JPS5927581A - 光センサ - Google Patents
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- JPS5927581A JPS5927581A JP57135559A JP13555982A JPS5927581A JP S5927581 A JPS5927581 A JP S5927581A JP 57135559 A JP57135559 A JP 57135559A JP 13555982 A JP13555982 A JP 13555982A JP S5927581 A JPS5927581 A JP S5927581A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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-
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- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、水素化非晶質珪素化合物(以下、a−8i:
Hと略す)を使用した、可視光領域の色を有利に判別す
ることができる光センサに関するものである。
Hと略す)を使用した、可視光領域の色を有利に判別す
ることができる光センサに関するものである。
光センサは、光コードの読み取り、光スイツチ機能等を
有し、現在、広い分野で応用されている。なかでも可視
光領域の色を判別するカラーセンサは、塗料、染料など
の色識別や色ムラ判別、カラーコードの物品仕分け、或
いは、医療分野への応用など、多方面での応用が期待さ
れ、種々のカラーセンサが提案されている。
有し、現在、広い分野で応用されている。なかでも可視
光領域の色を判別するカラーセンサは、塗料、染料など
の色識別や色ムラ判別、カラーコードの物品仕分け、或
いは、医療分野への応用など、多方面での応用が期待さ
れ、種々のカラーセンサが提案されている。
従来、a−8i:Hを使用したカラーセンサは、色の識
別、のために色フィルターを使用している。
別、のために色フィルターを使用している。
すなわち、赤、緑および青の3枚のフィルターを装着し
た3個の素子を並置して使用している。
た3個の素子を並置して使用している。
そのため、空間的な分解能が低くなシ、小型化や集積化
が難しい。
が難しい。
本発明者等は、かかる点に留意して鋭意検討した結果、
a−8i:Hの半導体接合を有する光電変換素子を多層
構造とし、各層の素子から電極端子を取シ出し、その出
力を適宜演算処理すれば、色フィルターを使用すること
なく、可視光領域の色を有利に判別することができるこ
とを知得し、本発明を完成するに到った。
a−8i:Hの半導体接合を有する光電変換素子を多層
構造とし、各層の素子から電極端子を取シ出し、その出
力を適宜演算処理すれば、色フィルターを使用すること
なく、可視光領域の色を有利に判別することができるこ
とを知得し、本発明を完成するに到った。
即ち、本発明の要旨は、導電性基板上に、水素化非晶質
珪素化合物層の半導体接合を有する光電変換素子を少な
くともλ細板上条層状に積層し、且つ、該各党電変換素
子から電極端、子を取シ出したことを特徴とする光セン
サに存する。
珪素化合物層の半導体接合を有する光電変換素子を少な
くともλ細板上条層状に積層し、且つ、該各党電変換素
子から電極端、子を取シ出したことを特徴とする光セン
サに存する。
以下、本5発明を説明する。
本発明の光センサけ、光電変換素子を少なくともΩ細板
上積層した多層構造を形成している。
上積層した多層構造を形成している。
層の数が多いほど出力数が増し、さらに精密な光スペク
トルを検出することができるので有利である。
トルを検出することができるので有利である。
本発明の光電変換素子は、a−8i:n層の半導体接合
を有する。
を有する。
半導体接合は、a−8i:Hの真性半導体層(1層)、
P形半導体層(P層)およびn形半導体層(n層)のう
ちの、2褌の層によシ形成される。例えば、P層とn層
とが接合しだp−n接合、P層とi層とn層とが接合し
たP−i−n接合などが挙げられる。
P形半導体層(P層)およびn形半導体層(n層)のう
ちの、2褌の層によシ形成される。例えば、P層とn層
とが接合しだp−n接合、P層とi層とn層とが接合し
たP−i−n接合などが挙げられる。
本発明においては、特に、P −i −n接合を有する
光電変換素子が好ましい。
光電変換素子が好ましい。
上記P層およびn層の膜厚は、膜のシート抵抗を小さく
するためにある程度の厚さは必要であるが、あまり厚く
するとP層およびn層での光の吸収量が増え、光担体生
成層であるi層に到達する光量が減少し、その結果、光
