JPS6261161B2 - - Google Patents
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- JPS6261161B2 JPS6261161B2 JP2224082A JP2224082A JPS6261161B2 JP S6261161 B2 JPS6261161 B2 JP S6261161B2 JP 2224082 A JP2224082 A JP 2224082A JP 2224082 A JP2224082 A JP 2224082A JP S6261161 B2 JPS6261161 B2 JP S6261161B2
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- Japan
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- conductor
- stripline
- dielectric layer
- resonator
- hole
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/08—Strip line resonators
- H01P7/084—Triplate line resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、共振器、特にUHF帯やVHF帯の周
波数を発振させる際に使用される小型共振器に関
するものである。
波数を発振させる際に使用される小型共振器に関
するものである。
UHF帯やVHF帯でスペクトルの純度が高く、
雑音の低い発振器を構成するため、Ｑが高くとれ
る分布定数線路が用いられている。そして発振器
として用いる分布共振回路にはλ／２型とλ／４
型（λは波長）等があり、発振器を小型化するこ
とができるλ／４型であつても発振周波数の1/4
波長程度の長さの分布定数線路が必要で、この分
布定数線路の長さにより発振器を小型化するにつ
き限界があつた。
雑音の低い発振器を構成するため、Ｑが高くとれ
る分布定数線路が用いられている。そして発振器
として用いる分布共振回路にはλ／２型とλ／４
型（λは波長）等があり、発振器を小型化するこ
とができるλ／４型であつても発振周波数の1/4
波長程度の長さの分布定数線路が必要で、この分
布定数線路の長さにより発振器を小型化するにつ
き限界があつた。
従来、発振器の小型化のための手段として誘電
体層基板の両面を導体箔で形成した両面プリント
配線板構造の共振器の裏面部を接地し、表面部に
形成されたλ／４の長さの帯状の導体（ストリツ
プライン）をループ状に折り曲げ、共振器をでき
る限り小さくする工夫がなされていた。しかしな
がら発振器とするためには上記共振器以外に若干
の受動素子と能動素子及びこれらの素子に電源を
供給するための端子等を必要としている。UHF
帯やVHF帯の小型発振器においてはこれらの素
子が占有する面積はλ／４のストリツプラインを
有する共振器に比較して無視できない大きさであ
り、しかも従来の発振器は共振器の大きさを小型
化するためストリツプラインをループ状に構成す
ることはあつても、該ストリツプラインのループ
の内部を積極的に利用していないため、上記受動
素子や能動素子及び端子等の素子はストリツプラ
インのループの外部に配置されなければならず、
発振器の小型化がなされ得ない欠点があつた。
体層基板の両面を導体箔で形成した両面プリント
配線板構造の共振器の裏面部を接地し、表面部に
形成されたλ／４の長さの帯状の導体（ストリツ
プライン）をループ状に折り曲げ、共振器をでき
る限り小さくする工夫がなされていた。しかしな
がら発振器とするためには上記共振器以外に若干
の受動素子と能動素子及びこれらの素子に電源を
供給するための端子等を必要としている。UHF
帯やVHF帯の小型発振器においてはこれらの素
子が占有する面積はλ／４のストリツプラインを
有する共振器に比較して無視できない大きさであ
り、しかも従来の発振器は共振器の大きさを小型
化するためストリツプラインをループ状に構成す
ることはあつても、該ストリツプラインのループ
