JPS5939760A - ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板の製造方法 - Google Patents
ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板の製造方法Info
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- JPS5939760A JPS5939760A JP57146929A JP14692982A JPS5939760A JP S5939760 A JPS5939760 A JP S5939760A JP 57146929 A JP57146929 A JP 57146929A JP 14692982 A JP14692982 A JP 14692982A JP S5939760 A JPS5939760 A JP S5939760A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は赤外線感応素子用のゲルマニウム酸鉛系磁器薄
板を製造する方法に関する。
板を製造する方法に関する。
焦電効果型の赤外線感応素子としてゲルマニウム酸鉛(
P bs Ge30t+ )を使用する例は特開昭49
−85597号公報に記載されている。その後同様の目
的を達する材料として、P b5 Ge3011のph
サイトをBa″′C置換したもの(特開昭51−921
00号公報)、Geサイトを炭素、鉛またはゲルマニウ
ム以外の第■族元素で置換したもの(特開昭50−12
598号公報)が見出されている。どのようなPh。
P bs Ge30t+ )を使用する例は特開昭49
−85597号公報に記載されている。その後同様の目
的を達する材料として、P b5 Ge3011のph
サイトをBa″′C置換したもの(特開昭51−921
00号公報)、Geサイトを炭素、鉛またはゲルマニウ
ム以外の第■族元素で置換したもの(特開昭50−12
598号公報)が見出されている。どのようなPh。
Ge30Hを基本組成とするゲルマニウム酸鉛系制料を
感応素子に用いるには即結晶または磁器の薄板にしなけ
ればならない。このような薄板は通常単結晶体または磁
器成形体から切り出し、研磨して製造される。然るに研
磨によって単結晶または磁器を薄板にすることは一般に
容易ではなく、高度の技術を要する。このため研磨によ
って製造した薄板は高価にならざるを得なかった。
感応素子に用いるには即結晶または磁器の薄板にしなけ
ればならない。このような薄板は通常単結晶体または磁
器成形体から切り出し、研磨して製造される。然るに研
磨によって単結晶または磁器を薄板にすることは一般に
容易ではなく、高度の技術を要する。このため研磨によ
って製造した薄板は高価にならざるを得なかった。
また、焦電型感応素子の電圧感度及び検出能は薄板の厚
さが薄い程良好であるが、上記研磨法によると約40ミ
クロン程度が限界のため、充分な性能を有する素子の製
造は困難であった。このためゲルマニウム酸鉛系の赤外
線感応素子はいオだ実用化に至っていない。
さが薄い程良好であるが、上記研磨法によると約40ミ
クロン程度が限界のため、充分な性能を有する素子の製
造は困難であった。このためゲルマニウム酸鉛系の赤外
線感応素子はいオだ実用化に至っていない。
研磨法によらないでゲルマニウム酸鉛系焦電体薄膜を製
造する方法が米国特許第4,027,074号明細書に
開示されている。この方法はPb!lGe3−1Slx
On (0≦X≦2)を金の薄板基板上で熔融させ、基
板を傾斜させながら薄い膜状に広げたものを一定の温度
条件下で冷却固化するもので、生成したゲルマニウム酸
鉛系薄膜は金の薄板基板の垂直方向がC軸の単結晶膜と
なり、上面に電極を設ければそのま捷感応素子とするこ
とができる。しかしながらこの方法を工業化するには種
々の困難がある上、得られだ焦電体薄膜は金薄板に融着
しているので剥離することができず、金の熱伝導性が大
きいためにそのまま使用すると熱放散によって焦電効果
が減殺され、電圧感度が低くなるという欠点を有する。
造する方法が米国特許第4,027,074号明細書に
開示されている。この方法はPb!lGe3−1Slx
On (0≦X≦2)を金の薄板基板上で熔融させ、基
板を傾斜させながら薄い膜状に広げたものを一定の温度
