部並びにこれに付属す
るリード％ｊｆｉ】２及び相互接続部Ｊ４を詳・１川に
示す部合計、１１１１単化しである。第１図についで説
明したように、この可撓ジャン・ぐケーブルの形状は、
吠る特定の相互接続法についての必要性に応じて７Ａ、
：　ｃ　ｒ７ｒ能である。レジストパターン電気めっき
または電鋳を用いてジャンパケーブルを作れＱ」：、使
用し得る形状における広い寛容度が可能となる。

再び第２図について説明すると、緩数の油路２８を絶縁
物層２６を］通して形成し、４市リード＠２２を選択的
に罐出はせる。この」＝１ｖは、絶縁物／１ｉＮ２６が
、好ましくはそうであるように、感光性材料から成って
いる場合にｅ」、′ｑ真蝕刻によって極めて迅速に行な
われる。この形成芒れたバイア　ス（７）　／等ターン
は、最後にノヤンバヶーフ／ｌ／　ト一括がンディング
ネれるべきＪ、ｊ二４反、Ｈの・やラドのデンディング
足跡に対応する。例えは、ｆｆ”　１１−２１に卦いて
、この対応はゼンデイングノぞラド１８または】９との
対応である。しかし、通路２８は、相隣る通路間の間隔
がその下に横たわるリード線２２の間隔よりも大きくな
るように、二次元マトリックスアレイにおいて乱いに間
隔をおく。

次いで、このパターン形成済み基板をめっき浴に浸漬す
る。そこで、各通路を通して絶縁物層２６上に行なわれ
る電気めっきによυ、隆起したマツシュルーム形バンプ
相互接続部２３が形成される。以上から解るように、こ
のようにして形ｆｊ’２されたバンプ相互接続部は、接
触面積及び相互間隔の両方について導゛市リード線２２
よりも大きい相互接続点を提供する。隆起バンプ相互接
続部２３相互間の電気的旧縁を保持し、及びこの構造体
に全体的々機械的一体性を与えるために、絶縁物の閉じ
込め層２５を被着する。前掲のボラック等の米国特許出
願において説明されているように、この絶縁物層は、好
ましくは、例えば液体二ｄ？キシのような高分子材料か
ら成っており、これは、厚い順応性被覆として被着させ
ることができ、且つその場で硬化させることができる。

第２図に示すように、相互梯続バンプが突出するように
彰バンプを、）：　Ｎｔ、’被覆で部分的に被覆するの
が府に有利である。この工程の後、プラズマエラチング
ラ行なって余分のエフ］？キシを除去する。′＾発すれ
は、追加の導電性材料、例えば金を一ヒ記んに出したバ
ンプ相互接続部２３に被着する。この段階で、ジャンパ
ケーブルが完成し、別々の基板上の１「！ｊ路の相Ｌｉ
Ｊ妾続に用することのできる吠帽となる。

前述したように、マツシュルームバンプ型ジャン・ぞケ
ーブルの特に有利な使用は、イメージバーの構成におけ
るドライバ及び１倫耶先子工学長１ηに対するトランス
ジューサの高密度相ｑ接続においてである。マトリック
スアドレス指定によって相互接続密度を減少させること
ので＠ない型のイメージバーに対しては、トランスジユ
ーザリード線を、２５．４朋（１インチ）当り３００な
いし５００の密度で、付属の市子工学湊ｔｌｆ　ＶＣＣ
晴晴なければならない。電子王学湊鮪を１・＜Ｙりの基
板上に取付け、そして、例えＩｄ　８　？１格子のマッ
ンユルームを具備するジャン・母ケーブルを用いて接点
密度を２５．４ｗ当、９４００から２５．４ｒＲｍ当り
５゜へ減少させることにより、相反接続を遂行し巨っト
ランスジューサ基板中を約５．０ａ冒ｍ（約０．２イン
チ）増大させることができる。

