JPH0822016A

JPH0822016A - 液晶表示装置

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Publication number: JPH0822016A
Application number: JP15725494A
Authority: JP
Inventors: Masayoshi Murata; 正義村田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-07-08
Filing date: 1994-07-08
Publication date: 1996-01-23
Anticipated expiration: 2015-03-15
Also published as: JP3021289B2

Abstract

(57)【要約】【目的】液晶表示装置の周辺駆動回路に光キャリアが
発生することによって、周辺駆動回路が誤動作したり、
周辺駆動回路からの映像信号レベルが低下する問題を解
消する。【構成】周辺駆動回路への光の入射を防止するために
遮光部材５１２を周辺駆動回路５０７を覆うように設け
る。とくにアライメントマーク５１０周辺やシール部分
５０３からの入射光を防止する。【効果】高画質の液晶表示装置が得られるので、液晶
テレビジョン、液晶プトジェクタテレビ、液晶ビューフ
ァインダー、液晶ヘッドマウントディスプレイが実現で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、テレビ画像等の高解像
度の映像表示に用いる液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】単純マトリクス型の液晶表示装置は、お
のおのがストライプ状電極を有する一対の基板を、互い
に電極が交差するようにマトリクス状に対向配置する液
晶表示装置である。この単純マトリクス液晶表示装置
は、時刻や簡単な画像表示には十分であるが時分割駆動
には限界が有り、テレビ画像など高解像度の映像表示が
必要になると、画素数が膨大に要求され、時分割駆動で
制御することができなくなる。そこで近年、単純マトリ
クス方式に変わって、アクティブマトリクス方式が開発
された。

【０００３】アクティブマトリクス方式の液晶表示装置
には、ダイオード動作するスイッチング素子を使う２端
子型と、トランジスタ動作するスイッチング素子を使う
３端子型の２種類のアクティブマトリクス方式がある。
３端子型のアクティブマトリクス方式は、一方の基板に
共通電極を設け、他方の電極に画素毎の画素電極を設
け、該当画素電極毎にスイッチング素子として薄膜トラ
ンジスタ（以下「ＴＦＴ」と記す）を配し、制御する駆
動方式である。

【０００４】ＴＦＴはソース電極及びドレイン電極と呼
ばれる２つの主電極と、ゲート電極と呼ばれる制御電極
からなっているが、上記アクティブマトリクス方式では
一方の主電極を信号線に、他方の主電極を画素電極に、
ゲート電極を走査線に接続している。

【０００５】尚、トランジスタの主電極のどちらがソー
ス電極であるかはトランジスタの種類及び印加電圧の極
性によって変わり得るため、本明細書においては表示信
号線に接続した側をソース電極、画素電極に接続した側
をドレイン電極とする。

【０００６】図９に従来の液晶表示装置の断面模式図を
示す。図９に示した液晶表示装置は、液晶材料４０８の
下方に配したいわゆる回路基板と、液晶材料４０８の上
方に配したいわゆる対向基板とで、液晶材料４０８を挟
んでいる。同図において、４０１はゲート電極、４０２
は単結晶シリコン、多結晶シリコン、非結晶シリコンな
どからなる半導体層でトランジスタのチャネル領域とな
る。４０３はソース電極、４０４はドレイン電極であ
る。４０５は層間絶縁層、４０６は単結晶シリコン基
板、４０７は配向膜、４０８は液晶材料、４０９は対向
透明電極、４１０は層間膜、４１１は遮光層、４１２は
カラーフィルタ層である。モノクロ表示パネルの場合に
はこのカラーフィルタ層、４１２は存在しない。

【０００７】４１３は対向透明基板である。４１４は単
結晶シリコン基板中に形成した基板と逆導電型の半導体
拡散層でトランジスタのチャネル領域となる。４１５は
ゲート電極で本実施例では薄膜トランジスタゲート電極
４０１と同一工程で形成しているがこれに限るものでは
ない。ゲート電極４１５とチャネル領域４１４の間とは
絶縁層を介して対向している。４１６、４１７は単結晶
基板中に形成したトランジスタのソース、ドレイン電極
である。

