JPS5931503A - 電子部品のメルカプトシラン含有ポリ(アリ−レンスルフイド)による封入 - Google Patents

電子部品のメルカプトシラン含有ポリ(アリ−レンスルフイド)による封入

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JPS5931503A
JPS5931503A JP58129259A JP12925983A JPS5931503A JP S5931503 A JPS5931503 A JP S5931503A JP 58129259 A JP58129259 A JP 58129259A JP 12925983 A JP12925983 A JP 12925983A JP S5931503 A JPS5931503 A JP S5931503A
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    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポリ(アリーレン スルフィド)組成物および
電子部品の封入(encapsulation )に関
する。
米国特許第4.337,182号は半導体の封入に適す
るポリ(アリーレン スルフィド)組成物を開示してい
る。この特許に記載されている組成物は少it(約0.
5〜6重旙%)の有機シランを含有するものである。こ
の有機シランは組成物の膨張線形効率を減少させ、そし
て改善された耐水性を付与するために、カプリング剤と
して存在している。特に詳細に確認されている有機シラ
ンは次の化合物だけである: メチルトリメトキシシラ7、 ポリインキジメトキシ7ラン。
ビニルトリス(2−メトキシエトキシ)シラン、N−ベ
ーター−(N−ビニルベンジルアミン)この特許はさら
にまた、これらの列記された7ランが好適であると教示
して℃・る。ごの好フ産シランのもう1つの名前は、N
 −(2−(ろ−(ト1ノメトキンシリル)プロピルア
ミノ〕エチルJ−p−ビニルベンジルアンモニウム ク
ロ1ノドである。
Ph1llips Chemical Connpan
y (PhillipsPetroleum Comp
any 、 /ぐ一トレスビル、オクラホマの子会社)
はこのシランを含有する封入用組成物を市販している。
この組成物をま次の成分よりなるものである: (a)、)? ’) ()1二しン スルフィト)(b
)繊維ガラス (C)タルクまたはシリカ、および ′電子部品をこのポリ(フェニレン スルフィド)組成
物で被覆または封入して、電気絶縁性を保持し、機械的
保護を与え、そしてその外に音μ品力tその周辺環境に
さらされないように防護する。
全ての対人材料の非常に重要な性質の1つは1気抵抗で
ある。使用時に、対人材料は一般に、この材料の望まし
い性質に有害に作用する有害な環境にさらされる。この
ような有害な環境の中には、特に高温状態および(また
は)高湿状態がある。
このような状況は対人材料の電気抵抗を減じさせること
ができる。
ポリ(アリーレン スルフィド)組成物の電気抵抗は6
−メルカプトゾロピルトリメトキシシランのようなメル
カプトシランの存在により増大される。また、組成物の
導電率はメルカプトシランの存在により減じられる。
広義には、本発明は3−メルカプトゾロピルトリメトキ
シシランのような少なくとも1種のメルカプトシランを
含有するポリ(フェニレン スルフィド)組成物のよう
なポリ(アリーレン スルフィド)組成物で電子部品を
封入することを包含する。本発明の目的に対して、メル
カプトシランは一8H官能基を有する有機シランである
と定義される。
本発明はメルカプトシランにカロえて、ガラスおよびタ
ルクまたはシリカのような別の成分を含有するポリ(ア
リーレン スルノイド)組成物を包含する。
第1図は例6に対応し、ポリ(フェニレン スルノイド
)組成物におげ5ろ−メ2シカブト7°ロピルトリメト
キシシランの利点をAQyr<すもの’Cある。
均質型合本、共重合体、三元型合本、また・;まこのよ
うな重合体の配合物にかかわらず、未硬化または部分硬
出ポリ(アリーレ/ スルフィド)カを本発明の実施に
使用できる。未硬fヒまたは部分硬化重合体は、その分
子量を分子鎖の延長により、または交叉結合により、ま
