JPS5937814Y2 - 液晶マトリックス表示パネル - Google Patents

液晶マトリックス表示パネル

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JPS5937814Y2
JPS5937814Y2 JP11377380U JP11377380U JPS5937814Y2 JP S5937814 Y2 JPS5937814 Y2 JP S5937814Y2 JP 11377380 U JP11377380 U JP 11377380U JP 11377380 U JP11377380 U JP 11377380U JP S5937814 Y2 JPS5937814 Y2 JP S5937814Y2
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JP
Japan
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liquid crystal
display panel
glass substrate
integrated
transistor
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Expired
Application number
JP11377380U
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English (en)
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JPS5739090U (ja
Inventor
弘 江崎
省三 高橋
陽一 斉藤
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、シリコン基板等の半導体基板に、MOSトラ
ンジスタと電荷蓄積用コンデンサ、及びX、 Y電極等
を集積形成した集積基板と、一方の面に透明電極を付し
たガラス基板との間に液晶を介在せしめ、テレビ画像等
の画像表示を行なう、いわゆるXYマトリックス型の液
晶マトリックス表示パネルの製造工程に於ける歩留りの
向上を目的とする。
第1図は、MO8O8形ンジスタを用いた公知の液晶マ
トリックス表示パネルであり、単位絵素を構成するのは
、シリコン半導体基板面に選択拡散、選択酸化等で集積
形成されたMO8形トランジスタ1、電荷蓄積用コンデ
ンサ2、その上に透明電極を被着したガラス基板との間
に介挿して構成される液晶セル3である。
例えば今、外部から端子Xi’ を介してX電極配線
、すなわちゲート配線xiにゲート信号が加わると、M
O8形トランジスタ1がオンとなり、外部から端子Yj
′を介して供給される映像信号は、Y電極配線、すなわ
ち映像信号配線yjからトランジスタ1を通って、コン
デンサ2を充電する。
ゲート信号が消滅しても、コンデンサ2に貯えられた電
荷が液晶セル3に電圧を与える間は、液晶セル3は、映
像信号に応じて変調を受は続ける。
又、コンデンサ2に貯えられた電荷は、トランジスタ1
のオフ抵抗および液晶セルの抵抗骨を通してリークして
行くが、次のゲート信号によって、再び映像信号に応じ
た蓄積電荷のリフレッシュが行なわれる。
第1図に示したように単位絵素をマトリックス状に配列
し、XおよびY方向に走査することによりテレビジョン
を構成することが可能で、前述したように横方向に一斉
にトランジスタ1群をオンさせて映像信号群をコンデン
サ2群に書き込ませるようにし、縦方向に順次ゲート信
号群を走査する、いわゆる線順次走査によってCRTと
同等の作用が得られる。
第2図は、第1図に示される単位絵素を集積回路化した
場合の平面図で、第2図のA−A’ の断面構成図を第
3図に示す。
本例では、導電型がN型のシリコンウェハの半導体基板
9に、PチャンネルのMOS)ランジスタを構成し、動
的散乱液晶を使用した直流動作の反射型マトリックス表
示パネルの構成を中心に述べる。
MOS)ランジスタ1は、表面が酸化絶縁された多結晶
シリコンゲート6および、P型不純物拡散によるドレイ
ンまたはソース4、ソースまたはドレイン5より成り、
7は金属反射電極で、薄いシリコン酸化膜8′ を介し
