JPS61126861A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS61126861A JPS61126861A JP59246244A JP24624484A JPS61126861A JP S61126861 A JPS61126861 A JP S61126861A JP 59246244 A JP59246244 A JP 59246244A JP 24624484 A JP24624484 A JP 24624484A JP S61126861 A JPS61126861 A JP S61126861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- photo electric
- electric change
- change element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は密着型イメージセンサに係り％特にファクシミ
リ、コピア等の原稿読取り装置に適用し得る密着型イメ
ージセンサに関するものである。
リ、コピア等の原稿読取り装置に適用し得る密着型イメ
ージセンサに関するものである。
［発明の技術的背景とその問題点］
フォトダイオードにＣＯＤレジスタを組合わせ九光電変
換素子アレイセンナをファクシミリ等の原稿読取り装置
に用いることは周知である。
換素子アレイセンナをファクシミリ等の原稿読取り装置
に用いることは周知である。
このような原稿読取り装置においては広幅の原稿、例え
ばＡ４． Ｂ４サイズ等の原稿を高解像度で読取ること
が望まれるが、そのためには広幅の原稿の読取り幅に対
応するビット数（受光素子数）をもつ光電変換素子アレ
イチップが必要となる。
ばＡ４． Ｂ４サイズ等の原稿を高解像度で読取ること
が望まれるが、そのためには広幅の原稿の読取り幅に対
応するビット数（受光素子数）をもつ光電変換素子アレ
イチップが必要となる。
シカシ、Ｓｉウェハ上にフォトエツチング工程（以下Ｐ
ＦＪＰ工程と云う）を用いて作製される例えばＣＣＤ型
光電変換素子アレイセンサの場合、このセンサ長はウェ
ハサイズによって大きく制限を受ける。そのため原稿を
等倍で読取る密着型イメージセンナを構成する友めには
複数の光電変換素子アレイチップを並べる構造が採られ
ている。
ＦＪＰ工程と云う）を用いて作製される例えばＣＣＤ型
光電変換素子アレイセンサの場合、このセンサ長はウェ
ハサイズによって大きく制限を受ける。そのため原稿を
等倍で読取る密着型イメージセンナを構成する友めには
複数の光電変換素子アレイチップを並べる構造が採られ
ている。
この光電変換素子アレイチップの並べ方としては直線状
に並べるのが最適であるが、受光窓の密度が大きくなる
と、光電変換素子アレイチップ端部の切断面のチッピン
グ（切断精度を含めて以下このように呼ぶ）が受光窓の
大きさに対して無視できなくなる。
に並べるのが最適であるが、受光窓の密度が大きくなる
と、光電変換素子アレイチップ端部の切断面のチッピン
グ（切断精度を含めて以下このように呼ぶ）が受光窓の
大きさに対して無視できなくなる。
次に第３図にエリ従来の光電変換素子アレイチップの接
続部を説明すると、光電変換素子アレイチップ（１））
、 （１２）が直線状に並べられた時、それぞれのチッ
プ（１））、 （１２）にそれぞれピッチ（Ｐ）で形成
された光電変換素子（２）は接続部（４）にも破線で示
すような同じピッチ（Ｐ）で光電変換素子（３）が存在
しなければならない。しかし図からも明らかなように光
電変換素子アレイチップ（１）） 、 （１）の接続部
（４）で光電変換素子（３）が無い所が生じることがあ
る。この原因としては実用されている光電変換素子の密
度を１６個／、、とすると、ピッチ（Ｐ）は６２．５μ
ｍとなり、これに対して切断面のチッピングは通常用い
られるダイシング機では、最小１０ｐｍ程度となるので
光電変換素子アレイチップ（１））、 （１２）間の接
続部で１個の光電変換素子が抜けるのはさけられない。
続部を説明すると、光電変換素子アレイチップ（１））
、 （１２）が直線状に並べられた時、それぞれのチッ
プ（１））、 （１２）にそれぞれピッチ（Ｐ）で形成
された光電変換素子（２）は接続部（４）にも破線で示
すような同じピッチ（Ｐ）で光電変換素子（３）が存在
しなければならない。しかし図からも明らかなように光