たはそこに熱のような十分のエネルギーを供給rること
によりこれらの両方を組合せることにより、増力口でき
る重合体である。適当なポリ(アリーレン スルフィド
)重合体としては米国特許第3,354,129号に記
載の重合体を包含する。
本発明の目的に適するポリ(アリーレン スルフィド)
組成物の例としては、ポリ(2、4−ト+) v:y 
 、x、ルフイ’r”) 、 Iす(4,4’−ビフェ
ニレン スルフィド)およびポ17(フェニレン スル
フィド)を包含する。その入手可能性および望ましい性
質(たとえば、高い化学的耐性、難燃性および商い強度
および硬度)の観点から、ポリ(フェニレン スルフィ
ド)が本発明で好適なポリ(アリーレン スルフィド)
である。従って、本発明による好ましい封入用組成物は
ポリ(フェニレン スルフィド)組成物である。
好適なメルカノトシランは6−メルカノトゾロビルトリ
メトキシシランまたはH8CH2C’H2cl(2S 
1(OCH3)3である。このシランは封入用組成物添
加剤としてのその非凡な有用性の故に、好適である。
3−メルカノトノロビルトリメトキシシランは本発明に
よる組成物の電気抵抗を増大させそしてこれらの組成部
の導電率を減少させる両方の観点で特に有効である。
本発明に従い封入される電子部品としては封入が望まれ
る広く全ての電子部品(すなわち、素子、構成部品等)
を包含する。電子部品なる用語は広く解釈されるべきで
あって、次の非限定的例を包含する: キャパシタ、 抵抗器、 抵抗回路網、集積回路、  
トランジスタ、  ダイオード、トリオード、サイリス
タ、コイル、バリスタ、コネクタ、コンデンサ、トラン
スデユーサ、水晶発振器、 ヒユーズ、 整流器 電源、 およびマイクロスウィッチ。
前記電子部品の各々の定義は同様に広く包含的に解釈さ
れるべきである。たとえば、集積回路なる用語はごれら
に限定されないが、次の部品を包含するものと見做す: 大規模集積回路 TTL ()ランシスター通過ロジック)線形増巾器 演算増巾器 計器用増巾器 絶縁増巾器 マルチノライヤおよびディバイダ 対数/非対数増lJ器 実効I′lf/直流変換器 参照電圧器 トランスデユーサ− コンディショナー 計測 デジタル/アナログ変換器 アナログ/デジタル変換器 電圧/周波変換器 同期−デジタル変換器 サンプル/トラック−ホールP増巾器 CMO8スウィッチおよびマルチプレキサ−データ獲得
サグシステム 電源 記憶集積回路 マイクロプロセッサ− ハイブリッド集積回路 等。
本発明による組成物は−まだ補強剤および充填剤のよう
なその他の成分を含有できる。
補強剤はガラスであることができる。繊維ガラスはガラ
スの補強有効性がこの形で最上である(すなわち、長さ
対直径の高比率)ことから、好適である。しかしながら
、粉末、顆粒およびビーズのようなその他の形のガラス
も本発明の範囲内にある。その他の補強剤の例としては
、非限定的例として、アスベスト繊維およびセラミック
繊維(た、、とえば芳香族系ボリアミケ繊維)を包含す
る。
充填剤は組成物の寸法安定性、熱伝導性および機械的強
度の改善に使用できる。適当な充填剤としては、メルク
、シリカ、クレー、アルミ六、硫酸カルシウム、炭酸カ
ルシウム、雲母等を包含する。充填剤は、たとえば粉末
、顆粒または繊維の形であることができる。充填剤選択
に際しては、次の因子を考慮すべきである: (す充填剤の導鑞度(低い方が良い);(2)封入温度
における充填剤の分解性;および(3)充填剤中のイオ
ン性不純物の割合。
補強剤および充填剤以外に、本発明による組成物は場合
により、比較的少量のその他の成分、たとえば顔料、加
工助剤を含有できる。
封入用組成物の上記1番目のリストが能動性部品(たと
えば集積回路、トランジスターおよびダイオード)およ
び受動性部品(たとえばキャパシター、抵抗器および抵
抗回路網)の両方を包含することに注目されるべきであ
る。この差違はしばしばM要であり、多くの場合に、そ
の部品の封入洗液も適するポリ(アリーレン スルフィ
r)封入組成物のタイプを決定する。
封入用組成物として成功裏に使用するのに特に好適であ
るこれらのポリ(アリーレ゛ン スルフィド)組成物は
さらに詳細には、広く次の成分を含有する: (a)ポリ(アリーレン スルフィド)、(b)ガラス
