JPS5943837A - 高飽和磁束密度非晶質合金 - Google Patents
高飽和磁束密度非晶質合金Info
- Publication number
- JPS5943837A JPS5943837A JP57153897A JP15389782A JPS5943837A JP S5943837 A JPS5943837 A JP S5943837A JP 57153897 A JP57153897 A JP 57153897A JP 15389782 A JP15389782 A JP 15389782A JP S5943837 A JPS5943837 A JP S5943837A
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- JP
- Japan
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- flux density
- magnetic flux
- saturation magnetic
- amorphous
- amorphous alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気コア材料に係り、特に高？？１度磁気記録
の磁気ヘッド材料に好適な高飽和磁束密度非晶質合金に
関する。
の磁気ヘッド材料に好適な高飽和磁束密度非晶質合金に
関する。
非晶質磁性合金の優れた軟磁気特性を利用して、磁歪が
ほぼ零の合金系は磁気ヘッド、あるいはトランス等の磁
気コアとしての応用が試みられている。しかし、これら
磁気コア材の最適材料として従来報告されているＣｏ−
Ｆｅ−８ｉ−Ｂ系、あるいはＣｏ−Ｎ−Ｚｒ系（Ｎ＝Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ。
ほぼ零の合金系は磁気ヘッド、あるいはトランス等の磁
気コアとしての応用が試みられている。しかし、これら
磁気コア材の最適材料として従来報告されているＣｏ−
Ｆｅ−８ｉ−Ｂ系、あるいはＣｏ−Ｎ−Ｚｒ系（Ｎ＝Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ。
■）非晶質合金は飽和磁束密度がセンダストより高い１
０ｋＧ以上になると結晶化温度が４００Ｃ以下になｐ熱
安定性が悪くなったり、非晶質作製が困難になる等の問
題があった。
０ｋＧ以上になると結晶化温度が４００Ｃ以下になｐ熱
安定性が悪くなったり、非晶質作製が困難になる等の問
題があった。
本発明の目的は飽和磁束密度がセンダストよりも大きく
、高い結晶化温度を有し、熱安定性に優れ、かつ磁歪が
極めて小さい高飽和磁束密度非晶質磁性合金を提供する
ことにある。
、高い結晶化温度を有し、熱安定性に優れ、かつ磁歪が
極めて小さい高飽和磁束密度非晶質磁性合金を提供する
ことにある。
上記目的を達成するための本発明の一つの＋Ｊｔｔ成は
、組成式がＣｏａＴｂＭｃＮｄで示され、ＩｌｌがＹ。
、組成式がＣｏａＴｂＭｃＮｄで示され、ＩｌｌがＹ。
Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、及び、Ｗからなる元素群゛から選ば
れた少なくとも１ ｆｉｆｉの元素、ＭがＮｂ、及び、
Ｂからなる元素群から選ばれる一種の元素、ＮがＦ ｅ
＋ Ｎｉ＋ Ｍ ｎ ＋ Ｃｒ ＋ Ｍ ｏ ＨＷ ＋
Ｖ ＋ Ｒ’ ＨＲｈ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、ｓｂ、Ｂ
ｉ、Ｂｅ。
れた少なくとも１ ｆｉｆｉの元素、ＭがＮｂ、及び、
Ｂからなる元素群から選ばれる一種の元素、ＮがＦ ｅ
＋ Ｎｉ＋ Ｍ ｎ ＋ Ｃｒ ＋ Ｍ ｏ ＨＷ ＋