前述したように、マトリックスアドレス指定可能の混成
イメージバーに対しては、複数群のトランスジューサを
接続し合わさなければならない。

相互絶縁のやり易さの点から考えると、トランスジュー
サ及びリード線を作るのに用いるのと同じ高解像度方法
を用いてこれと同数の相互接続を行なうのが好ましい。

この手法に従えば、２５．４圏当り約５０ないし１ｏｏ
の基板対基板の接続を行なうだけで済む。このような手
法を第３ａ図及び第５ｂ図に線図的に示す。第３ａ図に
おいて、トランスジューサモジュール３ｏけ、千鳥形列
のビンディングパッド３４に相互接続されたトランスジ
ューサ３２を有す。個別モジュール３ｏは堅く固定し合
わされてイメージバーを形成する。１配モジュールをマ
トリックスアドレス指定すルタめの、及び付属の電子工
学装偵ｉ１　ＹＪｅ−ド（図示せず）に接続するための
相互接続を行なうために、第５ｂ図に示すよりなノ４タ
ーンの隆起バンプ相互接続部を具備するジャンパクープ
ルを備備する。この図は、バンプ相互接続部のフィール
ド・ぞターンを上から見た図、即ちジャン・ぐケーブル
構造体を通して見下ろした図である。第３ａＭのモグイ
クン昆す父イメージバーに一括ｒｆンデ”インクすると
、各モジュール３０上の第１の（即ち最左の）トランス
ジューサ３２は他のモジュールの各々上の第１のトラン
スジューサと直列接続きれる。このようにして、第３ｂ
図におけるノ９ツド３１　ａ又、３１ｂ、３１ｃ及び３
　］　ｄ並びにこれらの間の伺九のリードＩ腺から成る
回路によってトランスジユーザ３２ａ５３２ｂ、３２ｃ
及び３２ｄのそれぞれの１ビンデイングパツドを一括ゼ
ンディングし台ゎずと、これらトランスジューサは重列
接続さノする。次いで、この回路を、ドライバ電子工学
装置１″１゛ツ？−ドへの接続のために大形のボンディ
ング・？ラド３３に接続する。このマトリックスアドレ
ス指定手法を完成するために、第３ａ図における残りの
トランスジューサを第３ｂ図に示すノ９ターンのノ９ツ
ドによって同様にＭＭＮし合わす。即ち、このようにし
てマツシュルーム型フィールドジャンノ母ケーブルヲ用
いることにより、トランスジューサ基板上の電極（叩チ
センデイング・ぐラド３４）を一括？ンデイングするた
めの手段、及び、隣υの’ｒｌｉ子工′−１！装置デー
トに接続するだめの遥かに低密度のゼンデイングバン７
°３３を提供するための手段が提隼される。

イメージバーに対する適用のほかに、本明細書に記載す
る接続方法はまた、超小形電、子工学業界の他の高密度
相互接続の要求に対しても同様に好適する。−例をあげ
ると、相隣る２つのＩＣチップを接続することが必要で
ある混成回路において、マツシュルーム型フィールドジ
ャンｉ４　ケ−７’ルを用いて、第４ａ図及び１４４ｂ
図に示すような２つのチップの周辺ボンディングを行な
うことができる。即ち、第４ａ図は相隣るチップ４０及
び４２を示すものであり、その各々は周辺ボンディング
、ｆラド４１及び４３をそれぞれ有しでいる。第４ｂ［
ａはチップ４０及び４２を接続するだめのノヤンパケー
ブルを示すものである。）くンプ相互接続部４４０ノｌ
ターンはチップの・Ｐラド４１及び４３に対する接点を
提供する。

付属の装置へ入るリード線及びこれから出るリード線、
並びに共通電源及び接電入力端子の装備は第２の・母タ
ーンのバンプ相互接続部４６を介してなされる。−例を
あげると、シフトレジスタ及びラッチチップを、第４　
ａ　Ｄ化及びｇ４ｂ図に示す手法を用いて便利に接続す
ることができる。このような手法は、一括・！ンデイン
グ、及び、例えは従来のワイヤボンディングと比へして
場所の節約を有利に提供するもので娶る。

また、本発明の方法は第４ａ図及び第４ｂ図に示す周辺
ポンディング手法に限定されるものではなく、１Ｃチツ
プの格子アレイ接続にも同様に適用可能である。集積度
が高くなるにつれてより小さな面積により多くのリード
線が必要となるから、格子アレイ形の接点配置を用いる
ことが必要となる０このような構成はまた、リード線を
、大部分の従来のＩＣチップにおけるように周辺だけに
配置するということをせずに、リード線を必要とする場
所に近づけて配置することができるので、高速回路に対
しても有用である。周知のフリップチップ相互接続法は
、現在用いられている格子アレイ接続手法の一つの形式
である。しかし、このフリップチップ手法の一つの欠点
は、チップを突合わすのに必要である追加の処理工程の
ために装置の歩留りが低下する可能性があるということ
である。ＩＣ上に格子アレイのゼンデイングノクツドの
・卆ターンを形成し、及び鏡像のマツシュルームアレイ
のノ’？ターンを本発明のバンプ形テープ上に形成する
ことにより、上記格子アレイ形１Ｇチップをそのパッケ
ージのリード線に、寸たけ混成回路に接続することがで
きる。後者の場合においては、チップに接続するために
高密度格子アレイを用い、そして混成回路に接続するた
めにより低い密度のアレイを用いるという場合に、上記
ジャン・母ケーブルを１密度変換器」として用いること
がまた有用である。このｉ―様を第５図に線図的に示す
。図において、例えばバンプなしのＬＳＩまたはＶＬＳ
Ｉチップに接続されるバンプ相互接続部５０のフィール
ドパターンの密度は、６・０えは混成回路に接続するた
めのバンプ相互接続部５２のより低密度の・母ターンに
交換される。