、 (C)充填剤、および (d)メルカプトシラン。
これらの組成物は上記(a)、(b)、(c)および(
d)に加えて、場合により、たとえば顔料および加工助
剤のよ5なぞの他の成分を比較的少量で含有できる。
2能動性部品の封入用組成物 能動性部品の封入用組成物は次の重滑チに従い製造でき
る: (a)ポリ(アリーレン スルフィ−)一般範囲 約2
5〜約45重量% 好適範囲 約62〜約38重量% 目標  約35.ffttft% (b)がラス 一般範囲 約5〜約60重量饅 好適範囲 約10〜約20重量饅 目標   約15重量% (C)充填剤 一般範囲 約40〜約60重量% 好適範囲 約45〜約55重量% 目標   約49重量饅 (d)メルカプトシラン 一般範囲 約4重量%−まで 好適範囲 約0.4〜約1.5重量% 目標   約1ffij!′% 前記重量%は組成物中の(a)、(b)、(c)および
(d)の総量に基づくものである。
一般範囲は良好な拮果を得るために、組成物が限定され
るべき範囲を表わす。好適範囲はその意図する封入目的
に最適の物理的、化学的および電気的性質を有する組成
物に限定するという意味で好ましい範囲である。目標重
量%は本発明で目標とする最上の態様を表わす。
本発明はこれに限定されないゆれども、本発明の能動性
部品の封入に使用する組成物の粘度は約800ポイズ〔
細管レオメータ−で、650″Fおよび1000(秒)
−1の剪断速度で試験して〕を超えるべきではない。約
800ポイズより過度の・粘度を有する組成物による能
動性電子部品の封入は部品に損害を与えることがある。
組成物の粘度は一般に、ワイヤー リード線を有する集
積回路のような非常に繊細な部品以外の能動性部品に対
しては約150〜約50υポイズの範囲にあると見做さ
れる。たとえばワイヤー リード線を有する集積回路の
ような非常に繊細な部品に関しては、封入用組成物の粘
度は約150ボイズ〔細管レオメータ−で650OFお
よび1000(松戸1の剪断速度で試験して〕以下であ
るべきである。集積回路を組成物で封入する場合には、
粘度か高いと、ワイヤー ウォッシュ(すなわち、集ね
1回路のワイヤーの分裂)か生起することかある。この
ような集積回路等のような部品の封入用の組成1カの粘
度は一般に、約75〜約150yl′?イズの範囲であ
る。
組成物の粘度は多くの因子に依存して変化するが、約8
00ボイズ以下の粘度の組成物を得るためには、ポリ(
アリーレン スルフィド)の粘度が一般に約160ポイ
ズ〔細管レオメータ−で、650°Fおよび1000(
秒)−1の剪断速度で試験して〕を超えてはならない。
ポリ(アリーレンスルフィド)の粘度は大部分の用途に
おいて、約70ボイズまでの範囲にあるものと見做され
る。たとえばワイヤー リード線を有する集積回路のよ
うな繊細な能動性部品に対して望ましい範囲内の粘度を
有する組成物を得るためには、ポリ(アリ−レン スル
フィド)の粘度は、一般に約25ポイズ〔細管レオメー
タ−で、650’Fおよび1000(秒)−1の剪断速
度で試験して〕より小さくなければならない。
組成物の純度は組成物の導電率により測定できる。良好
な結果を得るため釦は、組成物は組成物の導電率が例5
のとおりに測定して、約50μs/口を超えないような
十分な純度を有するべきである。組成物の導電率を約2
0μB/lni以下に維持することがすすめられる。
充填剤はシリカが好ましい。シリカは無定形シリカまた
は結晶シリカであることができる。シリカは約1〜約1
00マイクロメーターの範囲忙ゎたる比較的狭い粒寸法
号布を有する微細に粉砕された物質として市場から人手
できる。このような市販シリカは代表的忙、/U、20
3、Fe2O3、Na2Oおよびに20の残りの成分と
ともに、5i02約99.5盾量%までから構成されて
いる。
能動性部品用の好適封入用組成物は次の成分から製造す
る: (a)ポリ(フェニレン スルフィド)〔細管レオメー
タ−で、650”Fおよび約1000(秒)−1の剪断
速度で試験して約130ポイズより小さい粘度を肩する
〕約62〜約38重量%:(b+繊維ガラス 約10〜
約20重量%:(c)無定形シリカ 約45〜約55重
量%:8よび (d)3−メルカノトグロビルトリメトキシシラン約0
.4〜約1.5重量優。
ポリ(フェニン/ スルフィド)の粘度が約25ポイズ
