JPS593814A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS593814A JPS593814A JP11295582A JP11295582A JPS593814A JP S593814 A JPS593814 A JP S593814A JP 11295582 A JP11295582 A JP 11295582A JP 11295582 A JP11295582 A JP 11295582A JP S593814 A JPS593814 A JP S593814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- mixed gas
- oxygen
- resistivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、透明導電膜の製造方法の改良に関する。
従来、透明導電膜の製造方法としては、真空蒸着法やス
パッタ蒸着法等が広く用いられている。輿望蒸着法は、
ば化インジウム錫を電子ビーム加熱法によシ真空蒸着す
るか、或いはインジウム錫合金ｆ：酸素雰囲気中で活性
蒸着する方法である。ｉだ、スパッタ陸着法は、酸化イ
ンジウム錫をターグットとしてグー９ツタリングするか
、或いはインジウム錫合金金ターダツトとじて酸素を含
むガス中で活性ス・Ｐツタリングする方法である。
パッタ蒸着法等が広く用いられている。輿望蒸着法は、
ば化インジウム錫を電子ビーム加熱法によシ真空蒸着す
るか、或いはインジウム錫合金ｆ：酸素雰囲気中で活性
蒸着する方法である。ｉだ、スパッタ陸着法は、酸化イ
ンジウム錫をターグットとしてグー９ツタリングするか
、或いはインジウム錫合金金ターダツトとじて酸素を含
むガス中で活性ス・Ｐツタリングする方法である。
ところが、この柚の方法にあっては次のような問題があ
った。すなわち、真空蒸着法では一役に基板温度２５０
［°ｃ ］以上で膜形成を行なっておシ、それ以下の
温度でり、抵抗率が１０−ｒ ｏ−２〔Ω−副〕程度に
上昇する。また、スパッタリング法では膜形成中に基板
温度が２００〜３００ｃｃＪ程度に上昇してしまう。こ
のため、基板温度ｌＯＯ〔°Ｃ〕以下で膜を形成すると
１０−３〜ｉ ｏ−２（にト副〕の高抵抗率の透明導電
しか得られない。したがって、耐熱温度が低い基。
った。すなわち、真空蒸着法では一役に基板温度２５０
［°ｃ ］以上で膜形成を行なっておシ、それ以下の
温度でり、抵抗率が１０−ｒ ｏ−２〔Ω−副〕程度に
上昇する。また、スパッタリング法では膜形成中に基板
温度が２００〜３００ｃｃＪ程度に上昇してしまう。こ
のため、基板温度ｌＯＯ〔°Ｃ〕以下で膜を形成すると
１０−３〜ｉ ｏ−２（にト副〕の高抵抗率の透明導電
しか得られない。したがって、耐熱温度が低い基。
板材料、或いは高侶では特性が劣化する恐れのある基板
拐料には、透明導電性被膜を１０−４〔Ω−の〕程度の
低抵抗率で形成することが困難であった。
拐料には、透明導電性被膜を１０−４〔Ω−の〕程度の
低抵抗率で形成することが困難であった。
本発明の目的は、基板温度１００（℃）以下で低抵抗率
（５Ｘ１０ ０１以下）の透明導電性破膜を形成するこ
とができる透明導電膜の製造方法を提供することＶＣあ
る。
（５Ｘ１０ ０１以下）の透明導電性破膜を形成するこ
とができる透明導電膜の製造方法を提供することＶＣあ
る。
マグネトロン直流スノ寄ツタリング装置は、蒸発源のタ
ーゲットに特殊な磁界をかけ、電子をその磁界の中に閉
じ込め、電離効率？上げてノ２ズマ密度を上げることに
より、基板の温度上昇を防ぎ、作業圧力を下げることが
でへるものである。
ーゲットに特殊な磁界をかけ、電子をその磁界の中に閉
じ込め、電離効率？上げてノ２ズマ密度を上げることに
より、基板の温度上昇を防ぎ、作業圧力を下げることが
でへるものである。
本発明者等は、このような装置を用い、種々の実験を重
ねた結果、活性ガスと１．て酸素とアルゴンとの混合ガ
スを使用し、この混合ガス中の酸素の割合を１〜５ ［
ｍｏ１％」に規定することにより、低抵抗率の透明導電
性被膜が形成されるのを見出した。すなわち、ターゲツ
トとして酸化インゾウム錫と用い哨累とアルボ／との混
合ガスの圧力全ｌＸｌ０ ＣＴｏｒｒＪ以−トに設定
し、混合ガス中の酸素の割合金上ｄ己条件に設定するこ
とによシ、基板温度１００しＣ〕以下で抵抗率５ｘｔｏ
−’ｔＩΩ−ｒｍ］以下の透明導電性被膜が形成される
ことを見出した。
ねた結果、活性ガスと１．て酸素とアルゴンとの混合ガ
スを使用し、この混合ガス中の酸素の割合を１〜５ ［
ｍｏ１％」に規定することにより、低抵抗率の透明導電
性被膜が形成されるのを見出した。すなわち、ターゲツ
トとして酸化インゾウム錫と用い哨累とアルボ／との混
合ガスの圧力全ｌＸｌ０ ＣＴｏｒｒＪ以−トに設定
し、混合ガス中の酸素の割合金上ｄ己条件に設定するこ
とによシ、基板温度１００しＣ〕以下で抵抗率５ｘｔｏ