【０００８】４１８は半導体拡散層４１４の電極であ
る。４１９は透明画素電極でありドレイン電極４０４に
接続する。４２０は画素電極部の電荷を保持するための
蓄積容量を形成する蓄積容量共通電極であり、画素電極
４１９との間に蓄積容量を構成する。

【０００９】図９の液晶表示装置の構造を作製するため
の方法を示す。図１０から図１７は、この構造を実現す
るための製法の模式説明図である。

【００１０】図１０（ａ）は、ｎ型のＳｉ基板にｐ型の
ウェルを作製する図である。基板上の形成した酸化膜に
レジストを使ってマスクし、ボロンイオンを注入してｐ
型ウェルを作製する。図１０（ｂ）は、ＬＯＣＯＳ（素
子間分離のための酸化膜）形成用のレジストを貼りつけ
る工程を示す。ＳｉＮ（酸化窒化膜）を表面に堆積させ
て、パターニングする。

【００１１】図１１（ａ）は、ＬＯＣＯＳを形成した図
を示す。４００ｎｍ〜１５００ｎｍの厚さの酸化膜がで
きるように１０００〜１１００℃でＷｅｔ酸化する。図
１１（ｂ）は、表面にＳｉＮを形成する工程を示す。熱
ＣＤＶでＳｉＮ膜を５０ｎｍ〜１００ｎｍ堆積させる。
図１１（ｃ）は、表面に画素ＴＦＴとなるポリシリコン
を形成する図を示す。多結晶Ｓｉを５０ｎｍ〜４００ｎ
ｍ堆積させて、パターニングする。

【００１２】図１２（ａ）は、ｐ型イオンを注入するこ
とにより、ｎ型のＴＦＴのしきい値を調整する工程を示
す。１０¹²〜１０¹⁴ｃｍ^-3のイオン密度で、イオン注入
を行う。図１２（ｂ）は、ＴＦＴの上面以外の多結晶Ｓ
ｉを取り除く工程を示す。図１２（ｃ）は、ＴＦＴの上
面以外の窒化膜を除去し、周辺回路のみを露出させる工
程を示す。

【００１３】図１３（ａ）は、ゲート電極用の多結晶Ｓ
ｉを形成する工程を示す。図１３（ｂ）は、ゲート電極
をパターニングする工程を示す。

【００１４】図１４（ａ）は、ＴＦＴと周辺回路部にイ
オン注入をし、ソース領域と、ドレイン領域を形成させ
る工程を示す。図１４（ｂ）は、層間膜の形成を示す。

【００１５】図１５（ａ）は、引き出し電極をなるＡｌ
−Ｓｉを堆積させる工程を示す。図１５（ｂ）は、層間
絶縁膜を形成する工程を示す。図１５（ｃ）は、表面保
護用レジストを塗布する工程を示す。

【００１６】図１６（ａ）は、ＴＦＴの遮光用のＴｉＮ
をＴＦＴの上面に堆積させる工程を示す。図１６（ｂ）
は、透明画素電極を形成する図を示す。

【００１７】図１７は、以上の基板を共通電極を持つ対
向基板と組み合わせて完成した液晶表示装置の断面図を
示す。

【００１８】このような製法で、画像表示部のスイッチ
ング素子として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を使用し
ながら、周辺駆動回路のトランジスタなどを単結晶シリ
コンで形成することができる。

【００１９】図１８は、液晶表示装置全体の平面図であ
る。図１８において、５０１は単結晶シリコン基板であ
り、この単結晶シリコン基板中に、液晶表示装置の周辺
駆動回路５０７を作製する。５０２は対向基板であり、
この対向基板と単結晶シリコン基板５０１とはシール剤
５０３により接着され、両基板間には液晶材料が充填さ
れる。なお、５０５は、単結晶シリコン基板５０１の画
素領域５０６を保護する保護ガラスである。

【００２０】カラー液晶表示装置の場合、単結晶シリコ
ン基板５０１の画素部５０６には、多数の画素が並んで
おり、対向基板５０２には、画素部５０６の多数の画素
に対応するカラーフィルターが並んである。そのため、
単結晶シリコン基板５０１と対向基板５０２の張り合せ
には、微妙な位置合わせが必要である。そこで、単結晶
シリコン基板５０１との位置合わせ用のアライメントマ
ーク５１０をパターン形成する。