〔細管レオメータ−で、650′″E?および1000
(秒)−1の剪断速度で試−して〕以下Cあると、この
組成物はワイヤー リードを有する集積回路の封入に特
に好適である。従って、この組成物で封入した、ワイヤ
ー IJ −yを有する集積回路は本発明の1態様であ
る。
6、受動性部品の封入用組成物 受動性部品の封入に用いる組成物は次の重量優に従い製
造できる: (a)ポリ(アリーレン スルフィド)一般範囲 約2
5〜約45重量饅 好適範囲 約32〜約38重量1% 目標   約65重、tチ (b)ガラス 一般@囲 約20〜約50重量優 好適範囲 約25〜約45重量% 目標   約65重、1% FC)充填剤 一般範囲 約18〜約58重量% 好適範囲 約23〜約33重量% 目標   約28重量% fci)メルカグトシラン 一般範囲 約4重獣チまで 好適範囲 約0.4〜約1,5N量チ 目標   約1重量% 上記重量%は組成物中の(a)、(b)、(C)および
(d)の総量に基づくものである。
一般範囲は良好な結果を得るために、組成物が限定され
るべき範囲を表わす。好適範囲はその意図する封入目的
に最適の物理的、化学的および電気的性質を有する組成
物に限定するという意味で好ましい範囲を表わす。目標
重量%は本発明で目標とする最上の態様を表わす。
本発明はこれに限定されないけれども、受動性部品の封
入に使用する組成物の粘度は約1200ポイズ〔細管ン
オメーターで、650’Fおよび1000(秒)−1の
剪断速度で試験して〕を越えるべきではない。約120
0ポイズより過度の粘度を有する組成物による受動性電
子部品の封入はその部品に損害を与えることがある。組
成物の粘度は一般に、約500〜約800ポイズの範囲
にあると見做される。
望ましい範囲内の粘度を有する組成物を得るためには、
ポリ(アリーレン スルフィ1)の粘度が約600ポイ
ズ〔細管レオメータ−で、6501および1000(秒
)−1の剪断速度で試験して〕を超えるべきではない。
ポリ(アリーレン スルフィf)の粘度は一般に約19
0〜約600ポイズの範囲であると見做される。
好適な充填剤はその人手易容性および組成物O寸法安定
性、熱伝導率および機械的強度を改善する能力の観点か
ら、メルクである。タルクの代りに、またはタルクと組
訃せて、その他の充填剤も使用できる。このような適当
な充填剤の例としては、シリカ、硫酸カルシウム、炭酸
カルシウム、クレーおよび雲母を包含する。硫酸カルシ
ウムはコネクターの封入に開用する組成物に特に有用で
ある。
受動性部品用に好適な封入用組成物は次の成分から製造
する (a)d? !J (フェニレン スルフィド)(細管
vオメーターで、650 ″′Fおよび約1000(秒
)−1の剪断速度で試験して約600ポイズより小さい
粘度を有する〕約62〜約68重量%;(b)繊維ガラ
ス 約25〜約45重量%;(C)タルク 約26〜約
66重量%;および (d)3−メルカプトゾロピルトリメトキシシラン約0
.4〜約1.5重量%。
この組成物はキャパシターの封入に特に好適である。従
って、この組成物で封入したキャパシターは本発明の態
様を表わす。
4、製造方法 本発明の組成物はポリ(アリーレン スルフィド)、ガ
ラス、充填剤およびメルカプトシランを配合して混合物
を形成するいずれかの方法に従い製造できる。いくつか
の適当な方法が当業者に良く知られている。たとえば、
組成物の諸成分を回転−ラムグレンダーまたはHen5
chelミキサーのような強力ミキサー中で、室温にお
いて一緒に混合し、次いでポリ(アリーレン スルフィ
ド)の融点近く以上の温度で押出配合して、均一な配合
物を生成することができる。
生成したならば、この組成物は熱可塑性封入用組成物に
適するいずれかの封入方法に従い電子部品の封入に使用
できる。このような方法は当分野で良く知られている。
たとえば、組成物を射出成型機に導入して、電子部品が
その中に存在している射出成形用型中に押出される融解
物を生成させることができる。トランスファー成形法も
また使用できる。
次側は本発明の記載を明白にするために示すものであっ
て、本発明の範囲を不当に制限するものと解釈されるべ
きではない。
例  1 次の成分をタンブラ−形ミキサー中で約10〜15分間
、密に温片rる: ポリ(フェニレン スルフィド)  700ノ 34.
