JPS5927122B2 - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波集積回路装置Info
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- JPS5927122B2 JPS5927122B2 JP14589378A JP14589378A JPS5927122B2 JP S5927122 B2 JPS5927122 B2 JP S5927122B2 JP 14589378 A JP14589378 A JP 14589378A JP 14589378 A JP14589378 A JP 14589378A JP S5927122 B2 JPS5927122 B2 JP S5927122B2
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- JP
- Japan
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- integrated circuit
- microwave integrated
- mic
- waveguide
- dielectric
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波帯における発振器やミキサなどに用
いられるマイクロ波集積回路装置に関し、特に誘電体基
体上に形成されたマイクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと
称す）と導波管を結合させた導波管結合ＭＩＣ装置に関
するものである。
いられるマイクロ波集積回路装置に関し、特に誘電体基
体上に形成されたマイクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと
称す）と導波管を結合させた導波管結合ＭＩＣ装置に関
するものである。
従来、この種のＭＩＣ装置として用いられている導波管
結合ＭＩＣ発振器を第１図ａおよびｂに示して説明する
。
結合ＭＩＣ発振器を第１図ａおよびｂに示して説明する
。
第１図ａおよびｂにおいて、１は銅張積層テフロン基板
上にフォトエツチングにより伝送線路や回路素子などが
形成されたマイクロスｌ−ＩＪツブ線路ＭＩＣ基板、２
はこのＭＩＣ基板１上に装着されたカリウム砒素メタル
セミコンダクタ電界効果トランジスタ（以下、Ｇａ Ａ
ｓＭＥＳＦＥＴと称す）等のマイクロ波半導体素子、
３はマイクロ波半導体素子２の各電極に電源を供給する
ための貫通コンデンサ等のバイアス端子、４は前記ＭＩ
Ｃ基板１を外界から遮へいするためのＭＩＣ基板筐木１
ＳはＭＩＣ基板筐体用フタ、６はマイクロ波半導体素子
２とマイクロストリップ線路ＭＩＣ基板１よりなるＭＩ
Ｃ発振回路と導波管とを電磁的に結合するアンテナポス
ト等のＭＩＣ−導波管変換アンテナ、７はこの変換アン
テナ６をＭＩＣ基板筺木４に固定しかつ該筐体内を気密
にするためにテフロン等よりなる低損失誘電体、８は一
端が短絡されて他端が負荷に接続されるように開放され
た導波管である。
上にフォトエツチングにより伝送線路や回路素子などが
形成されたマイクロスｌ−ＩＪツブ線路ＭＩＣ基板、２
はこのＭＩＣ基板１上に装着されたカリウム砒素メタル
セミコンダクタ電界効果トランジスタ（以下、Ｇａ Ａ
ｓＭＥＳＦＥＴと称す）等のマイクロ波半導体素子、
３はマイクロ波半導体素子２の各電極に電源を供給する
ための貫通コンデンサ等のバイアス端子、４は前記ＭＩ
Ｃ基板１を外界から遮へいするためのＭＩＣ基板筐木１
ＳはＭＩＣ基板筐体用フタ、６はマイクロ波半導体素子
２とマイクロストリップ線路ＭＩＣ基板１よりなるＭＩ
Ｃ発振回路と導波管とを電磁的に結合するアンテナポス
ト等のＭＩＣ−導波管変換アンテナ、７はこの変換アン
テナ６をＭＩＣ基板筺木４に固定しかつ該筐体内を気密
にするためにテフロン等よりなる低損失誘電体、８は一