Ｖ ＋ Ｒ’ ＨＲｈ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、ｓｂ、Ｂ
ｉ、Ｂｅ。
Ｓｅ、及び、Ｓｉからなる元素群のうらから選ばれた少
なくとも一種の元素からなシ、上記ａｌ ｂ。
なくとも一種の元素からなシ、上記ａｌ ｂ。
Ｃ９及び、ｄの原子数パーセントが、
８１≦ａ≦９５．５≦ｂ≦１５゜
０．５≦Ｃ≦１２．０≦ｄ（５の範囲で表わされ、且つ
、ａ＋ｂ十〇＋ｄ−１００の非晶質合金を呈する。
、ａ＋ｂ十〇＋ｄ−１００の非晶質合金を呈する。
以下、本発明に至った経過を混えて、本発明の詳細な説
明する。
明する。
本発明者等は金属−金属系非晶質合金で高い結晶化温度
が得られ、しかも低い磁歪の値がＣＯ基合金で得られる
ことに着目し、組成がＣｏに富む側で共晶点を形成する
元素群を組み合わせた三元系以上の合金系で、これ壕で
の問題を解決した商い飽和磁束密度を有した磁歪の小さ
い磁気コア材料を得ることを考案し完成した。
が得られ、しかも低い磁歪の値がＣＯ基合金で得られる
ことに着目し、組成がＣｏに富む側で共晶点を形成する
元素群を組み合わせた三元系以上の合金系で、これ壕で
の問題を解決した商い飽和磁束密度を有した磁歪の小さ
い磁気コア材料を得ることを考案し完成した。
近年磁気記録では高保磁力のメタルテープ・蒸着テープ
あるいはＣｏ−Ｃｒ垂直膜の出現によシ、従来材のセン
ダストの特性を凌駕する磁歪零の高飽和磁束密度・高透
磁率材の開発が強く望まれている。本発明者等は、ＣＯ
に富んだ組成でＣＯと共晶点を形成するＺｒ、Ｔｉ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｙ。
あるいはＣｏ−Ｃｒ垂直膜の出現によシ、従来材のセン
ダストの特性を凌駕する磁歪零の高飽和磁束密度・高透
磁率材の開発が強く望まれている。本発明者等は、ＣＯ
に富んだ組成でＣＯと共晶点を形成するＺｒ、Ｔｉ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｙ。
Ｗ、Ｎｂ、１％ｕ、８ｎ、Ｂ ｉ、３ｂ、ＭＯ，Ｉｎ。
、１３ｅ、ｓｅ、Ｂ、Ｓ を等の元素？：２棟以上組み
合わせた三元系以上の合金組成では二元系よりも非晶質
化が容易になり、また二元系で得られる飽和磁束密度の
限界値を越えた磁歪の小さい高飽和磁束密度非晶質合金
が得られることを見い出した。
合わせた三元系以上の合金組成では二元系よりも非晶質
化が容易になり、また二元系で得られる飽和磁束密度の
限界値を越えた磁歪の小さい高飽和磁束密度非晶質合金
が得られることを見い出した。
例えばＣｏ−Ｔｉ２元系ではスパッタ法で非晶質化可能
なＴｉ量は約１４原子パーセントであるのに対して、Ｔ
ｉをＢあるいはＺｒで置換するとＩｌｌ ｉ 嗣９原子
パーセントでも通常のロールを用いた超烏冷法で容易に
非晶質化出来、飽和磁束密度もＢｔあるいはＺｒｉの増
加とともに単調に増加する。
なＴｉ量は約１４原子パーセントであるのに対して、Ｔ
ｉをＢあるいはＺｒで置換するとＩｌｌ ｉ 嗣９原子
パーセントでも通常のロールを用いた超烏冷法で容易に
非晶質化出来、飽和磁束密度もＢｔあるいはＺｒｉの増
加とともに単調に増加する。
またＣ ０８１’ｌ Ｎ ｂｌｏ ｘ、非晶質合金（Ｘ
＝Ｔａ。
＝Ｔａ。
Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｙ、Ｂ、Ｎｉ ）における添
加元素Ｘによる飽和磁束密度の変化を調べると第１図に
示した飽和磁束密度特性が得られ、元系Ｔ ａ＜Ｔ ｉ
＜Ｈｆ ＜ｚ ｒ＜ｓ ｉ＜Ｙ＜Ｎ ｉ＜Ｂの１１１に
飽和磁束密度が高いことがわかる。さらにｃ ｏＡ、
ｚ ｒ、ｎ Ｒ３非晶質合金（Ｒ＝Ｔａ、Ｔｉ。
加元素Ｘによる飽和磁束密度の変化を調べると第１図に
示した飽和磁束密度特性が得られ、元系Ｔ ａ＜Ｔ ｉ