電流の減少をもたらすことがあるので、通常、P層は範
囲から選ばれる。
するためにある程度の厚さは必要であるが、あまり厚く
するとP層およびn層での光の吸収量が増え、光担体生
成層であるi層に到達する光量が減少し、その結果、光
電流の減少をもたらすことがあるので、通常、P層は範
囲から選ばれる。
まだ、i層の膜厚け、コθθ〜2θ、θooXの範囲か
ら選ばれる。コθθ久より薄いと十分な光電流を得るこ
とができず1.:zo、ooo’hより厚いとa’ −
Si’ : H中の担体の移動度が少さく、光電流が低
下することがある。
ら選ばれる。コθθ久より薄いと十分な光電流を得るこ
とができず1.:zo、ooo’hより厚いとa’ −
Si’ : H中の担体の移動度が少さく、光電流が低
下することがある。
a−8i:n層の作製法は、反応性スノ(ツタリング法
、イオンビーム蒸着法、グロー放電分解法等が挙げられ
るが、均一で大面積の、しかも、高光導電率を有する層
を与えるグロー放電分解法が好適である。
、イオンビーム蒸着法、グロー放電分解法等が挙げられ
るが、均一で大面積の、しかも、高光導電率を有する層
を与えるグロー放電分解法が好適である。
具体的には、例えば、ステンレス、モリブデン、アルミ
ニウム等の金属板、或いは、ボリエ酸化スズ(SnO2
)等を蒸着処理した導電性基板をコθθ〜3jθ℃に加
熱し、シランガス等のガス圧力をθ、7〜3 Torr
に保ち、グロー放電することにより、基板−ヒにa−8
i:n層を形成することができる。グロー放電の形式と
しては、直流法、高周波法のいずれも使用することがで
きる。
ニウム等の金属板、或いは、ボリエ酸化スズ(SnO2
)等を蒸着処理した導電性基板をコθθ〜3jθ℃に加
熱し、シランガス等のガス圧力をθ、7〜3 Torr
に保ち、グロー放電することにより、基板−ヒにa−8
i:n層を形成することができる。グロー放電の形式と
しては、直流法、高周波法のいずれも使用することがで
きる。
P層およびn層を形成する場合は、原料ガスにドーピン
グガスとして夫々B、HoおよびPH,を混合すればよ
い。これらドーピングガスの分圧は、B2H,またはP
H3とSiH4の比でθ、θθ/〜0、θjの範囲で混
合する。
グガスとして夫々B、HoおよびPH,を混合すればよ
い。これらドーピングガスの分圧は、B2H,またはP
H3とSiH4の比でθ、θθ/〜0、θjの範囲で混
合する。
上記グロー放電分解法で得られるa−8iHH層中には
、!〜SO原子%程度の水素が含まれ ′ており、a−
8i:H中のダングリングボンドを低減し、光導電性の
向上に寄与している。
、!〜SO原子%程度の水素が含まれ ′ており、a−
8i:H中のダングリングボンドを低減し、光導電性の
向上に寄与している。
原料ガスを適宜変化させ、上記の方法にょシ、P層、n
層および1層を所望の順序に連続的に積層すれば、本発
明の半導体接合を有する光電変換素子を形成することが
できる。この操作を繰り返すことによって、光電変換素
子の多層構造を形成することができる。
層および1層を所望の順序に連続的に積層すれば、本発
明の半導体接合を有する光電変換素子を形成することが
できる。この操作を繰り返すことによって、光電変換素
子の多層構造を形成することができる。
次に、本発明の光センサの7例を第1図によって更に説
明する。
明する。
ガラス板/上に、常法にょ9、SnO2またけIn2O
,等の透明導電層λを蒸着した基板上に、高周波電源で
容量結合型の装置を用い、シランガスを原料として、ガ
ス圧力0./〜! Torr 。
,等の透明導電層λを蒸着した基板上に、高周波電源で
容量結合型の装置を用い、シランガスを原料として、ガ
ス圧力0./〜! Torr 。
高周波出力dθ〜3θθW1基板温度コθ0〜3jO℃
、原料ガス流量/θ〜コθ0rnl/分の条件下、グロ
ー放電を行なz、p層3/、1層3−2および1層33
を堆積させて光電変換素子30を形成する。次いで、こ
の光電変換素子30上に、同様にして2層9/、1層グ
ーおよび6層4t3を堆積させて光電変換素子りθを形
成する。その際、P層を形成する場合には、原る場合に
は、原料ガス中にPH3を混合する。
、原料ガス流量/θ〜コθ0rnl/分の条件下、グロ
ー放電を行なz、p層3/、1層3−2および1層33
を堆積させて光電変換素子30を形成する。次いで、こ
の光電変換素子30上に、同様にして2層9/、1層グ
ーおよび6層4t3を堆積させて光電変換素子りθを形
成する。その際、P層を形成する場合には、原る場合に
は、原料ガス中にPH3を混合する。
そして、光電変換素子3θおよびり。に、アルミニウム
、モリブデン、ステンレス等の金属、或いは、前述の透
明導電層等で亀lr!lA6を設けて光センサを作製す
る。
、モリブデン、ステンレス等の金属、或いは、前述の透
