JPH0223032B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0223032B2 JPH0223032B2 JP56148775A JP14877581A JPH0223032B2 JP H0223032 B2 JPH0223032 B2 JP H0223032B2 JP 56148775 A JP56148775 A JP 56148775A JP 14877581 A JP14877581 A JP 14877581A JP H0223032 B2 JPH0223032 B2 JP H0223032B2
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- JP
- Japan
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- resistance
- electrode
- electrodes
- film
- elements
- Prior art date
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Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019819 Cr—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は原稿読取装置などに用いられるイメー
ジセンサの改良に関する。
ジセンサの改良に関する。
密着形イメージセンサはフアクシミリ装置の小
型化を目的として開発が進められている。その構
成は第１図に示す構成が知られている。図につい
て簡単に説明すると符号１，１′は例えばNiCr−
Auを用いた金属電極、２は例えばCdSe、CdS等
を用いた光導電膜であり、１対の金属電極１，
１′で光導電膜２を挾んで１素子（鎖線で囲み示
す）３を構成している。そして矢印Ｘで示される
主走査方向に複数素子が形成されている。なお矢
印Ｙは副走査方向である。このようなイメージセ
ンサにおいて素子３の幅Ｗは主走査方向、長さＬ
が副走査方向に形成されているため対応するビツ
ト毎に素子分離が必要となり、形状比Ｌ／Ｗが大
きくできずデバイスが高インピーダンスタイプと
なる傾向にあり、高速化低雑音性を阻害する原因
となつている。これに対し本発明者らは第２図に
示す如き素子構成を提案している。これは光導電
膜２の長手方向を副走査方向Ｙに向け、２個の素
子を１組としてその中央にグループ電極４と、両
側にセレトク電極５，５′を設けたもので、素子
パターンの形成を容易にするため電極５，５′の
微細パターンは膜厚の薄い薄膜抵抗体材料（例え
ばNiCr、Cr−SiO、Cr−Si）で形成したもので
ある。ところがこの場合セレクト電極の抵抗値が
光導電膜の抵抗値に対し10％を起すと、第３図に
示す如く入力抵抗が10％以上アツプする。またこ
の場合のコントラストを、 白原稿の場合の素子抵抗をRw 黒原稿の場合の素子抵抗をRb 第２図のグループ電極とセレクト電極の抵抗を
Rs コントラストＰ＝Rb／Rw として計算すると、 Rb＝αβ／２＋βcoshα＋１／sinhα ＝Rs／２＋Rs／α coshα＋１／sinhα Rw＝Rs／２＋Rs／Kα coshKα＋１／sinhKα Ｐ＝Rb／Rw＝１／２＋１／αcoshα＋１／sinhα／１／
Kα＋coshKα＋１／sinhKα となり、これをRd／Rp＝10及び15（但しRpは光
導電膜の明抵抗、Rdは光導電膜の暗抵抗）の場
合について図示すると第４図の如くになる。この
図よりわかるように入力抵抗が増加すると原稿か
らの反射光のコントラストが低下するという好ま
しくない結果をもたらす。本発明はこの欠点を改
良するために案出されたものである。
型化を目的として開発が進められている。その構
成は第１図に示す構成が知られている。図につい
て簡単に説明すると符号１，１′は例えばNiCr−
Auを用いた金属電極、２は例えばCdSe、CdS等
を用いた光導電膜であり、１対の金属電極１，
１′で光導電膜２を挾んで１素子（鎖線で囲み示
す）３を構成している。そして矢印Ｘで示される
主走査方向に複数素子が形成されている。なお矢
印Ｙは副走査方向である。このようなイメージセ
ンサにおいて素子３の幅Ｗは主走査方向、長さＬ
が副走査方向に形成されているため対応するビツ
ト毎に素子分離が必要となり、形状比Ｌ／Ｗが大
きくできずデバイスが高インピーダンスタイプと
なる傾向にあり、高速化低雑音性を阻害する原因
となつている。これに対し本発明者らは第２図に
示す如き素子構成を提案している。これは光導電
膜２の長手方向を副走査方向Ｙに向け、２個の素
子を１組としてその中央にグループ電極４と、両
側にセレトク電極５，５′を設けたもので、素子
パターンの形成を容易にするため電極５，５′の
微細パターンは膜厚の薄い薄膜抵抗体材料（例え
ばNiCr、Cr−SiO、Cr−Si）で形成したもので
ある。ところがこの場合セレクト電極の抵抗値が
光導電膜の抵抗値に対し10％を起すと、第３図に
示す如く入力抵抗が10％以上アツプする。またこ
の場合のコントラストを、 白原稿の場合の素子抵抗をRw 黒原稿の場合の素子抵抗をRb 第２図のグループ電極とセレクト電極の抵抗を