【００２１】図１９に同アライメントマークの代表例を
示す。図１９（ａ）はシリコン基板５０１のアライメン
トマーク５１０を示し、（ｂ）は対向基板５０２のアラ
イメントマークを示す。両者のアライメントマークを重
ね合わせることによって２枚の基板の位置合わせを行
う。このアライメントマーク５１０を設置することで、
単結晶シリコン基板５０１の各画素と、その各画素に対
応する対向基板５０２の画素フィルター（カラー液晶表
示装置の場合には、カラーフィルター）との位置合わせ
を正確に行える。そのため、アライメントマーク近傍
は、光学的に光を透過させる必要がある。よって、アラ
イメントマーク近傍は、遮光膜やそれに変わる不透明な
ものがなく透明な部分５１１を有している。この透明な
部分５１１の下部には、単結晶シリコンで作製した周辺
駆動回路５０７がある。

【００２２】

【発明が解決しようとしている課題】上述した液晶表示
装置は以下のような問題点を持っていた。透過型の液晶
表示装置は先に説明したように外部から照射された光
を、液晶の転移により光を通したり遮ったりすることで
所望のパターンを表示するものである。その光が半導体
基板に照射されるとそのエネルギーで半導体基板中の価
電子が励起されて伝導電子を作り、その価電子の抜け穴
が正孔となる。この光によって励起された伝導電子や正
孔（ホール）を光キャリヤと呼び、この光キャリアが周
辺回路のトランジスタのソースやドレインに到達すると
ソース電位やドレイン電位の変動を引き起こし、シフト
レジスタなどの周辺駆動回路の誤動作を引き起こす。ま
た、映像信号を保持している保持容量に接続しているソ
ースやドレインに光キャリヤが到達すると映像信号電位
の変動を引き起こし表示品位の低下を招く。

【００２３】また、周辺駆動回路をＣＭＯＳ（COMPLIME
NTALY MOS ）で構成した場合、光キャリヤにより基板の
電位が変動する。するとＰ型ＭＯＳとＮ型ＭＯＳとの間
で電流が流れてしまうラッチアップという現象が起こ
り、周辺駆動回路が動作しなくなってしまう。

【００２４】これらの問題を解決するために、一般に周
辺駆動回路の上には光を遮断するための遮光層を設け
る。上述した図９に示した液晶表示装置の遮光層４１１
はこの例である。この構造のように周辺駆動回路を単結
晶シリコン基板中に設けた場合、シリコン基板は一般に
約６００μｍもの厚さがあるため。そのため、シリコン
基板の体積が大きく、光キャリアの発生する部分は大き
な範囲にまたがる。また単結晶シリコン基板中の光キャ
リヤの拡散長は数百μｍと長いので、周辺駆動回路が誤
動作することが多かった。そのために、周辺駆動回路に
光が入らないように完全に周辺駆動回路を遮光膜で覆う
必要があり、周辺駆動回路上だけを遮光しただけでは不
十分であった。

【００２５】一般の液晶表示装置以外の半導体集積回路
（例えば、チップになったランダム・アクセス・メモリ
ー）は、パッケージに組み込んでしまうので完全に、遮
光できる。そのため先に述べたような、光キャリアの発
生の問題はない。光センサ集積回路の場合にも基板上面
が光にさらされるに過ぎない。そのため、この場合も、
光キャリアの発生の問題はない。

【００２６】しかし、透過型液晶表示装置の場合、画素
部に光を照射しなければならない。光を照射すると、照
射面と反対の面も反射光などの迷光にさらされるので、
基板上面だけに遮光膜を設ける対策では不十分で、先に
述べたような回路の誤動作や表示品位の低下が生じてい
た。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述した単結
晶シリコン基板上に周辺駆動回路を設けても、光キャリ
アの発生により誤動作しない液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。本発明者はこの目的を達成するために
鋭意努力し以下の発明を得た。

【００２８】すなわち、本発明の液晶表示装置は、画素
部の周囲に設け、前記画素部のスイッチング動作を行う
周辺駆動回路と、前記周辺駆動回路を含む回路基板と、
前記回路基板と液晶材料を介して対向する対向基板と、
前記周辺駆動回路を覆う遮光部材と、を有する液晶表示
装置において、前記遮光部材を、前記周辺駆動回路の上
部でかつ対向基板の周囲の一部に設置することを特徴と
する。

