JPS5943569A - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
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- JPS5943569A JPS5943569A JP57153967A JP15396782A JPS5943569A JP S5943569 A JPS5943569 A JP S5943569A JP 57153967 A JP57153967 A JP 57153967A JP 15396782 A JP15396782 A JP 15396782A JP S5943569 A JPS5943569 A JP S5943569A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、ファクシミリ送信装置、複写装置等の原稿読
取装置に用いられる密着形イメージセンサの構成に関す
る。
取装置に用いられる密着形イメージセンサの構成に関す
る。
（２）技術の背景
ファクシミリ送信装置、複写装置等の原稿読取装置には
、ＭＯＳ（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）を用いたＭＯＳ形のイメージセンサや、Ｃ
ＣＤ（ｃｂａｒｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）
を用いたＣＣＤ形のイメージセンサが多用されてきた。
、ＭＯＳ（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）を用いたＭＯＳ形のイメージセンサや、Ｃ
ＣＤ（ｃｂａｒｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）
を用いたＣＣＤ形のイメージセンサが多用されてきた。
しかし、これらのイメージセンサはいずれも読取原稿を
縮少するためのレンズ系を必要とするため、これらのイ
メージセンサを用いた原稿読取装置の小形化は自から限
度があり、実現不可能であった。
縮少するためのレンズ系を必要とするため、これらのイ
メージセンサを用いた原稿読取装置の小形化は自から限
度があり、実現不可能であった。
そこで、最近では、前記原稿読取装置の小形化を目的と
して、密着形イメージセンサの開発が進められており、
着々とその効果が実現されている。
して、密着形イメージセンサの開発が進められており、
着々とその効果が実現されている。
この密着形イメージセンサを用いた原稿読取装置におけ
る原稿読取は、主走査方向に配列されたＬＥＤ（発光ダ
イオード）等の光源が原稿を照射し、この反射光が、前
記光源に対応して設けられた集光部材（例えば、集束性
ファイバ）を介して、該集光部材にほぼ密着して配置さ
れた光源変換素子を有する受光部に導かれることによっ
て行なわれる。この場合は、原稿の１ピツチが、縮小さ
れることなく、１対１で光電的に読取られることになり
、原稿縮小用のレンズ系は不安である。このような受光
部が密着形イメージセンサ、あるいは大形イメージセン
サと呼ばれている。この密着形イメージセンサにおいて
も、当然のことながら、高性能で低コストのものが望ま
しい。尚、本明細書（図面も包む）では、原稿の送り方
向と直交する方向を主走査方向、そして原稿の送り方向
を副走査方向と呼んでいる。
る原稿読取は、主走査方向に配列されたＬＥＤ（発光ダ
イオード）等の光源が原稿を照射し、この反射光が、前
記光源に対応して設けられた集光部材（例えば、集束性
ファイバ）を介して、該集光部材にほぼ密着して配置さ
れた光源変換素子を有する受光部に導かれることによっ
て行なわれる。この場合は、原稿の１ピツチが、縮小さ
れることなく、１対１で光電的に読取られることになり
、原稿縮小用のレンズ系は不安である。このような受光
部が密着形イメージセンサ、あるいは大形イメージセン
サと呼ばれている。この密着形イメージセンサにおいて
も、当然のことながら、高性能で低コストのものが望ま
しい。尚、本明細書（図面も包む）では、原稿の送り方
向と直交する方向を主走査方向、そして原稿の送り方向
を副走査方向と呼んでいる。
（３）従来技術と問題点
従来の密着形イメージセンサ（以下、イメージセンサと