条件下で冷却固化するもので、生成したゲルマニウム酸
鉛系薄膜は金の薄板基板の垂直方向がC軸の単結晶膜と
なり、上面に電極を設ければそのま捷感応素子とするこ
とができる。しかしながらこの方法を工業化するには種
々の困難がある上、得られだ焦電体薄膜は金薄板に融着
しているので剥離することができず、金の熱伝導性が大
きいためにそのまま使用すると熱放散によって焦電効果
が減殺され、電圧感度が低くなるという欠点を有する。
本発明は上記従来法の欠点を解消することを目的とし、
ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板を工業的に安価に製造する
方法を提供するものである。この目的を達成するため本
発明の方法は、有機質粘着剤を含有するPb5Ge30
nを基本組成とするゲルマニウム酸鉛系磁器粉末ペース
トを、上記有機質粘着剤を溶解しない溶剤で溶解可能な
剥離性物質を付着した平坦な合板上に塗布、乾燥して上
記磁器粉末ペーストの薄板を形成し、上記溶剤で剥離性
物質を溶解することによって上記薄板を合板から遊離さ
せ、次いでこの薄板を上記磁器に不活性かつ非融着性の
セラミック粉末を介して耐火性平板で挾持し、上記磁器
の融点よす10〜40U低い温度で焼成することを特徴
とする。
ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板を工業的に安価に製造する
方法を提供するものである。この目的を達成するため本
発明の方法は、有機質粘着剤を含有するPb5Ge30
nを基本組成とするゲルマニウム酸鉛系磁器粉末ペース
トを、上記有機質粘着剤を溶解しない溶剤で溶解可能な
剥離性物質を付着した平坦な合板上に塗布、乾燥して上
記磁器粉末ペーストの薄板を形成し、上記溶剤で剥離性
物質を溶解することによって上記薄板を合板から遊離さ
せ、次いでこの薄板を上記磁器に不活性かつ非融着性の
セラミック粉末を介して耐火性平板で挾持し、上記磁器
の融点よす10〜40U低い温度で焼成することを特徴
とする。
以下本発明の詳細な説明する。
(イ) ゲルマニウム酸鉛系磁器粉末ペーストの製造本
発明に用いるゲルマニウム酸鉛系磁器粉末は基本組成の
Pb5GegOuのほか、Pb5Ge30txのpbサ
イトをBaで、Goサイトを第■族元索で置換したもの
、或いはそれぞれその他の種々の元素で置換したもので
あって、置換量が固溶限界内でX線回折ピークがP b
5 G e3011に対応して存在し、しかもその位置
が0.3度以上ずれていないものであれば良い。また、
これらのPb5Ge30n ’!たはPb5Ge30n
の置換化合物に、結晶構造を変化させない程度に鉱化剤
などの添加剤が含まれていても差支えない。
発明に用いるゲルマニウム酸鉛系磁器粉末は基本組成の
Pb5GegOuのほか、Pb5Ge30txのpbサ
イトをBaで、Goサイトを第■族元索で置換したもの
、或いはそれぞれその他の種々の元素で置換したもので
あって、置換量が固溶限界内でX線回折ピークがP b
5 G e3011に対応して存在し、しかもその位置
が0.3度以上ずれていないものであれば良い。また、
これらのPb5Ge30n ’!たはPb5Ge30n
の置換化合物に、結晶構造を変化させない程度に鉱化剤
などの添加剤が含まれていても差支えない。
このような組成の磁器粉末は、厚膜ペーストを製造する
場合と同様にエチルセルロース等の有機質粘着剤をブチ
ルカルピトールアセテート等の有機溶剤に溶解したビヒ
クルと混練してペースト状にする。
場合と同様にエチルセルロース等の有機質粘着剤をブチ
ルカルピトールアセテート等の有機溶剤に溶解したビヒ
クルと混練してペースト状にする。
(ロ) ゲルマニウム酸鉛系磁器生シートの製造(イ)
で得られたゲルマニウム酸鉛系磁器粉末ペーストを平坦
な合板上に塗布し、ペースト中の溶剤を蒸発せしめれば
ゲルマニウム酸鉛系磁器の生シートが得られる。しかし
ながらこのままでは生シートは合板に密着して剥離が容
易でない。本発明はこの剥離を容易にする手段として前
記台板上に例えばメチルセルロースの被膜を付着させて
おき、この被膜の上に磁器粉末ペーストを塗布して乾燥
し、次いで合板を水中に浸漬することにより、メチルセ
ルロース被膜を溶解させ、生シートが合板から容易に剥
離されるようにした。このようにすれば生シートの剥離
のために殆んど力を加えることがないので変形を最小限
に抑えることができる。