明導電層等で亀lr!lA6を設けて光センサを作製す
る。
力)かる光センサに、ガラス板/側から光を入射させる
と、光入射側にある光電変換素子3゜では短波長光が吸
収され、また、光電変換素子グθでは、光電変換素子3
oで吸収されなかった比較的長波長光が吸収される。即
ち、短波長成分カ多い光が入射した場合は、■の出カカ
大きく、■の出力が小さい。逆に、長波長成分が多い光
か入射した場合は、■の出力が小さく、■の出力が大き
い。
と、光入射側にある光電変換素子3゜では短波長光が吸
収され、また、光電変換素子グθでは、光電変換素子3
oで吸収されなかった比較的長波長光が吸収される。即
ち、短波長成分カ多い光が入射した場合は、■の出カカ
大きく、■の出力が小さい。逆に、長波長成分が多い光
か入射した場合は、■の出力が小さく、■の出力が大き
い。
このように、■および■の出ノJは、夫々、波長依存性
(分光感度)が異なシ、入射光の波長によシ芙々独立に
変化するので、これらの電気的な演算処理、例えば、加
算、減算、除算、或b/′i、これらの組合せを行なう
こ七により、入射光のスペクトルを識別することができ
る。
(分光感度)が異なシ、入射光の波長によシ芙々独立に
変化するので、これらの電気的な演算処理、例えば、加
算、減算、除算、或b/′i、これらの組合せを行なう
こ七により、入射光のスペクトルを識別することができ
る。
本発明において、光入射側の光電変換素子3θの膜厚を
あまり厚くすると、より長波長光まで吸収するので、光
電変換素子りθの膜が一定ならば、光電変換素子グθの
感度が低下することになる。逆に、光電変換素子3θの
膜厚をあま9薄くすると、光電変換素子グθに入射する
光の短波長成分が増大し、分光感度が変化してしまうの
で、光電変換素子の膜厚の設定は重要である−0例えば
、光電変換素子30の膜厚をj−θO〜3.θθOAと
し、光電変換素子4tOの膜厚をその/j倍以上とする
のが好ましい。
あまり厚くすると、より長波長光まで吸収するので、光
電変換素子りθの膜が一定ならば、光電変換素子グθの
感度が低下することになる。逆に、光電変換素子3θの
膜厚をあま9薄くすると、光電変換素子グθに入射する
光の短波長成分が増大し、分光感度が変化してしまうの
で、光電変換素子の膜厚の設定は重要である−0例えば
、光電変換素子30の膜厚をj−θO〜3.θθOAと
し、光電変換素子4tOの膜厚をその/j倍以上とする
のが好ましい。
本発明の光センサにおいて、吸光係数の制御は重要であ
るが、この吸光係数の波長依存性は、a−8iHH層の
光学的禁止帯幅と密接な関係がある。即ち、禁止帯幅を
大きくすれば、吸光係数の波長依存性は短波長方向にシ
フトし、逆に小さくすれば、長波長方向にシフトする。
るが、この吸光係数の波長依存性は、a−8iHH層の
光学的禁止帯幅と密接な関係がある。即ち、禁止帯幅を
大きくすれば、吸光係数の波長依存性は短波長方向にシ
フトし、逆に小さくすれば、長波長方向にシフトする。
この禁止帯幅の制御は、a−8iHH層の作製条件によ
り行なうこともできるが、化学式、(Si+ −z A
X)+−yHy (式中、AけO,Ge、Sn、N、BまだはPの元素を
示し、x、yはθ≦X≦/、0.0j≦y≦θ、夕を示
す。)で表わされる水素化非晶質珪素化合物を、多層構
造を形成している各素子の各層のうち、少なくとも7層
に使用することも有効な手段である。
り行なうこともできるが、化学式、(Si+ −z A
X)+−yHy (式中、AけO,Ge、Sn、N、BまだはPの元素を
示し、x、yはθ≦X≦/、0.0j≦y≦θ、夕を示
す。)で表わされる水素化非晶質珪素化合物を、多層構
造を形成している各素子の各層のうち、少なくとも7層
に使用することも有効な手段である。
この場合、原料ガスとして、SiH4カスに、 −例
えば、OH4、GeH4、SnH4、NH8、B、H,
、PH3等のガスを適当量混合1−7て使用し、前述と
同様の条件でグロー放電分解反応を行なえばよい。
えば、OH4、GeH4、SnH4、NH8、B、H,
、PH3等のガスを適当量混合1−7て使用し、前述と
同様の条件でグロー放電分解反応を行なえばよい。
得られる効果としては、例えば、SiH4ガスにCH4
、NH3を混合すると禁止帯幅が大きくなシ、短波長光
感度が上がる。また、S iH4ガスにGeH4、Sn
H4を混合すると禁止帯幅が小さくなり、長波長光から
赤外光に対して感度が上がる。
、NH3を混合すると禁止帯幅が大きくなシ、短波長光
感度が上がる。また、S iH4ガスにGeH4、Sn
H4を混合すると禁止帯幅が小さくなり、長波長光から
赤外光に対して感度が上がる。
また、本発明において、各素子のi層、P層成(八けn
層に、粒径jθ〜iso’h程度の水素化微結晶化合物
