JPS5943558A - ダイオ−ド電極部品 - Google Patents
ダイオ−ド電極部品Info
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- JPS5943558A JPS5943558A JP15368782A JP15368782A JPS5943558A JP S5943558 A JPS5943558 A JP S5943558A JP 15368782 A JP15368782 A JP 15368782A JP 15368782 A JP15368782 A JP 15368782A JP S5943558 A JPS5943558 A JP S5943558A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diameter part
- glass
- electrode
- small
- diode
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明ばＤＨＤ３１ｊガヲス向止ダイオード電極に係
り、詳しくのべると、リード線を一定長に切断後、小径
部と大径部を有する電極をり１打ち加ニオたは成形加工
によって組合わせて得られるリードレスダイオード電極
において、小径部と大径部との釘打ち加工または成形加
工の際に該小径部と大径部との間に大径部より小さく、
小径部より大きい中径部または曲状部全形成させること
により、ガラス封止後のガラスクラック発生を防止した
ダイオード電極部品に関するものである。
り、詳しくのべると、リード線を一定長に切断後、小径
部と大径部を有する電極をり１打ち加ニオたは成形加工
によって組合わせて得られるリードレスダイオード電極
において、小径部と大径部との釘打ち加工または成形加
工の際に該小径部と大径部との間に大径部より小さく、
小径部より大きい中径部または曲状部全形成させること
により、ガラス封止後のガラスクラック発生を防止した
ダイオード電極部品に関するものである。
現在市販されているダイオード電極の殆んどは、第１図
に示すように両端部にリード線１を具備した電極２間に
半導体素子３を装着（７、電極２の周囲を封止ガラス４
にて封止したＩ）ｌｉＤ型ガラス封止ダイオード）電極
であり、これをプリント基板等に装着する際には、プリ
ント基板の装着孔に細Ｊくいリード線１を挿入して用い
るほか、第２図のようなリード線を有しない、プリント
基板への装着容易なりｋｌＤ型ガラス封止リードレスダ
イオードが考案され、その需要が次第に急増しつつある
。
に示すように両端部にリード線１を具備した電極２間に
半導体素子３を装着（７、電極２の周囲を封止ガラス４
にて封止したＩ）ｌｉＤ型ガラス封止ダイオード）電極
であり、これをプリント基板等に装着する際には、プリ
ント基板の装着孔に細Ｊくいリード線１を挿入して用い
るほか、第２図のようなリード線を有しない、プリント
基板への装着容易なりｋｌＤ型ガラス封止リードレスダ
イオードが考案され、その需要が次第に急増しつつある
。
そしてこのようなリードレスダイメートの電ｔ′枳２に
は銅層６を被覆した心線５（例えばｂ″ｃ−Ｎｉ線）の
表面に亜酸化鋼（Ｃｕ２０）層７ケ施こしたジ、メソト
線（第３図）が使用され、これケ一定艮に切断し、釘打
ち加工金族こして第４図に２Ｊりすような小径部８と大
径部９からなる軍（°枳２金便用しでいる。
は銅層６を被覆した心線５（例えばｂ″ｃ−Ｎｉ線）の
表面に亜酸化鋼（Ｃｕ２０）層７ケ施こしたジ、メソト
線（第３図）が使用され、これケ一定艮に切断し、釘打
ち加工金族こして第４図に２Ｊりすような小径部８と大
径部９からなる軍（°枳２金便用しでいる。
そしてこのような形状の電極２の中火部に第２図のよう
にシリコン等の半導体素子３を装着”Ｌ７、電極２の周
囲を封止ガラス４で封止することによってダイオ・−ド
全得でいる。
にシリコン等の半導体素子３を装着”Ｌ７、電極２の周
囲を封止ガラス４で封止することによってダイオ・−ド
全得でいる。
ところがこの方式のガラス封止では、大径部９の側面と
封止ガラスが第２図の１０で示すように直接接層し、彰
ＪＶＩち時の変形の際に銅被覆層６と心線５の割合が小
径部８の割合より小をくなったりするため、ガラスとの
膨（）長係数に差が発生したり、心線５の十’ｅ−Ｎ’
ｉ合金が強加工により膨張係数が小さくなったりするた
め、ガラス封止後特に半田付時にガラスクランクが発生
するごとが多く、これがリーク不良につながり、ダイオ
ードのイ１１頼Ｖ１紮大きく低下させるという欠点がめ
った。
封止ガラスが第２図の１０で示すように直接接層し、彰
ＪＶＩち時の変形の際に銅被覆層６と心線５の割合が小
径部８の割合より小をくなったりするため、ガラスとの
膨（）長係数に差が発生したり、心線５の十’ｅ−Ｎ’
ｉ合金が強加工により膨張係数が小さくなったりするた
め、ガラス封止後特に半田付時にガラスクランクが発生
するごとが多く、これがリーク不良につながり、ダイオ
ードのイ１１頼Ｖ１紮大きく低下させるという欠点がめ
った。
この発明（は、上記のガラス封止ダイオードにおけるガ
ラスクラック発生の欠点を改善すべく検討の結果なされ
たものであり、大径部と小径部との（川に中径部分を形
成させたり、凸部金力［１工したりすることでガラス側
面が全面変形加工金堂りた大径部に直抜接しないように
して膨張係数の差により発生するガラスクランク全完全
に防止したこと全特徴とするものである。
ラスクラック発生の欠点を改善すべく検討の結果なされ
たものであり、大径部と小径部との（川に中径部分を形