【００２９】

【実施例】

（実施例１）図１は本発明の特徴をもっとも良く表す図
面であり、本発明の液晶表示装置の断面構造の一例を示
す模式図である。５０１は単結晶シリコン基板で、５０
２は対向基板である。この対向基板５０２と単結晶シリ
コン基板５０１とはシール剤５０３により接着され、両
基板間には液晶材料５０４が充填される。なお、５０５
は、単結晶シリコン基板５０１の画素領域５０６を保護
する保護ガラスである。

【００３０】本実施例では、対向基板５０２上で画素部
５０６の上以外の部分を遮光部材５１２で覆う。このと
き、対向基板５０２を単結晶シリコン基板５０１と張り
合せた後に、この遮光部材５１２を設けるのが望まし
い。このように構成することで、アライメントマークの
周囲に透明な箇所５１２があっても、対向基板５０２と
単結晶シリコン基板５０１とを貼り合せたあとに、この
透明な箇所５１２を不透明にすることができる。また、
シール部５０３の上の部分も不透明にすることができ
る。

【００３１】そのため、アライメントマーク５１０の周
囲やシール部５０３の周囲が不透明になる。よって、単
結晶シリコンで作製された周辺駆動回路に光が届かな
い。その結果、光キャリアが周辺駆動回路に発生して、
回路を誤動作させたり、映像信号レベルを低下させたり
することがなくなる。

【００３２】図２は、図１の遮光部材５１２の先端部周
辺を拡大した断面図である。本実施例の遮光部材５１２
は以下のように設置するのが望ましい。その設置の手順
を説明する。図２のごとく入射光線があるとすると、屈
折率ｎ₁ の媒質から入射角θ₁ で入射した光は、屈折率
ｎ₂ の媒質との境界面を透過屈折して、屈折率ｎ₂ の媒
質の中を屈折角の方向に進んで行く。このときの遮光部
材５１２とアライメントマーク５１０の水平距離を
［ｌ］、対向基板５０２の厚さを［ｄ］とすると、入射
光線との間には、 θ₂ ＝ｓｉｎ^-1（（ｎ₁ ／ｎ₂ ）×ｓｉｎθ₁ ）ｌ＝ｄｔａｎθ₂ したがって、ｌ＝ｄｔａｎ〔ｓｉｎ^-1｛（ｎ₁ ／ｎ₂ ）ｓｉｎθ
₁ ｝〕の関係がある。つまり、アライメントマーク近傍の遮光
膜のない部分５１１に光を照射しないためには、遮光部
材５１２とアライメントマーク５１０の水平距離［ｌ］
は、ｌ_min ＝ｄ_max ｔａｎ〔ｓｉｎ^-1｛（ｎ₁ ／ｎ₂ ）ｓｉ
ｎθ_1max｝〕によって求められるｌ_min 以上の距離をとらなければ
ならない。

【００３３】例えば、大気中の屈折率をｎ₁ ＝1.0 、対
向基板５０２は一般的なガラスとし屈折率をｎ₁ ＝1.5、
対向基板の最大厚さｄ_max ＝1.1mm として遮光部材５１
２とアライメントマーク５１０の水平距離［ｌ］につい
て考えると、光の最大入射角はθ_1max＝９０°であるか
ら、 θ₂ ＝ｓｉｎ^-1（（１／1.5 ）ｓｉｎ９０°≒41.8° ｌ_min ＝1.1 ×ｔａｎ41.8°≒0.98 したがって、遮光部材５１２とアライメントマーク５１
０の水平距離を0.98ｍｍ以上とって遮光部材５１２の端
部を位置させることによって、アライメントマーク近傍
の遮光膜のない部分５１１への光入射を防止し、単結晶
シリコン基板５０１上の液晶表示装置の周辺回路５０７
の光キャリアによる誤動作を防止することができる。

【００３４】図６に本実施例のアクティブマトリクス方
式の液晶装置の等価回路を示す。図中１はＴＦＴ、２は
走査線、３は信号線、４は画素電極、５は水平シフトレ
ジスタ、６は垂直シフトレジスタ、７は水平シフトレジ
スタによって駆動される映像信号転送スイッチ、８は映
像信号を一時保持するための保持容量、９は保持容量に
一時保持されている映像信号を画素電極に一括転送する
第二の映像信号転送スイッチである。映像信号は映像信
号入力端１０からタイミングをずらして順次転送されて
いく。１１は信号線３のリセットスイッチである。