＜Ｈｆ ＜ｚ ｒ＜ｓ ｉ＜Ｙ＜Ｎ ｉ＜Ｂの１１１に
飽和磁束密度が高いことがわかる。さらにｃ ｏＡ、
ｚ ｒ、ｎ Ｒ３非晶質合金（Ｒ＝Ｔａ、Ｔｉ。
Ｎｂ、Ｓ ｉ、ｙ、ＡｔＩ Ｂ）の添加元素Ｒによる飽
和磁束密度の変化を調べるとＴａ＜Ｎａ＜Ｔｉ＜Ｓ ｉ
＜Ａｔ＜Ｙ＜Ｂの順に飽和磁束密度が高いことから、
前記第１図の結果と合わせて、ガラス化元素ではＴａ＜
Ｎｂ＜Ｔｉ＜Ｈｆ＜Ｚｒ＜Ｓｉ＜Ａｔ＜Ｙ＜Ｈの順に飽
和磁束密度を高めることが分った。それゆえＣＯとの二
元系で十Ｍ＋＋ガラス化元素の順序の左側の元素を右側
の元素で置きかえることによりさらに高飽和磁、束密度
がａられることを見い出した。また前述したように絹ｈ
Ｖ式Ｎ項のＦ ｅ ＋ Ｍ ｎ ＋ Ｎ ｔ Ｔ Ｃｒ
＋ Ｍ Ｏ＋ Ｖ Ｔ Ｒｕ＋Ｒｈ、１３ｅを添加す
ることにより磁歪を零に調整し、耐食性、耐摩耗性、結
晶化温度等の１１ｊ口二をｔユかることが出来る。
和磁束密度の変化を調べるとＴａ＜Ｎａ＜Ｔｉ＜Ｓ ｉ
＜Ａｔ＜Ｙ＜Ｂの順に飽和磁束密度が高いことから、
前記第１図の結果と合わせて、ガラス化元素ではＴａ＜
Ｎｂ＜Ｔｉ＜Ｈｆ＜Ｚｒ＜Ｓｉ＜Ａｔ＜Ｙ＜Ｈの順に飽
和磁束密度を高めることが分った。それゆえＣＯとの二
元系で十Ｍ＋＋ガラス化元素の順序の左側の元素を右側
の元素で置きかえることによりさらに高飽和磁、束密度
がａられることを見い出した。また前述したように絹ｈ
Ｖ式Ｎ項のＦ ｅ ＋ Ｍ ｎ ＋ Ｎ ｔ Ｔ Ｃｒ
＋ Ｍ Ｏ＋ Ｖ Ｔ Ｒｕ＋Ｒｈ、１３ｅを添加す
ることにより磁歪を零に調整し、耐食性、耐摩耗性、結
晶化温度等の１１ｊ口二をｔユかることが出来る。
ここで飽和磁束密度’ｚｌｏｋＧ以」ニにするにｄＣＯ
量を８１原子パ一セント以上にする必要があｌ）、Ｃｏ
量が９５原子パーセントを赫えると、スパッタ法、ロー
ル法等の超急冷で非晶質化が困難になるのでＣｏ量はそ
れ以下にすることが望ましい。また前記組成式Ｔ項のガ
ラス化元素のＹ。
量を８１原子パ一セント以上にする必要があｌ）、Ｃｏ
量が９５原子パーセントを赫えると、スパッタ法、ロー
ル法等の超急冷で非晶質化が困難になるのでＣｏ量はそ
れ以下にすることが望ましい。また前記組成式Ｔ項のガ
ラス化元素のＹ。
Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ等の量は非晶質化可能な最少成葉
として５原子パ一セント以上にする必要があシ、１５原
子パーセントを越える量を含むと飽和磁束密度が著しく
低下するのでそれ以下にすることが望ましい。組成式Ｍ
項におけるＢ量は少量添刀■で非晶質化を著しく促進さ
−ぎるが、余り多く添加すると結晶化温度が著しく低下
し、熱安定性が悪くなる。また、Ｎ ’） 尾も多く含
むと飽和磁束密度が１０ｋＧ以下になってしまうので、
上記Ｂ。
として５原子パ一セント以上にする必要があシ、１５原
子パーセントを越える量を含むと飽和磁束密度が著しく
低下するのでそれ以下にすることが望ましい。組成式Ｍ
項におけるＢ量は少量添刀■で非晶質化を著しく促進さ
−ぎるが、余り多く添加すると結晶化温度が著しく低下
し、熱安定性が悪くなる。また、Ｎ ’） 尾も多く含
むと飽和磁束密度が１０ｋＧ以下になってしまうので、
上記Ｂ。
Ｎｂ［は０．５以上１２原子パーセントを越えない鰯に
するのが好ましい。組成式Ｎ項に示した他の添〃口元素
＆ｉ磁歪零の調整、耐食性、 ｉ＋ｉｔ摩耗性を向上す
るのに必要であるが５原子バ一セ／ト以上添加すると磁
歪が±５Ｘ１０”’以上と大きくなるため５原子パ一セ
ント未満にする必要がある。
するのが好ましい。組成式Ｎ項に示した他の添〃口元素
＆ｉ磁歪零の調整、耐食性、 ｉ＋ｉｔ摩耗性を向上す
るのに必要であるが５原子バ一セ／ト以上添加すると磁
歪が±５Ｘ１０”’以上と大きくなるため５原子パ一セ