成させたり、凸部金力［１工したりすることでガラス側
面が全面変形加工金堂りた大径部に直抜接しないように
して膨張係数の差により発生するガラスクランク全完全
に防止したこと全特徴とするものである。
以下この発明の一実施例を第５図について説明のＦｃ−
Ｎｉ素線金２〜３ｍｍ長さに切ｆｆＪｔ Ｌだのち、釘
打ち加工において中径部１１． ｋ形成させて第５図の
ような１Ｅ極１３を作成した。この電極１３ケ用いて第
７図に示すようなリードレスＤ Ｈ１）型ダイオードを
ガラス封Ｉｆ： ４にて作成するならば、カワヌ４は電
極１３の小径部８と大径部９の間にノーネ成した中径部
１１によって犬）￥部９の＋Ｌｌｌ１面１４に面接４す
ることがなくなるため、ガラスと電極の（ｉ杉１１艮の
差により発生するガラメクラツク全改１ｑするこがでて
ガラスクランクを発生する場合があり好１しくない。
Ｎｉ素線金２〜３ｍｍ長さに切ｆｆＪｔ Ｌだのち、釘
打ち加工において中径部１１． ｋ形成させて第５図の
ような１Ｅ極１３を作成した。この電極１３ケ用いて第
７図に示すようなリードレスＤ Ｈ１）型ダイオードを
ガラス封Ｉｆ： ４にて作成するならば、カワヌ４は電
極１３の小径部８と大径部９の間にノーネ成した中径部
１１によって犬）￥部９の＋Ｌｌｌ１面１４に面接４す
ることがなくなるため、ガラスと電極の（ｉ杉１１艮の
差により発生するガラメクラツク全改１ｑするこがでて
ガラスクランクを発生する場合があり好１しくない。
従来の’ｉ＋： ｌ似の場合のフラノクラ′ら生率は０
．１〜１０Ｊ） ％もあったのにｄ−１とした１Ｆ棒の場合には殆んどク
ランクは認められなかった。
．１〜１０Ｊ） ％もあったのにｄ−１とした１Ｆ棒の場合には殆んどク
ランクは認められなかった。
またこの発明のタイオード″を五極部品は、リードレス
’＋ｌ（極として利点のあるプリントへ板への装）＾の
容易なことは勿論である。
’＋ｌ（極として利点のあるプリントへ板への装）＾の
容易なことは勿論である。
なおこの帛明においては、」二連のように小径部と人（
）部との間に中ｉ子部金形成するほかに第６図のように
大径部と小１−ｂ部の間に凸状部１２ケ２ヶ所以−Ｌに
形成したものであっても同様の効果が州られるのである
。
）部との間に中ｉ子部金形成するほかに第６図のように
大径部と小１−ｂ部の間に凸状部１２ケ２ヶ所以−Ｌに
形成したものであっても同様の効果が州られるのである
。
４、 図１１＋１の簡１１１な牌５明
第１回はり一ド線つきＬ）ｌｉｌＪ型ダイオードの断面
図、第２図（（１す・−ドレスＤ Ｈ１）型タイオード
の断面図、第３図はジュメット線の断面図、第４［ズ１
は＜ｊｌ来のソー１〜゛レヌダイオード電極の斜視図、
第５しばこの発明のダイオード電（ψの一実施例を示す
危７帖図、第６しｌは同じく他の実ｈ０ｉ例を不すａｌ
視ＩＷＩ、第７ ｖ＋ ｒ、ｔこの発明で得た電極を用
いたリードレスＬ） ｌ（Ｄ ｊｌ、”Ｊタイオードの
断面図である。
図、第２図（（１す・−ドレスＤ Ｈ１）型タイオード
の断面図、第３図はジュメット線の断面図、第４［ズ１
は＜ｊｌ来のソー１〜゛レヌダイオード電極の斜視図、
第５しばこの発明のダイオード電（ψの一実施例を示す
危７帖図、第６しｌは同じく他の実ｈ０ｉ例を不すａｌ
視ＩＷＩ、第７ ｖ＋ ｒ、ｔこの発明で得た電極を用
いたリードレスＬ） ｌ（Ｄ ｊｌ、”Ｊタイオードの
断面図である。
８・・・小径ＴｉＢ、 ９・・・大径部、 １１・・
・中ｉＹ一部１２・・・凸状部、 １Ｂ・・・電極第
１図 第２図 第、ヶ 第４図 □ □ ト 第５回 第６図 第７図 （
・中ｉＹ一部１２・・・凸状部、 １Ｂ・・・電極第
１図 第２図 第、ヶ 第４図 □ □ ト 第５回 第６図 第７図 （
Claims (1)
- 小径部と大径部を有する！極を釘打ち加工または成形加
工によって組合わせて得られるリードレスダイオード電
極において、小径部と大径部間に中径部せたは凸状部を
形成させたこと全特徴どするダイオード電極部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15368782A JPS5943558A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | ダイオ−ド電極部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15368782A JPS5943558A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | ダイオ−ド電極部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943558A true JPS5943558A (ja) | 1984-03-10 |
| JPS637029B2 JPS637029B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=15567947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15368782A Granted JPS5943558A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | ダイオ−ド電極部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943558A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6071148U (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | ローム株式会社 | ダイオ−ド |