【００３５】図７にこのアクティブマトリクス液晶表示
素子の駆動パルスタイミングの一例を示す。映像信号は
奇数行に対応する信号と偶数行に対応する信号が１フィ
ールド期間ごとに交互に送られてくる。したがって液晶
表示素子の動作としてはまず、奇数フィールドには垂直
シフトレジスタ６から奇数行目の走査線（ＯＤＤ１）に
走査信号を送り、奇数行目のＴＦＴ１を導通させる。そ
の間に液晶に記録されるべき映像信号は、その映像信号
に同期した水平走査パルスを出す水平シフトレジスタ５
（ＯＤＤ）によって順次駆動される転送スイッチ７を介
して各画素の画素電極４（２）、４（４）に映像信号が
記録される。

【００３６】それと同時に、映像信号に同期した水平走
査パルスを出す水平シフトレジスタ５（ＥＶＥＮ）によ
って順次駆動される転送スイッチ７を介して保持容量８
に映像信号が転送される。次に水平ブランキング期間
に、リセットスイッチ１１を導通させ信号線３をいった
んリセットした後に偶数行目の走査線（ＥＶＥＮ１）に
走査信号を送り、偶数行目のＴＦＴ１を導通させ、同時
に第二の映像信号転送スイッチ９を導通させ各画素の画
素電極４（１）、４（３）に映像信号が記録される。こ
のようにして映像信号は順次画素電極に記録されてい
く。

【００３７】水平方向の解像度を向上する手段として、
図６に示したように、画素の位置をたとえば０．５画素
分ずらして配置する方法がある。こうすることで、たと
えば奇数行のある画素とその隣の画素の間を水平方向の
感覚で見ていくと、偶数行の画素が埋めていることにな
り、見かけ上水平解像度が向上する。このとき、図７の
タイミング図で示すように、奇数行と偶数行の画素の空
間的なずれに合わせて奇数行と偶数行とで水平走査パル
スのタイミングをずらす必要がある。

【００３８】また一般に液晶表示装置は先に述べたよう
に液晶にＤＣ成分が印加されて液晶が焼き付くのを防ぐ
ために信号電圧の極性を変えて印加される。極性の切替
時には液晶セルの透過率に若干の変化が生じ、例えば１
／30秒周期ではこの変化が人間に認識されてしまい明る
さのちらつき、フリッカとなる。上記で説明したよう
な、奇数行と偶数行とに同じ映像信号を書き込む二線同
時駆動法をとることで映像信号の極性反転周期を二分の
一の１／60秒ごとにし、フリッカを抑制することができ
る。

【００３９】本実施例では、アクティブマトリクス型液
晶表示装置の駆動方法を示したが、本発明は単純マトリ
クス構造でも適用できるのは言うまでもない。

【００４０】（実施例２）図３に第２の実施例を示す。
本実施例では、対向基板５０２の対向電極と反対の面、
および対向基板側面に光吸収層５２１を設ける画素領域５０６を照射するために入射した光のうち、対
向基板５０２の対向電極や、同５０２の遮光膜などで内
面反射してしまう光成分についてはアライメントマーク
５１０の近傍の遮光膜のない部分５１１（図１９に示し
た）に到達し、単結晶シリコン基板５０１上の液晶表示
装置の周辺回路５０７の誤動作を起こす原因となる。こ
うした内面反射成分を光吸収層５２１によって吸収す
る。光吸収層５２１の材料としては、対向基板５０２の
光屈折率に近い屈折率を有する塗料や樹脂材料でよい。
さらに同樹脂材料中には、黒色顔料のような光吸収を生
ずる材料を含むとなお効果的である。ただし、これらの
光吸収層は、対向基板５０２に隙間なく密着しているこ
とが必要で、微小な空隙が生じてしまうと効果が減少す
る。