で得られたゲルマニウム酸鉛系磁器粉末ペーストを平坦
な合板上に塗布し、ペースト中の溶剤を蒸発せしめれば
ゲルマニウム酸鉛系磁器の生シートが得られる。しかし
ながらこのままでは生シートは合板に密着して剥離が容
易でない。本発明はこの剥離を容易にする手段として前
記台板上に例えばメチルセルロースの被膜を付着させて
おき、この被膜の上に磁器粉末ペーストを塗布して乾燥
し、次いで合板を水中に浸漬することにより、メチルセ
ルロース被膜を溶解させ、生シートが合板から容易に剥
離されるようにした。このようにすれば生シートの剥離
のために殆んど力を加えることがないので変形を最小限
に抑えることができる。
剥離に用いる溶剤は生シート中の有機質粘着剤を溶解す
るものであってはならない。従って台板に付着すべき剥
離性物質は剥離用溶剤で溶解し得る物質から選択する必
要がある。
るものであってはならない。従って台板に付着すべき剥
離性物質は剥離用溶剤で溶解し得る物質から選択する必
要がある。
ペーストの塗布にはスクリーン印刷法を適用するのが均
一な厚さが得られる点で好ましい。
一な厚さが得られる点で好ましい。
C1生シートの焼成
(ロ)で得られた生シートは過剰の溶剤を蒸発させた稜
、焼成に供される。焼成するに際し、生シートをセラミ
ック粉末を介して耐火性平板間に挾持する必要がある。
、焼成に供される。焼成するに際し、生シートをセラミ
ック粉末を介して耐火性平板間に挾持する必要がある。
これは焼成炉内の温度分布の不均一その他の原因により
生シートの表たて焼結の進行度合が異なる結果、反り、
たわみ、曲がり、割れ等の発生を防止するためである。
生シートの表たて焼結の進行度合が異なる結果、反り、
たわみ、曲がり、割れ等の発生を防止するためである。
例えばセラミック板に生シートを載せその甘ま焼成する
と融着を起したり、変形がひどく、使用に酬えない薄板
しか得られなかった。耐火性平板はゲルマニウム酸鉛系
磁器の融点以上の#1人性平板であればよいが、セラミ
ック粉末は材質によりゲルマニウム酸鉛系材料と反応し
、融着するものがあるので適尚なものを選択する必要が
ある。例えば、石英、ムライトなど5102を主成分と
するガラスやセラミック、炭化硅素(5ic) 、空化
硅素(ShNd等は融着し易く、!た黒鉛はゲルマニウ
ム酸鉛を還元して金朽鉛を析出するので何れも不適当で
あり、マグネシア、ジルコニアが適当である。セラミッ
ク粉末の粒度は粗すぎると平坦な薄板が得られず、また
細かすぎると薄板と融着し易くなるので何れも好オしく
ない。従って約200メツシユ以下に粉砕されたものが
適当である。介在させるセラミック粉末層の厚さは、あ
まり薄いと薄板が耐火性平板に接触し、あまり厚いと平
滑なセラミック粉末層が得られにくいので、0.5 w
以下、好すしくけ0.2〜0.3 vmが適当である。
と融着を起したり、変形がひどく、使用に酬えない薄板
しか得られなかった。耐火性平板はゲルマニウム酸鉛系
磁器の融点以上の#1人性平板であればよいが、セラミ
ック粉末は材質によりゲルマニウム酸鉛系材料と反応し
、融着するものがあるので適尚なものを選択する必要が
ある。例えば、石英、ムライトなど5102を主成分と
するガラスやセラミック、炭化硅素(5ic) 、空化
硅素(ShNd等は融着し易く、!た黒鉛はゲルマニウ
ム酸鉛を還元して金朽鉛を析出するので何れも不適当で
あり、マグネシア、ジルコニアが適当である。セラミッ
ク粉末の粒度は粗すぎると平坦な薄板が得られず、また
細かすぎると薄板と融着し易くなるので何れも好オしく
ない。従って約200メツシユ以下に粉砕されたものが
適当である。介在させるセラミック粉末層の厚さは、あ
まり薄いと薄板が耐火性平板に接触し、あまり厚いと平
滑なセラミック粉末層が得られにくいので、0.5 w
以下、好すしくけ0.2〜0.3 vmが適当である。
また、挟持板となる面]天性平板の厚さは0.1〜51
程度が適当である。生シートをセラミック粉末を介して
水平に挾持した場合、上部挾持板が重過ぎると生シート
焼成時の膨張、収縮を妨害し、焼成薄板に亀裂を生じる
おそれがあるので、あまり厚いもの(または重いもの)
は不適当である。
程度が適当である。生シートをセラミック粉末を介して
水平に挾持した場合、上部挾持板が重過ぎると生シート
焼成時の膨張、収縮を妨害し、焼成薄板に亀裂を生じる
おそれがあるので、あまり厚いもの(または重いもの)