呼ぶ）の構成は第１図（平面図）示す構成が知られてい
る。
呼ぶ）の構成は第１図（平面図）示す構成が知られてい
る。
第１図において、符号Ａ１〜Ａ３は主走査方向Ｘに配列
されたビットエリア（一点鎖線で囲み示す）である。こ
のビットエリアＡ１〜Ａ３の寸法Ｌ×（主走査方向の寸
法）とＬＹ（副走査方向の寸法）は所定値に限定されて
定められ、通常、ＬｘはＬｙよりも小さく設定される。
されたビットエリア（一点鎖線で囲み示す）である。こ
のビットエリアＡ１〜Ａ３の寸法Ｌ×（主走査方向の寸
法）とＬＹ（副走査方向の寸法）は所定値に限定されて
定められ、通常、ＬｘはＬｙよりも小さく設定される。
例えば、Ａ４版の原稿に対するイメージセンサの場合、
２１６ｍｍ幅（Ｘ方向の寸法）で、解像度を８本／ｍｍ
、ビット数を１７２８ビットに設定すると、ＬｘとＬＹ
はそれぞれＬＸ＝１２５μｍ、ＬＹ＝１３０μｍに設定
される。符号１０ａ〜１０ｃ、１１ａ〜１１ｃは、例え
ばＮｉＣｒ−Ａｕを用いた金属電極、そして、１２ａ〜
１２ｃは、例えばＣｄＳｅ、ＣｄＳ等を用いた光導電膜
である。この光導電膜１２ａ〜１２ｃの幅寸法Ｗ（電流
の流れ方向に対して直交する方向の寸法）はアイソレー
ションギャップ１３の幅寸法Ｌｇを差引いた値、すなわ
ちＷ＝Ｌｘ−Ｌｇとなる。Ｌｇの最小値は２５μｍ程度
必要であり、また光導電膜１２ａ〜１２ｃの長さＬはＬ
Ｙの半分程度に設定される。従って、このようなイメー
ジセンサにおいては、各光導電膜の抵抗値に比例する形
状比Ｌ／Ｗを小さく設定することができず、光導電膜１
２ａ〜１２ｃの抵抗値が比較的大きくなる。この結果、
イメージセンサの高速化及び低雑音性（Ｓ／Ｎ比）を阻
害するという問題点があった。
２１６ｍｍ幅（Ｘ方向の寸法）で、解像度を８本／ｍｍ
、ビット数を１７２８ビットに設定すると、ＬｘとＬＹ
はそれぞれＬＸ＝１２５μｍ、ＬＹ＝１３０μｍに設定
される。符号１０ａ〜１０ｃ、１１ａ〜１１ｃは、例え
ばＮｉＣｒ−Ａｕを用いた金属電極、そして、１２ａ〜
１２ｃは、例えばＣｄＳｅ、ＣｄＳ等を用いた光導電膜
である。この光導電膜１２ａ〜１２ｃの幅寸法Ｗ（電流
の流れ方向に対して直交する方向の寸法）はアイソレー
ションギャップ１３の幅寸法Ｌｇを差引いた値、すなわ
ちＷ＝Ｌｘ−Ｌｇとなる。Ｌｇの最小値は２５μｍ程度
必要であり、また光導電膜１２ａ〜１２ｃの長さＬはＬ
Ｙの半分程度に設定される。従って、このようなイメー
ジセンサにおいては、各光導電膜の抵抗値に比例する形
状比Ｌ／Ｗを小さく設定することができず、光導電膜１
２ａ〜１２ｃの抵抗値が比較的大きくなる。この結果、
イメージセンサの高速化及び低雑音性（Ｓ／Ｎ比）を阻
害するという問題点があった。
これに対して、本発明の発明者らは改善を重ねて第２図
に示すようなイメージセンサの構成を提案している（特
願昭５６−１４８７７５号）。
に示すようなイメージセンサの構成を提案している（特
願昭５６−１４８７７５号）。
第２図において、符号Ａ１〜Ａ４はビットエリア（一点
鎖線で囲み示す）を示し、該ビットエリアは主走査方向
Ｘに一列に配列されている。このイメージセンサにおい
ては、２個のビットエリア、例えば、Ａ１とＡ２とを１
組とする素子構成領域Ｂ１が設定され、核領域の中央に
グループ電極２０ａ、そして両側にセレクト電極２１ａ
，２１ｂが設けられ、動作部である光導電膜２２ａ、２
１ｂはその長手方向が副走査方向Ｙに向けて配設されて
いる。そしてセレクト電極２１ａ、２１ｂと他組の素子
構成鎖域との間にアイソレーションギャップ２３が設け
られ、各セレクト情報は互に電気的に分離されている。
鎖線で囲み示す）を示し、該ビットエリアは主走査方向
Ｘに一列に配列されている。このイメージセンサにおい
ては、２個のビットエリア、例えば、Ａ１とＡ２とを１
組とする素子構成領域Ｂ１が設定され、核領域の中央に
グループ電極２０ａ、そして両側にセレクト電極２１ａ
，２１ｂが設けられ、動作部である光導電膜２２ａ、２
１ｂはその長手方向が副走査方向Ｙに向けて配設されて
いる。そしてセレクト電極２１ａ、２１ｂと他組の素子
構成鎖域との間にアイソレーションギャップ２３が設け
られ、各セレクト情報は互に電気的に分離されている。
光導電膜２２ａ、２２ｂは、前述のように長手方向が副