ント未満にする必要がある。
これら本発明の構成に示した組成式の非晶質合金はすべ
てキュリ一温度が結晶化温度よりも高いが回転磁場中に
しける熱処理により、約５倍以上の初期透磁率の向上ケ
はかることに成功した。このようにして得られたｔ４’
ｒＪ記非晶質ば金は高温加湿の耐食試験でもほとんど腐
食せずセンダスト以上の高耐食性を示し、摩耗もセンダ
ストと同等以上の高耐摩耗性を示す。ま７λ結結晶化度
もすべて４００Ｃ以上と高く、旨い熱安冗性を示すこと
から、高保磁力テープ用の磁気ヘッド材料に適している
。以下実施例を用いて詳述する。
てキュリ一温度が結晶化温度よりも高いが回転磁場中に
しける熱処理により、約５倍以上の初期透磁率の向上ケ
はかることに成功した。このようにして得られたｔ４’
ｒＪ記非晶質ば金は高温加湿の耐食試験でもほとんど腐
食せずセンダスト以上の高耐食性を示し、摩耗もセンダ
ストと同等以上の高耐摩耗性を示す。ま７λ結結晶化度
もすべて４００Ｃ以上と高く、旨い熱安冗性を示すこと
から、高保磁力テープ用の磁気ヘッド材料に適している
。以下実施例を用いて詳述する。
実施例Ｉ
Ｃ０ｓｓ 〜ａｏＴＭ＋ｏ 〜＋ｙ （ＴＭ＝Ｎｂ、
Ｙ、Ｓｉ。
Ｙ、Ｓｉ。
Ｚｒ、Ｔｉｔ ’ｌ’ａ、 Ｂ、Ｈｆ、Ｗ、Ｎｉ、Ｏｅ
。
。
Ｍｎ、Ｆｅ）合金を溶製し、この溶湯を人気中あるいは
真空中で内径３０ｃｍの銅製あ冬いれ１鉄製ロールを用
いた単ロール法で超急冷し幅１〜１０ｍｍ。
真空中で内径３０ｃｍの銅製あ冬いれ１鉄製ロールを用
いた単ロール法で超急冷し幅１〜１０ｍｍ。
厚さ１０〜２５μｍのリボン状非晶質台金を作製した。
第１表にこうして得た代表的な非晶仙１合金の飽和磁束
密度と結晶化篇度を示す。ここで得た非晶質合金の磁歪
の値はすべて一２Ｘ１ｎ”’〜＋２Ｘ１０”の範囲内の
小さな値を示した。
密度と結晶化篇度を示す。ここで得た非晶質合金の磁歪
の値はすべて一２Ｘ１ｎ”’〜＋２Ｘ１０”の範囲内の
小さな値を示した。
第１表
実施例２
ｃＯＡ６１’Ｊｂｌｏｙ４ 、 Ｃ０ａａＴｉｌＯＺｒ
４ 。
４ 。
Ｃｏ、、Ｎｂ、Ｈ，、、Ｃｏ８３Ｔｉ、１Ｂ、 非晶
質合金（幅１０ｍｍ、厚さ１２〜２０μｍ）を銅製ロー
ルを用いた片ロール法でｓ １０−２ｍｍＨｇ以下の
真空中で作製した。作製した非晶質合金リボンから径６
陥の円板を機械的に打ち抜き、この円板試料を直流磁場
中で磁場方向と円板面が平行になるように配置して回転
させるがら４００ｒで熱処理した。
質合金（幅１０ｍｍ、厚さ１２〜２０μｍ）を銅製ロー
ルを用いた片ロール法でｓ １０−２ｍｍＨｇ以下の
真空中で作製した。作製した非晶質合金リボンから径６
陥の円板を機械的に打ち抜き、この円板試料を直流磁場
中で磁場方向と円板面が平行になるように配置して回転
させるがら４００ｒで熱処理した。
この回転磁場中熱処理での外部磁場、試別回転数および
昇温冷却速度ならびに焼鈍時間はそれぞれ１０ ｋＧ、
７２０ｒｐｍ、２０Ｃ／−，２０分と一定した。熱処理
後、円板から内径３ｍｍ、外径５面のリングを打ち抜き
、透磁率、保磁力等の磁気特性を測定した。その結果、
上記非晶質合金の熱処理後の初期透磁率μ１（ｌｋｌ（
ｚ）は７０００以上５保磁力は２０ｍ０ｅ以下の軟磁気
特性を得た。
昇温冷却速度ならびに焼鈍時間はそれぞれ１０ ｋＧ、
７２０ｒｐｍ、２０Ｃ／−，２０分と一定した。熱処理
後、円板から内径３ｍｍ、外径５面のリングを打ち抜き
、透磁率、保磁力等の磁気特性を測定した。その結果、
上記非晶質合金の熱処理後の初期透磁率μ１（ｌｋｌ（
ｚ）は７０００以上５保磁力は２０ｍ０ｅ以下の軟磁気
特性を得た。
以上詳述したことから明らかなように、本発明の非晶質
合金は高い結晶化温度と高飽和磁束密度で優れた軟磁気
特性を示すことがら、高保磁カテ−プに対応する磁気ヘ
ッド材料として特に最適であることがわかった。なお本