は不適当である。
生シートの焼成は、含まれているゲルマニウム酸鉛系材
料の融点より10〜40℃低い温度で行なう必要がある
。40C以上低い温度では緻密な薄板は得られず、寸だ
融点以下10tl?以内の温度では薄板がセラミック粉
末に融着し易くなるので何れも好ましくない。セラミッ
ク粉末としてマグネシアジルコニアを用い、上記焼成条
件で焼成して得られたゲルマニウム酸鉛系磁器薄板は、
Sl写真観察の結果殆んど残留気孔が認められず、密度
測定の結果はぼ理論密度まで焼結が進行していることが
確認された。また、この得られた薄板は板面に垂直な方
向にC軸を持つ結晶が多く生成しており焦電効果の点か
ら極めて好都合であった。
料の融点より10〜40℃低い温度で行なう必要がある
。40C以上低い温度では緻密な薄板は得られず、寸だ
融点以下10tl?以内の温度では薄板がセラミック粉
末に融着し易くなるので何れも好ましくない。セラミッ
ク粉末としてマグネシアジルコニアを用い、上記焼成条
件で焼成して得られたゲルマニウム酸鉛系磁器薄板は、
Sl写真観察の結果殆んど残留気孔が認められず、密度
測定の結果はぼ理論密度まで焼結が進行していることが
確認された。また、この得られた薄板は板面に垂直な方
向にC軸を持つ結晶が多く生成しており焦電効果の点か
ら極めて好都合であった。
本発明を下記夾施例によって更に説明する。
実施例1
vX、薬47級のpboと99.99%のGeO2をモ
ル比で5:3となるように調合し、らい潰機で1時間暦
砕混合し、この混合物をアルミするつぼに入れ、650
Cて仮焼し、仮焼物をらい漬機で磨砕した後再度650
Cて仮焼した。次いでとの仮焼物を白金るつぼ中で85
0+Cで溶融し、溶融物を純水中表注)来印の粉末は、
市販耐火板を粉砕して得たものである。
ル比で5:3となるように調合し、らい潰機で1時間暦
砕混合し、この混合物をアルミするつぼに入れ、650
Cて仮焼し、仮焼物をらい漬機で磨砕した後再度650
Cて仮焼した。次いでとの仮焼物を白金るつぼ中で85
0+Cで溶融し、溶融物を純水中表注)来印の粉末は、
市販耐火板を粉砕して得たものである。
空孔が認められ、また、マグネシア(東芝セラミックス
TOMAC−BZ )以外は730Uで全テセラミッ
ク粉末に融着した。この結果、焼成温度は、ゲルマニウ
ム酸鉛磁器の融点738Cよりも少なくとも8℃以上低
く、且つ48″C以上低くないことが必要であることが
判る。さらに、セラミック粉末はジルコニア、マグネシ
アを用いたものが良好であることが判る。なおジルコニ
ア粉末は安定化したものである必要はない。
TOMAC−BZ )以外は730Uで全テセラミッ
ク粉末に融着した。この結果、焼成温度は、ゲルマニウ
ム酸鉛磁器の融点738Cよりも少なくとも8℃以上低
く、且つ48″C以上低くないことが必要であることが
判る。さらに、セラミック粉末はジルコニア、マグネシ
アを用いたものが良好であることが判る。なおジルコニ
ア粉末は安定化したものである必要はない。
実施例2
PbO、GeO2、BaCO3、SrCO3、SiO2
粉末を用いて実施例1と同様の調合、混合、仮焼、溶融
、粉砕を行ない%Pb4:tBaosGesOIIs
Pb4ssr6aGeso11sPb5Gez、7S1
oJOttの38のゲルマニウム酸鉛系磁器粉末を得た
。これらの磁器材料のキュリ一点、融点を第2表に示す
。
粉末を用いて実施例1と同様の調合、混合、仮焼、溶融
、粉砕を行ない%Pb4:tBaosGesOIIs
Pb4ssr6aGeso11sPb5Gez、7S1
oJOttの38のゲルマニウム酸鉛系磁器粉末を得た
。これらの磁器材料のキュリ一点、融点を第2表に示す
。
第2表
これらの材料を実施例1と同様に処理して、最終的に5
w+ X 5 wm s厚さ約50ミクロンの生シー
トを得た。この生シートを種々のセラミック粉末を介し
てアルミナ基板間に水平に挾持し、電気炉中で4時間焼
成した。結果を第3表に示す。
w+ X 5 wm s厚さ約50ミクロンの生シー
トを得た。この生シートを種々のセラミック粉末を介し
てアルミナ基板間に水平に挾持し、電気炉中で4時間焼
成した。結果を第3表に示す。
第3表からゲルマニウム酸鉛系磁器材料の焼成流度は、
この磁器材料の融点より10〜40U低い温度が適当で
あることが判る。
この磁器材料の融点より10〜40U低い温度が適当で
あることが判る。
実施例3