走査方向Ｙに向けられて配設され、その幅寸法Ｗ′（電
流の流れる方向に対して直交する方向の寸法）は実質的
にビットエリア（Ａ１〜Ａ４）の副走査方向Ｙの寸法Ｌ
Ｙと同一に設定されている。従って、このようにビット
エリアのＬＹ寸法を最大限に利用して光導電膜の幅寸法
Ｗ′を設定することにより、その形状比Ｌ′／Ｗ′の値
は最小限に設定されている。グループ電極２０ａは、例
えばＮｉＣｒ−Ａｕ等の金属薄膜（厚さ３０００Ａ程度
）で形成され、他方セレクト電極２１ａ、２１ｂは、例
えばＮｉＣｒ、Ｃｒ−ＳｉＯ、Ｃｒ−Ｓｉ等の薄膜抵抗
体（厚さ３０００Ａ程度）で形成されている。このよう
に、光導電膜２２ａ、２２ｂの一方の電極であるグルー
プ電極２０ａが低抵抗体（ほぼ０オームとなる）で形成
され、他方の電極であるセレクト電極２１ａ、２１ｂだ
けが抵抗膜で形成されているので、入力抵抗が小となる
ように構成されている（入力抵抗が増加すると原稿から
の反射光のコントラストが低下するという欠点が生ずる
）。尚、他の素子構成領域Ｂ２以下もＢ１と同様に形成
されている。
走査方向Ｙに向けられて配設され、その幅寸法Ｗ′（電
流の流れる方向に対して直交する方向の寸法）は実質的
にビットエリア（Ａ１〜Ａ４）の副走査方向Ｙの寸法Ｌ
Ｙと同一に設定されている。従って、このようにビット
エリアのＬＹ寸法を最大限に利用して光導電膜の幅寸法
Ｗ′を設定することにより、その形状比Ｌ′／Ｗ′の値
は最小限に設定されている。グループ電極２０ａは、例
えばＮｉＣｒ−Ａｕ等の金属薄膜（厚さ３０００Ａ程度
）で形成され、他方セレクト電極２１ａ、２１ｂは、例
えばＮｉＣｒ、Ｃｒ−ＳｉＯ、Ｃｒ−Ｓｉ等の薄膜抵抗
体（厚さ３０００Ａ程度）で形成されている。このよう
に、光導電膜２２ａ、２２ｂの一方の電極であるグルー
プ電極２０ａが低抵抗体（ほぼ０オームとなる）で形成
され、他方の電極であるセレクト電極２１ａ、２１ｂだ
けが抵抗膜で形成されているので、入力抵抗が小となる
ように構成されている（入力抵抗が増加すると原稿から
の反射光のコントラストが低下するという欠点が生ずる
）。尚、他の素子構成領域Ｂ２以下もＢ１と同様に形成
されている。
以上説明したように、このイメージセンサの構成は、形
成比Ｌ′／Ｗ′を小さく、また、グループ電極には低抵
抗の金属膜を、セレクト電極には薄膜抵抗体材料を用い
て形成することにより、入力抵抗を減少せしめ、コント
ラストの低下を紡糸可能とした良好な性能を有するもの
である。
成比Ｌ′／Ｗ′を小さく、また、グループ電極には低抵
抗の金属膜を、セレクト電極には薄膜抵抗体材料を用い
て形成することにより、入力抵抗を減少せしめ、コント
ラストの低下を紡糸可能とした良好な性能を有するもの
である。
しかしながら、このイメージセンサの場合は、アイソレ
ーションギャップ２３の形成に際し、先づ該ギャップ２
３部の電極膜をエッチング等で取除き、引きつづき該ギ
ャップ部の光導電膜をエッチング等で取り除く必要があ
るので、製造コスト上好ましくないという問題がある。
ーションギャップ２３の形成に際し、先づ該ギャップ２
３部の電極膜をエッチング等で取除き、引きつづき該ギ
ャップ部の光導電膜をエッチング等で取り除く必要があ
るので、製造コスト上好ましくないという問題がある。
（４）発明の目的
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、良好な
性能を有すると共に製造コストの低減化を図った密着形
イメージセンサの構成を提供することにある。
性能を有すると共に製造コストの低減化を図った密着形
イメージセンサの構成を提供することにある。
（５）発明の構成
上記目的を達成するために、本発明に依れば、複数個の
ビットエリアを主走査方向に一列に配列して形成した密
着形イメージセンサにおいて、前記ビットエリア上に前
記主走査方向の一端から他端まで連続した帯状の光導電
膜を形成し、該光導電膜上に少なくとも２個のビットエ
リアを１組とする素子構成領域を設定し、該領域の主走
査方向中央部に金属膜よりなるグループ電極を副走査方
向に延在させて設け、かつ該領域の両端部に前記グルー
プ電極と離隔対向して配置された薄膜抵抗体からなるセ
レクト電極をそれぞれ設けうと共に、該セレクト電極の
みが隣接の素子構成領域のセレクト電極との間に設けた