てシリコン基板と共に、コンデンサ2を形成している。
金属反射電極7は、トランジスタ1の表面を覆っている
酸化膜8に設けられた開口部を通して、ドレイン5とオ
ーミック接触をしている。
多結晶シリコンから成る6はゲート電極と共に、前述の
X電極配線を形成し、一方、P型拡散路4はソース部と
共に前述のY電極配線を兼ね、何れもその表面はシリコ
ン酸化絶縁膜で絶縁されている。
金属給電端子Xi′及びyj′ はアルミニウム電極
であり、X電極配線及びY電極配線の夫々両端に、シリ
コン酸化絶縁膜の開口部を通して接続されている。
以上のようにして形成された集積基板90と、表面に酸
化インジウム等の透明電極11を被着した透明ガラス基
板12との間に、動的散乱型の液晶10を充填すること
によって、透明電極11と金属反射電極7より戊る前記
液晶セル3が構成される。
そしてガラス基板12上方より入射した外光13は、液
晶セル3によって適当な散乱を受け、さらに金属反射電
極7によって反射されて、反射型の液晶マトリックス表
示パネルが得られる。
さて、ここでテレビ表示画面を構成するためには、第2
図の単位絵素を、第1図に示したように解像度の観点か
らX、 Y両方向に夫々240個、即ち57.60所
固程度の極めて多数個の配設を必要とする。
単位絵素の大きさは、X方向150μ、Y方向200μ
程度であるので、画面の大きさは36 X 48mm2
、電極配線や、これに接続する給電端子等を考慮すると
、44 X 56mm2程度の極めて大面積の集積基板
90が必要となる。
この種の表示パネルの製造上の不良は、画像表示におい
て、白及至は黒の線もしくは点状の欠陥として画面上に
現われ、画像品質を著しく劣化させる。
第4図−aは従来の方法による組立時の平面図であり、
B−B’ の断面図を第4図−bに示す。
又第4図−すのシール部付近の拡大図を第4図Cに示す
前記の欠陥は、集積基板90を集積形成する過程におい
て生じ、MOSトランジスタ1の耐圧不良や電荷蓄積用
コンデンサ2のショート等によるか、第4図に示すよう
に集積基板90と、透明電極11を被着したガラス基板
12との間に、太さ6μのガラスファイバー入りのエポ
キシ樹脂等の接着性スペーサー14をシール剤として介
挿しこれを加熱、加圧するごとにより組立て、その後、
液晶10をガラス基板2の端部に設けられた注入孔15
(第4図b)を介して、基板90.12で隔絶された間
隙16に注入し、孔15を封じて液晶マトリックス表示
パネルを作成する場合に、透明電極11が、集積基板9
0の給電端子部21や金属反射電極7とゴミ等により接
触することによって生じる。
そことによって生じる。
そこで本考案は、前述のような原因により発生する不良
を軽減すべく一つの導電型の半導体基板に、これと異な
る導電型のソース及びドレイン部を有するMOSトラン
ジスタと、これに連結する電荷蓄積用コンデンサとを含
む単位絵素が、X、 Y両方向に多数個集積形成される
と共に、前記MOSトランジスタのソース乃至はドレイ
ン部の何れか、及びゲート部は、同じく前記半導体基板
に集積形成されたX電極配線乃至はY電極配線の何れか
一方に、夫々接続される関係に有り、X及びY電極配線
の両端部には金属給電端子部を持つ集積基板と、片側の
面に透明電極を被着したガラス基板との間に液晶を介在
せしめた液晶マトリックス表示パネルに於いて、前記透
明電極は、ガラス基板の端部より内側に有り、かつ前記
X及びY両方向に並べられた単位絵素の最外周囲の面積
より大きく、又、前記透明電極の取り出し部として、ガ
ラス基板のコーナーへ単数域いは複数個のリード部の延
長を持ち、かつ前記金属給電端子部と対応することのな
い液晶マトリックス表示パネルを提供し、組立歩留りの
向上を計るものである。
以下、本考案を第5図に基づいて更に詳しく説明する。
第5図−aは本考案による組立平面図であり、第5図−
bは、c−c’断面図で、第5図Cにシール付近の拡大
断面図を示す。
第5図−dは透明電極11の取り出し部付近の拡大図で
あり、導電樹脂22により、透明電極11を集積基板9
0の透明電極引き出し端子23に取り出している。
ここで集積基板90は従来の方法により形成した後、ダ
イシングソーにより四角に切り出したものである。
透明電極11を被着したガラス基板12は、超純水によ