6tft%0.125インチ粉砕がラス    70(
0134,6重量%タルク             
 6009 29.7重置ラステアリン酸アニン   
      2&   0.1重量%炭酸リチウム  
         209  1.0重量%このポリ(
フェニレン スルフィド)の粘度は細管レオメータ−(
Sieglaff Mckelvey )により650
’Fおよび1000(秒)−1の剪断速度で試験して2
00ポイズである。ステアリン酸アニンは成形内部滑剤
である。
混合物をDavis 5tandard  押出機に6
00’F(316℃)で通して押出し、顆粒または粗粒
粉末に粉砕し、次いで350’F(177°C)でオー
シン中で6時間乾燥させる。この乾燥した材料の1部分
をNew Br1tain成形機(バレル6 [) O
’F、型275’F’)を使用して、8インチ×1イン
チ×0.125インチの棒状試料に成形する。残りの材
料の1部分はプレス成形(275″′F+および約60
00 psi )を使用して、直径2.5インチ×厚さ
0.125インチの平たいディスクに成形する。
棒状試料6個を加圧釜中で120’Cおよび15psi
g  において蒸留水中に全部で150時間、浸漬する
。棒状試料を冷却し、オーシン中で110パCにおいて
数時間乾燥させ、次いで室温で一夜にわたり状態調節す
る。別の6本−組の棒状試料はこの水煮製処理を受けな
い。これらの棒状試料の引張強さをASTM D 88
2−56 T  に従し為測定する。水煮製処理を受け
た棒状試料の平均引張強さは59.4 MPaであった
。水煮製処理を受けて(・ない棒状試料の平均引張強さ
は77.2 MPaであった。
この結果は水煮製処理による2 3.0 %の損失値を
示している。
平坦ディスクを使用して、組成物の慮気絶縁抵抗をc目
す定する。ディスクに各0.25インチ直径の6個の穴
を約1.25インチ離れた3角形の位置にドリルであゆ
る。各穴に金属ダルト(ナツトおよびワッシャー付き)
をさし込んでつげる。各ボルトに1本のスズめっき銅線
をつける。このワイヤーをつけたディスクを95±1チ
相対湿度室に90℃で48時間入れて、状態調節する。
48時間さらした後に、各1対のり−r線間の500ボ
ルトの電圧における抵抗値を2×I Q12オームまで
の抵抗値測定能力を有するGen Rad Megoh
meter(タイf1B62−C)を使用して測定する
。各1対のり一2線について2回測定する、すなわち第
1回目の測定および第1回目の後、約1分で第2回目の
測定を行なう。3対のリード線全部を測定した後に、第
1回目の測定の平均値を計算し、また第2回目の測定の
平均値を計算する。平均電気絶縁抵抗値は第1回目の測
定について9.9 X 108  オームであり、第2
回目の測定について9.5 X 10B  オームであ
った。
例  2 6−メルカプトゾロビルトリメトキシシラン(Dow 
CorningからのZ6062)13.!Mを組成物
のその他の成分とタンゾル混合する前に、メルクと予め
混合する以外は例1の製造方法および試験方法を反復す
る。
水煮製処理を受けた棒状試料の平均引張強度は65.6
 MPaであった。水煮製処理を受けていない棒状試料
の平均引張強度は81゜4 MPaであった。
この結果は水煮製処理による19.4%の損失値を示し
ている。
平均心気絶縁抵抗は第1回および第2回測定の両方で2
 X 1012オームより大であった。前記したように
、()sn Rad Megohaeter  は2.
X 10”オーム以上の抵抗値は測定できない。
この結果はメルカプトシランの存在が組成物の引張強度
を損失することなく(実際には、引張強度は改善される
)、電気抵抗を有意に増大させることを示している。結
果を下記第1表に示す。
□ 第1表 1、引張強さくλ(Pa ) a、水煮製処理を受けない場合  77.2  8’1
.4b、水煮製処理を受げた場合   59.4  6
5.6C1損失%     23.0チ19.4%2.