実施例1及び実施例2と同様な処理により、Pb5Ge
30H,Pb46RIIO,lGe30H及びPb5G
eLg Sio、+ Ot+の3種類のゲルマニウム酸
鉛系磁器の3.6朝角、厚さ40ミクロンの生シートを
各10枚ずつ作製した。これらの生シートをイツトリア
安定化ジルコニア粉末を敷いたアルミナ基板の上に並べ
、その上に同一材質のジルコニア粉末を蒔き、さらにア
ルミナ基板(厚さ1酵)を載せ、大気中720Cで12
時間焼成した。得られたゲルマニウム酸鉛系磁器薄板は
平坦で、その寸法は焼き縮みにより3−角、厚さ約32
ミクロンになっていた。この薄板の一部をX線回折試料
を用い、一部を赤外線検出装置の製作に供した。
30H,Pb46RIIO,lGe30H及びPb5G
eLg Sio、+ Ot+の3種類のゲルマニウム酸
鉛系磁器の3.6朝角、厚さ40ミクロンの生シートを
各10枚ずつ作製した。これらの生シートをイツトリア
安定化ジルコニア粉末を敷いたアルミナ基板の上に並べ
、その上に同一材質のジルコニア粉末を蒔き、さらにア
ルミナ基板(厚さ1酵)を載せ、大気中720Cで12
時間焼成した。得られたゲルマニウム酸鉛系磁器薄板は
平坦で、その寸法は焼き縮みにより3−角、厚さ約32
ミクロンになっていた。この薄板の一部をX線回折試料
を用い、一部を赤外線検出装置の製作に供した。
焼成薄板のXm回折図からa面及び0面の配向度係数を
求めた。配向度係数fはLotgerl ingの方法
によると、 −PG f −= −X 100 1−P。
求めた。配向度係数fはLotgerl ingの方法
によると、 −PG f −= −X 100 1−P。
で表わされる。ここでPはa面の場合
ΣI(hkt)
で表わされ、0面の場合は
Σx(hkt)
である。ここで、ΣNhkt)は全回折面の回折強度の
総和であり、ΣI (hoo )はa面の回折強度の総
和、ΣI (OOt)は0面の回折強度の総和である。
総和であり、ΣI (hoo )はa面の回折強度の総
和、ΣI (OOt)は0面の回折強度の総和である。
Paは全く特定の配向かない粉末試料のP値である。
従って特4%配向かない場合はf−0となる。
計算により求めた配向度係数を第4表に示す。
第4表
第4表より、本発明法により得られたゲルマニウム酸鉛
系磁器薄板は、焦電性に全く寄与しないa面の配向が抑
えられ、0面が優先的に配向することが判る。この結果
本発明法による磁器薄板の分極処理後の焦電性能は従来
法で得られる磁器薄膜よりも良好となる。
系磁器薄板は、焦電性に全く寄与しないa面の配向が抑
えられ、0面が優先的に配向することが判る。この結果
本発明法による磁器薄板の分極処理後の焦電性能は従来
法で得られる磁器薄膜よりも良好となる。
赤外線検出装置は次のようにして製作された。
先ず第2図(A)に示すように、ゲルマニウム酸鉛系磁
器薄板(約3切角)5の一方の面に下部電極6として金
を直径2簡の円板状に約2,000 gの厚さに蒸着し
、他の面に受光電極7として直径2m+の円板状にクロ
ームを約5ooXの厚さに蒸着した。
器薄板(約3切角)5の一方の面に下部電極6として金
を直径2簡の円板状に約2,000 gの厚さに蒸着し
、他の面に受光電極7として直径2m+の円板状にクロ
ームを約5ooXの厚さに蒸着した。
次に、第2図(B1に示すように、中央に直径1能の透
孔と周縁部に3個のビン孔を有し、ビン孔の少なくとも
1個と中央透孔との間に導電被膜8を有する直径7mの
アルミナ基板9に、上記電極を設けた上記磁器薄板5を
取付け、アルミナ基板9をリードビン付きTo−5ヘツ
ダー10に第3図(〜のように取付け、受光電極7とピ
ンリード12を金細線11で接合し、ピンリード16と
導電被膜8とを導電性接着剤で接合(図示しない)した
。受光電極7には黒色ラッカーを塗布(図示しない)し
て赤外線吸収膜とし、!F5彼に第3図(R1及び(C
1のように頂部に直径4冒の透孔窓を有するキャップ1
4をヘッダー10に載せて封止した。このようにして製
作された赤外線検出装置のピンリード12及び16間に
70Vの笥、圧を5時間印加し、ゲルマニウム酸鉛系磁
器薄板5の分極処理を施した。
孔と周縁部に3個のビン孔を有し、ビン孔の少なくとも
1個と中央透孔との間に導電被膜8を有する直径7mの
アルミナ基板9に、上記電極を設けた上記磁器薄板5を
取付け、アルミナ基板9をリードビン付きTo−5ヘツ
ダー10に第3図(〜のように取付け、受光電極7とピ