端が短絡されて他端が負荷に接続されるように開放され
た導波管である。
このように構成された導波管結合ＭＩＣ発振器において
は、マイクロ波半導体素子２とマイクロストリップ線路
ＭＩＣ基板１とよりなるＭＩＣ発振回路によってマイク
ロ波電力を発振させることにより、その発振出力が導波
管８内に挿入されているＭＩＣ−導波管変換アンテナ６
を通して導波管８に導かれるようになっている。
は、マイクロ波半導体素子２とマイクロストリップ線路
ＭＩＣ基板１とよりなるＭＩＣ発振回路によってマイク
ロ波電力を発振させることにより、その発振出力が導波
管８内に挿入されているＭＩＣ−導波管変換アンテナ６
を通して導波管８に導かれるようになっている。
しかしながら、マイクロストリップ線路ＭＩＣ基板を用
いた従来の導波管結合ＭＩＣ発振器では、ＭＩＣ基板筐
体４にはそのＭＩＣ基板１の表面にマイクロ波エネルギ
ーが存在できるような空隙を形成する必要があるため、
このような空間をもつ筐体４と導波管８との組立が構造
上複雑になるさともに、流度に対する発振周波数のヒス
テリシス現象を除去するように前記筐体４に乾燥不活性
ガスを充填させるためにその筐体を気密構造にしたり、
あるいは外界と電磁的にシールドするようにバイアス端
子に高価な貫通コンデンサを用いる必要があることなど
から、回路構成が複雑になったりして、装置全体が高価
になる欠点があった。
いた従来の導波管結合ＭＩＣ発振器では、ＭＩＣ基板筐
体４にはそのＭＩＣ基板１の表面にマイクロ波エネルギ
ーが存在できるような空隙を形成する必要があるため、
このような空間をもつ筐体４と導波管８との組立が構造
上複雑になるさともに、流度に対する発振周波数のヒス
テリシス現象を除去するように前記筐体４に乾燥不活性
ガスを充填させるためにその筐体を気密構造にしたり、
あるいは外界と電磁的にシールドするようにバイアス端
子に高価な貫通コンデンサを用いる必要があることなど
から、回路構成が複雑になったりして、装置全体が高価
になる欠点があった。
また、低損失誘電体で支持されたＭＩＣ−導波管変換部
において、マイクロストリップ線路−非対称トリブレー
ト線路−導波管内アンテナと急激な線路変換を行なう構
造になっているため、回路損失が生じやすく、その特性
上の工部ばがあった。
において、マイクロストリップ線路−非対称トリブレー
ト線路−導波管内アンテナと急激な線路変換を行なう構
造になっているため、回路損失が生じやすく、その特性
上の工部ばがあった。
本発明は、このような従来装置の欠点を除去するために
なされたもので、一方の面に接地導体が形成された誘電
体基体上に伝送線路や回路素子を構成するＭＩＣ回路と
導波管変換部およびこれらの各導波管変換部、ＭＩＣ回
路をシールドするように形成された外囲導体を設け、前
記基体上にその面を被うように一方に誘電体面が形成さ
れかつ他方に接地導体が形成された基体を積層してトリ
プレート線路ＭＩＣ基板を構成し、このＭＩＣ基板の両
面をフランジ付き導波管により挾持してこれら各導波管
の間に前記導波管変換部を配置して結合させることによ
り、装置全体を小型にして価格の低兼化をはかるととも
に、信頼性を向上させることができるマイクロ波集積回
路装置を提供するものである。
なされたもので、一方の面に接地導体が形成された誘電
体基体上に伝送線路や回路素子を構成するＭＩＣ回路と
導波管変換部およびこれらの各導波管変換部、ＭＩＣ回
路をシールドするように形成された外囲導体を設け、前
記基体上にその面を被うように一方に誘電体面が形成さ
れかつ他方に接地導体が形成された基体を積層してトリ
プレート線路ＭＩＣ基板を構成し、このＭＩＣ基板の両
面をフランジ付き導波管により挾持してこれら各導波管
の間に前記導波管変換部を配置して結合させることによ
り、装置全体を小型にして価格の低兼化をはかるととも
に、信頼性を向上させることができるマイクロ波集積回
路装置を提供するものである。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明するっ