1気抵抗(オーム) a、 ”r−均第i ti測定値    9.9x10
8  >2x1012b、平均第2回測定値    9
.5X108  >2X1012例  6 タルクの代りに炭酸カルシウム600gを使用し、2回
目の実験では6−メルカゾトグロビルトリメトキシシラ
y (Union CarbideからのA−189)
 169をメルカプトシランとして使用する以外は例1
および2の製造方法および試験方法を反復する。
下記第2表に示した結果はまた、少量のメルカプトシラ
ンの有意の有効性を示している。
第  2  表 1、引張強度(MPa ) a、水煮製処理を   50.6   57.3受Qプ
゛ないJj!会 す、水煮製処理を   47.5   55.0受けた
場合 C・損 失 %     6.1    4.02、電
気抵抗(オーム) a、平均第1回測定値  7.3X106   ;>2
X1012b、平均@2回測定値   7.OX 1 
06> 2 X 1 012例  4 下記の組成物を使用して、例1および2の製造方法およ
び試験方法を反復する: ポリ(フェニレン スルフィ−)  6B29がラス繊
維             6829タルク    
          5899エチレン ビスステアル
アミド   209ポリエチレン          
  5g顔料               ?9シラ
ン               X9組成物A:x=
09 組成物B:x=N−(2−(3−()リメトキシシリル
)プロピルアミンクエチル) −p−ビニルベンジルアンモニラ ム クロリドの40%メタノ− ル溶液 13.29 *  CH2=  CH−0−CH2NH2CH2CH
zNH(CH2)3 Si −(cCH3)3 C4(
Dow Corning Corp、からのz 603
2)。
組成物C:x=3−メルカゾトゾ口ピルトリメトキシシ
ラン(Union CarbideからのA〜189 
) 5.39 組成物D : X=3−メルカプトゾロピルトリメトキ
シシラン(Union Carbideからの A−1
89ン 99 エチレン ビス ステアルアミには流動性改良剤である
。ポリエチレンは内部滑剤である。
下記第3表に示した結果は、対照(シランを使用しない
場合−組成物A)に対するばかりでなく、また従来技術
で好適なシラン(組成物B)に対する、上記メルカプト
シランの格別の優れた効果な証明している。組成物Cの
電気絶縁抵抗が組成物Bの眠気抵抗値よ/)10倍近く
大きいことに注目すべきである 第  3  表 1、引張強度(tJ’ a ) C1損失% 48.7 0  6.4 9.42、(気
絶R抵抗 例  5 この例の組成物は次の組成を有する: 組成物:重量%     EF    G、felJ(
フェニレン スルフィド)343434繊維ガラス  
     151515シリカ        49 
48.2 48.2エチレン ビス ステアルアミド1
]I黒色顔料        1  1  1シラン 
Z−60320,8− シラン A −1890,6 ,1< IJ (フェニレン スルフ(1f’!、AS
TMD12ろ8、試験方法の方法Bに従うが59重片、
6ooiおよび0.0825インチ(オリフィス)を使
用して変更して、測定し、約3,000〜8.0009
/1[1分の流動速度を有する未硬化のRyton  
−V 1(Pnillips Petroleu+n 
Co、)である。俺維がラスはチッゾ化した1/8イ/
チ鷹維がラスである。
シランZ −6032(Dow Corning Co
、 )はN−(2−(3−(トリメトキシシリル)プロ
ピルアミンクエチル)−p−ビニルベンジルアンモニウ
ム クロリドの40重量%メチルアルコール溶液ごある
。シランA −189(Union c’arbide
 )は6−メルカプトゾロピルトリメトキシシランであ
5゜ 各組成物は諸成分をHen5chel  Sキサ−に装
入し、ここで混汗して均一に分散させる。混合物をBu
ss −Conduxコニーダー押出L@に57し〜6
01)’Fで通し、ペレット化t8っペレット化した配
合生成物を次いでろ5トンArburg成杉機をte用
する /□6インチ×2.5乎方インチノラックに射出
成形する( 650’F原料温度、275事型温度)。
このブラックに中心から1.25インチの相互間隔で三
角形の杉に0.191インチ直径の穴を3個ドリルであ
ける。このブラックを例1に記載のとオ6す+t して
電気絶縁抵抗について試験する。