| JPS61129849A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-17 | Toshiba Corp | リ−ドレス半導体装置 |
| JPS61182040U (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-13 | ||
| JPS6355549U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | ||
| US5248902A (en) * | 1991-08-30 | 1993-09-28 | General Instrument Corporation | Surface mounting diode |
| US7226809B2 (en) | 2002-06-18 | 2007-06-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices and semiconductor device components with peripherally located, castellated contacts, assemblies and packages including such semiconductor devices or packages and associated methods |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5828859A (ja) * | 1981-08-13 | 1983-02-19 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド |
| JPS5869953A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-26 | 株式会社 平井技研 | 屋根側部装置 |
| JPS58168269A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Nec Home Electronics Ltd | リ−ドレスダイオ−ド |
-
1982
- 1982-09-02 JP JP15368782A patent/JPS5943558A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5828859A (ja) * | 1981-08-13 | 1983-02-19 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド |
| JPS5869953A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-26 | 株式会社 平井技研 | 屋根側部装置 |
| JPS58168269A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Nec Home Electronics Ltd | リ−ドレスダイオ−ド |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6071148U (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | ローム株式会社 | ダイオ−ド |
| JPH0414938Y2 (ja) * | 1983-10-24 | 1992-04-03 | ||
| JPS61129849A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-17 | Toshiba Corp | リ−ドレス半導体装置 |
| JPS61182040U (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-13 | ||
| JPS6355549U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | ||
| US5248902A (en) * | 1991-08-30 | 1993-09-28 | General Instrument Corporation | Surface mounting diode |
| US7226809B2 (en) | 2002-06-18 | 2007-06-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices and semiconductor device components with peripherally located, castellated contacts, assemblies and packages including such semiconductor devices or packages and associated methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637029B2 (ja) | 1988-02-15 |
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