電変換素子アレイチップ（１）） 、 （１）の接続部
（４）で光電変換素子（３）が無い所が生じることがあ
る。この原因としては実用されている光電変換素子の密
度を１６個／、、とすると、ピッチ（Ｐ）は６２．５μ
ｍとなり、これに対して切断面のチッピングは通常用い
られるダイシング機では、最小１０ｐｍ程度となるので
光電変換素子アレイチップ（１））、 （１２）間の接
続部で１個の光電変換素子が抜けるのはさけられない。
この対策として第４図に示すように複数の光電変換素子
アレイチップ（ｌａ）、 （１４）、 （Ｉｓ）、 （
ｌａ）を千鳥状に配置する構造が実用化されている。し
かし、この構造によると、２列に並んだ各列の光電変換
素子アレイチップ（Ｉｇ）、 （ｉｓ）と（１４）、
（ｌａ）に対する矢印（５１）または（５３）で示す副
走査方向の読取り位置が異なるため、副走査方向にそろ
った出力信号を得るには光電変換素子アレイセンサの後
段にラインメモリが必要となる。ま友王走査方向、即ち
矢印（６１）ま友は（６ｇ）方向にシリアルな信号を得
るためには光電変換素子アレイチップ（ｌａ） 。
アレイチップ（ｌａ）、 （１４）、 （Ｉｓ）、 （
ｌａ）を千鳥状に配置する構造が実用化されている。し
かし、この構造によると、２列に並んだ各列の光電変換
素子アレイチップ（Ｉｇ）、 （ｉｓ）と（１４）、
（ｌａ）に対する矢印（５１）または（５３）で示す副
走査方向の読取り位置が異なるため、副走査方向にそろ
った出力信号を得るには光電変換素子アレイセンサの後
段にラインメモリが必要となる。ま友王走査方向、即ち
矢印（６１）ま友は（６ｇ）方向にシリアルな信号を得
るためには光電変換素子アレイチップ（ｌａ） 。
（１４）、 （１５）、 （１６）の重複を除く必要が
生じ、処理回路が複雑となる問題点がある。
生じ、処理回路が複雑となる問題点がある。
［発明の目的コ
本発明は複数の光電変換素子アレイチップを直線状に配
列し、光電変換素子アレイチップの接続部における受光
窓抜けを防止して読取り画像の品質低下を防ぐことが可
能な密着型イメージセンナを提供することを目的として
いる。
列し、光電変換素子アレイチップの接続部における受光
窓抜けを防止して読取り画像の品質低下を防ぐことが可
能な密着型イメージセンナを提供することを目的として
いる。
［発明の概要コ
即ち、本発明は基板上に複数の光電変換素子アレイチッ
プを光電変換素子の配列ピッチの２倍で両端部を接続部
を介して密接して一列の直線状とし、更に両端部のそれ
ぞれの光電変換素子を三角形として端部以外の光電変換
素子の翅以下の受光面積を有するようにし、且つ接続部
の両端部において１＠分の光を変換素子を構成し得るよ
うにしたことを特徴とする密着型イメージセンナであり
、光電変換素子アレイチップの副走査方向の光電変換素
子の長さ￥ａ、主走査方向の光電変換素子の長さをｂと
したときの光電変換素子アレイチップの端部における接
続角度θをθ＝ｔａｎ−” ａ／ｂとしたことを実施態
様としている。
プを光電変換素子の配列ピッチの２倍で両端部を接続部
を介して密接して一列の直線状とし、更に両端部のそれ
ぞれの光電変換素子を三角形として端部以外の光電変換
素子の翅以下の受光面積を有するようにし、且つ接続部
の両端部において１＠分の光を変換素子を構成し得るよ
うにしたことを特徴とする密着型イメージセンナであり
、光電変換素子アレイチップの副走査方向の光電変換素
子の長さ￥ａ、主走査方向の光電変換素子の長さをｂと
したときの光電変換素子アレイチップの端部における接
続角度θをθ＝ｔａｎ−” ａ／ｂとしたことを実施態
様としている。
［発明の実施例］
次に本発明の密着型イメージセンサの一冥施例を第１図
により詳細に説明する。
により詳細に説明する。
即ち、図示しない基板上の光電変換素子アレイチップ（
１）１）、 （ｌ１ｇ）にはそれぞれピッチ（Ｐ）をも
って光電変換素子＠が設けられており、また端部即ち接
続部Ｉとなる両端部のそれぞれ斜線で示す光電変換素子
（１３１）、 （１３ｇ）は接続部（１４１より離間し
、他の光電変換素子（１２の面積の匈より小さな面積を
有する三角形の光電変換素子（１３１）、 （１３１）
）により形成される他の光電変換素子（１つの面積より
小さな面積の光電変換素子α３はこれに隣接する他の光
電変換素子α２とピッチＣＰ）を有するようになってい
る０ この場合、接続部（１４）となる両端部の接続角度（θ