第２図ａおよびｂは本発明をＭＩＣ発振器に適用したと
きの一実施例を示す外観斜視図および■ｎ／線断面図で
ある。
きの一実施例を示す外観斜視図および■ｎ／線断面図で
ある。
第２図において、１０は２枚の銅張積層誘電体１１．１
２より構成されるトリプレート線路ＭＩＣ基板であり、
一方の誘電体１１上には伝送線路や回路素子を構成する
ＭＩＣ回路と該ＭＩＣ−導波管変換アンテナおよびこれ
ら各変換アンテナ、ＭＩＣ回路のバイアス端子を除く部
分を電磁気的にシールドするように設けられた外囲導体
がそれぞれ所定のパターンを有して形成されている。
２より構成されるトリプレート線路ＭＩＣ基板であり、
一方の誘電体１１上には伝送線路や回路素子を構成する
ＭＩＣ回路と該ＭＩＣ−導波管変換アンテナおよびこれ
ら各変換アンテナ、ＭＩＣ回路のバイアス端子を除く部
分を電磁気的にシールドするように設けられた外囲導体
がそれぞれ所定のパターンを有して形成されている。
そして、前記誘電体１１の裏面には銅箔よりなる接地導
体１３が形成され、この接地導体１３のは×゛中央部に
は後述するフランジ付導波管の開口端に相当する大きさ
の矩形パターンが銅箔のエツチングにより形成されてい
る。
体１３が形成され、この接地導体１３のは×゛中央部に
は後述するフランジ付導波管の開口端に相当する大きさ
の矩形パターンが銅箔のエツチングにより形成されてい
る。
他方の誘電体１２の一面は前記誘電体１１と同じく銅箔
よりなる接地導体１４が形成され、かつこの誘電体１２
のはゾ中央部には後述するフランジ付導波管の開口端に
相当する大きさの誘電体部分を打抜き窓が形成されてい
る。
よりなる接地導体１４が形成され、かつこの誘電体１２
のはゾ中央部には後述するフランジ付導波管の開口端に
相当する大きさの誘電体部分を打抜き窓が形成されてい
る。
また、２０は前記誘電体１１上に半田付されたＧａＡｓ
ＭＥＳＦＥＴなどのマイクロ波半導体素子であり、
この半導体素子２０の対向する前記誘電体１２の部分に
は貫通した穴部１８が施されている。
ＭＥＳＦＥＴなどのマイクロ波半導体素子であり、
この半導体素子２０の対向する前記誘電体１２の部分に
は貫通した穴部１８が施されている。
１５は前記誘電体１１に対応して形成されたフランジ部
１５ａを有するフランジ付き導波管で、その一端部が短
絡されている。
１５ａを有するフランジ付き導波管で、その一端部が短
絡されている。
１６は前記誘電体１２に対応して形成されたフランジ部
１６ａを有するフランジ付き導波管で、その一端部が開
放されて負荷に接続されるようになっている。
１６ａを有するフランジ付き導波管で、その一端部が開
放されて負荷に接続されるようになっている。
そして、前記各導波管１５゜１６は、２つの接地導体１
３と１４の間に配置するように一方の誘電体１１に他方
の誘電体１２が積層されて構成されたトリプレート線路
ＭＩＣ基板１０の各接地面にフランジ部１５ａ、１６ａ
を接合させてネジ体１７によりそれぞれネジ止めするこ
とにより、前記ＭＩＣ基板１０を一体的に固定するよう
に設けられている。
３と１４の間に配置するように一方の誘電体１１に他方
の誘電体１２が積層されて構成されたトリプレート線路
ＭＩＣ基板１０の各接地面にフランジ部１５ａ、１６ａ
を接合させてネジ体１７によりそれぞれネジ止めするこ
とにより、前記ＭＩＣ基板１０を一体的に固定するよう
に設けられている。
第３図は第２図のトリプレート線路ＭＩＣ基板を構成し
ている２枚の銅張積層誘電ＩＩ １ 、１２に形成され
ている発振器パターンの具体例を示すものであり、第３
図ａおよびｂは一方の誘電体１１の表面と裏面のパター
ン、第３図Ｃおよびｄは他方の誘電体１２の表面と裏面
のパターンをそれぞれ示す。
ている２枚の銅張積層誘電ＩＩ １ 、１２に形成され
ている発振器パターンの具体例を示すものであり、第３
図ａおよびｂは一方の誘電体１１の表面と裏面のパター
ン、第３図Ｃおよびｄは他方の誘電体１２の表面と裏面
のパターンをそれぞれ示す。