−’ｔＩΩ−ｒｍ］以下の透明導電性被膜が形成される
ことを見出した。
本発明はこのような点に漸目し、マグネトロン直流ス・
母ッータリング装置を用い、酸素ヶ含む油性ガス中で酸
化インゾウム錫のターケ゛ットに直流電圧全印加して透
明導畦性被１摸を形成するに際し、上記活性ガスとして
酸素とアルゴンとの混合ガスを使用すると共に混合ガス
中の酸素の割合を１〜５．［ｍｏｔ％］に設定し、かつ
混合ガ゛スの圧力全Ｉ Ｘ Ｉ ＯＣＴｏｒｒ ”）以
下に設定するようにした方法でおる。
母ッータリング装置を用い、酸素ヶ含む油性ガス中で酸
化インゾウム錫のターケ゛ットに直流電圧全印加して透
明導畦性被１摸を形成するに際し、上記活性ガスとして
酸素とアルゴンとの混合ガスを使用すると共に混合ガス
中の酸素の割合を１〜５．［ｍｏｔ％］に設定し、かつ
混合ガ゛スの圧力全Ｉ Ｘ Ｉ ＯＣＴｏｒｒ ”）以
下に設定するようにした方法でおる。
Ｌ発明の効果〕
本発明によれば、基板温度１００ＬｃＪ以下で抵抗率５
ＸｌＯ−４（Ω−一」以下の透明導電性破膜を形成する
ことができる。さらに、その透明率も十分大きくするこ
とができる。したがって、従来方法と比較すると、抵抗
率が１桁以上小さく、低温で低抵抗率の透明導電性被膜
を容易に形成することができ、その有用性は極めて大き
い。
ＸｌＯ−４（Ω−一」以下の透明導電性破膜を形成する
ことができる。さらに、その透明率も十分大きくするこ
とができる。したがって、従来方法と比較すると、抵抗
率が１桁以上小さく、低温で低抵抗率の透明導電性被膜
を容易に形成することができ、その有用性は極めて大き
い。
第１図は本発明の一実施例に使用したブレーナ型マグネ
トロン直流ス・ｆツタリング装置を示す概略構成図であ
る。図中１は試料室で、この試料室１内には一対の平行
平板電極２．３が配設されている。上部電極２にはガラ
ス基板４が配置され、下部電極３にはターゲットとして
の酸化インゾウム錫５が配置される。そして、これら電
極２．３間には直流電源６による電圧が印加されるもの
となっている。なお、図中７は磁石、８ｉ−１１，シャ
ッタ、９は冷却水、１０は試料室Ｉ内に活性ガスを導入
するためのリークパルプ、ＩＩは試料室１内を排気する
ためのメインパルプを示しでいる。この装置では試料室
１内を十分真空に引いたのちリークバルブ１０により試
料室１内にスバ、タリングガスを導入し試料室１内を所
定の圧力に設定する。次いＣターケ゛ット５に所定の１
４圧全印加し、グリス／ｆ ツタリングを行なった後、
シャッタ８を開いてス・ぞツタリングを行なうものとな
っている。
トロン直流ス・ｆツタリング装置を示す概略構成図であ
る。図中１は試料室で、この試料室１内には一対の平行
平板電極２．３が配設されている。上部電極２にはガラ
ス基板４が配置され、下部電極３にはターゲットとして
の酸化インゾウム錫５が配置される。そして、これら電
極２．３間には直流電源６による電圧が印加されるもの
となっている。なお、図中７は磁石、８ｉ−１１，シャ
ッタ、９は冷却水、１０は試料室Ｉ内に活性ガスを導入
するためのリークパルプ、ＩＩは試料室１内を排気する
ためのメインパルプを示しでいる。この装置では試料室
１内を十分真空に引いたのちリークバルブ１０により試
料室１内にスバ、タリングガスを導入し試料室１内を所
定の圧力に設定する。次いＣターケ゛ット５に所定の１
４圧全印加し、グリス／ｆ ツタリングを行なった後、
シャッタ８を開いてス・ぞツタリングを行なうものとな
っている。
このような装置を使用し、まずガラス基板４をターゲッ
ト５との距離が５〔副〕となる様に試料室１内に配置し
た。上記ターケ゛ソト５は数〔チ〕の５ｎ０２ ｆ含ん
だｔ２ｏ５の焼結体である。試料室Ｊ内を３ Ｘ ６−
６［Ｔｏｒｒ 〕以下に排気した後、アルゴンと酸素と
の混合ガスをリークバルブ１０によυ導入し、試１１室
１内の圧力を６Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ 〕に調整した。
ト５との距離が５〔副〕となる様に試料室１内に配置し
た。上記ターケ゛ソト５は数〔チ〕の５ｎ０２ ｆ含ん
だｔ２ｏ５の焼結体である。試料室Ｊ内を３ Ｘ ６−
６［Ｔｏｒｒ 〕以下に排気した後、アルゴンと酸素と
の混合ガスをリークバルブ１０によυ導入し、試１１室
１内の圧力を６Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ 〕に調整した。
次いで、ターケ゛ッ）５ｔ＋こ３００［Ｖ」の直流砥圧
金印加して、ス・９ツタリングヶ行なった。その結果得
られた透明４−１膜の特性は以］：の通りであった。ま
た基板温度は１００（ＩＣＪ金越えな７Ｄ）った。
金印加して、ス・９ツタリングヶ行なった。その結果得
られた透明４−１膜の特性は以］：の通りであった。ま
た基板温度は１００（ＩＣＪ金越えな７Ｄ）った。
（１）ＩＩＩ ＩＩ ２ｓｏｏ（Ｘ
）（２）面積）ル抗値 １７［島４］（
′３）抵抗率 ４．４Ｘ１０＝［Ω−ｃ