を小道存在させると(光電流が増大するので好ましい。
層に、粒径jθ〜iso’h程度の水素化微結晶化合物
を小道存在させると(光電流が増大するので好ましい。
かがる微結晶を含んだa−si;l(層は、高周波の出
力を大きくする、例えば、/ 、T O−jθOWとす
るか、或いは、原料ガスのSiH4ガスを水素ガスで、
例えば、Sin、がO,j−j%となるように希釈する
が、或いは、グロー放電領域と基板との距離を大きくす
る等によ層形成することができる。
力を大きくする、例えば、/ 、T O−jθOWとす
るか、或いは、原料ガスのSiH4ガスを水素ガスで、
例えば、Sin、がO,j−j%となるように希釈する
が、或いは、グロー放電領域と基板との距離を大きくす
る等によ層形成することができる。
以上説明した本発明の光センサは、半導体工業の微細加
工の技術を用いることによって、分解能7770mm以
上のカラーセンサアレイを作製することが可能であシ、
更に、λ次元カラーセンサへの応用も可能である。
工の技術を用いることによって、分解能7770mm以
上のカラーセンサアレイを作製することが可能であシ、
更に、λ次元カラーセンサへの応用も可能である。
まだ、薄膜作製技術の応用により、他の機能素子と一体
としたモノリシックセンサとして使用することも可能で
あシ、極めて優れた光センサである。
としたモノリシックセンサとして使用することも可能で
あシ、極めて優れた光センサである。
以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
実施例/
ガラス板上にSnO2を蒸着した導電性基板上に、容鍍
結合型高周波グロー放電装置を用い、P−i−n接合を
有する光電変換素子3θおよびグθの積層された第1図
に示したような光センサを作製した。
結合型高周波グロー放電装置を用い、P−i−n接合を
有する光電変換素子3θおよびグθの積層された第1図
に示したような光センサを作製した。
P層、i層およびn層の堆積は、基板温度2!θ℃、ガ
ス圧力約/ Torr、高周波出力j!Wで行なった。
ス圧力約/ Torr、高周波出力j!Wで行なった。
P層形成の際は、B2H6ガスをSiH4ガスに対して
θ、2.体積%混合したガスを原料ガスとし、n層形成
の際は、PH3ガスをSiH4ガスに対して0,3体積
%混合したガスを原料ガスとしてグロー放電分解を行な
った。
θ、2.体積%混合したガスを原料ガスとし、n層形成
の際は、PH3ガスをSiH4ガスに対して0,3体積
%混合したガスを原料ガスとしてグロー放電分解を行な
った。
P層およびn層の膜厚け、夫々、/θOAおよび3θθ
Aとし、i層の膜厚は光電変換素子30においてけ6θ
OA、光電変換素子グOにおいては3.60 OAとし
た。
Aとし、i層の膜厚は光電変換素子30においてけ6θ
OA、光電変換素子グOにおいては3.60 OAとし
た。
上述の様にして作製した光センサに、ガラス板/側から
、分光器を通して単色光化した光!(光源、タングステ
ンランプ)を入射させて分光感度を測定し、第2図に示
した。第一図は、■の出力(光電流)の極大値を/、θ
として、その相対感度として示しだ。
、分光器を通して単色光化した光!(光源、タングステ
ンランプ)を入射させて分光感度を測定し、第2図に示
した。第一図は、■の出力(光電流)の極大値を/、θ
として、その相対感度として示しだ。
この図から明らかなように、光電変換素子30の感度の
極太は約s、o o o X、光電変換素子グ0の感度
の極大は約6,2θθ又と明らかな差が見られた。
極太は約s、o o o X、光電変換素子グ0の感度
の極大は約6,2θθ又と明らかな差が見られた。
従って、例えば、緑色の光(波長j、θθθX)が入射
した場合は、光電変換素子3θの感度が高く検出され、
また、赤色の光(波長6.夕θθ′A)が入射した場合
は、逆に、光電変換素子<10の感度が高く検出される
ので、どちらの出力が大きいかを調べることによって、
色の識別ができることが分った。
した場合は、光電変換素子3θの感度が高く検出され、
また、赤色の光(波長6.夕θθ′A)が入射した場合
は、逆に、光電変換素子<10の感度が高く検出される
ので、どちらの出力が大きいかを調べることによって、
色の識別ができることが分った。
まだ、■と■の各波長における感度の比(B/A)を第
3図に示した。図から明らかなように、可視光領域(¥
、000〜7.θθOX)に亘って単調に増加している
。即ち、B/Aの値は、波長と対応しておシ、従ってB
/Aの値を調べることによって、入射光の色(波長)を
一義的に決定することができることが分った。
3図に示した。図から明らかなように、可視光領域(¥
、000〜7.θθOX)に亘って単調に増加している
。即ち、B/Aの値は、波長と対応しておシ、従ってB