ここで、パターンの白い部分は主に各銅張積層誘電体の
銅箔がエツチングされてその表面が誘電体のみの部分を
示している。
銅箔がエツチングされてその表面が誘電体のみの部分を
示している。
第３図において、２０は一方の誘電体１１上に装着され
たＧａＡｓ ＭＥ Ｓ Ｆ ＥＴなどのマイクロ波半
導体素子、２１ａ〜２１ｃはこのマイクロ波半導体素子
２０の各電極に対応して形成されたバイアス端子、２２
ａ〜２２ｃは低域通過用フィルタ、２３はドレイン接地
用１／４λストＩＪツブ線路、２４はゲート共振用スｌ
−ＩＪツブ線路、２５は整合用スｌ−ＩＪツブ線路、２
６は信号伝送用ストリップ線路、２７はＭＩＣ−導波管
変換プリントアンテナ、２８はＭＩＣ回路を外界と電磁
気的にシールドするように形成された外囲導体、２９は
前記プリントアンテナ２７を通じてＭＩＣ発振回路の発
振出力が導波管内に反射なく伝達されるよう誘電体１１
の接地導体１３を導波管の開口面さ同じ面積だけエツチ
ングした矩形パターンであり、３０は前記矩形パターン
２９と同じ＜ＭＩＣ発振出力が導波管内に反射なく伝達
されるように誘電体１２の中央部を導波管開口面と同じ
面積だけ打抜き窓である。
たＧａＡｓ ＭＥ Ｓ Ｆ ＥＴなどのマイクロ波半
導体素子、２１ａ〜２１ｃはこのマイクロ波半導体素子
２０の各電極に対応して形成されたバイアス端子、２２
ａ〜２２ｃは低域通過用フィルタ、２３はドレイン接地
用１／４λストＩＪツブ線路、２４はゲート共振用スｌ
−ＩＪツブ線路、２５は整合用スｌ−ＩＪツブ線路、２
６は信号伝送用ストリップ線路、２７はＭＩＣ−導波管
変換プリントアンテナ、２８はＭＩＣ回路を外界と電磁
気的にシールドするように形成された外囲導体、２９は
前記プリントアンテナ２７を通じてＭＩＣ発振回路の発
振出力が導波管内に反射なく伝達されるよう誘電体１１
の接地導体１３を導波管の開口面さ同じ面積だけエツチ
ングした矩形パターンであり、３０は前記矩形パターン
２９と同じ＜ＭＩＣ発振出力が導波管内に反射なく伝達
されるように誘電体１２の中央部を導波管開口面と同じ
面積だけ打抜き窓である。
この場合、打抜き窓３０は銅箔のみエツチングされた窓
で代えることもできる。
で代えることもできる。
なお、３１．３２は前記各誘電体１１および１２にそれ
ぞれ形成されたネジ穴であり、第３図において第２図と
同一部分には同一記号を用いている。
ぞれ形成されたネジ穴であり、第３図において第２図と
同一部分には同一記号を用いている。
このようなＭＩＣ発振器によると、トリプレート線路上
に各パターンが写真製版により同時に形成されたトリプ
レート線路ＭＩＣ基板１０をフランジ付き導波管１１，
１２により装着して結合させるようにしたので、構造が
簡単でしかも安価に製造できる。
に各パターンが写真製版により同時に形成されたトリプ
レート線路ＭＩＣ基板１０をフランジ付き導波管１１，
１２により装着して結合させるようにしたので、構造が
簡単でしかも安価に製造できる。
しかも、従来のようにマイクロ波エネルギーの存在する
空間をもつ筐体を導波管に装着することはなく、その組
立が容易になる。
空間をもつ筐体を導波管に装着することはなく、その組
立が容易になる。
また、ＭＩＣ−導波管変換部が誘電体上に一体的に形成
されているので、構造上弱い部分がなく、信頼性の向上
に有利である。
されているので、構造上弱い部分がなく、信頼性の向上
に有利である。
さらには、従来のように上記筐体内に乾燥不活性ガスを
封入する煩雑もなく、大きな容量をもつ外囲導体２８に
より外界とシールドされているため、バイアス端子に高
価な貫通コンデンサを用いることもなく、誘電体基板」
二にプリントされた平面構造のバイアス端子が使用でき
、小型化、低兼化の点で有利である。
封入する煩雑もなく、大きな容量をもつ外囲導体２８に
より外界とシールドされているため、バイアス端子に高
価な貫通コンデンサを用いることもなく、誘電体基板」
二にプリントされた平面構造のバイアス端子が使用でき
、小型化、低兼化の点で有利である。