ンリード12を金細線11で接合し、ピンリード16と
導電被膜8とを導電性接着剤で接合(図示しない)した
。受光電極7には黒色ラッカーを塗布(図示しない)し
て赤外線吸収膜とし、!F5彼に第3図(R1及び(C
1のように頂部に直径4冒の透孔窓を有するキャップ1
4をヘッダー10に載せて封止した。このようにして製
作された赤外線検出装置のピンリード12及び16間に
70Vの笥、圧を5時間印加し、ゲルマニウム酸鉛系磁
器薄板5の分極処理を施した。
この赤外線検出装置を用い、500に黒体炉から10
Hz Kチヨツピングされた赤外線を照射し、パワーメ
ータて測定される入射赤外線強度I W (wntt)
と素子の電極間に生じる電圧から電圧感度Rvの測定を
行なった。Rvの測定に用いた回路図を第4図に示す。
Hz Kチヨツピングされた赤外線を照射し、パワーメ
ータて測定される入射赤外線強度I W (wntt)
と素子の電極間に生じる電圧から電圧感度Rvの測定を
行なった。Rvの測定に用いた回路図を第4図に示す。
5けゲルマニウム酸鉛系磁器薄板、15け100GΩの
抵抗、16はインピーダンス変換用の電界効果型トラン
ジスタ、17tj:IOKΩの抵抗である。
抵抗、16はインピーダンス変換用の電界効果型トラン
ジスタ、17tj:IOKΩの抵抗である。
この回路の端子18にIOVの直流電圧を印加し、端子
19及び2oをロックインアンプに接続して出力電圧V
を測定すれば、Rvは出力電圧V/入射赤外線強度Iw
で計算される。測定の結果Pb5Ge30oのRvは1
80 V/ W ) P b4sBao、1 Ge30
+tのRvけ250 V/ W %Pb5Ge2s 5
ioa O1+のRvは200V/Wであった。この値
は例えば放射温度計に要求される感度として充分である
。
19及び2oをロックインアンプに接続して出力電圧V
を測定すれば、Rvは出力電圧V/入射赤外線強度Iw
で計算される。測定の結果Pb5Ge30oのRvは1
80 V/ W ) P b4sBao、1 Ge30
+tのRvけ250 V/ W %Pb5Ge2s 5
ioa O1+のRvは200V/Wであった。この値
は例えば放射温度計に要求される感度として充分である
。
第1図は本発明による生シートを挾持した状態を示す断
面図。 第2図(A) 、 fB)および第3図(A+ 、 (
B) 、 (C)は、ともに本発明によるゲルマニウム
酸鉛系磁器薄板を用いた赤外線検出装置の説明図。 第4図は、上記装置によるRv測定用回路図である。 1・・・ゲルマニウム酸鉛系磁器生シート;2・・・非
融着性セラミック粉末;6,4・・・耐火性平板;5・
・・ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板;6,7・・・電葎;
8・・・導i被膜;9・・・アルミナ基板;10・・・
ヘッダー;12,16・・・ビンリード;14・・・キ
ャップ。 特許出願人:住友金属鉱山株式会社 代理人:弁理士海津保三 同 :弁理上平 山 −幸 (B) 第31”(i 第4 1’4 U
面図。 第2図(A) 、 fB)および第3図(A+ 、 (
B) 、 (C)は、ともに本発明によるゲルマニウム
酸鉛系磁器薄板を用いた赤外線検出装置の説明図。 第4図は、上記装置によるRv測定用回路図である。 1・・・ゲルマニウム酸鉛系磁器生シート;2・・・非
融着性セラミック粉末;6,4・・・耐火性平板;5・
・・ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板;6,7・・・電葎;
8・・・導i被膜;9・・・アルミナ基板;10・・・
ヘッダー;12,16・・・ビンリード;14・・・キ
ャップ。 特許出願人:住友金属鉱山株式会社 代理人:弁理士海津保三 同 :弁理上平 山 −幸 (B) 第31”(i 第4 1’4 U
Claims (1)
- 有機質粘着剤を含有するP bs G e30nを基本
組成とするゲルマニウム酸鉛系磁器粉末ペーストを、上
記有機質粘着剤を溶解しない溶剤で溶解可能な剥離性物
質を付着した平坦な合板上に塗布、乾燥して上記磁器粉
末ペーストの薄板を形成し、上記溶剤で剥離性物質を溶
解することによ沙上記薄板を合板から遊離させ、次いで
この薄板を、上記磁器組成物に不活性かつ非融着性のセ
ラミック粉末を介して耐火性平板で挾持し、上記磁器の
融点より10〜40t?低い温度で焼成することを特徴