【００４１】（実施例３）図４に第３の実施例を示す。
５４２は液晶表示装置の外枠、５４３は、液晶表示装置
と外部との電気的入出力配線板である。

【００４２】遮光部材５３１は、対向基板５０２の遮光
膜のない部分５１１への光入射を防ぐと同時に単結晶シ
リコン基板５０１上に設けられたボンディングパッド等
の外部との入出力端子周辺部５４１への光入射をも防止
する。外部への入出力端子の接続方法（ワイヤボンディ
ング法、異方性導電膜、ハンダ付け等による手法があ
る）によらず有効な手段となる。

【００４３】さらに、図４に示したように遮光部材５１
２が液晶表示装置そのものの外枠を兼ねることも可能
で、確実に、単結晶シリコン基板５０１上の液晶表示装
置の周辺回路５０７への光入射を防ぎ、誤動作を起こす
原因を排除することができる。

【００４４】（実施例４）図５に、第４の実施例を示
す。本実施例では、保護ガラス５０５の単結晶シリコン
基板５０１に対向する面に遮光マスク５５１を設ける。
透過型液晶表示装置においては、画素部分５０６を透過
した光を表示面側でとらえて、画像として認識する。こ
のため透過した光が、液晶表示装置の構成部材内面で反
射する成分を持つ。また、表示側からの光入射もある。
つまり、透過型液晶表示装置においては、基板の両面か
らの光にさらされるため一般の半導体集積回路に比べ光
キャリアの影響を大きく受ける。

【００４５】そこで、本実施例は保護ガラス５０５の単
結晶シリコン基板に対向する面に遮光マスク５５１を設
けることによって、基板裏面に照射された光のうち、画
素部分５０６以外への光を遮光し、内面間での反射光や
迷光を吸収することができる。よって、単結晶シリコン
基板での光キャリヤの発生を防止することができる。図
５では保護ガラス５０５上に黒色塗料を塗布することに
よって形成した遮光マスクの例を示したが、別の部材を
設けることによっても同様の効果が得られる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明を実施するこ
とにより、周辺駆動回路での光キャリヤの発生を抑える
ことができ回路の誤動作や信号電位の変動による表示品
位の低下をなくすことができる。ひいては、高画質の液
晶テレビジョン、液晶プロジェクタテレビ、液晶ビュー
ファインダ、液晶ヘッドマウントディスプレイ、コンピ
ュータディスプレイなどを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の模式断面図

【図２】実施例１の部分拡大図

【図３】実施例２の模式断面図

【図４】実施例３の模式断面図

【図５】実施例４の模式断面図

【図６】液晶表示装置の等価回路図

【図７】液晶表示装置の駆動タイミング図

【図８】液晶表示装置の駆動タイミング図

【図９】従来例の模式断面図

【図１０】液晶表示装置を作製過程を示す図

【図１１】液晶表示装置を作製過程を示す図

【図１２】液晶表示装置を作製過程を示す図

【図１３】液晶表示装置を作製過程を示す図

【図１４】液晶表示装置を作製過程を示す図

【図１５】液晶表示装置を作製過程を示す図

【図１６】液晶表示装置を作製過程を示す図

【図１７】液晶表示装置を作製過程を示す図

【図１８】アライメントマークの位置を示す図

【図１９】アライメントマークを示す図

【符号の説明】

５０１単結晶シリコン基板５０２対向基板５０３シール材５０４液晶材料５０５保護ガラス５０６画素領域５０７周辺駆動回路５１０アライメントマーク５１１アライメントマークの周囲の透明部５１２遮光部材５２１光吸収層５４１入出力端子周辺部５４２液晶表示装置の外枠５４３電気的入出力配線板５５１遮光マスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画素部の周囲に設け、前記画素部のスイ
ッチング動作を行う周辺駆動回路と、前記周辺駆動回路を含む回路基板と、前記回路基板と液晶材料を介して対向する対向基板と、前記周辺駆動回路を覆う遮光部材と、を有する液晶表示
装置において、前記遮光部材を、前記周辺駆動回路の上部でかつ対向基
板の周囲の一部に設置することを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項２】前記画素部のスイッチング動作を薄膜半
導体素子を介して行う請求項１に記載のアクティブマト
リックス液晶表示装置。
【請求項３】前記薄膜半導体素子は薄膜トランジスタ
である請求項２に記載のアクティブマトリックス液晶表
示装置。