の内部を積極的に利用していないため、上記受動
素子や能動素子及び端子等の素子はストリツプラ
インのループの外部に配置されなければならず、
発振器の小型化がなされ得ない欠点があつた。
本発明は、共振器を構成するストリツプライン
をループ状に形成すると共に、該ストリツプライ
ンのループの内部の積極的に利用し、発振させる
に必要な受動素子と能動素子及び端子等を上記ル
ープの内部に配置される構造となし、発振器の小
型化が促進され得る共振器を提供することを目的
としている。そしてそのため本発明の共振器は表
面部には露出導体が、裏面部には接地導体がそれ
ぞれ形成された誘電体層基板であつて、少なくと
も１個以上の穴が穿たれ、該穴の内面に密着して
形成された筒状導体を介して上記表面部の露出導
体と裏面部の接地導体とが接合されてなる誘電体
層基板と、誘電体層基板の表面部に形成された上
記露出導体の周囲を包囲するが如くループ状に形
成され、かつ両端部が上記穴の近傍で終端するス
トリツプラインと、該ストリツプラインの一部分
と上記露出導体との間に接続された容量性素子と
を備え、ループ状に形成されたストリツプライン
の内部に発振回路構成素子を配置できるようにし
たことを特徴としている。以下図面を参照しなが
ら説明する。
をループ状に形成すると共に、該ストリツプライ
ンのループの内部の積極的に利用し、発振させる
に必要な受動素子と能動素子及び端子等を上記ル
ープの内部に配置される構造となし、発振器の小
型化が促進され得る共振器を提供することを目的
としている。そしてそのため本発明の共振器は表
面部には露出導体が、裏面部には接地導体がそれ
ぞれ形成された誘電体層基板であつて、少なくと
も１個以上の穴が穿たれ、該穴の内面に密着して
形成された筒状導体を介して上記表面部の露出導
体と裏面部の接地導体とが接合されてなる誘電体
層基板と、誘電体層基板の表面部に形成された上
記露出導体の周囲を包囲するが如くループ状に形
成され、かつ両端部が上記穴の近傍で終端するス
トリツプラインと、該ストリツプラインの一部分
と上記露出導体との間に接続された容量性素子と
を備え、ループ状に形成されたストリツプライン
の内部に発振回路構成素子を配置できるようにし
たことを特徴としている。以下図面を参照しなが
ら説明する。
第１図は本発明に係る共振器の一実施例構成
図、第２図は第１図のＡ―Ａ断面図、第３図は本
発明に係る共振器を用いて発振器を構成した一実
施回路の説明図、第４図は第３図の側面説明図、
第５図は第３図の発振回路を示した回路図、第６
図は本発明に係る共振器の他の実施例構成図、第
７図は本発明に係る共振器に集積回路を埋設して
構成した発振器の構成図、第８図はその断面図を
それぞれ示している。
図、第２図は第１図のＡ―Ａ断面図、第３図は本
発明に係る共振器を用いて発振器を構成した一実
施回路の説明図、第４図は第３図の側面説明図、
第５図は第３図の発振回路を示した回路図、第６
図は本発明に係る共振器の他の実施例構成図、第
７図は本発明に係る共振器に集積回路を埋設して
構成した発振器の構成図、第８図はその断面図を
それぞれ示している。
第１図、第２図において、誘電体層基板１の裏
面部に装着された導体箔の接地導体２が形成され
ている。誘電体層基板１の表面部には露出導体３
の導体箔が形成されており、該露出導体３と上記
接地導体２とは誘電体層基板１に穿たれた例えば
２個の穴４の内面に密着されて形成された筒状導
体５により接合され連結されている。この接地導
体２と露出導体３とを接合し連結している筒状導
体５は、例えばスルーホール・メツキ等の手段に
よつて形成される。誘電体層基板１の表面部には
露出導体３の周囲を包囲するかの如くとり囲んだ
ループ状の帯状導体線路（ストリツプライン）６
が装着形成されており、該ストリツプライン６の
両端部７，８は穴４のそれぞれの近傍で終端され
ると共に、その長さは発振周波数の1/4波長程度
である。このストリツプライン６の有する等価イ
ンダクタンスＬと、ストリツプライン６の一部分
と露出導体３との間に接続された容量性素子９の
静電容量Ｃとによつて共振現象が引き起される。
なお容量性素子９に可変容量ダイオードを用い、
該可変容量ダイオードに印加する電圧を変化させ
