JPS5928218B2 - ポリエチレンの架橋方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、厚さＯ、５ｍ７ｆＬ以上のポリエチレンを電
子線照射により架橋した場合、ポリエチレン中にトリ−
が発生する問題のあることに鑑み、トリ−発生を防止し
た特許請求の範囲に記載の新規な電子線照射架橋方法を
提案するものである。

本発明において用いるエラストマーとしては、各種の市
販品が使用し得るが、好ましくはエチレンー酢酸ビニル
共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−プロピレン共重合体（
ＥＰＭ）、エチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体
（ＥＰＤＭ）、１・２ポリプタジエン（ＢＲ−１２）、
シスｌ・４ポリブタジエン（ＢＲ−１４）、スチレン−
ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）、シス１・４ポリイソプ
レン（ＩＲ）、塩素含有量３０重量％以上の塩素化ポリ
エチレン（ＣＭ）及び天然ゴムである。

更には、酢酸ビニル（ＶＡ）含有量１５重量％以上、好
ましくは４０重量％以上のＥＶＡ、及びＥＰＭ、ＥＰＤ
Ｍが特に好ましい。エラストマーの使用量がポリエチレ
ン１００重量部あたり１重量部未満であると、トリ−の
発生を防止する効果が乏しく、一方３０重量部を越えて
使用してもエラストマーによるトリ−発生の防止効果が
飽和するので、この面から大量の使用は無意味であるの
みならず、ポリエチレンの本来の特性を大きく変化させ
るので好ましくない。エラストマーの好ましい使用量は
３〜２０重量部、特に５〜１５重量部である。エラスト
マーは、通常の混合手段、例えば、２本ロール、ブラベ
ンター、パンバリ−ミキサー、ミキシングスクリュー等
を用いてポリエチレン中に均一に混合して使用する。本
発明により、低密度ポリエチレン〜高密度ポリエチレン
、あるいは低分子量ポリエチレン〜超高分子量ポリエチ
レン等の各種市販ポリエチレンを上記エラストマーを配
合した状態でシート、パイプ、絶縁電線等の任意の成形
品とし、通常の電子線照射方法及び条件でトリ一を発生
させることなく充分に架橋させ得る。

本発明を架橋ポリエチレン絶縁電線の製造に応用すると
、絶縁層にトリ一のない、而して高度の絶縁性能を有す
るものが製造し得る。本発明においては、必要に応じて
ポリエチレンに老化防止剤、カラー、電圧安定剤、カー
ボンブラツク、フイラ一などポリエチレンに １通常配
合される材料を通常量配合することは何ら★ｒさしつか
えない。比較例１、実施例１〜１２ 第１表に示す各種組成のコンパウンドを２本ロールを用
いて均一に混合し、それぞれのコンパウンドを押出機力
・ら外径１１，５ｍｍの銅導体上に絶縁厚１．５ｍｗ！
で押出被覆し、各電線に三菱電機社製ダイヤトロンＤＰ
−１０００を用いて加速エネルギー１０００Ｋｅ電流５
０ｍＡにてトータルドーズ２０Ｍｒａｄの電子線照射を
行つて絶縁層を架橋した。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 厚さが０．５ｍｍ以上のポリエチレンを電子線照射
   により架橋するにあたり、ポリエチレン１００重量部あ
   たり、１〜３０重量部のエラストマーを該ポリエチレン
   中に共存させることを特徴とするポリエチレンの架橋方
   法。 ２ 上記エラストマーが、エチレン−酢酸ビニル共重合
   体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−プロピ
   レン−ジエン三元共重合体、１・２−ポリブタジエン、
   シス１・４ポリブタジエン、スチレン−ブタジエン共重
   合体、シス１・４−ポリイソプレン、塩素化ポリエチレ
   ン及び天然ゴムから構成された群からなるグループの少
   くとも１種であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項のポリエチレンの架橋方法。