アイソレーションギャップによって区切られるように形
成したことを特徴とする密着形イメ−ジセンサが提供さ
れる。
ビットエリアを主走査方向に一列に配列して形成した密
着形イメージセンサにおいて、前記ビットエリア上に前
記主走査方向の一端から他端まで連続した帯状の光導電
膜を形成し、該光導電膜上に少なくとも２個のビットエ
リアを１組とする素子構成領域を設定し、該領域の主走
査方向中央部に金属膜よりなるグループ電極を副走査方
向に延在させて設け、かつ該領域の両端部に前記グルー
プ電極と離隔対向して配置された薄膜抵抗体からなるセ
レクト電極をそれぞれ設けうと共に、該セレクト電極の
みが隣接の素子構成領域のセレクト電極との間に設けた
アイソレーションギャップによって区切られるように形
成したことを特徴とする密着形イメ−ジセンサが提供さ
れる。
（６）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第３図は本発明に依る密着形イメージセンサの構成の実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
第３図において、符号Ａ１〜Ａ４はそれぞれピットエリ
ア（一点鎖線で囲み示す）を示し、該ビットエリアは主
走査方向Ｘに一列に配列されている。
ア（一点鎖線で囲み示す）を示し、該ビットエリアは主
走査方向Ｘに一列に配列されている。
ＬＸは各ビットエリアの主走査方向Ｘの寸法、ＬＹは副
走査方向Ｙの寸法である。例えば、Ａ４版の読取原稿の
場合、２１６ｍｍ幅に対して１７２８ビットに設定する
と、ＬＸ、ＬＹはそれぞれＬＸ＝１２５μｍ、ＬＹ＝１
３０μｍに設定される。符号３０ａ、３０ｂはグループ
電極を示し、そして３１ａ〜３１ｄはセレクト電極（３
０ａ、３０ｂ）は、ビット数が１７２８ビットの場合、
５４個設けられ、そしてこれらの各グループ電極それぞ
れに対応して３２個のセレクト電極（３１ａ〜３１ｄ）
が設けられる。符号３２ａ〜３２ｄは、ＣｄＳｅ、Ｃｄ
Ｓ等を用いた光導電膜を示し、該光導電膜は主走査方向
Ｘの一端から他端まで帯状に連続して形成されており、
その幅寸法はビットエリア（Ａ１〜Ａ４）のＬＹ寸法と
実質的に同一である。グループ電極３０ａ、３０ｂ、前
出の第２図の従来例と同様に、例えばＮｉＣｒ−Ａｕ等
の金属薄膜（厚さ３０００Ａ程度）で形成され、他方、
セレクト電極３１ａ〜３１ｄは、例えばＮｉＣｒ、Ｃｒ
−ＳｉＯ、Ｃｒ−Ｓｉ等の薄膜抵抗体（厚さ３０００Ａ
程度）で形成されている。そして、これら電極の配置構
成も基本的には前出の第２図と同様に形成されている。
走査方向Ｙの寸法である。例えば、Ａ４版の読取原稿の
場合、２１６ｍｍ幅に対して１７２８ビットに設定する
と、ＬＸ、ＬＹはそれぞれＬＸ＝１２５μｍ、ＬＹ＝１
３０μｍに設定される。符号３０ａ、３０ｂはグループ
電極を示し、そして３１ａ〜３１ｄはセレクト電極（３
０ａ、３０ｂ）は、ビット数が１７２８ビットの場合、
５４個設けられ、そしてこれらの各グループ電極それぞ
れに対応して３２個のセレクト電極（３１ａ〜３１ｄ）
が設けられる。符号３２ａ〜３２ｄは、ＣｄＳｅ、Ｃｄ
Ｓ等を用いた光導電膜を示し、該光導電膜は主走査方向
Ｘの一端から他端まで帯状に連続して形成されており、
その幅寸法はビットエリア（Ａ１〜Ａ４）のＬＹ寸法と
実質的に同一である。グループ電極３０ａ、３０ｂ、前
出の第２図の従来例と同様に、例えばＮｉＣｒ−Ａｕ等
の金属薄膜（厚さ３０００Ａ程度）で形成され、他方、
セレクト電極３１ａ〜３１ｄは、例えばＮｉＣｒ、Ｃｒ
−ＳｉＯ、Ｃｒ−Ｓｉ等の薄膜抵抗体（厚さ３０００Ａ
程度）で形成されている。そして、これら電極の配置構
成も基本的には前出の第２図と同様に形成されている。
従って、光導電膜上に設定されたビットエリアの互に隣
接する２個、例えばＡ１とＡ２とを１組とする素子構成
領域Ｂ１が設定され、該領域の中央にグループ電極３０
ａ、そして両側にセレクト電極３１ａ、３１ｂがそれぞ
れ設けられ、動作部である光導電膜３２ａ，３２ｂはそ
の長手方向が副走査方向Ｙに向けられて形成されている
。そして、セレクト電極３１ａ、３１ｂと、これに隣接
する他組の素子構成料のセレクト電極（例えば、Ｂ２領
域の３１ｃ）との間に、該セレクト電極同士のみを区切