Rs コントラストＰ＝Rb／Rw として計算すると、 Rb＝αβ／２＋βcoshα＋１／sinhα ＝Rs／２＋Rs／α coshα＋１／sinhα Rw＝Rs／２＋Rs／Kα coshKα＋１／sinhKα Ｐ＝Rb／Rw＝１／２＋１／αcoshα＋１／sinhα／１／
Kα＋coshKα＋１／sinhKα となり、これをRd／Rp＝10及び15（但しRpは光
導電膜の明抵抗、Rdは光導電膜の暗抵抗）の場
合について図示すると第４図の如くになる。この
図よりわかるように入力抵抗が増加すると原稿か
らの反射光のコントラストが低下するという好ま
しくない結果をもたらす。本発明はこの欠点を改
良するために案出されたものである。
このため本発明においては、複数個の素子を主
走査方向に１列に並べ、その隣接する２個の素子
を１組とし、その２個の素子の中央にグループ電
極が設けられ、両側にセレトク電極が設けられた
イメージセンサにおいて、前記グループ電極は導
電性の高い金属膜で形成されていることを特徴と
するものである。
走査方向に１列に並べ、その隣接する２個の素子
を１組とし、その２個の素子の中央にグループ電
極が設けられ、両側にセレトク電極が設けられた
イメージセンサにおいて、前記グループ電極は導
電性の高い金属膜で形成されていることを特徴と
するものである。
以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき
詳細に説明する。図について説明すると、符号６
は動作部である光導電膜、７はグループ電極、８
はセレクト電極である。また矢印Ｘは主走査方
向、矢印Ｙは副走査方向である。そして素子は主
走査方向に複数個が形成され、その素子の動作部
である光導電膜６はその長手方向を副走査方向に
向けて形成され、２個を１組としてその中央にグ
ループ電極７が例えばNiCr−Au等の金属薄膜
（厚さ3000Å程度）で形成されている。また光導
電膜６の両側にはセレクト電極８が例えばNiCr、
Cr−SiO、Cr−Si等の薄膜抵抗体（厚さ300Å程
度）で形成されている。
詳細に説明する。図について説明すると、符号６
は動作部である光導電膜、７はグループ電極、８
はセレクト電極である。また矢印Ｘは主走査方
向、矢印Ｙは副走査方向である。そして素子は主
走査方向に複数個が形成され、その素子の動作部
である光導電膜６はその長手方向を副走査方向に
向けて形成され、２個を１組としてその中央にグ
ループ電極７が例えばNiCr−Au等の金属薄膜
（厚さ3000Å程度）で形成されている。また光導
電膜６の両側にはセレクト電極８が例えばNiCr、
Cr−SiO、Cr−Si等の薄膜抵抗体（厚さ300Å程
度）で形成されている。
このように形成された本実施例は素子の一方の
電極のグループ電極７はほぼ０オームとなり、片
側のセレクト電極８だけが抵抗膜で形成されてい
るから入力抵抗は小となる。本実施例により白黒
原稿を読み取つたときのコントラストは、 白原稿の場合の素子抵抗をRw 黒原稿の場合の素子抵抗をRb セレクト電極の抵抗をRs コントラストＰ＝Rb／Rw として計算すると、 Rb＝βcoshα／sinhα＝Rs／αcothα Rw＝β／Ｋ coshKα／sinhKα＝Rs／KαcothKα Ｐ＝Rb／Rw＝１／αcothα／１／KαcothKα＝Ｋcothα
／cothKα なる。これを図示すると第６図の如くになる。図
は横軸にRs／Rpを、縦軸にコントラストをと
り、光導電膜の明暗抵抗比10の場合を曲線Ａで、
光導電膜の明暗抵抗比15の場合を曲線Ｂで示し
た。なお曲線A′及びB′は第２図の場合を比較の
ために示したものである。また第７図はRg／Rp
に対する明状態における抵抗増加率を示したもの
で曲線Ｃは本実施例、曲線C′は第２図の場合であ
る。
電極のグループ電極７はほぼ０オームとなり、片
側のセレクト電極８だけが抵抗膜で形成されてい
るから入力抵抗は小となる。本実施例により白黒
原稿を読み取つたときのコントラストは、 白原稿の場合の素子抵抗をRw 黒原稿の場合の素子抵抗をRb セレクト電極の抵抗をRs コントラストＰ＝Rb／Rw として計算すると、 Rb＝βcoshα／sinhα＝Rs／αcothα Rw＝β／Ｋ coshKα／sinhKα＝Rs／KαcothKα Ｐ＝Rb／Rw＝１／αcothα／１／KαcothKα＝Ｋcothα
／cothKα なる。これを図示すると第６図の如くになる。図
は横軸にRs／Rpを、縦軸にコントラストをと
り、光導電膜の明暗抵抗比10の場合を曲線Ａで、
光導電膜の明暗抵抗比15の場合を曲線Ｂで示し
た。なお曲線A′及びB′は第２図の場合を比較の
ために示したものである。また第７図はRg／Rp
に対する明状態における抵抗増加率を示したもの
で曲線Ｃは本実施例、曲線C′は第２図の場合であ
る。
第６図及び第７図より本実施例は第２図の場合
に比し明状態における抵抗増加率は少なく、コン
トラストの低下率が大幅に改善されていることが
わかる。
に比し明状態における抵抗増加率は少なく、コン
トラストの低下率が大幅に改善されていることが
わかる。
なお本実施例を形成するに際し、グループ電極
だけを見ると、８本／mmの分解度（１ビツト
125μｍピツチパターン）ならばグループ電極の
ピツチは250μｍとなり、又10本／mmの分解度
（１ビツト100μｍピツチパターン）ならばグルー
プ電極のピツチは200μｍとなるから現在のパタ