これらの組成物の導電率をまた測定する。ベレットイヒ
した組成物の各々についての方法は次のとおりである。
組成物はNo、 40 AST’ン、イ  スクリーン
を具備したWilley Mill s 3383− 
L 60で粗粒粉末に粉砕する。粉砕した材料はNO,
40およびN0160スクリーンを用いて篩分けする。
N0160スクリーン上に捕獲された材料を果める。計
量した試料(0,600±0.0019 )をFr1e
drichコンデンサーおよび成熱マントを具備した1
oqmt丸底ガラスフラスコ中に入れる。この7ラスコ
に、Triton  X −100(非イオン性表面活
性剤エトキンル化ノニル フェノール)の0.06重量
%水溶液60m1を入れる。混合物を1.5時間還流し
、冷却させ、次いでTeflon濾紙(Millipo
re 、 25 K’!)、5.0 μm 、 No、
 LSWP02500)に通して濾過する。対照試料(
Triton  X −100水溶液のみ)を同様に還
流し、冷却させ、次いで濾過する。
濾液の導電率をElectro 5cientific
 Industri−es  からのモデル2521+
npedance Meterを使用して測定する。導
電率プローブは0.01 (−’l+= )−1の定数
を有するBalsbanghゾローグである。導電率は
ブランク(すなわち対照試料)の導電率を組成物含有試
料の導電率から引き算することにより計算する。
結果を下記第4表に示す: 第4表 1、電気絶縁抵抗(オーム)   6.4X1059X
1084.2X1011(第2回測定の平均イ1 メルカゾトシランを含有する組成物Gは最高の抵抗値お
よび最低の導電率の両方を有した。
組成物Gは集積回路の封入に好適な材料の例である。
例  に の例は高相対湿度および温度にさらされたガラス充填ポ
リ(フェニレン スルフィド)組成物の電気絶縁抵抗の
増大に対するメルカゾトシラン、3−メルカゾトゾロビ
ルトリメトキシシラン(A−189)の効果な列示する
ものである。試験試料Hおよび工は例5の試料と同様の
方法で製造する。試料■だげがメルカゾトシランを含有
する。
両方の試料を前記の方法で電気絶縁抵抗について異なる
時間間隔で反復試験する。結果を第1図にグラフで示す
。この結果は熱および高相対湿度にさらされた後にも良
好な電気絶縁抵抗を維持するのに、メルカゾト7ランが
有効であることを示している。このデータはメルカゾト
シランが存在しない場合に、抵抗値が極めて減少するの
に対し。
メルカ7’)シランな使用すると、抵抗値が全ての時点
で2 X 10”より大であることを示している。
【図面の簡単な説明】
第1図は例6で測定されたメルカゾトシラン含有組成物
と不含有組成物との時間経過に従う電気絶縁抵抗値をグ
ラフで示すものである。 代理人  浅 村  皓 −トルスビルーレニツク・レー ン1035 0発 明 者”ジェームス・セワード・デイックス アメリカ合衆国オクラホマ州パ ートルスビルーエスダブリュ・ ナインス・ストリート115 手続補正書(鮫) 昭和5B年 タ月2日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和58 年持r[願第129259  号3、袖市を
する者 事件との関係 持5′1−出願人 5、補正命令の「1イ」 昭和  年  月  日 6、補j1.により増加する発明の数

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)組成物で封入された電子部品であって、組成物が
    (1)ポリ(アリーレン スルフィド)および(11ン
    メルカダトシランを含むことを特徴とする上記封入電子
    部品。 (2)  ポリ(アリーレン スルフィド)がポリ(フ
    ェニレン スルフィド)である特許請求の範囲第1項の
    電子部品。 (3)  メルカプトシランが3−メルカプトゾロピル
    トリメトキシシランである特許請求の範囲第1項または
    第2項の゛電子部品。 (4)組成物ががラスまたは充填剤をさらに含有する特
    許請求の範囲第1項、第2項または第6項の電子部品。 (5)  ガラスが繊維ガラスである特許請求の範囲第
    4項の電子部品。 (6)  電子部品が、 キャパシタ 抵抗器 抵抗回路網 集積回路 トランジスタ ダイオード トリオード サイリスタ コイル バリスタ コネクタ コンデンサ トランスデユーサ− 水晶発振器 ヒユーズ 整流器 電源 および マイクロスウイツチ から選ばれるもQである特許請求の範囲第1項〜第5項