第４図は第２図および第３図に示したＭＩＣ発振器をゲ
ート長ＩＨＩ”：：：１μｍ１ゲ一ト幅１ｗ＝３００μ
ｍのパッケージ入りＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴと２枚の銅
張積層テフロン基板より構成したときの発振特性の実測
結果を示したものであり、横軸にトレインバイアスＶＤ
（■ｏｌｔ）を、縦軸に発振出力Ｐ ｏ （ｍＷ ）、
発振周波数幅移へｆ （ＭＨｚ）発振効率η（％）を示
す。
ート長ＩＨＩ”：：：１μｍ１ゲ一ト幅１ｗ＝３００μ
ｍのパッケージ入りＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴと２枚の銅
張積層テフロン基板より構成したときの発振特性の実測
結果を示したものであり、横軸にトレインバイアスＶＤ
（■ｏｌｔ）を、縦軸に発振出力Ｐ ｏ （ｍＷ ）、
発振周波数幅移へｆ （ＭＨｚ）発振効率η（％）を示
す。
この発振器の発振周波数ｆｏは１０．４ ＧＨｚであり
、これははＳ’ＭＩＣ回路によって決定される。
、これははＳ’ＭＩＣ回路によって決定される。
ただし、ＭＩＣ−導波管変換アンテナと導波管の短絡面
の距離を変化させることにより、発振周波数を数百ＭＨ
ｚ程度調整することもできる。
の距離を変化させることにより、発振周波数を数百ＭＨ
ｚ程度調整することもできる。
この特性において本発明ｌとよって得られた発振出力、
発振効率を上記構造を有する従来のものと比較した場合
、この発振出力、発振効率共に従来と同程度又はそれ以
上の良好な結果が得られた。
発振効率を上記構造を有する従来のものと比較した場合
、この発振出力、発振効率共に従来と同程度又はそれ以
上の良好な結果が得られた。
第５図は本発明の他の実施例を示す要部構成図であり、
負荷側のフランジ付き導波管１６にその長手方向並びに
それと直角方向に上下に移動可能に支持された周波数調
整用ネジ３３を装着することにより、発振周波数を可変
するようにしたものである。
負荷側のフランジ付き導波管１６にその長手方向並びに
それと直角方向に上下に移動可能に支持された周波数調
整用ネジ３３を装着することにより、発振周波数を可変
するようにしたものである。
この実施例では、上記のＸ帯における実験結果によると
、周波数調整用ネジ３３を導波管の長手方向に沿って前
後に変化させることにより発振周波数を数百ＭＨｚ、
またそれ吉直角方向に沿って上下に変化させることによ
り発振周波数を数十ＭＨｚ程度可変することができた。
、周波数調整用ネジ３３を導波管の長手方向に沿って前
後に変化させることにより発振周波数を数百ＭＨｚ、
またそれ吉直角方向に沿って上下に変化させることによ
り発振周波数を数十ＭＨｚ程度可変することができた。
したがって、このような周波数調整機能を備えたＭＩＣ
発振器によるとＦＥＴなとの素子の特性上のバラツキや
ＭＩＣパターンの寸法バラツキに起因する発振周波数の
バラツキを調整できるので、同一の発振周波数をもつ発
振器を量産化でき、製造上有利である。
発振器によるとＦＥＴなとの素子の特性上のバラツキや
ＭＩＣパターンの寸法バラツキに起因する発振周波数の
バラツキを調整できるので、同一の発振周波数をもつ発
振器を量産化でき、製造上有利である。
第６図は本発明のその他の実施例を示す要部構成図であ
り、トリプレート線路ＭＩＣ基板１０と結合した導波管
１６の出力側の所定位置にアイリス３４を設けて空胴共
振器３５を形成し、ＭＩＣ−導波管変換アンテナからの
発振出力を前記空胴共振器３５を通して負荷側に導出す
るようにしたものである。
り、トリプレート線路ＭＩＣ基板１０と結合した導波管
１６の出力側の所定位置にアイリス３４を設けて空胴共
振器３５を形成し、ＭＩＣ−導波管変換アンテナからの
発振出力を前記空胴共振器３５を通して負荷側に導出す
るようにしたものである。
この実施例では、Ｑ値の高い空胴共振器３５を備えてい
るので、負荷のインピーダンス変化による発振周波数の
変動を抑制できるとともに、発振スペクトルが尖鋭とな