ることにより、電圧可変共振器とすることも可能
である。そして上記ストリツプライン６等の導体
箔の形成はプリント基板によるもののほか、導体
箔の貼り付け等他の手段によつて形成されてもよ
い。
面部に装着された導体箔の接地導体２が形成され
ている。誘電体層基板１の表面部には露出導体３
の導体箔が形成されており、該露出導体３と上記
接地導体２とは誘電体層基板１に穿たれた例えば
２個の穴４の内面に密着されて形成された筒状導
体５により接合され連結されている。この接地導
体２と露出導体３とを接合し連結している筒状導
体５は、例えばスルーホール・メツキ等の手段に
よつて形成される。誘電体層基板１の表面部には
露出導体３の周囲を包囲するかの如くとり囲んだ
ループ状の帯状導体線路（ストリツプライン）６
が装着形成されており、該ストリツプライン６の
両端部７，８は穴４のそれぞれの近傍で終端され
ると共に、その長さは発振周波数の1/4波長程度
である。このストリツプライン６の有する等価イ
ンダクタンスＬと、ストリツプライン６の一部分
と露出導体３との間に接続された容量性素子９の
静電容量Ｃとによつて共振現象が引き起される。
なお容量性素子９に可変容量ダイオードを用い、
該可変容量ダイオードに印加する電圧を変化させ
ることにより、電圧可変共振器とすることも可能
である。そして上記ストリツプライン６等の導体
箔の形成はプリント基板によるもののほか、導体
箔の貼り付け等他の手段によつて形成されてもよ
い。
このように構成された共振器を発振器に応用し
た一例を第３図、第４図を用いて説明する。
た一例を第３図、第４図を用いて説明する。
第４図、第５図において、符号１ないし９は第
１図、第２図のものに対応する。内面が筒状導体
５で形成された穴４のそれぞれには、例えばハー
メチツクシール様の端子１０，１１が嵌着され、
該端子１０，１１は筒状導体５、すなわち接地導
体２から絶縁されている。共振器を構成するスト
リツプライン６の終端部である端部７と端子１０
との間にコイル１２が第３図、第４図図示の如く
接続され、またストリツプライン６の終端部であ
る端部８にはトランジスタ１３のコレクタ及びコ
ンデンサ１５，１６の一端が接続されている。そ
して上記トランジスタ１３のベースと共に上記コ
ンデンサ１５の他端が露出導体３に接続され、ま
たトランジスタ１３のエミツタは誘電体層基板１
の表面部に形成された短形ランド１４に接続され
ている。該短形ランド１４には上記コンデンサ１
６の他端が接続されると共に、該短形ランド１４
と端子１１との間にコイル１７が第３図、第４図
図示の如くそれぞれ接続されている。短形ランド
１４から引き出された細いストリツプ１８を介し
て高周波発振信号が出力端子に導びかれる。なお
直流電圧は誘電体層基板１の裏面部側に突出した
端子１０，１１に印加される。
１図、第２図のものに対応する。内面が筒状導体
５で形成された穴４のそれぞれには、例えばハー
メチツクシール様の端子１０，１１が嵌着され、
該端子１０，１１は筒状導体５、すなわち接地導
体２から絶縁されている。共振器を構成するスト
リツプライン６の終端部である端部７と端子１０
との間にコイル１２が第３図、第４図図示の如く
接続され、またストリツプライン６の終端部であ
る端部８にはトランジスタ１３のコレクタ及びコ
ンデンサ１５，１６の一端が接続されている。そ
して上記トランジスタ１３のベースと共に上記コ
ンデンサ１５の他端が露出導体３に接続され、ま
たトランジスタ１３のエミツタは誘電体層基板１
の表面部に形成された短形ランド１４に接続され
ている。該短形ランド１４には上記コンデンサ１
６の他端が接続されると共に、該短形ランド１４
と端子１１との間にコイル１７が第３図、第４図
図示の如くそれぞれ接続されている。短形ランド
１４から引き出された細いストリツプ１８を介し
て高周波発振信号が出力端子に導びかれる。なお
直流電圧は誘電体層基板１の裏面部側に突出した
端子１０，１１に印加される。
発振回路を構成する部品のトランジスタやコイ
ル、コンデンサの能動素子及び受動素子は、第３
図、第４図から判るようにループ状に形成された
ストリツプライン６の内部を有効に使用して結線
されているので、発振器を小型化することが可能