ーン形成技術では大きな困難はなく素子化は容易
である。
だけを見ると、８本／mmの分解度（１ビツト
125μｍピツチパターン）ならばグループ電極の
ピツチは250μｍとなり、又10本／mmの分解度
（１ビツト100μｍピツチパターン）ならばグルー
プ電極のピツチは200μｍとなるから現在のパタ
ーン形成技術では大きな困難はなく素子化は容易
である。
また第８図は第２図の素子と本発明の素子を比
較したときの電極抵抗膜の抵抗Rs（光導電膜抵抗
Rpで大きさを規格）を変化させたときに、それ
が素子入力抵抗増加に及ぼす程度を示したもの
で、曲線Ｄは本発明の場合、曲線D′（点線）は第
２図の素子の場合である。図は本発明が第２図の
場合よりも改善されていることを示している。
較したときの電極抵抗膜の抵抗Rs（光導電膜抵抗
Rpで大きさを規格）を変化させたときに、それ
が素子入力抵抗増加に及ぼす程度を示したもの
で、曲線Ｄは本発明の場合、曲線D′（点線）は第
２図の素子の場合である。図は本発明が第２図の
場合よりも改善されていることを示している。
以上説明した如く本発明のイメージセンサは素
子パターンの形成を容易にするため電極を薄膜抵
抗材料で形成する場合、グループ電極には低抵抗
の金属膜をセレクト電極には薄膜抵抗材料を用い
ることにより入力抵抗を減少せしめ、これにより
コントラストの低下を防止可能としたものであ
る。
子パターンの形成を容易にするため電極を薄膜抵
抗材料で形成する場合、グループ電極には低抵抗
の金属膜をセレクト電極には薄膜抵抗材料を用い
ることにより入力抵抗を減少せしめ、これにより
コントラストの低下を防止可能としたものであ
る。
第１図及び第２図は従来のイメージセンサの素
子構成図、第３図は第２図の素子の抵抗膜の抵抗
がデバイス入力抵抗の増加に及ぼす影響を示した
線図、第４図は抵抗膜の抵抗Rsの大きさがコン
トラストに及ぼす影響を示した線図、第５図は本
発明にかかる実施例のイメージセンサの素子構成
図、第６図は本実施例の抵抗膜の抵抗Rsの大き
さがコントラストに及ぼす影響を示した線図、第
７図は抵抗膜の抵抗Rsの大きさが明状態におけ
る抵抗増加率に及ぼす影響を示した線図、第８図
は抵抗膜の抵抗Rsを変化させたときに素子入力
抵抗増加に及ぼす影響を示した線図である。 ６……光導電膜（動作部）、７……グループ電
極、８……セレクト電極。
子構成図、第３図は第２図の素子の抵抗膜の抵抗
がデバイス入力抵抗の増加に及ぼす影響を示した
線図、第４図は抵抗膜の抵抗Rsの大きさがコン
トラストに及ぼす影響を示した線図、第５図は本
発明にかかる実施例のイメージセンサの素子構成
図、第６図は本実施例の抵抗膜の抵抗Rsの大き
さがコントラストに及ぼす影響を示した線図、第
７図は抵抗膜の抵抗Rsの大きさが明状態におけ
る抵抗増加率に及ぼす影響を示した線図、第８図
は抵抗膜の抵抗Rsを変化させたときに素子入力
抵抗増加に及ぼす影響を示した線図である。 ６……光導電膜（動作部）、７……グループ電
極、８……セレクト電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数個の素子を主走査方向に１列に並べ、そ
の隣接する２個の素子を１組とし、その２個の素
子の中央にグループ電極が設けられ、両側にセレ
トク電極が設けられたイメージセンサにおいて、 前記グループ電極は導電性の高い金属膜で形成
されていることを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148775A JPS5851562A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148775A JPS5851562A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851562A JPS5851562A (ja) | 1983-03-26 |
| JPH0223032B2 true JPH0223032B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=15460379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56148775A Granted JPS5851562A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851562A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012128095A1 (ja) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 日立金属株式会社 | 溶融金属めっき浴用回転体およびその製造方法 |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP56148775A patent/JPS5851562A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5851562A (ja) | 1983-03-26 |
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