）は光電変換素子住擾の副走査方向の長さを３９元電変
換素子α２の主走査方向の長さをｂとした時に、はぼθ
−ｔ ａ ｆｉ Ａになるようになされている。
１）１）、 （ｌ１ｇ）にはそれぞれピッチ（Ｐ）をも
って光電変換素子＠が設けられており、また端部即ち接
続部Ｉとなる両端部のそれぞれ斜線で示す光電変換素子
（１３１）、 （１３ｇ）は接続部（１４１より離間し
、他の光電変換素子（１２の面積の匈より小さな面積を
有する三角形の光電変換素子（１３１）、 （１３１）
）により形成される他の光電変換素子（１つの面積より
小さな面積の光電変換素子α３はこれに隣接する他の光
電変換素子α２とピッチＣＰ）を有するようになってい
る０ この場合、接続部（１４）となる両端部の接続角度（θ
）は光電変換素子住擾の副走査方向の長さを３９元電変
換素子α２の主走査方向の長さをｂとした時に、はぼθ
−ｔ ａ ｆｉ Ａになるようになされている。
即ち、光電変換素子アレイチップ（１）１）と（１２２
）の接続部Ｉに対する面はチッピングやダイシング機の
機械精度に依る所が大きいが、通常のダイシング機の切
断精度±７〜１０μｍで切っても三角形の光電変換素子
（１３１）、 （１３ｇ）を合わせた光電変換素子α謙
の彬以下になるようにすれば、これら光電変換素子（１
３１）、 （１３２）を切断精度を加味して、それぞれ
両端部から離すように形成できるので切断時に光電変換
素子（１３１）、 （１３２）を破壊させることがない
。この場合光電変換素子（１３１）、 （１３２）の大
きさは等しくすることはない。
）の接続部Ｉに対する面はチッピングやダイシング機の
機械精度に依る所が大きいが、通常のダイシング機の切
断精度±７〜１０μｍで切っても三角形の光電変換素子
（１３１）、 （１３ｇ）を合わせた光電変換素子α謙
の彬以下になるようにすれば、これら光電変換素子（１
３１）、 （１３２）を切断精度を加味して、それぞれ
両端部から離すように形成できるので切断時に光電変換
素子（１３１）、 （１３２）を破壊させることがない
。この場合光電変換素子（１３１）、 （１３２）の大
きさは等しくすることはない。
ま次光電変換素子アレイチップ（１）１）−（１）４）
・・・の端部を接続したとき光電変換素子（１３を挾む
光電変換素子Ｃ１３間の距離がピッチ（Ｐ）の２倍以下
となるように切断することにより光電変換素子αりと（
１３間をピッチ（Ｐ）にすることができる。
・・・の端部を接続したとき光電変換素子（１３を挾む
光電変換素子Ｃ１３間の距離がピッチ（Ｐ）の２倍以下
となるように切断することにより光電変換素子αりと（
１３間をピッチ（Ｐ）にすることができる。
上述の構造とすると光電変換素子α３の総面積が他の光
電変換素子０４の面積より小さいので、２個の光電変換
素子（１３１）と（１３ｇ）の論理和をとったのち、ゲ
イン（Ｇ）を とし友増幅器を入れて信号出力のレベル値をそろえる必
要がある。
電変換素子０４の面積より小さいので、２個の光電変換
素子（１３１）と（１３ｇ）の論理和をとったのち、ゲ
イン（Ｇ）を とし友増幅器を入れて信号出力のレベル値をそろえる必
要がある。
上記した光電変換素子アレイチップ（１）１）、 （１
）２）・・・の作製は第２図に示すようにＳｉウェハ霞
に多数の光電変換素子アレイＣυをＰＥＰ工程で作成す
るが、この場合、光電変換素子アレイシυの端部には上
述した接続素置（θ）で設けられたダイシングラインＨ
及び光電変換素子アレイＩ２１）の長手方向へのダイシ
ングラインαつがチツプング、ダイシング精度、切しろ
及びダイシング刃厚を含め念幅寸法で設けられ、このダ
イシングライン（１６１，（１７）で切断することによ
り、第１図に示した光電変換素子アレイチップ（ｏｘ）
、 （ＩＩｇ）・−が得られる。
）２）・・・の作製は第２図に示すようにＳｉウェハ霞
に多数の光電変換素子アレイＣυをＰＥＰ工程で作成す
るが、この場合、光電変換素子アレイシυの端部には上
述した接続素置（θ）で設けられたダイシングラインＨ
及び光電変換素子アレイＩ２１）の長手方向へのダイシ
ングラインαつがチツプング、ダイシング精度、切しろ
及びダイシング刃厚を含め念幅寸法で設けられ、このダ
イシングライン（１６１，（１７）で切断することによ
り、第１図に示した光電変換素子アレイチップ（ｏｘ）
、 （ＩＩｇ）・−が得られる。
［発明の効果］
上述のように本発明によれば読取り画像の品質向上が図