発明の非晶質合金はスペッタ法、蒸着法でも同様に作製
でき同じ効果が得られた。周知の製法を用いればよいの
で、詳ａ説明は省略する。
合金は高い結晶化温度と高飽和磁束密度で優れた軟磁気
特性を示すことがら、高保磁カテ−プに対応する磁気ヘ
ッド材料として特に最適であることがわかった。なお本
発明の非晶質合金はスペッタ法、蒸着法でも同様に作製
でき同じ効果が得られた。周知の製法を用いればよいの
で、詳ａ説明は省略する。
以上詳述した様に、本発明はＣｏを基調とし、Ｙ＋ Ｔ
’ ＋ Ｈｆ＊ ｑ＋ａｔ及びＷなる元素群の中から少
なくとも一種、又は二種を配して非晶質合金を構成する
ので、飽４１１（ａ束密度の高い、且つ、熱安定性の優
れ、磁歪の小さい磁気ヘッド等が得られる点、工業的利
益大なるものである。
’ ＋ Ｈｆ＊ ｑ＋ａｔ及びＷなる元素群の中から少
なくとも一種、又は二種を配して非晶質合金を構成する
ので、飽４１１（ａ束密度の高い、且つ、熱安定性の優
れ、磁歪の小さい磁気ヘッド等が得られる点、工業的利
益大なるものである。
第１図は本発明を説明するための非晶質合金での添加元
素に対する飽和磁束密度の変化を示す特′ｆＪ １
図 丑 ｚｙＹ Ｂ Ｎ右 Ｓｉ Ｈ５及■頁の続き ０発 明 者 斉藤法利 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 藤原英夫 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 工藤實弘 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
素に対する飽和磁束密度の変化を示す特′ｆＪ １
図 丑 ｚｙＹ Ｂ Ｎ右 Ｓｉ Ｈ５及■頁の続き ０発 明 者 斉藤法利 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 藤原英夫 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 工藤實弘 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、組成式がＣｏａＴｂＭｃＮｄで示され、ＴがＹｌＴ
ｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗからなる元素群から選ばれた少なく
とも１種の元素、ＭがＮｂ、Ｈの元素群から選ばれた一
種の元素、ＮがＦｅ、Ｎｉ。 Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｎ。 Ｑｅ、 Ｓｎ、 Ｓｂ、 ）３ｉ、 、１３ｅ、 Ｓｅ
、 Ｓｉからなる元素群のうらから選ばれた少なくとも
一種の元素からなり、上記ａ、ｂ、ｃ、ｄは原子数ツバ
−セントを表わし、８１≦ａ≦９５，５≦ｂ≦１５．０
．５≦Ｃ≦１２．０≦ｄ（５でａ＋ ｂ ＋ ｃ ＋
ｄ ＝ １００を満足し、飽和磁束密度が１０ｋＧ以上
、磁歪が一５Ｘ１０−’〜＋５×１０′″６の優位的に
非晶質であることをも徴とする高飽和磁束密度非晶質合
金。 之 組成式がＣ０ａＴｆ′で示され、Ｔ′がＹ。 ｒｉ、 Ｈｒ、 Ｔａ、ｗからなる群のうらから選ばれ
た少なくとも２種以上の元素からなυ、８１≦ａ≦９５
，５≦ｆ≦１９で、ａ ＋ ｆ ＝１００を満足し、飽
和磁束密度が１０ｋＧ以上、磁歪が＋２Ｘ１０−’〜−
２Ｘ１０−’ の優位的に非晶質であることを特徴とす