    のいずれか1つに記載の電子部品。 (7)  組成物の粘度が細管レオメータ−で、650
    1および1000(秒)−1の剪断速度で試験して、約
    1200ポイズより小さい特許請求の範囲第1項〜第6
    項のいずれか1つに記載の゛1電子品。 (8)能動性電子部品を封入するための組成物であって
    、 (+)ポリ(アリーレン スルフィド)約25〜約45
    重量%、 (11)メルカプトシラン、 (ili) ガラス、および (1v)充填剤 を含み、この重量%は(1)、(11)、(lil)お
    よび(1v)の総量に基づくものであり、そして組成物
    の粘度が細管レオメータ−で、650’F’および10
    00(秒)−1の剪断速度で試験して、約800ポイズ
    を超えないことを特徴とする上記組成物。 (9)  メルカプトシランの重量係が(1)、  (
    II)、輔)および(1v)の総量に基づき約4重量%
    な超えない量である特許請求の範囲第8項の組成物。 (II  充填剤がシリカである特許請求の範囲第8項
    または第9項の組成物。 (Lυ 例5で測定されたように、組成物の導電率が5
    0μS/’cssより小である特許請求の範囲第10項
    の組成物。 u邊  ガラスが繊維ガラスである特許請求の範囲第8
    項〜第11項のいずれか1つに記載の組成物。 ffl  (II)が3−メルカプトノロピルトリメト
    キシシランである特許請求の範囲第8項〜第12項のい
    ずれか1つに記載の組成物。 (+4)  (+)カポリ(フェニレン スルフィlで
    ある特許請求の範囲第8項〜$13項のいずれか1つに
    記載の組成物。 Q5  (1)、(11)、(lil)および(iv)
     cl)総重jtK基づき、ガラス約5〜約60重量%
    および充填剤約40〜約60重量−を含む特許請求の範
    囲第8項〜第14項のいずれか1つに記載の組成物。 (lf9  (1)カ&す(フェニレン スル、yイk
    ”)lh32〜約38重量%であり、 (11)が6−メルカプトノロピルトリメトキシフラン
    約0.4〜約1.5重量%であり、(iii)が繊維が
    ラス約10〜約20重t%であり、そして (1v)がシリカ約45〜約55重量%である特許請求
    の範囲第8項〜第15項のいずれか1つに記載の組成物
    。 u7)  組成物の粘度が約150ボイズを超えない特
    許請求の範囲第16項の組成物。 us  (1)、(11)、(iil)および(1v)
    の総量に基づきガラス、約20〜約50重量%および充
    填剤約18〜約38重量%を含み、そして組成物の粘度
    が細管レオメータ−で、6501および1000(秒)
    −1の剪断速度で試験して、約1200ボイズを超えな
    い・特許請求の範囲第8項〜第14項のいずれか1つに
    記載の組成物。 (11(1) カホ+) (−yエニレン スルフィl
    U約32〜約38重量%であり、 (11)が3−メルカプトノロピルトリメトキシシラン
    約0.4〜約1.5重量%であり、(fil)が繊維ガ
    ラス約25〜約45重量%であり、そして (1いが充填剤約23〜約63重量−である特許請求の
    範囲第18項の組成物。 四 粘度が約500〜約800ポイズの範囲にある特許
    請求の範囲第18項または第19項の組成物。 シυ 充填剤がタルクまたは硫酸カルシウムである特許
    請求の範囲第19項または第20項の組成物。 +23  混合物をポリ(アリーレン スルフィド)の
    融点と少なくともほぼ同じ温度に加熱し、次いで電子部
    品をこの混合物で封入することを特徴とする特許請求の
    範囲第1項〜第7項のいずれか1つに記載の電子部品の
    製造方法。 (ハ)電子部品を封入するために、射出成形を使用する
    特許請求の範囲第22項の方法。 124  特許請求の範囲第8項〜第21項のいずれか
    12に記載の組成物を使用する特許請求の範囲第21項
    または第22項の方法。
JP58129259A 1982-07-16 1983-07-15 電子部品のメルカプトシラン含有ポリ(アリ−レンスルフイド)による封入 Granted JPS5931503A (ja)

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