れるばかりでなく、副走査方向のラインメモリが不要と
なるなど処理回路を簡単化することが可能な密着型イメ
ージセンナを提供できる。
れるばかりでなく、副走査方向のラインメモリが不要と
なるなど処理回路を簡単化することが可能な密着型イメ
ージセンナを提供できる。
第１図は本発明の密着型イメージセンナの一実施例の説
明図、第２図は第１図の光電変換素子アレイチップの製
造工程の一部を示す説明図、第３図及び第４図は従来の
密着型イメージセンナのそれぞれ異なる例を示す説明図
である。 ｉｌｌ、 １）．・・・光電変換素子プレイチップ１２
、１３．１３１．１３２・−光電変換素子１４・−・接
続部
明図、第２図は第１図の光電変換素子アレイチップの製
造工程の一部を示す説明図、第３図及び第４図は従来の
密着型イメージセンナのそれぞれ異なる例を示す説明図
である。 ｉｌｌ、 １）．・・・光電変換素子プレイチップ１２
、１３．１３１．１３２・−光電変換素子１４・−・接
続部
Claims (2)
- （１）基板上に複数の光電変換素子アレイチツプを光電
変換素子の配列ピツチの２倍で両端部を接続部を介して
密接して一列の直線状とし、更に前記両端部のそれぞれ
の前記光電変換素子を三角形として端部以外の前記光電
変換素子の１／２以下の受光面積を有するようにし、且
つ前記接続部の両端部において１個分の前記光電変換素
子を構成し得るよりにしたことを特徴とする密着型イメ
ージセンサ。 - （２）光電変換素子アレイチツプの副走査方向の光電変
換素子の長さをａ、前記光電変換素子アレイチツプの主
走査方向の光電変換素子の長さをｂとしたとき、前記光
電変換素子アレイチツプの端部における接続角度θをほ
ぼθ＝ｔａｎ＾−＾１ａ／ｂとしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246244A JPS61126861A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246244A JPS61126861A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126861A true JPS61126861A (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=17145647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59246244A Pending JPS61126861A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126861A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378657A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Canon Inc | 長尺ラインセンサ |
| EP0355522A2 (en) * | 1988-08-18 | 1990-02-28 | Seiko Epson Corporation | Solid state image pickup device |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP59246244A patent/JPS61126861A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378657A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Canon Inc | 長尺ラインセンサ |
| EP0355522A2 (en) * | 1988-08-18 | 1990-02-28 | Seiko Epson Corporation | Solid state image pickup device |
| US5068713A (en) * | 1988-08-18 | 1991-11-26 | Seiko Epson Corporation | Solid state image sensing device |
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