とするゲルマニウム酸鉛系磁器薄板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57146929A JPS5939760A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57146929A JPS5939760A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5939760A true JPS5939760A (ja) | 1984-03-05 |
Family
ID=15418761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57146929A Pending JPS5939760A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5939760A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56111897A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-03 | Fujitsu Ltd | Ward unit voice recognizing system utilizing monoosylable voice recogniton |
JPS6418960A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Murata Manufacturing Co | Flexible ceramic sheet and production thereof |
JPS6419604A (en) * | 1987-11-13 | 1989-01-23 | Murata Manufacturing Co | Flexible derivative ceramic sheet, ceramic condensor using the ceramic sheet and manufacture of flexible derivative ceramic sheet |
JPH0442851A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-13 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | ゲルマン酸鉛薄膜の製造方法 |
-
1982
- 1982-08-26 JP JP57146929A patent/JPS5939760A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56111897A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-03 | Fujitsu Ltd | Ward unit voice recognizing system utilizing monoosylable voice recogniton |
JPS6418960A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Murata Manufacturing Co | Flexible ceramic sheet and production thereof |
JPS6419604A (en) * | 1987-11-13 | 1989-01-23 | Murata Manufacturing Co | Flexible derivative ceramic sheet, ceramic condensor using the ceramic sheet and manufacture of flexible derivative ceramic sheet |
JPH0442851A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-13 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | ゲルマン酸鉛薄膜の製造方法 |
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