となる。また筒状導体５によつて誘電体層基板１
の裏面部に形成された接地導体２に完全に接合さ
せているため、ループ状に形成されたストリツプ
ライン６の内部に設けられている露出導体３はほ
ぼ接地電位とみなしてもよく、ストリツプライン
６のループ上にある定在波による共振電磁界の影
響が少なくなる。
ル、コンデンサの能動素子及び受動素子は、第３
図、第４図から判るようにループ状に形成された
ストリツプライン６の内部を有効に使用して結線
されているので、発振器を小型化することが可能
となる。また筒状導体５によつて誘電体層基板１
の裏面部に形成された接地導体２に完全に接合さ
せているため、ループ状に形成されたストリツプ
ライン６の内部に設けられている露出導体３はほ
ぼ接地電位とみなしてもよく、ストリツプライン
６のループ上にある定在波による共振電磁界の影
響が少なくなる。
第５図は第３図の発振回路を示した回路図であ
り、符号６は第１図のものに対応し、符号１０な
いし１３，１４ないし１７は第３図，第４図のも
のに対応する。符号１４′，１８′は第３図におけ
る短形ランド１４、ストリツプ１８の等価インダ
クタンスをそれぞれ表わしている。
り、符号６は第１図のものに対応し、符号１０な
いし１３，１４ないし１７は第３図，第４図のも
のに対応する。符号１４′，１８′は第３図におけ
る短形ランド１４、ストリツプ１８の等価インダ
クタンスをそれぞれ表わしている。
第６図は本発明に係る共振器の他の実施例構成
図を示しており、誘電体層基板１９に穿たれた穴
２０の内面は例えばスルーホール・メツキを介し
て誘電体層基板１９の裏面部に形成されている接
地導体（図示せず）と誘電体層基板１９の表面部
に形成された露出導体２１のランドとが接合され
ている。そして露出導体２１のランドのまわりを
ストリツプライン２２がコの字型に包囲すると共
に、該ストリツプライン２２の両端部２３，２４
から露出導体２１のランドへそれぞれコンデンサ
２５，２６が接続されている。またストリツプラ
イン２２の一部分から露出導体２１のランドへ容
量性素子である可変容量ダイオード２７が接続さ
れ、発振周波数が該可変容量ダイオード２７に印
加される電圧に応じて可変することができる共振
器が示されている。この場合においても誘電体層
基板１９に穿たれた穴２０及び露出導体２１のラ
ンドを用いて、ループ状に形成されたストリツプ
ライン２２の内部に発振回路を構成する部品を配
置することができ、発振器の小型化が可能とな
る。
図を示しており、誘電体層基板１９に穿たれた穴
２０の内面は例えばスルーホール・メツキを介し
て誘電体層基板１９の裏面部に形成されている接
地導体（図示せず）と誘電体層基板１９の表面部
に形成された露出導体２１のランドとが接合され
ている。そして露出導体２１のランドのまわりを
ストリツプライン２２がコの字型に包囲すると共
に、該ストリツプライン２２の両端部２３，２４
から露出導体２１のランドへそれぞれコンデンサ
２５，２６が接続されている。またストリツプラ
イン２２の一部分から露出導体２１のランドへ容
量性素子である可変容量ダイオード２７が接続さ
れ、発振周波数が該可変容量ダイオード２７に印
加される電圧に応じて可変することができる共振
器が示されている。この場合においても誘電体層
基板１９に穿たれた穴２０及び露出導体２１のラ
ンドを用いて、ループ状に形成されたストリツプ
ライン２２の内部に発振回路を構成する部品を配
置することができ、発振器の小型化が可能とな
る。
第７図は本発明に係る共振器に集積回路を埋設
して構成した発振器の構成図、第８図はその断面
図を示しており、誘電体層基板２８には大きな穴
２９が穿たれ、該穴２９の内面に密着して形成さ
れた筒状導体３５を介して誘電体層基板２８の裏
面部に形成された接地導体３６と誘電体層基板２
８の表面部に形成された露出導体３０とが接合し
ている。露出導体３０の周囲を包囲するが如くル
ープ状にストリツプライン３１が形成されてお
り、該ストリツプライン３１の一部分と上記露出
導体３０とが容量性素子３２で接続されて共振器
を構成している。誘電体層基板２８に穿たれた上
記穴２９の内部には、発振回路を構成する素子が
集積された集積回路３３、及び電源端子等の中継