/Aの値を調べることによって、入射光の色(波長)を
一義的に決定することができることが分った。
第1図は本発明の光センサの構成例を示す断面の概略図
、第2図は、本光センサの感度の入射光波長依存性を示
す図、第3図は、第λ図C〕−曲線の各波長における比
の値を示す図である。 /・・・・・・・・ガラス板、=2・・・・・・・・透
明導電層、30.¥O、、、、、、、、a −sHH光
電変換素子、3/、グ/・・・・・・・・P形a =S
i層、 3.2. 値・・・・・・・・a−8iの真性
半導体層、33、 gj・・・・・・・・n形a−Si
層、j・・・・・・・・被検出光、6・・・・・・・・
上部電極、2・・・・・・・A出力、!・・・・・・・
・B出力出 願 人 社団法人生産技術振興協会式
理 人 弁理士 良否。川 −ほか/名 −1J−続ネ17 、il三稈1〈自発)昭和57年1
0月26日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 。 2 発明の名称 光 セ ン リ−33補i[をり
る者 事件との関係 出願人 社団法人生産技術撤回協会 4代理人 東京都千代[J]Iス丸の内二丁115番2号((二艮
か ′1名) 巳3 bli正の対象 明細用の1ブを明の詳細な説明」の欄 6 補1の内容 (′l)明11四第6頁第151うに1の比で」どある
のを1の体積比ぐ」とltJ正づる。
、第2図は、本光センサの感度の入射光波長依存性を示
す図、第3図は、第λ図C〕−曲線の各波長における比
の値を示す図である。 /・・・・・・・・ガラス板、=2・・・・・・・・透
明導電層、30.¥O、、、、、、、、a −sHH光
電変換素子、3/、グ/・・・・・・・・P形a =S
i層、 3.2. 値・・・・・・・・a−8iの真性
半導体層、33、 gj・・・・・・・・n形a−Si
層、j・・・・・・・・被検出光、6・・・・・・・・
上部電極、2・・・・・・・A出力、!・・・・・・・
・B出力出 願 人 社団法人生産技術振興協会式
理 人 弁理士 良否。川 −ほか/名 −1J−続ネ17 、il三稈1〈自発)昭和57年1
0月26日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 。 2 発明の名称 光 セ ン リ−33補i[をり
る者 事件との関係 出願人 社団法人生産技術撤回協会 4代理人 東京都千代[J]Iス丸の内二丁115番2号((二艮
か ′1名) 巳3 bli正の対象 明細用の1ブを明の詳細な説明」の欄 6 補1の内容 (′l)明11四第6頁第151うに1の比で」どある
のを1の体積比ぐ」とltJ正づる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)導電性基板上に、水素化非晶質珪素化合物層の半
導体接合を有する光電変換素子を少なくとも一個以上多
層状に積層し、且つ、該各光電変換素子から電極端子を
取り出したことを特徴とする光センサ。 (2)光電、変換素子が、水素化非晶質珪素化合物の真
性半導体層、P形半導体層およびn形半導体層のうちの
2種の層によシ形成される半導体接合を少なくとも7個
以上有するものである特許請求の範囲第1項記載の光セ
ンサ。 (3)光電変換素子が、水素化非晶質珪素化合物の真性
半導体層をはさんで、水素化非晶質珪素化合物のP形半
導体層とn形半導体層を積層したものである特許請求の
範囲第1項記載の光センサ。 (4)真性半導体層が、λθ0〜J O,000豐Aの
膜厚を有するものである特許請求の範囲第3項記載の光
センサ。 (5)P形半導体層が、jθ〜600Aの膜厚を有する
ものである特許請求の範囲第3項記載の光センサ。 (6)n形半導体層が、j O〜/、0OOAの膜厚を
有するものである特許請求の範囲第3項記載の光センサ
。 (力 少なくとも2個以上積層された光電変換素子が、
水素化非晶質珪素化合物の真性半導体層を有し、1つ、
各素子の真性半導体層の膜厚が異なるものである特許請
求の範囲第3項記載の光センサ。 (8)水素化非晶質珪素化合物層が、さらに水素化微結
晶珪素化合物を含む特許請求の範囲第1項記載の光セン
サ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57135559A JPS5927581A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57135559A JPS5927581A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 光センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5927581A true JPS5927581A (ja) | 1984-02-14 |