り、雑音（特にＦＭ雑音）を低減でき、したがって、低
雑音ミサキの局発源として有用である。
るので、負荷のインピーダンス変化による発振周波数の
変動を抑制できるとともに、発振スペクトルが尖鋭とな
り、雑音（特にＦＭ雑音）を低減でき、したがって、低
雑音ミサキの局発源として有用である。
なお、上記実施例では、ＭＩＣ発振器のマイクロ波半導
体素子としてＧａＡｓＭＥＳＦＥＴについて示したが、
この半導体素子としてはその他のガンダイオード、イン
バットダイオードや高周波トランジスタなどの能動素子
であればよい。
体素子としてＧａＡｓＭＥＳＦＥＴについて示したが、
この半導体素子としてはその他のガンダイオード、イン
バットダイオードや高周波トランジスタなどの能動素子
であればよい。
また、ＭＩＣ回路として発振器回路について示したが、
／ヨットキダイオードを含むミキサ回路などその他のＭ
ＩＣ回路にも、本発明が適用できることは言うまでもな
い。
／ヨットキダイオードを含むミキサ回路などその他のＭ
ＩＣ回路にも、本発明が適用できることは言うまでもな
い。
以上説明したように、本発明によれば、伝送線路や回路
素子を構成するＭＩＣ回路と該ＭＩＣ−導波管変換アン
テナおよび外囲導体を同一の誘電体基板上に形成してこ
の基板を２枚の接地導体により介在してなるトリプレー
ト線路ＭＩＣ基板を構成し、このＭＩＣ基板を一対のフ
ランジ付き導波管により直接結合させるようにしたので
、装置全体の小型化、価格の低兼化をはかることができ
るとともに、信頼性を向上させることができるという効
果がある。
素子を構成するＭＩＣ回路と該ＭＩＣ−導波管変換アン
テナおよび外囲導体を同一の誘電体基板上に形成してこ
の基板を２枚の接地導体により介在してなるトリプレー
ト線路ＭＩＣ基板を構成し、このＭＩＣ基板を一対のフ
ランジ付き導波管により直接結合させるようにしたので
、装置全体の小型化、価格の低兼化をはかることができ
るとともに、信頼性を向上させることができるという効
果がある。
第１図ａおよびｂは従来の導波管結合ＭＩＣ発振器の一
例を示す構成図およびＩ−Ｉ′線断面図、第２図ａおよ
びｂは本発明をＭＩＣ発振器に適用したときの一実施例
を示す外観斜視図およびｎ −■′線断面図、第３図ａ
乃至ｄは第２図に示すトリプレート線路ＭＩＣ基板の各
パターンを示す正面図、第４図は上記実施例により得ら
れた発振特性図、第５図および第６図は本発明の他の実
施例を示す要部構成図である。 １０・・・・・・トリプレート線路マイクロ波集積回路
基板、１１，１２・・・・・・銅張積層誘電体、１３，
１４・・・・・・接地導体、１５，１６・・・・・・フ
ランジ付導波管、１７・・・・・・ネジ体、３３・・・
・・・周波数調整用ネジ、３４・・・・・・アイリス、
３５・・・・・・空胴共振器。
例を示す構成図およびＩ−Ｉ′線断面図、第２図ａおよ
びｂは本発明をＭＩＣ発振器に適用したときの一実施例
を示す外観斜視図およびｎ −■′線断面図、第３図ａ
乃至ｄは第２図に示すトリプレート線路ＭＩＣ基板の各
パターンを示す正面図、第４図は上記実施例により得ら
れた発振特性図、第５図および第６図は本発明の他の実
施例を示す要部構成図である。 １０・・・・・・トリプレート線路マイクロ波集積回路
基板、１１，１２・・・・・・銅張積層誘電体、１３，
１４・・・・・・接地導体、１５，１６・・・・・・フ
ランジ付導波管、１７・・・・・・ネジ体、３３・・・
・・・周波数調整用ネジ、３４・・・・・・アイリス、
３５・・・・・・空胴共振器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一方の誘電体面に接地導体が形成されかつ他方の誘
電体面に伝送線路や回路素子を構成するマイクロ波集積
回路と該集積回路−導波管変換アンテナおよびこれら各
変換アンテナ、マイクロ波集積回路をシールドするよう
に外囲導体が形成された第１基体と該基体の他方の面を
被うように一方に誘電体が形成されかつ他方に接地導体