端子３４が設けられている。このようにループ状
に形成されたストリツプライン３１の内部に発振
回路を構成するに要する素子が集積された集積回
路３３を埋設し得るので、発振器の小型化が可能
となる。そして穴２９の内面に密着して形成され
た筒状導体３５が誘電体層基板２８の裏面部に形
成された接地導体３６と接合されていることによ
り、穴２９に埋設された集積回路３３とストリツ
プライン３１を励振させる共振電磁界との相互干
渉が少なく、安定な発振信号が得られる。
して構成した発振器の構成図、第８図はその断面
図を示しており、誘電体層基板２８には大きな穴
２９が穿たれ、該穴２９の内面に密着して形成さ
れた筒状導体３５を介して誘電体層基板２８の裏
面部に形成された接地導体３６と誘電体層基板２
８の表面部に形成された露出導体３０とが接合し
ている。露出導体３０の周囲を包囲するが如くル
ープ状にストリツプライン３１が形成されてお
り、該ストリツプライン３１の一部分と上記露出
導体３０とが容量性素子３２で接続されて共振器
を構成している。誘電体層基板２８に穿たれた上
記穴２９の内部には、発振回路を構成する素子が
集積された集積回路３３、及び電源端子等の中継
端子３４が設けられている。このようにループ状
に形成されたストリツプライン３１の内部に発振
回路を構成するに要する素子が集積された集積回
路３３を埋設し得るので、発振器の小型化が可能
となる。そして穴２９の内面に密着して形成され
た筒状導体３５が誘電体層基板２８の裏面部に形
成された接地導体３６と接合されていることによ
り、穴２９に埋設された集積回路３３とストリツ
プライン３１を励振させる共振電磁界との相互干
渉が少なく、安定な発振信号が得られる。
以上説明した如く、本発明によれば、共振器の
ループ状に形成されたストリツプラインの内部を
積極的に使用するような構造にしたので、UHF
帯やVHF帯の発振器の小型化を促進させる共振
器が可能となる。また共振器の誘電体層基板に穿
たれた穴の内面は完全に電磁的シールドがされて
いるので、ここに電源供給端子等を通すことによ
つて端子からの高周波信号の漏洩を十分防ぐこと
が可能となる。そして共振器全体をシールドすれ
ば高いＱを得ることができる。
ループ状に形成されたストリツプラインの内部を
積極的に使用するような構造にしたので、UHF
帯やVHF帯の発振器の小型化を促進させる共振
器が可能となる。また共振器の誘電体層基板に穿
たれた穴の内面は完全に電磁的シールドがされて
いるので、ここに電源供給端子等を通すことによ
つて端子からの高周波信号の漏洩を十分防ぐこと
が可能となる。そして共振器全体をシールドすれ
ば高いＱを得ることができる。
共振器に穿たれた穴をさらに大きくし、穴の内
部に発振に要する素子を集積した集積回路を埋設
することにより、より高い周波数の発振器を極め
て小型に作ることが可能となる。この場合、穴の
内部がシールドされることになつて集積回路と共
振電磁界の相互干渉が少なくなり、より安定な発
振動作が可能となる。
部に発振に要する素子を集積した集積回路を埋設
することにより、より高い周波数の発振器を極め
て小型に作ることが可能となる。この場合、穴の
内部がシールドされることになつて集積回路と共
振電磁界の相互干渉が少なくなり、より安定な発
振動作が可能となる。
第１図は本発明に係る共振器の一実施例構成
図、第２図は第１図のＡ―Ａ断面図、第３図は本
発明に係る共振器を用いて発振器を構成した一実
施回路の説明図、第４図は第３図の側面説明図、
第５図は第３図の発振回路を示した回路図、第６
図は本発明に係る共振器の他の実施例構成図、第
７図は本発明に係る共振器に集積回路を埋設して
構成した発振器の構成図、第８図はその断面図を
それぞれ示している。 図中、１は誘電体層基板、２は接地導体、３は
露出導体、４は穴、５は筒状導体、６はストリツ
プライン、７，８は端部、９は容量性素子、１
０，１１は端子、１２はコイル、１３はトランジ
スタ、１４は短形ランド、１４′は等価容量、１
５，１６はコンデンサ、１７はコイル、１８はス
トリツプ、１８′は等価インダクタンス、１９は
誘電体層基板、２０は穴、２１は露出導体、２２
はストリツプライン、２３，２４は端部、２５，