当業者には解るように、以上においては本発明の方法及
び装置を、説明を明瞭ならしめるだめの例示的構成につ
いて説明した。当業者には明らかに解るように、多くの
代行、変形及び変更が可能である。例えば、成る肴定の
用途における相互接続の所安条件によっては、バンプ相
Ｔｉ接続部のフィールドパターンを、図に一般的に示し
たようにジャン・やケーブルの１司じイ１用に閂己７１
貨するということをせずに、ジャンパケーブルの相異な
る面に配設することが望ましい。従って、本発明は、！
持１１・：清求の範囲にｌＣ；載の如き本発明の１２＃
神及び１１・Ｉλ囲内にある全ての代替、変形及び変更
全包含するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のジャンパケーブル及びゼンデイング方
法を線図的に示す、ｆ＋視図、第２図は本発明のジャン
・やケーブルの細部を示す部分斜視図、第６ａ図はトラ
ンスジユーザのモジュールの例並びに付属のリード線及
びぜンデイング・ヤツドを線図的に示す平ｉｍ図、Ｈ＜
　３　ｂ図はｉ％３ａ図のモジュールヲ相ｆｆ−接ト光
するためのノヤン・やケーブル」二の隆起バンプのフィ
ールド・やターンを線図的に示す平面図、第４ａしｌは
周囲ピンｒイングツイツトを有する相隣る２つのＩＣチ
ップを線図的に示す平面図、第４ｂ図は第４ａ図のチッ
プを互いに及び付属の装置と相反接線するだめのマツシ
ュルームバンプ型ジャンノぞケーブルを線図的に示す平
面図、第５図は接点密度変換を行なうだめのマツシュル
ームバンク０型ケーブル手法を線図的に示す平面図であ
る。 １２・・・導電リード線、１４・・・隆起バンプ相互接
続部、】６．１７．２０・・・基板、２５・・・絶縁物
閉じ込め層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）相隣る基板上の笥１気回路を相互接続する方法に
   おいて、 （ａ）　　各基板の面上に所定パターンのビンディング
   パッドを形成する段階と、 （ｂ）　　ｉ部にバング相互接続部のフィールドパター
   ンを有するノヤンパケープルを形成する段階とを有し、
   上記フィールドパターンは上記基板上のポンプイングツ
   マッドのノ＋ターンに対応しておυ、更に。 （ｃ）　　上記ジャンパケーブルの各端部上のバンプ相
   互接続部を上記基板上のそれぞれ対応するｙｊｒンデイ
   ングパツドに一括ボンデイングする段階を有する相互接
   続方法。 （２）　　バング相互接続部を形成する段階が、上記相
   互接続部を低融点合金で形成することを含んでおり、 上記相互接続部をボンデイングノゼツドにビンディング
   する段階が、再流れ半田付けから々つでいる特許請求の
   範囲第１項記載の相互接続方法。 （３）　　バング相互接続部を形成する段階が、上記相
   互接続部に金の外部被覆を形成することを含んでおり、 上記相互接続部をピンｒイングツ！ツドにビンディング
   する段階が、熱圧着ボンディングからなっている特許請
   求の範囲第１項′記載の相互接続方法。 （４）　　ノヤンパケーブルを形成する段階が、バンプ
   相互接続部に電気接点金属外部破榎を形成することを含
   んでおり、 上記相互接続部をビンディング・！ラドにボンディング
   する段階が、上記ジャンパケーブルを基板に圧力締付け
   することからなっている特許請求の範囲第１項記載の相
   互接続方法。 （５）ビンディングの段階が、相互接続部をビンディン
   グ・！ラドに導電５性接合剤をもって接続することから
   なっている特許請求の範囲第１項記載の相互接続方法。 （６）　　導電性接着剤が、４醜性エポキシからなって
   いる特許請求の範囲第５項記載の相互接続方法（７）　
   （ａ）　　互いに反対の端部を有し、且つ上記端部相互
   間に延びる複数の導電リード線を含む可撓基板と。 （ｂ）　　上記基板の端部に隣接する該基板の面部分上
   にある複数の隆起パンツ相互接続部とを備えて成り、上
   記相互接続部は上記導電リード線に対する選択的な電気
   的接続を提供することｆ特徴とする電気回路を相互接続
   するためのジャンノゼケーブル。 （８）　　パンダ相互接続部が、二次元面積アレイを形
   成している特許請求の範囲第７項記載のソヤンノ９ケー
   ブル。 （９）基体の一端部におけるパンダ相互接続部の面積ア
   レイが、反対端部における相互接続部の面積アレイと異
   っている特許請求の範囲第８項記載のジ、ヤンパケーブ
   ルウ ００　　更に、可撓基板の各端部において、・９ング相
   互接続部の面積アレイを堅く支持するだめの手段を含ん
   でいる特＃’Ｈ青求のｆ１９．間第９頂記ｆ＋Ｎｉのソ
   ヤンノ９ケーブル。 旧）　隆起パンダ相互接続部が、基板の同一面の諸部分
   上に配置されている特許請求の範囲第７項、第８項、第
   ９項またはｆｆｆ１０項記載のジャン／’ケーブル。 （１２１隆起パンダ相互接続部が、基板の相異る面の部
   分十に配ｇｔされている特許請求の範囲第７項、第８項
   、第９項または第１０項記載のジャン／４’ケーブル。