ｒｎ］（４）通過率（ａｔ５００ｎｍ） ８５［Ｉ％
Ｊまた、上記実施例の条件において、アルゴンと酸系と
の組成比を変化させた場合の透明導電膜の抵抗率及び透
過率は第２図に示す如くなった。なお、図中○印は抵抗
率、Δ印は透過率を示している・この第２図から明らか
なように、低抵抗率（５Ｘ１０ Ω−譚以下ンで高透
過率（８０％以上）の透明導電膜を形成するためには、
混合ガス中のｒＲ素の割合ｔ−１〜５ （ｍｏｌ ＊
：）の範囲に設定しなければならないことが判明した。
）（２）面積）ル抗値 １７［島４］（
′３）抵抗率 ４．４Ｘ１０＝［Ω−ｃ
ｒｎ］（４）通過率（ａｔ５００ｎｍ） ８５［Ｉ％
Ｊまた、上記実施例の条件において、アルゴンと酸系と
の組成比を変化させた場合の透明導電膜の抵抗率及び透
過率は第２図に示す如くなった。なお、図中○印は抵抗
率、Δ印は透過率を示している・この第２図から明らか
なように、低抵抗率（５Ｘ１０ Ω−譚以下ンで高透
過率（８０％以上）の透明導電膜を形成するためには、
混合ガス中のｒＲ素の割合ｔ−１〜５ （ｍｏｌ ＊
：）の範囲に設定しなければならないことが判明した。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる０例えば、前記透明導電性被膜が形成さ
れる基板はガラス基板に限るものではなく、各糧の基板
を選択すればよい。ま九、ターダットに印加する直流電
圧の大きさ等も、仕様に応じて適宜定めればよいのは勿
論のことである。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる０例えば、前記透明導電性被膜が形成さ
れる基板はガラス基板に限るものではなく、各糧の基板
を選択すればよい。ま九、ターダットに印加する直流電
圧の大きさ等も、仕様に応じて適宜定めればよいのは勿
論のことである。
第１図は本発明の一実施例に使用した直流マグネトロン
ス・々ツタリング装置を示す概略構成図、第２図はスノ
ソツタリング条件と透明導電性被膜の抵抗率及び透過率
との関係を示す特性図である。 １・・・試料室、２，３・・・電極、４・・・ガラス基
板、５・°°ターダット、６・・・直流電源、７・・・
磁石、８・°・シャッタ、９・・・冷却水、１０・・・
リークパルプ、１１・・・メインバルブ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−透迭牢〔７
゜〕 −才区才に手 ［Ｑ−Ｃｍ］
ス・々ツタリング装置を示す概略構成図、第２図はスノ
ソツタリング条件と透明導電性被膜の抵抗率及び透過率
との関係を示す特性図である。 １・・・試料室、２，３・・・電極、４・・・ガラス基
板、５・°°ターダット、６・・・直流電源、７・・・
磁石、８・°・シャッタ、９・・・冷却水、１０・・・
リークパルプ、１１・・・メインバルブ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−透迭牢〔７
゜〕 −才区才に手 ［Ｑ−Ｃｍ］
Claims (1)
- マグネトロン直流スパッタリング装置を用い、酸素を含
む活性ガス中で酸化インジウム錫のターグットに直流電
圧を印加して透明導電性被膜を形成するに際し、上記活
性ガスとして酸素とアルゴンとの混合ガスを使用すると
共に混合ガス中の酸素の割合を１〜５ （ｍａｔチ〕に
設定し、かつ混合ガスの圧力をＩ Ｘ １０−２［Ｔｏ
ｒｒ ）以下に設定したことを特徴とする透明導電膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11295582A JPS593814A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11295582A JPS593814A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593814A true JPS593814A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14599708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11295582A Pending JPS593814A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206117A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-12 | ダイセル化学工業株式会社 | 連続蒸着法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129383A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Fuji Xerox Co Ltd | Manufacture of light receipt element of thin film type |