２６はコンデンサ、２７は可変容量ダイオード、
２８は誘電体層基板、２９は穴、３０は露出導
体、３１はストリツプライン、３２は容量性素
子、３３は集積回路、３４は中継端子、３５は筒
状導体、３６は接地導体、３７は接着剤をそれぞ
れ表わしている。
図、第２図は第１図のＡ―Ａ断面図、第３図は本
発明に係る共振器を用いて発振器を構成した一実
施回路の説明図、第４図は第３図の側面説明図、
第５図は第３図の発振回路を示した回路図、第６
図は本発明に係る共振器の他の実施例構成図、第
７図は本発明に係る共振器に集積回路を埋設して
構成した発振器の構成図、第８図はその断面図を
それぞれ示している。 図中、１は誘電体層基板、２は接地導体、３は
露出導体、４は穴、５は筒状導体、６はストリツ
プライン、７，８は端部、９は容量性素子、１
０，１１は端子、１２はコイル、１３はトランジ
スタ、１４は短形ランド、１４′は等価容量、１
５，１６はコンデンサ、１７はコイル、１８はス
トリツプ、１８′は等価インダクタンス、１９は
誘電体層基板、２０は穴、２１は露出導体、２２
はストリツプライン、２３，２４は端部、２５，
２６はコンデンサ、２７は可変容量ダイオード、
２８は誘電体層基板、２９は穴、３０は露出導
体、３１はストリツプライン、３２は容量性素
子、３３は集積回路、３４は中継端子、３５は筒
状導体、３６は接地導体、３７は接着剤をそれぞ
れ表わしている。
Claims (1)
- １ 表面部には露出導体が、裏面部には接地導体
がそれぞれ形成された誘電体層基板であつて、少
なくとも１個以上の穴が穿たれ、該穴の内面に密
着して形成された筒状導体を介して上記表面部の
露出導体と裏面部の接地導体とが接合されてなる
誘電体層基板と；誘電体層基板の表面部に形成さ
れた上記露出導体の周囲を包囲するが如くループ
状に形成され、かつ両端部が上記穴の近傍で終端
するストリツプラインと；該ストリツプラインの
一部分と上記露出導体との間に接続された容量性
素子とを備えたことを特徴とする共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224082A JPS58139502A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224082A JPS58139502A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139502A JPS58139502A (ja) | 1983-08-18 |
| JPS6261161B2 true JPS6261161B2 (ja) | 1987-12-19 |
Family
ID=12077264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2224082A Granted JPS58139502A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139502A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0783213B2 (ja) * | 1986-07-23 | 1995-09-06 | 松下電器産業株式会社 | 電圧制御発振回路 |
| JP2511981B2 (ja) * | 1987-06-24 | 1996-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 高周波フィルタ |
| JPH0244802A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 共振器 |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2224082A patent/JPS58139502A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58139502A (ja) | 1983-08-18 |
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