る洗浄、乾燥の後、液晶分子配向制御の為、適当な下地
処理を施した後、ナイロン布により研磨を行なう。
その後、ガラス基板12に、太さ6μのガラスファイバ
ー入りのエポキシ樹脂を単位絵素の最外周囲と対応する
ガラス基板12の位置とガラス基板12の端部との間に
スクリーン印刷をし、両基板90.12を組合せた後、
加熱、加圧すすことにより組立て、その後、液晶10を
ガラス基板12の端部に設けられた注入孔15を介して
、間隙16に注入、孔15を封じて液晶マトリチフス表
示パネルを作成する。
図5−c9図5−dで分かるように、透明電極11は金
属給電端子21と一切対向しておらず、ダイシングソー
切断p寺に発生するシリコン屑や配向処理時のナイロン
繊維及びスクリーン印刷時に付着するゴミ・エポキシ樹
脂接着剤に含まれる不純物等の影響により、X及びY方
向の線欠陥の発生を軽減することは明白である。
以上の如く、本考案は、液晶マトリックス表示パネルの
作成時、殊に組立時に発生する不良の軽減を計り、組立
て歩留りの向上を計った液晶マトリックス表示パネルを
提供するものであり、産業上極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案が適用される液晶マトリックス表示パ
ネルの電気回路的構成を示す図、第2図は、第1図の表
示パネルの単位絵素の集積回路平面図、第3図は第2図
のA−A’の断面構造、第4図は、液晶マトリックス表
示パネルの組立て断面構成図、第4図−aは従来の液晶
マトリックスパネルの組立平面図、第4図−すは、第4
図−aのB−B’断面図、第4図−〇は第4図−すのシ
ール部拡大図、第5図−aは本考案による組立平面図、
第5図−すは、第5図−aのc−c’断面図、第5図−
Cは第5図−bのシール部拡大図、第5図−dは、本考
案による透明電極の引き出し部付近の拡大図である。 1・・・・・・MO8電界効果トランジスタ、2・・・
・・・電荷蓄積用コンデンサ、3・・・・・・液晶セル
、4・・・・・・Y電極配線及びソース部、5・・・・
・・ドレイン部、6・・・・・・X電極配線及びゲート
部、7・・・・・・金属反射電極、8.8′ ・・・・
・・酸化絶縁膜、9・・・・・・半導体基体、10・・
・・・・液晶、11・・・・・・透明電極、12・・・
・・・ガラス基板、13・・・・・・外光、14・・・
・・・接着性スペーサー、15・・・・・・注入孔、2
1・・・・・・金属給電端子、22・・・・・・導電樹
脂、23・・・・・・透明電極引き出し端子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一つの導電型の半導体基板に、これと異なる導電型のソ
    ース及びドレイン部を有するMOS)ランジスタと、こ
    れに連結する電荷蓄積用コンデンサとを含む単位素が、
    X、 Y両方向に多数個集積形成されると共に、前記
    MO8)ランジスタのソース乃至はドレイン部の何れか
    、及びゲート部は、同じく前記半導体基板に集積形成さ
    れたX電極配線乃至はY電極配線の何れか一方に、夫々
    接続される関係に有り、X及びY電極配線の両端部には
    金属給電子部を持つ集積基板と、片側の面に透明電極を
    被着したガラス基板との間に液晶を介在せしめた液晶マ
    トリックス表示パネルに於いて、前記透明電極は、ガラ
    ス基板の端部より内側に有り、かつ前記X及びY両方向
    に並べられた単位絵素の最外周囲の面積より大きく、又
    、前記透明電極の取り出し部として、ガラス基板のコー
    ナーへ単数或いは複数個のリード部の延長を持ち、かつ
    前記金属給電端子部と対向しないようにした液晶マトリ
    ックス表示パネル。
JP11377380U 1980-08-13 1980-08-13 液晶マトリックス表示パネル Expired JPS5937814Y2 (ja)

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JPS5739090U JPS5739090U (ja) 1982-03-02
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