| JPS58209009A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-05 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜の形成方法 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11295582A patent/JPS593814A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129383A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Fuji Xerox Co Ltd | Manufacture of light receipt element of thin film type |
| JPS58209009A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-05 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206117A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-12 | ダイセル化学工業株式会社 | 連続蒸着法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200403189A (en) | Oxide sintered body | |
| JPH07258836A (ja) | アルミニウムドープ酸化亜鉛焼結体およびその製造方法並びにその用途 | |
| US3749658A (en) | Method of fabricating transparent conductors | |
| US3579063A (en) | Thin film capacitor | |
| US4675092A (en) | Method of producing thin film electroluminescent structures | |
| JPH0772346B2 (ja) | 低抵抗透明導電膜の製造方法 | |
| JP3331584B2 (ja) | 多結晶ＭｇＯ蒸着材 | |
| US3418229A (en) | Method of forming films of compounds having at least two anions by cathode sputtering | |
| JPS593814A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| Girtan et al. | The influence of preparation conditions on the electrical and optical properties of oxidized indium thin films | |
| JP3368764B2 (ja) | パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP3030913B2 (ja) | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 | |
| JPS6320377B2 (ja) | ||
| JPS59101795A (ja) | エレクトロルミネセンス薄膜表示装置 | |
| JPH06247765A (ja) | Ｉｔｏ焼結体、ｉｔｏターゲットおよびｉｔｏ膜 | |
| JP2014162998A (ja) | 酸化亜鉛系スパッタリング・ターゲット、その製造方法、及びそれを用いて蒸着された遮断膜を有する薄膜トランジスタ | |
| JPS61292817A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JPH0723532B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPS59115586A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JP3781398B2 (ja) | Ｉ．ｔ．ｏ焼結体、その製造方法及びｉ．ｔ．ｏ薄膜 | |
| JP3105014B2 (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPS60221569A (ja) | 電気的蒸着用タ−ゲツト | |
| JP2000345325A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| JPS6120963B2 (ja) | ||
| JP3127836B2 (ja) | スパッタリング方法 |