るためのアイソレーションギャップ３３が設けられ、こ
れらのセレクト電極は互に電気的に分離されている。尚
、素子構成領域Ｂ２以下の他の素子構成領域もＢ１の場
合と同様に構成されいる。従って、本発明のイメージセ
ンサの構成は、アイソレーションギャップ３３部分に光
導電膜３２ｅが取り除かれずに存在して形成されたもの
であり、この点が第２図の従来例と異なっている。
接する２個、例えばＡ１とＡ２とを１組とする素子構成
領域Ｂ１が設定され、該領域の中央にグループ電極３０
ａ、そして両側にセレクト電極３１ａ、３１ｂがそれぞ
れ設けられ、動作部である光導電膜３２ａ，３２ｂはそ
の長手方向が副走査方向Ｙに向けられて形成されている
。そして、セレクト電極３１ａ、３１ｂと、これに隣接
する他組の素子構成料のセレクト電極（例えば、Ｂ２領
域の３１ｃ）との間に、該セレクト電極同士のみを区切
るためのアイソレーションギャップ３３が設けられ、こ
れらのセレクト電極は互に電気的に分離されている。尚
、素子構成領域Ｂ２以下の他の素子構成領域もＢ１の場
合と同様に構成されいる。従って、本発明のイメージセ
ンサの構成は、アイソレーションギャップ３３部分に光
導電膜３２ｅが取り除かれずに存在して形成されたもの
であり、この点が第２図の従来例と異なっている。
すなわち、アイソレーションギャップ３３部の光導電膜
３２ｅをエッチング等で取り除く工程が省かれて形成さ
れている。このため製造コストを低減化することができ
る。このように、イメージセンサを構成しても、原稿読
取に際して、例えば、ビットエリアＡ１が選択ビットに
選定された場合、セレクト電極３１ａの回路のみがスイ
ッチ・オンされ、他の比選択ビットのセレクト電極の回
動は全部スイッチ・オフされるように形成されているの
で、所望のビット（この場合はビットＡ１）の信号だけ
を読取ることができる、従って、本発明のイメージセン
サは、前出の第２図の従来例と同様の機能及び性能を有
し、さらに製造コストの低減化が可能に構成されてもの
である。
３２ｅをエッチング等で取り除く工程が省かれて形成さ
れている。このため製造コストを低減化することができ
る。このように、イメージセンサを構成しても、原稿読
取に際して、例えば、ビットエリアＡ１が選択ビットに
選定された場合、セレクト電極３１ａの回路のみがスイ
ッチ・オンされ、他の比選択ビットのセレクト電極の回
動は全部スイッチ・オフされるように形成されているの
で、所望のビット（この場合はビットＡ１）の信号だけ
を読取ることができる、従って、本発明のイメージセン
サは、前出の第２図の従来例と同様の機能及び性能を有
し、さらに製造コストの低減化が可能に構成されてもの
である。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の密着形イメージ
センサの構成は、良好な性能を有すると共に製造コスト
の低減化を実現し得るといった効果大なるものがある。
センサの構成は、良好な性能を有すると共に製造コスト
の低減化を実現し得るといった効果大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来より知られている密着形イメージセンサの
構成を示す部分平面図、第２図は第１図のイメージセン
サを改善した従来の密着形イメージセンサの構成を示す
る部分平面部、第３図は本発明の密着型イメージセンサ
の構成を示す部分平面図である。 ３０ａ、３０ｂ・・・グループ電極、３１ａ〜３１ｄ・
・・セレクト電極、３２ａ〜３２ｅ・・・光動電膜、３
３・・・アイソレーションギャップ、Ｘ・・・主走査方
向、Ｙ・・・副走査方向、Ａ１〜Ａ４・・・ビットエリ
ア、Ｂ１Ｙ・副ｊ耶プ７回、Ａ１−Ａ４・・・ピットエ
リア、Ｂｘ（Ａ１＋Ａ２），Ｂ２（Ａ３＋Ａ４）素子構
成領域、Ｌｘ・・・ビットエリアの主走査方向Ｙの寸法
、ＬＹ・・・ビットエリアの副走査方向Ｙの寸法、Ｗ′
とＬ′・・・動作部である光導電膜（３２ａ〜３２ｄ）
の幅と長さ寸法。 手続補７正書 昭和５８年８月２日 特許庁長官階杉和大殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１５３９６７号 ２、発明の名称 密着形イメージ！−ンーリ ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 名称（５２２）富士】；１１株式会社 ４、代理人 （外３名） ５補正の対象 明細書の１発明の詳細な説明−１の杷 ６補正の内五 ’／’ＪＨｌｌ＊の発明の詳細な説Ｑ［ｌの４閘ン次の