Family
ID=15154635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57135559A Pending JPS5927581A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 光センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5927581A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6132481A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | Sharp Corp | 非晶質半導体素子 |
JPS6136978A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 触視覚センサ |
JPS61115355A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-02 | Toshiba Corp | 受光装置 |
EP0307484A1 (en) * | 1987-03-31 | 1989-03-22 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Color sensor |
EP0385803A2 (en) * | 1989-03-03 | 1990-09-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | An optical element device |
EP0797255A2 (en) * | 1996-03-19 | 1997-09-24 | HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS | Two spectral bands (LWIR, MWIR) detector |
EP1154248A2 (en) * | 2000-05-01 | 2001-11-14 | General Electric Company | Optical spectrometer and method for combustion flame temperature determination |
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
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-
1982
- 1982-08-03 JP JP57135559A patent/JPS5927581A/ja active Pending
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EP0385803A3 (en) * | 1989-03-03 | 1992-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | An optical element device |
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EP0797255A3 (en) * | 1996-03-19 | 1998-07-29 | HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS | Two spectral bands (LWIR, MWIR) detector |
US6818897B2 (en) | 1999-02-08 | 2004-11-16 | General Electric Company | Photodiode device and method for fabrication |
EP1154248A2 (en) * | 2000-05-01 | 2001-11-14 | General Electric Company | Optical spectrometer and method for combustion flame temperature determination |
EP1154248A3 (en) * | 2000-05-01 | 2004-01-28 | General Electric Company | Optical spectrometer and method for combustion flame temperature determination |
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