る高飽和磁束密度非晶質合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153897A JPS5943837A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153897A JPS5943837A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943837A true JPS5943837A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=15572495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57153897A Pending JPS5943837A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943837A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136444A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-06 | Sony Corp | 非晶質磁性合金 |
| JPS59179749A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-12 | Toshiba Corp | 磁気ヘツド用非晶質合金 |
| JPS59179748A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-12 | Toshiba Corp | 磁気ヘツド用非晶質合金 |
| JPS60135546A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-18 | Seiko Epson Corp | 非晶質軟磁性合金 |
| JPS6164844A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Sony Corp | 軟磁性非晶質合金 |
| JPS6320429A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱安定性高磁束密度非晶質合金 |
| JPS6436740A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Kazuaki Fukamichi | Amorphous alloy and its production |
| JPH01242748A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Alps Electric Co Ltd | 耐熱性非晶質合金 |
| CN104451467A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-03-25 | 郑州大学 | 一种钴基块体非晶合金及其制备方法 |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP57153897A patent/JPS5943837A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2548769B2 (ja) * | 1988-03-23 | 1996-10-30 | アルプス電気株式会社 | 耐熱性非晶質合金 |
| CN104451467A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-03-25 | 郑州大学 | 一种钴基块体非晶合金及其制备方法 |
| CN104451467B (zh) * | 2014-12-15 | 2016-04-27 | 郑州大学 | 一种钴基块体非晶合金及其制备方法 |
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