通り補正［７ます。 （イ）第３自、第７行の１・・・・・・系は不安でを・
る。１を１・・・・・・系は不要である。」と補正しオ
Ｊ０２９５−
構成を示す部分平面図、第２図は第１図のイメージセン
サを改善した従来の密着形イメージセンサの構成を示す
る部分平面部、第３図は本発明の密着型イメージセンサ
の構成を示す部分平面図である。 ３０ａ、３０ｂ・・・グループ電極、３１ａ〜３１ｄ・
・・セレクト電極、３２ａ〜３２ｅ・・・光動電膜、３
３・・・アイソレーションギャップ、Ｘ・・・主走査方
向、Ｙ・・・副走査方向、Ａ１〜Ａ４・・・ビットエリ
ア、Ｂ１Ｙ・副ｊ耶プ７回、Ａ１−Ａ４・・・ピットエ
リア、Ｂｘ（Ａ１＋Ａ２），Ｂ２（Ａ３＋Ａ４）素子構
成領域、Ｌｘ・・・ビットエリアの主走査方向Ｙの寸法
、ＬＹ・・・ビットエリアの副走査方向Ｙの寸法、Ｗ′
とＬ′・・・動作部である光導電膜（３２ａ〜３２ｄ）
の幅と長さ寸法。 手続補７正書 昭和５８年８月２日 特許庁長官階杉和大殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１５３９６７号 ２、発明の名称 密着形イメージ！−ンーリ ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 名称（５２２）富士】；１１株式会社 ４、代理人 （外３名） ５補正の対象 明細書の１発明の詳細な説明−１の杷 ６補正の内五 ’／’ＪＨｌｌ＊の発明の詳細な説Ｑ［ｌの４閘ン次の
通り補正［７ます。 （イ）第３自、第７行の１・・・・・・系は不安でを・
る。１を１・・・・・・系は不要である。」と補正しオ
Ｊ０２９５−
Claims (1)
- １．複数個のビットエリアを主走査方向に一列に配列し
て刑し得した密着形イメージセンサにおいて、前記ビッ
トエリア上に前記主走査方向の一端から他端まで連続し
た帯状の光導電膜を形成し、該光導電膜上に少なくとも
２個のビットエリアを１組とする素子構成領域を設定し
、該領域の主走査方向中央部に金属膜よりなるグループ
電極を副走査方向に延在させて設け、かつ該領域の両端
部に、前記金属膜電極と隔離対向して配置された薄膜抵
抗体からなるセレクト電極をそれぞれ設けると共に、該
セレクト電極のみが隣接の素子構成領域のセレクト電極
との間に設けたアイソレーションギャップによって区切
られるように形成したことを特徴とする密着形イメージ
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153967A JPS5943569A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153967A JPS5943569A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943569A true JPS5943569A (ja) | 1984-03-10 |
| JPS6346581B2 JPS6346581B2 (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=15573980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57153967A Granted JPS5943569A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943569A (ja) |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP57153967A patent/JPS5943569A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6346581B2 (ja) | 1988-09-16 |
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