が形成されるとともに、前記第］基体のマイクロ波集積
回路−導波管変換アンテナを被う部分の誘電体を打抜い
た窓を有する第２基体とを積層してトリプレート線路マ
イクロ波集積回路基板を構成し、該マイクロ波集積回路
基板の両面に接合するようにフランジ部がそれぞれ形成
された一対のフランジ付き導波管を設け、これら各導波
管により前記マイクロ波集積回路基板を挾持することに
より前記変換アンテナを前記各導波管の間に配置して結
合させるようにしたことを特徴とするマイクロ波集積回
路装置。 ２ マイクロ波集積回路はマイクロ波発振回路であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波
集積回路装置。 ３ 負荷側の一方のフランジ付き導波管は、その長手方
向および上下に移動可能な周波数調整用ネジを有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のマイクロ波
集積回路装置。 ４ 負荷側の一方のフランジ付き導波管にアイリスを装
着して共振器を形成することを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載のマイクロ波集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14589378A JPS5927122B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | マイクロ波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14589378A JPS5927122B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | マイクロ波集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5571301A JPS5571301A (en) | 1980-05-29 |
| JPS5927122B2 true JPS5927122B2 (ja) | 1984-07-03 |
Family
ID=15395479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14589378A Expired JPS5927122B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | マイクロ波集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927122B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1189581A (en) * | 1983-05-16 | 1985-06-25 | Northern Telecom Limited | Mounting a semiconductor device in a microwave cavity oscillator |
| JPH06132708A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-05-13 | Nec Corp | マイクロ波ｉｃモジュール |
| JP4588648B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2010-12-01 | 三菱電機株式会社 | 導波管／マイクロストリップ線路変換器 |
-
1978
- 1978-11-22 JP JP14589378A patent/JPS5927122B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5571301A (en) | 1980-05-29 |
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